《GaN HEMT射頻器件陷阱效應(yīng)測試方法》網(wǎng)上征求意見稿

發(fā)布ICS31.080CCSL40/49河北省地13方標(biāo)準(zhǔn)XXXXTestmethodforGaNHEMTRFdevicestrappingeffects(征求意見稿)在提交反饋意見時，請將您知道的相關(guān)專利連同支持性文件一并附上。IXXXXXXXX前言 II引言 III1范圍 12規(guī)范性引用文件 13術(shù)語和定義 14測試原理 25測試系統(tǒng) 26測試步驟 27測試注意事項(xiàng) 4TXXXXXXXX前言。TXXXXXXXX引言可靠性評估及應(yīng)用評估等。MT器件及整機(jī)下的線性差、效率低、耗能提升、GaNHEMT射頻器件陷阱效應(yīng)是由器件表面陷阱(即表面態(tài))俘獲電子形成虛柵，對溝道二維電子氣速切換。本文件對關(guān)斷與靜態(tài)的快速切換(即時隙切換測試)進(jìn)行了方法定義。1TXXXXXXXXGaNHEMT射頻器件陷阱效應(yīng)測試方法定了GaNHEMT射頻器件陷阱效應(yīng)的測試程序和測試要求。GaNHEMT陷阱效應(yīng)特性表征、生產(chǎn)測試、用評估等。范性引用文件定義drainsourcevoltage于被測器件或測試裝置漏極與源極之間的電壓。gatesourcevoltage于被測器件或測試裝置柵極與源極之間的電壓。drainsourcecurrentId漏極電流。evoltagewhentheGaNHEMTisturnoffVoff件處于關(guān)斷狀態(tài)時施加于柵極的電壓。gatevoltagewhentheGaNHEMTisinquiescentcurrentstateVgq。流drainsourcecurrentofinthepulsewavetopId1由關(guān)斷柵壓切換至靜態(tài)柵壓瞬間延后一定時間t1所采集的漏源電流值。2TXXXXXXXX電流drainsourcecurrentofinthepulsewavebottomId2流變化量thechangeofthetopandbottomdraincurrentinthepulseId源電流Id2的差值。4測試原理通過電源對已良好固定于測試夾具內(nèi)的器件施加?xùn)艖?yīng)力存在明顯差異的脈沖柵壓(一般為關(guān)斷、靜測試系統(tǒng)a)電源。為測試夾具提供連續(xù)穩(wěn)定的漏極電壓、脈沖波形的柵極電壓，脈沖波形電壓值及持續(xù)；b)測試夾具。實(shí)現(xiàn)時隙切換測試的夾具，可通過該夾具完成電源對固定于夾具上被測器件的加c)示波器。用于讀取測試過程中漏源電流的變化波形；驟3TXXXXXXXX搭建測試系統(tǒng)將待測器件置于測試模塊內(nèi)查找器件的靜態(tài)柵壓Vgq設(shè)置電源參數(shù)測試波形及數(shù)據(jù)應(yīng)指定的漏源電流可以由器件生產(chǎn)廠家規(guī)定，也可以由使用廠家規(guī)定。d。ΔId——脈內(nèi)頂?shù)茁┰措娏髯兓浚瑔挝粸楹涟?mA)；Id1——脈內(nèi)波頂漏源電流，單位為毫安(mA)；Id2——脈內(nèi)波底漏源電流，單位為毫安(mA)。4TXXXXXXXXtId,至柵壓由靜態(tài)柵壓切換至關(guān)斷柵壓時的時間差。該時間差用于保證示波器所Id器件的實(shí)際測試波形。事項(xiàng)a響后，方可進(jìn)行測試。其中不良影響包括：電源串?dāng)_、電磁干擾、濾波不合理等因素。其中電源串?dāng)_可能由同一電源線路中其他大功率設(shè)備、接地不良等因素帶來；電磁磁輻射源、電磁屏蔽不良等因素導(dǎo)致；