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(人教版選修3)第三章第三節(jié)《金屬晶體》過關(guān)訓練試題(考試時間:40分鐘滿分:100分)一、單項選擇題(每小題4分,共48分)1.下列有關(guān)金屬元素特征的敘述中正確的是(B)A.金屬元素的原子只有還原性,離子只有氧化性B.金屬元素在化合物中一定顯正價C.金屬元素在不同化合物中的化合價均不同D.金屬單質(zhì)的熔點總是高于分子晶體2.金屬的下列性質(zhì)中和金屬晶體的結(jié)構(gòu)無關(guān)的是(B)A.良好的導電性 B.反應中易失電子C.良好的延展性 D.良好的導熱性3.下列有關(guān)金屬晶體判斷正確的是(D)A.簡單立方、配位數(shù)6、空間利用率68%B.鉀型、配位數(shù)6、空間利用率68%C.鎂型、配位數(shù)8、空間利用率74%D.銅型、配位數(shù)12、空間利用率74%【解析】:簡單立方空間利用率為52%,故A項錯;鉀型配位數(shù)為8,故B項錯;鎂型配位數(shù)為12,故C項錯。4.按下列四種有關(guān)性質(zhì)的敘述,可能屬于金屬晶體的是(B)A.由分子間作用力結(jié)合而成,熔點低B.固體或熔融后易導電,熔點在1000℃左右C.由共價鍵結(jié)合成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu),熔點高D.固體和熔融狀態(tài)不導電,但溶于水后可能導電【解析】:A項中為分子晶體性質(zhì),B項中固體能導電,熔點在1000℃左右,不是很高,應為金屬晶體,C項中物質(zhì)為原子晶體,D項中物質(zhì)為分子晶體。5.下列各組物質(zhì)中,按熔點由低到高的順序排列正確的是(D)①O2、I2、Hg②CO、Al、SiO2③Na、K、Rb④Na、Mg、AlA.①③ B.①④ C.②③ D.②④6.下列敘述正確的是(D)A.金屬受外力作用時常常發(fā)生變形而不易折斷,這是由于金屬原子之間有較強的作用B.通常情況下,金屬里的自由電子會發(fā)生定向移動而形成電流C.金屬是借助自由電子的運動,把能量從溫度高的部分傳到溫度低的部分D.金屬的導電性隨溫度的升高而減弱【解析】:金屬受外力作用時常常發(fā)生變形而不易折斷,這是因為金屬晶體中各原子層會發(fā)生相對滑動,但不會改變原來的排列方式,故A項不正確;金屬里的自由電子要在外電場作用下才能發(fā)生定向移動產(chǎn)生電流,故B項不正確;金屬的導熱性是由于自由電子碰撞金屬原子將能量進行傳遞,故C項不正確。7.甲、乙、丙、丁均為中學化學中常見的單質(zhì)或化合物,它們之間的轉(zhuǎn)化關(guān)系如下圖所示(部分產(chǎn)物已略去),下列各組物質(zhì)中不能按圖示關(guān)系轉(zhuǎn)化的是(D)8.幾種晶體的晶胞如圖所示:所示晶胞從左到右分別表示的物質(zhì)正確的排序是(C)A.碘、鋅、鈉、金剛石B.金剛石、鋅、碘、鈉C.鈉、鋅、碘、金剛石D.鋅、鈉、碘、金剛石【解析】:第一種晶胞為體小立方堆積,鉀、鈉、鐵等金屬采用這種堆積方式;第二種晶胞為六方最密堆積,鎂、鋅、鈦等金屬采用這種堆積方式;組成第三種晶胞的粒子為雙原子分子,是碘;第四種晶胞的粒子結(jié)構(gòu)為正四面體結(jié)構(gòu),為金剛石。9.關(guān)于右圖不正確的說法是(D)A.此種最密堆積為面心立方最密堆積B.該種堆積方式稱為銅型C.該種堆積方式可用符號……ABCABC……表示D.該種堆積方式稱為鎂型【解析】:從圖示可看出,該堆積方式的第一層和第四層重合,所以這種堆積方式屬于銅型堆積,這種堆積方式可用符號“…ABCABC…”表示,屬面心立方最密堆積,而鎂屬于六方堆積,所以選項D不正確。10.要使金屬晶體熔化必須破壞其中的金屬鍵。金屬晶體熔、沸點高低和硬度大小一般取決于金屬鍵的強弱。由此判斷下列說法正確的是(D)A.金屬鎂的熔點高于金屬鋁B.堿金屬單質(zhì)的熔、沸點從Li到Cs是逐漸升高的C.金屬鎂的硬度小于金屬鈣D.金屬鋁的硬度大于金屬鈉
【解析】A、鋁離子半徑小于鎂離子半徑,且電荷數(shù)多,因此金屬鋁中的金屬鍵強,熔點高于鎂的,A不正確;B、堿金屬從Li到Cs離子半徑逐漸增大,因此金屬鍵逐漸減弱,所以堿金屬單質(zhì)的熔、沸點從Li到Cs是逐漸降低的,B不正確;C、鎂離子半徑小于鈣離子半徑,因此金屬鎂的硬度高于金屬鈣,C不正確;D、鋁離子半徑小于鈉離子半徑,金屬鍵強,因此金屬鋁的硬度大于金屬鈉,D正確,答案選D。11.下列說法中正確的是(B)A.BF3和NF3的立體構(gòu)型都為平面三角形B.互為手性異構(gòu)體的分子的化學式相同C.熔點:Na-K合金<氯化鈉<鈉?金剛石D.空間利用率:體心立方堆積<六方最密堆積<面心立方最密堆積【解析】:NF3為三角錐形分子,A項錯誤;互為手性異構(gòu)體的分子,其化學式相同,只是立體結(jié)構(gòu)不同,B項正確;合金的熔點比成分金屬的低,鈉的熔點低于氯化鈉,故熔點順序為Na-K合金<鈉<氯化鈉?金剛石,C項錯誤;六方最密堆積和面心立方最密堆積的空間利用率均為74%,D項錯誤。12.有四種不同堆積方式的金屬晶體的晶胞如下圖所示,有關(guān)說法正確的是(B)A.①為簡單立方堆積,②為六方最密堆積,③為體心立方堆積,④為面心立方最密堆積B.每個晶胞含有的原子數(shù)分別為:①1個,②2個,③2個,④4個C.晶胞中原子的配位數(shù)分別為:①6,②8,③8,④12D.空間利用率的大小關(guān)系為:①<②<③<④【解析】:①為簡單立方堆積,②為體心立方堆積,③為六方最密堆積,④為面心立方最密堆積,②與③判斷有誤,A項錯誤;每個晶胞中含有的原子數(shù)分別為:①8×eq\f(1,8)=1,②8×eq\f(1,8)+1=2,③8×eq\f(1,8)+1=2,④8×eq\f(1,8)+6×eq\f(1,2)=4,B項正確;晶胞③中原子的配位數(shù)應為12,其他判斷正確,C項不正確;四種晶體的空間利用率分別為52%、68%、74%、74%,所以D項不正確,應為④=③>②>①。二、填空題(共52分)13.(12分)C、Si、Ge、Sn是同族元素,該族元素單質(zhì)及其化合物在材料、醫(yī)藥等方面有重要應用,請回答下列問題:(1)Ge原子的核外電子排布式為。
(2)C、Si、Sn三種元素的單質(zhì)中,能夠形成金屬晶體的是。
(3)按要求指出下列氧化物的空間構(gòu)型、成鍵方式或性質(zhì)。①CO2分子的空間構(gòu)型及碳氧之間的成鍵方式;
②SiO2晶體的空間構(gòu)型及硅氧之間的成鍵方式。
【答案】:(1)1s22s22p63s23p63d104s24p2(2)Sn(3)①直線形;共價鍵(σ鍵與π鍵)②Si—O通過共價鍵形成四面體結(jié)構(gòu),四面體之間通過共價鍵形成空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu);共價鍵(σ鍵)【解析】:(1)Ge與碳同族且屬第四周期,因此其電子排布式可寫為1s22s22p63s23p63d104s24p2。(2)C、Si、Sn中Sn是金屬元素,故其單質(zhì)為金屬晶體。(3)①CO2分子為直線形,碳氧原子之間以共價鍵(σ鍵與π鍵)結(jié)合。②Si—O通過共價鍵形成四面體結(jié)構(gòu),四面體之間又通過共價鍵形成空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)而構(gòu)成原子晶體,成鍵方式為共價鍵。14.(12分)結(jié)合金屬晶體的結(jié)構(gòu)和性質(zhì),回答以下問題:(1)已知下列金屬晶體:Na、Po、K、Fe、Cu、Mg、Zn、Au,其堆積方式為:①簡單立方堆積的是_____________________________;②體心立方堆積的是_____________________________;③六方最密堆積的是_____________________________;④面心立方最密堆積的是_________________________。(2)根據(jù)下列敘述,判斷一定為金屬晶體的是________。A.由分子間作用力形成,熔點很低B.由共價鍵結(jié)合形成網(wǎng)狀晶體,熔點很高C.固體有良好的導電性、導熱性和延展性(3)下列關(guān)于金屬晶體的敘述正確的是________。A.常溫下,金屬單質(zhì)都以金屬晶體形式存在B.金屬陽離子與自由電子之間的強烈作用,在一定外力作用下,不因形變而消失C.鈣的熔、沸點高于鉀D.溫度越高,金屬的導電性越好【答案】:(1)①Po②Na、K、Fe③Mg、Zn④Cu、Au(2)C(3)BC【解析】:(1)簡單立方堆積的空間利用率低,金屬Po采取這種方式。體心立方堆積是上層金屬原子填入下層金屬原子形成的凹穴中,這種堆積方式的空間利用率比簡單立方堆積的高,多數(shù)金屬是這種堆積方式。六方最密堆積按ABAB……的方式堆積,面心立方最密堆積按ABCABC……的方式堆積,六方最密堆積常見金屬為Mg、Zn、Ti,面心立方最密堆積常見金屬為Cu、Ag、Au。(2)A項屬于分子晶體;B項屬于原子晶體;而C項是金屬的通性。(3)常溫下,Hg為液態(tài),A錯;因為金屬鍵無方向性,故金屬鍵在一定范圍內(nèi)不因形變而消失,B正確;鈣的金屬鍵強于鉀,故熔、沸點高于鉀,C正確;溫度升高,金屬的導電性減弱,D錯。15.(15分)石墨烯(圖甲)是一種由單層碳原子構(gòu)成的平面結(jié)構(gòu)新型碳材料,石墨烯中部分碳原子被氧化后,其平面結(jié)構(gòu)會發(fā)生改變,轉(zhuǎn)化為氧化石墨烯(圖乙)。(1)圖甲中,1號C與相鄰C形成σ鍵的個數(shù)為。
(2)圖乙中,1號C的雜化方式是,該C與相鄰C形成的鍵角(填“>”“<”或“=”)圖甲中1號C與相鄰C形成的鍵角。
(3)若將圖乙所示的氧化石墨烯分散在H2O中,則氧化石墨烯中可與H2O形成氫鍵的原子有(填元素符號)。
(4)石墨烯可轉(zhuǎn)化為富勒烯(C60),某金屬M與C60可制備一種低溫超導材料,晶胞如圖丙所示,M原子位于晶胞的棱上與內(nèi)部。該晶胞中M原子的個數(shù)為,該材料的化學式為。
【答案】:(1)3(2)sp3<(3)O、H(4)12M3C60【解析】:(1)兩個成鍵原子間有且只有一個σ鍵,1號C與周圍3個碳原子形成3個σ鍵。(2)圖乙中,1號C形成了4個σ鍵,雜化方式為sp3,形成四面體結(jié)構(gòu),1號C與相鄰C形成的鍵角為109.5°;而甲中1號C形成平面三角形結(jié)構(gòu),1號C與相鄰C形成的鍵角為120°,因此圖乙中的鍵角小。(3)氧化石墨烯中的氧原子與H2O中的氫原子,氧化石墨烯中的氫原子與H2O中的氧原子都可以形成氫鍵。(4)棱上有12個M原子,內(nèi)部有9個,晶胞中M原子的個數(shù)為12×+9=12,C60位于晶胞的頂點和面心上,其個數(shù)為8×+6×=4,化學式為M3C60。16.(13分)下表是元素周期表的一部分,表中所列的字母分別代表一種化學元素。(1)請寫出元素d的基態(tài)原子電子排布式______________________________。(2)b元素的氧化物中b與氧元素之間的共價鍵類型是________。其中b原子的雜化方式是________。(3)a單質(zhì)晶體中原子的堆積方式如下圖甲所示,其晶胞特征如下圖乙所示,原子之間相互位置關(guān)系的平面圖如下圖丙所示。若已知a的原子半徑為d,NA代表阿伏加德羅常數(shù),a的相對原子質(zhì)量為Mr,則一個晶胞中a原子的數(shù)目為________,該晶體的密度為________(用字母表示)。【答案】(1)1s22s22p63s23p63d54s1或[Ar]3d54s1(2)σ鍵或極性共價鍵sp3雜化(3)4eq\f(Mr,4\r(2)d3NA)【解析】(1)根據(jù)洪特規(guī)則的特例,d軌道半充滿時更穩(wěn)定,其Cr原子電子排布式是1s22s22p63s23p6
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