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文檔簡(jiǎn)介
一、半導(dǎo)體材料
1、根據(jù)物體的導(dǎo)電力不同,將物體分為:(1)導(dǎo)體:導(dǎo)電能力較強(qiáng)的物體。(2)半導(dǎo)體:導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕體之間。(3)絕體:導(dǎo)電能力較差的物體。2、半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能在不同的條件下有著顯著的差別,因此半導(dǎo)體具有以下主要特性:(1)熱敏性:(2)光敏性:(3)摻雜性;
高要技工學(xué)校半導(dǎo)體二極管二、本征半導(dǎo)體
完全純凈的、具有晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體,稱為本征半導(dǎo)體。晶體中原子的排列方式硅單晶中的共價(jià)健結(jié)構(gòu)共價(jià)健共價(jià)鍵中的兩個(gè)電子,稱為價(jià)電子。
Si
Si
Si
Si價(jià)電子高要技工學(xué)校價(jià)電子
Si
Si
Si
Si價(jià)電子
價(jià)電子在獲得一定能量(溫度升高或受光照)后,即可掙脫原子核的束縛,成為自由電子(帶負(fù)電),同時(shí)共價(jià)鍵中留下一個(gè)空位,稱為空穴(帶正電)。本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理這一現(xiàn)象稱為本征激發(fā)??昭囟扔?,晶體中產(chǎn)生的自由電子便愈多。自由電子在外電場(chǎng)的作用下,空穴吸引相鄰原子的價(jià)電子來(lái)填補(bǔ),而在該原子中出現(xiàn)一個(gè)空穴,其結(jié)果相當(dāng)于空穴的運(yùn)動(dòng)(相當(dāng)于正電荷的移動(dòng))。高要技工學(xué)校三、雜質(zhì)半導(dǎo)體
摻雜后自由電子數(shù)目大量增加,自由電子導(dǎo)電成為這種半導(dǎo)體的主要導(dǎo)電方式,稱為電子半導(dǎo)體或N型半導(dǎo)體。摻入五價(jià)元素
Si
Si
Si
Sip+多余電子磷原子在常溫下即可變?yōu)樽杂呻娮邮ヒ粋€(gè)電子變?yōu)檎x子在本征半導(dǎo)體中摻入微量的雜質(zhì)(某種元素),形成雜質(zhì)半導(dǎo)體。
在N
型半導(dǎo)體中自由電子是多數(shù)載流子,空穴是少數(shù)載流子。高要技工學(xué)校三、雜質(zhì)半導(dǎo)體
摻雜后自由電子數(shù)目大量增加,自由電子導(dǎo)電成為這種半導(dǎo)體的主要導(dǎo)電方式,稱為電子半導(dǎo)體或N型半導(dǎo)體。摻入五價(jià)元素
Si
Si
Si
Sip+多余電子磷原子在常溫下即可變?yōu)樽杂呻娮邮ヒ粋€(gè)電子變?yōu)檎x子在本征半導(dǎo)體中摻入微量的雜質(zhì)(某種元素),形成雜質(zhì)半導(dǎo)體。
在N
型半導(dǎo)體中自由電子是多數(shù)載流子,空穴是少數(shù)載流子。高要技工學(xué)校
摻雜后空穴數(shù)目大量增加,空穴導(dǎo)電成為這種半導(dǎo)體的主要導(dǎo)電方式,稱為空穴半導(dǎo)體或P型半導(dǎo)體。摻入三價(jià)元素
Si
Si
Si
Si
在P型半導(dǎo)體中空穴是多數(shù)載流子,自由電子是少數(shù)載流子。B–硼原子接受一個(gè)電子變?yōu)樨?fù)離子空穴無(wú)論N型或P型半導(dǎo)體都是中性的,對(duì)外不顯電性。高要技工學(xué)校2PN結(jié)的單向?qū)щ娦?1)PN結(jié)加正向電壓(正向偏置)PN結(jié)變窄P接正、N接負(fù)外電場(chǎng)IF內(nèi)電場(chǎng)被削弱,多子的擴(kuò)散加強(qiáng),形成較大的擴(kuò)散電流。
PN結(jié)加正向電壓時(shí),PN結(jié)變窄,正向電流較大,正向電阻較小,PN結(jié)處于導(dǎo)通狀態(tài)。內(nèi)電場(chǎng)PN------------------+++++++++++++++++++–高要技工學(xué)校PN結(jié)變寬(2)PN結(jié)加反向電壓(反向偏置)外電場(chǎng)內(nèi)電場(chǎng)被加強(qiáng),少子的漂移加強(qiáng),由于少子數(shù)量很少,形成很小的反向電流。IRP接負(fù)、N接正溫度越高少子的數(shù)目越多,反向電流將隨溫度增加。–+PN結(jié)加反向電壓時(shí),PN結(jié)變寬,反向電流較小,反向電阻較大,PN結(jié)處于截止?fàn)顟B(tài)。內(nèi)電場(chǎng)PN+++------+++++++++---------++++++
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