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全球顯示面板和半導體行業(yè)產(chǎn)能東移分析全球顯示面板和半導體行業(yè)產(chǎn)能東移在顯示面板光刻膠領(lǐng)域,全球顯示面板產(chǎn)能陸續(xù)向中國大陸轉(zhuǎn)移,國內(nèi)顯示面板光刻膠需求快速增長。根據(jù)相關(guān)研究機構(gòu)數(shù)據(jù),而隨著5G技術(shù)的逐步成熟及應用,TFT-LCD面板的大尺寸化趨勢能更好的順應高清化應用的要求,從而帶動TFT-LCD面板需求的不斷增長。2019年至2023年,TFT-LCD面板的出貨面積預計將從2.23億平方米增至2.49億平方米,增幅12.20%。在半導體光刻膠領(lǐng)域,中國大陸晶圓廠建設(shè)將迎來高速增長期。2020年至2022年是中國大陸晶圓廠投產(chǎn)高峰期,以長江存儲、長鑫存儲等新興晶圓廠和以中芯國際、華虹為代表的老牌晶圓廠正處于產(chǎn)能擴張期。預計從2020年到2024年至少新增38個12英寸晶圓廠,其中中國將新建19座(中國臺灣11座,中國大陸8座)。8英寸晶圓的月產(chǎn)能至2024年將達660萬片規(guī)模。光刻膠等半導體材料供應商將有望受益于擴產(chǎn)浪潮。中國下游集成電路行業(yè)快速發(fā)展中國作為全球最大的電子產(chǎn)品生產(chǎn)和消費市場,助力集成電路市場規(guī)??焖侔l(fā)展。隨著經(jīng)濟的不斷發(fā)展,中國已成為全球最大的電子產(chǎn)品生產(chǎn)及消費市場,衍生出了巨大的半導體器件需求,根據(jù)ICInsights統(tǒng)計,從2013年到2018年僅中國半導體集成電路市場規(guī)模從820億美元擴大至1550億美元,年復合增長率13.58%。隨著互聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)、云計算、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、5G等高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展,中國將成為全球半導體最具活力和發(fā)展前景的市場區(qū)域。半導體光刻膠:技術(shù)難度最高,增速最快全球半導體光刻膠市場增速遠高于全球光刻膠平均水平,占比不斷提升。據(jù)SEMI統(tǒng)計,2021年全球半導體光刻膠市場規(guī)模達24.71億美元,較上年同期增長19.49%,2015-2021年CAGR為12.03%。2019年全球半導體光刻膠市場規(guī)模分別為約為18億美元,半導體光刻膠占整體光刻膠比重約21.9%,到2021年占比提升至26.85%。大陸半導體光刻膠增速超全球兩倍。分地區(qū)看,中國大陸半導體光刻膠市場依舊保持著最快增速,2021年市場規(guī)模達到4.93億美元,較上年同期增長43.69%,超過全年半導體光刻膠增速的兩倍;中國占比全球半導體光刻膠市場比重也將從2015年約10.4%提升到2021年接近20%。中國半導體光刻膠的快速崛起離不開中國整體半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。受益于5G大規(guī)模建設(shè),以及2020年新冠疫情導致遠程辦公、網(wǎng)絡直播等應用普及,全球集成電路行業(yè)發(fā)展迅猛,根據(jù)Frost&Sullivan數(shù)據(jù),2013年集成電路市場規(guī)模為2518億美元,到2019年集成電路市場規(guī)模高達3334億美元,年復合增長率為4.79%。2019年全球集成電路市場規(guī)模有所下滑,主要系全球貿(mào)易摩擦、存儲供需變化以及智能手機、服務器等產(chǎn)品需求下滑因素影響。預計到2025年,全球集成電路市場規(guī)模將達到4750億美元,2020-2025年CAGR為6.02%。我國集成電路行業(yè)起步較晚,但發(fā)展迅速。根據(jù)中國半導體行業(yè)協(xié)會數(shù)據(jù),2013年中國集成電路銷售收入為2508億元,2019年達到7562億元,年均復合增速達到20.2%,在5G和新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展帶動下,如汽車電子行業(yè)和物聯(lián)網(wǎng)的推動下,中國集成電路行業(yè)市場規(guī)模將不斷擴大,預計到2025年,我國集成電路市場規(guī)模將達到18932億元,2020-2025年CAGR為16.22%。按曝光波長分,全球ArF/EUV光刻膠占比超50%,為國際主流。半導體光刻膠按照曝光波長不同可分為g線(436nm)、i線(365nm)、KrF(248nm)、ArF(193nm)以及新興起的EUV光刻膠5大類,高端光刻膠指KrF、ArF和EUV光刻膠,等級越往上其極限分辨率越高,同一面積的硅晶圓布線密度越大,性能越好。根據(jù)TECHCET數(shù)據(jù),從市場分布看,2021年ArFi+ArF光刻膠占全球光刻膠市場規(guī)模的比例為48.1%,KrF占比34.7%,G/I線占14.7%。ArF(包括ArFi)光刻膠已是集成電路制造需求金額最大的光刻膠產(chǎn)品,隨著集成電路產(chǎn)業(yè)超先進制程持續(xù)發(fā)展,ArF光刻膠持續(xù)迎來廣闊市場機遇。隨著全球半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,制造工藝技術(shù)節(jié)點的不斷縮小,KrF和ArF光刻膠市場需求量更大,增速更快,是推動當下光刻膠市場快速增長的主要因素。從市場規(guī)模增速來看,EUV光刻膠發(fā)展最快,但處于發(fā)展初期體量較小,2021年僅約0.51億美元,預計到2025年達到1.97億美元,2020-2025CAGR達48.8%;增速第二快的是KrF光刻膠,其2021年全球市場規(guī)模為6.9億美元,預計到2025年達到9.07億美元,2020-2025年CAGR為8.2%。ArF光刻膠(ArF+ArFi)2021年全球市場規(guī)模為9.55億美元,預計到2025達到10.72億美元,2020-2025CAGR為3.5%;較為低端的g/i線光刻膠預計市場規(guī)模變化不大,占比縮小。從應用產(chǎn)品看,2021年邏輯占比超63.5%,是第一大應用領(lǐng)域。非易失性存儲器(NVM)是一種計算機即使關(guān)閉電源也能夠保存已保存數(shù)據(jù)的存儲器,增速最快。根據(jù)TECHCET數(shù)據(jù),2021年邏輯用光刻膠需求超過595萬升,占比超過63.5%,到2025年需求量提升到約677萬升,2021-2025年CAGR為3.3%,由于NVM對光刻膠需求的快速提升(2021-2025CAGR12.8%),預計2025年邏輯占比略降低到59.5%,NVM占比提升到26.4%。對非易失性存儲器(NVM)的需求是主要由于移動設(shè)備所需要的存儲容量大幅提升,尤其是相機、智能手機和平板電腦。面板光刻膠市場格局高端面板光刻膠市場依然被國外公司占據(jù)。根據(jù)富士經(jīng)濟的數(shù)據(jù),2018年,TFT面板光刻膠市場,默克市場份額近半,韓企東進世美肯及日企東京應化各占約四分之一;LCD/TP襯墊料光刻膠市場,韓企三洋光學占34.3%,日企JSR及三菱化學分別占22.8%及21.0%;彩色光刻膠及黑色光刻膠市場也呈現(xiàn)日韓企業(yè)主導的格局。全球百億美金市場,顯示+PCB+IC三大應用推動發(fā)展全球市場持續(xù)擴容,2023年有望突破百億美金。光刻膠作為制造關(guān)鍵原材料,隨著未來汽車、人工智能、國防等領(lǐng)域的快速發(fā)展,全球光刻膠市場規(guī)模將有望持續(xù)增長。根據(jù)Reportlinker數(shù)據(jù),全球光刻膠市場預計2019-2026年復合年增長率有望達到6.3%,至2023年突破100億美金,到2026年超過120億美元。大陸市場增速高于全球,2022年有望超過百億人民幣。疊加產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移因素,中國光刻膠市場的增長速度超過了全球平均水平。根據(jù)相關(guān)研究機構(gòu)數(shù)據(jù),2021年中國光刻膠市場達93.3億元,16-21年CAGR為11.9%,21年同比增長11.7%,高于同期全球光刻膠增速5.75%。隨著未來PCB、LCD和半導體產(chǎn)業(yè)持續(xù)向中國轉(zhuǎn)移,中國光刻膠市場有望不斷擴大,占全球光刻膠市場比例也將持續(xù)提升,預計到2026年占比有望從2019年的15%左右提升到19.3%。顯示、PCB、IC是三大應用領(lǐng)域,合計占比超70%。根據(jù)應用領(lǐng)域的不同,光刻膠可分為印刷電路板(PCB)用光刻膠、液晶顯示(LCD)用光刻膠、半導體用光刻膠和其他用途光刻膠。根據(jù)Reportlinker數(shù)據(jù),2019年P(guān)CB、半導體和平板顯示光刻膠占比分別為27.8%、21.9%、23.0%,為前三大應用領(lǐng)域。按顯影過程中曝光區(qū)域的去除或保留分,分成正性光刻膠(正膠)和負性光刻膠(負膠),正負膠各有優(yōu)勢,但正膠分辨率更高,是主流光刻膠。1)正性光刻膠:正性光刻膠在紫外線等曝光源的照射下,將圖形轉(zhuǎn)移至光膠涂層上,受光照射后感光部分將發(fā)生分解反應,可溶于顯影液,未感光部分不溶于顯影液,仍然保留在襯底上,將與掩膜上相同的圖形復制到襯底上。正性光刻膠響應波長為330~430納米,膠膜厚為1~3微米,正性光刻膠的分辨率更高,無溶脹現(xiàn)象。因此,正性光刻膠的應用比負性光刻膠更為普及。2)負性光刻膠:負性光刻膠在紫外線等曝光源的照射下,將圖形轉(zhuǎn)移至光膠涂層上,在顯影溶液的作用下,負性光刻膠曝光部分產(chǎn)生交聯(lián)反應而不溶于顯影液;未曝光部分溶于顯影液,將與掩膜上相反的圖形復制到襯底上。負性光刻膠響應波長為330~430納米,膠膜厚0.3~1微米,負性光刻膠的分辨率比正性光刻膠低。負膠占總體光刻膠比重較小,多用于特殊工藝。由于負膠耐熱性強,多應用于高壓功率器件、高耗能器件等,此外也常用于一些特殊工藝,因為負膠難以去除的特性,在芯片最后的封裝階段可以使用負膠,能起到絕緣、保護芯片的作用??偟膩碚f,正膠有以下主要優(yōu)點:①高分辨率,高對比度;②使用暗場掩模減少了曝光圖形的缺陷率,因為掩模大部分區(qū)域都是不透光的。③使用水溶性顯影液;④去膠容易。因此,正膠普及率大于負膠。PCB光刻膠市場格局PCB光刻膠的技術(shù)門檻較低,加之我國的PCB的產(chǎn)值規(guī)模占全球的比例自2016年已超過50%,根據(jù)Reportlinker的數(shù)據(jù),我國PCB光刻膠產(chǎn)值在全球的市場份額在2019年已超過93%。終端市場蓬勃發(fā)展,光刻膠需求快速
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