YS/T 14-2015異質(zhì)外延層和硅多晶層厚度的測量方法

ICS77040

H21.

中華人民共和國有色金屬行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)

YS/T14—2015

代替

YS/T14—1991

異質(zhì)外延層和硅多晶層厚度的測量方法

Testmethodforthicknessofheteroepitaxylayersandpolycrystallinelayers

2015-04-30發(fā)布2015-10-01實(shí)施

中華人民共和國工業(yè)和信息化部發(fā)布

中華人民共和國有色金屬

行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)

異質(zhì)外延層和硅多晶層厚度的測量方法

YS/T14—2015

*

中國標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行

北京市朝陽區(qū)和平里西街甲號

2(100029)

北京市西城區(qū)三里河北街號

16(100045)

網(wǎng)址

:

服務(wù)熱線

:400-168-0010

年月第一版

20164

*

書號

:155066·2-29136

版權(quán)專有侵權(quán)必究

YS/T14—2015

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)代替異質(zhì)外延層和硅多晶層厚度的測量方法

YS/T14—1991《》。

本標(biāo)準(zhǔn)與異質(zhì)外延層和硅多晶層厚度的測量方法相比主要變化如下

YS/T14—1991《》:

測量范圍由改為

———1μm~20μm1μm~100μm;

增加了規(guī)范性引用文件和干擾因素

———;

方法提要中用表面臺階儀測量臺階高度代替表面光潔度儀測量臺階高度

———;

修改了試樣制備過程測量步驟及圖圖

———、1、2;

重新計(jì)算了精密度

———。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國有色金屬標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會提出并歸口

(SAC/TC243)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位南京國盛電子有限公司有研新材料股份有限公司上海晶盟硅材料有限公司

:、、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人馬林寶楊帆葛華劉小青孫燕徐新華

:、、、、、。

本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為

:

———YS/T14—1991。

Ⅰ

YS/T14—2015

異質(zhì)外延層和硅多晶層厚度的測量方法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了異質(zhì)外延層和硅多晶層厚度的測量方法

。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于測量襯底與沉積層之間界面層厚度小于的異質(zhì)外延層和硅多晶層的厚度

100nm,

測量范圍為

1μm~100μm。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

硅片電阻率測定擴(kuò)展電阻探針法

GB/T6617

半導(dǎo)體材料術(shù)語

GB/T14264

重?fù)诫s襯底上輕摻雜硅外延層厚度的紅外反射測量方法

GB/T14847

3術(shù)語和定義

界定的術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T14264。

4方法提要

在待測試樣的表面除留出一定測量區(qū)域外全部用蠟掩藏將預(yù)留區(qū)域內(nèi)的被測量層腐蝕掉形成

,,,

一個(gè)臺階除去掩膜蠟用表面臺階儀測量臺階的高度便可得到異質(zhì)外延層或硅多晶層的厚度

。,,。

5干擾因素

51環(huán)境溫濕度儀器震動(dòng)會影響測量結(jié)果

.、。

52試樣表面處理后的光潔度會影響測量軌跡

.。

53兩條測量軌跡線的不平行度會影響測量精度

.。

6試劑和材料

61氫氟酸ρ分析純

.:=1.15g/mL,。

62硝酸ρ分析純

.:=1.42g/mL,。

63高純水電阻率大于

.:2MΩ·cm(25℃)。

64三氯乙烯分析純

.:。

65無水乙醇分析純

.:。

66化學(xué)腐蝕劑氫氟酸硝酸的混合液

.A:(6.1)∶