YS/T 985-2014硅拋光回收片

ICS29045

H80.

中華人民共和國有色金屬行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)

YS/T985—2014

硅拋光回收片

Polishedreclaimedsiliconwafers

2014-10-14發(fā)布2015-04-01實(shí)施

中華人民共和國工業(yè)和信息化部發(fā)布

YS/T985—2014

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)修改采用硅拋光回收片規(guī)范本標(biāo)準(zhǔn)與相比存在技術(shù)

SEMIM38-0307《》,SEMIM38-0307

性差異這些差異涉及的條款已通過在其外側(cè)頁邊空白位置的垂直單線進(jìn)行了標(biāo)識(shí)內(nèi)容與

,(|)。

的主要差別在于

SEMIM38-0307:

僅采用了中關(guān)于和硅拋光回收片的內(nèi)

———SEMIM38-0307100mm、125mm、150mm200mm

容刪除了原標(biāo)準(zhǔn)中關(guān)于和直徑的硅拋光回收片內(nèi)容包括附錄

,50.8mm、76.2mm300mm(

和附錄

12)。

將中表和表中關(guān)于和硅拋光回收

———SEMIM38-030712100mm、125mm、150mm200mm

片的規(guī)范合并形成本標(biāo)準(zhǔn)中的表

,1。

根據(jù)我國標(biāo)準(zhǔn)編寫的習(xí)慣進(jìn)行排版并將技術(shù)要求表格提前

———,。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國有色金屬標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口

(SAC/TC243)。

本標(biāo)準(zhǔn)負(fù)責(zé)起草單位浙江金瑞泓科技股份有限公司

:。

本標(biāo)準(zhǔn)參加起草單位有研半導(dǎo)體材料股份有限公司杭州海納半導(dǎo)體有限公司萬向硅峰電子股

:、、

份有限公司上海合晶硅材料有限公司

、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人何良恩劉丹許峰張海英孫燕曹孜王飛堯樓春蘭徐新華

:、、、、、、、、。

Ⅰ

YS/T985—2014

硅拋光回收片

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅拋光回收片的要求檢驗(yàn)方法檢驗(yàn)規(guī)則標(biāo)志包裝運(yùn)輸貯存質(zhì)量證明書和訂

、、、、、、、

貨單或合同內(nèi)容

()。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于用戶提供的或來源于第三方的硅回收片主要包括和

(100mm、125mm、150mm

單面或雙面拋光硅片未拋光硅片或外延硅片經(jīng)單面拋光制備的硅拋光片產(chǎn)品主要用于機(jī)

200mm、)。

械爐處理顆粒和光刻中的監(jiān)控片另外使用方需注意硅回收片的熱歷史體沾污和表面沉積物

、、。,、

情況

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測(cè)試方法

GB/T1550

硅晶體完整性化學(xué)擇優(yōu)腐蝕檢驗(yàn)方法

GB/T1554

半導(dǎo)體單晶晶向測(cè)定方法

GB/T1555

硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測(cè)量方法

GB/T1557

硅中代位碳原子含量的紅外吸收測(cè)量方法

GB/T1558

計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序第部分按接收質(zhì)量限檢索的逐批檢驗(yàn)抽樣計(jì)劃

GB/T2828.11:(AQL)

硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗(yàn)方法

GB/T4058

半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測(cè)試方法非接觸渦流法

GB/T6616

硅片厚度和總厚度變化測(cè)試方法

GB/T6618

硅片彎曲度測(cè)試方法

GB/T6619

硅片翹曲度非接觸式測(cè)試方法

GB/T6620

硅片表面平整度測(cè)試方法

GB/T6621

硅拋光片表面質(zhì)量目測(cè)檢驗(yàn)方法

GB/T6624

硅片徑向電阻率變化的測(cè)量方法

GB/T11073

硅單晶

GB/T12962

硅單晶拋光片

GB/T12964

硅及其他電子材料晶片參考面長度測(cè)量方法

GB/T13387

硅片參考面結(jié)晶學(xué)取向射線測(cè)試方法

GB/T13388X

硅片直徑測(cè)量方法

GB/T14140

硅晶體中間隙氧含量徑向變化測(cè)量方法

GB/T14144

半導(dǎo)體材料術(shù)語

GB/T14264

半導(dǎo)體材料牌號(hào)表示方法

GB/T14844

硅拋光片表面顆粒測(cè)試方法

GB/T19921