標準解讀

《YS/T 985-2014 硅拋光回收片》是一項由中華人民共和國工業(yè)和信息化部發(fā)布并實施的行業(yè)標準,主要針對半導體材料加工過程中產(chǎn)生的硅拋光回收片的質(zhì)量要求和技術條件進行了規(guī)定。該標準適用于單晶硅或多晶硅在經(jīng)過機械或化學方法處理后形成的、可用于再次加工利用的硅片。

根據(jù)文檔內(nèi)容,硅拋光回收片按照表面狀態(tài)分為兩類:一類是無明顯損傷且適合直接用于制造太陽能電池或其他電子器件的基礎材料;另一類則是存在輕微缺陷但仍可通過后續(xù)處理達到使用要求的產(chǎn)品。對于這兩類硅片,標準中分別給出了具體的尺寸偏差范圍、厚度均勻性指標以及允許存在的最大缺陷數(shù)量等技術參數(shù)。

此外,《YS/T 985-2014》還詳細列出了檢測方法,包括外觀檢查、尺寸測量及性能測試等方面的要求。通過這些手段可以確保回收硅片符合相應的質(zhì)量標準,從而提高資源利用率,降低生產(chǎn)成本,并減少環(huán)境污染。

標準同時強調(diào)了包裝、標志、運輸與貯存方面的指導原則,旨在保證產(chǎn)品從出廠到最終用戶手中的整個流程中都能保持良好狀態(tài)。這不僅有利于維護消費者權益,也促進了行業(yè)內(nèi)相關企業(yè)之間的公平競爭。


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....

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  • 2014-10-14 頒布
  • 2015-04-01 實施
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文檔簡介

ICS29045

H80.

中華人民共和國有色金屬行業(yè)標準

YS/T985—2014

硅拋光回收片

Polishedreclaimedsiliconwafers

2014-10-14發(fā)布2015-04-01實施

中華人民共和國工業(yè)和信息化部發(fā)布

YS/T985—2014

前言

本標準按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標準修改采用硅拋光回收片規(guī)范本標準與相比存在技術

SEMIM38-0307《》,SEMIM38-0307

性差異這些差異涉及的條款已通過在其外側頁邊空白位置的垂直單線進行了標識內(nèi)容與

,(|)。

的主要差別在于

SEMIM38-0307:

僅采用了中關于和硅拋光回收片的內(nèi)

———SEMIM38-0307100mm、125mm、150mm200mm

容刪除了原標準中關于和直徑的硅拋光回收片內(nèi)容包括附錄

,50.8mm、76.2mm300mm(

和附錄

12)。

將中表和表中關于和硅拋光回收

———SEMIM38-030712100mm、125mm、150mm200mm

片的規(guī)范合并形成本標準中的表

,1。

根據(jù)我國標準編寫的習慣進行排版并將技術要求表格提前

———,。

本標準由全國有色金屬標準化技術委員會歸口

(SAC/TC243)。

本標準負責起草單位浙江金瑞泓科技股份有限公司

:。

本標準參加起草單位有研半導體材料股份有限公司杭州海納半導體有限公司萬向硅峰電子股

:、、

份有限公司上海合晶硅材料有限公司

、。

本標準主要起草人何良恩劉丹許峰張海英孫燕曹孜王飛堯樓春蘭徐新華

:、、、、、、、、。

YS/T985—2014

硅拋光回收片

1范圍

本標準規(guī)定了硅拋光回收片的要求檢驗方法檢驗規(guī)則標志包裝運輸貯存質(zhì)量證明書和訂

、、、、、、、

貨單或合同內(nèi)容

()。

本標準適用于用戶提供的或來源于第三方的硅回收片主要包括和

(100mm、125mm、150mm

單面或雙面拋光硅片未拋光硅片或外延硅片經(jīng)單面拋光制備的硅拋光片產(chǎn)品主要用于機

200mm、)。

械爐處理顆粒和光刻中的監(jiān)控片另外使用方需注意硅回收片的熱歷史體沾污和表面沉積物

、、。,、

情況

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

非本征半導體材料導電類型測試方法

GB/T1550

硅晶體完整性化學擇優(yōu)腐蝕檢驗方法

GB/T1554

半導體單晶晶向測定方法

GB/T1555

硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法

GB/T1557

硅中代位碳原子含量的紅外吸收測量方法

GB/T1558

計數(shù)抽樣檢驗程序第部分按接收質(zhì)量限檢索的逐批檢驗抽樣計劃

GB/T2828.11:(AQL)

硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗方法

GB/T4058

半導體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測試方法非接觸渦流法

GB/T6616

硅片厚度和總厚度變化測試方法

GB/T6618

硅片彎曲度測試方法

GB/T6619

硅片翹曲度非接觸式測試方法

GB/T6620

硅片表面平整度測試方法

GB/T6621

硅拋光片表面質(zhì)量目測檢驗方法

GB/T6624

硅片徑向電阻率變化的測量方法

GB/T11073

硅單晶

GB/T12962

硅單晶拋光片

GB/T12964

硅及其他電子材料晶片參考面長度測量方法

GB/T13387

硅片參考面結晶學取向射線測試方法

GB/T13388X

硅片直徑測量方法

GB/T14140

硅晶體中間隙氧含量徑向變化測量方法

GB/T14144

半導體材料術語

GB/T14264

半導體材料牌號表示方法

GB/T14844

硅拋光片表面顆粒測試方法

GB/T19921

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