生產(chǎn)管理多晶硅工藝生產(chǎn)技術(shù)葸國隆

生產(chǎn)管理多晶硅工藝生產(chǎn)技術(shù)葸國隆多晶硅工藝生產(chǎn)技術(shù)姓名：葸國隆日期：2012年12月11日目錄目錄......................................................................................I

摘要....................................................................................II

第一章多晶硅的認(rèn)識和產(chǎn)品的用途...........................................................1

一、什么是多晶硅.......................................................................1

二、什么是半導(dǎo)體.......................................................................1

三、純度表示法.........................................................................1

四、多晶硅產(chǎn)品的用途...................................................................1

第二章多晶硅的生產(chǎn)方法...................................................................2

一、鋅還原法（杜邦法）.................................................................2

二、四氯化硅氫還原法（貝爾法）.........................................................2

三、三氯氫硅熱分解法（倍西內(nèi)法）.......................................................3

四、三氯氫硅氫還原法（西門子法）.......................................................3

五、硅烷熱分解法.......................................................................3

六、改良西門子法.......................................................................3

第三章改良西門子法工藝...................................................................3

一、發(fā)展歷程...........................................................................3

二、改良西門子法歸納起來有三大特點.....................................................4

三、工藝生產(chǎn)化學(xué)反應(yīng)方程式.............................................................4

第四章多晶硅生產(chǎn)的工藝過程................................................................4

一、合成部分...........................................................................4

1、液氯汽化........................................................................4

2、HCL合成.........................................................................6

3、三氯氫硅合成....................................................................8

二、提純部分..........................................................................11

三、氫化還原部分......................................................................15

1、還原工序.......................................................................15

2、四氯化硅氫化...................................................................18

四、回收部分..........................................................................21

五、公用輔助部分......................................................................27

第五章多晶硅工藝的主要控制..............................................................27

一、還原爐的自動和聯(lián)鎖控制............................................................27

二、尾氣回收吸附塔的順序控制..........................................................32

第六章結(jié)束語............................................................................48謝謝閱讀摘要精品文檔放心下載精品文檔放心下載感謝閱讀謝謝閱讀感謝閱讀謝謝閱讀識多晶硅和多晶硅的生產(chǎn)工藝，從而了解多晶硅生產(chǎn)過程。感謝閱讀關(guān)鍵字：多晶硅、改良西門子法、還原爐第一章多晶硅的認(rèn)識和產(chǎn)品的用途一、什么是多晶硅精品文檔放心下載（純度98-99%）經(jīng)氯化合成生產(chǎn)硅氯化物，將硅氯化物精制提純后得到純?nèi)葰涔瑁賹⑷x謝閱讀精品文檔放心下載硅。二、什么是半導(dǎo)體精品文檔放心下載是以電阻率來劃分的，見表1。表1導(dǎo)體、半導(dǎo)體與絕緣體的劃分名稱電阻率（Ω.Cm）備注導(dǎo)體＜＜0.0001Cu,Ag,AL等10-4半導(dǎo)體10-4~0.0001~1000000000Si,Ge,GaAs等精品文檔放心下載109絕緣體＞109＞1000000000塑料，石英，玻璃，橡膠等精品文檔放心下載三、純度表示法謝謝閱讀量多少來表示，半導(dǎo)體的純度是以雜質(zhì)含量與主體物質(zhì)含量之比來表示的。見表2。謝謝閱讀表2純度表示法1%1/10012百分之一（減量法，扣除主要雜質(zhì)的量后）謝謝閱讀0-2N1P1/100000016百萬分之一Pm0-6N1P1/10000000019十億分之一Pb00-9N1P1/10000000011萬億分之一Pt00000-122N四、多晶硅產(chǎn)品的用途謝謝閱讀感謝閱讀硅由于它的一些良好的半導(dǎo)體性能和豐富的原料，自1953年硅作為整流二極管元件問世謝謝閱讀精品文檔放心下載感謝閱讀波器(礦石收音機,相當(dāng)于二極管).謝謝閱讀感謝閱讀電路和超大規(guī)模集成電路，才使硅材料得到廣泛的用途。謝謝閱讀------等許多工序）即集成謝謝閱讀感謝閱讀謝謝閱讀等。第二章多晶硅的生產(chǎn)方法半導(dǎo)體多晶硅的生產(chǎn)的起步在20世紀(jì)40-50年代，但發(fā)現(xiàn)硅的一些半導(dǎo)體特性是比較早謝謝閱讀的（1930精品文檔放心下載一、鋅還原法（杜邦法）美國杜邦公司于1865年發(fā)明SiCL4+2Zn====Si+2ZnCL2900-1000℃經(jīng)過7-8年的探索，制得30-100Ω.cm電阻率的多晶硅樣品。感謝閱讀二、四氯化硅氫還原法（貝爾法）貝爾實驗室于1930-1955年發(fā)明SiCL4+H2====Si+4HCL1100-1200℃感謝閱讀制單晶硅，制得P型電阻率100-3000Ω.cm的單晶硅。感謝閱讀三、三氯氫硅熱分解法（倍西內(nèi)法）法國于1956年發(fā)明，4SiHCL3====Si+3SiCL4+2H2900-1000℃精品文檔放心下載制單晶硅，制得P型電阻率400-600Ω.cm的單晶硅。謝謝閱讀四、三氯氫硅氫還原法（西門子法）德國于1955-1957年發(fā)明SiHCL3+H2====Si+3HCL1000-1100℃在硅芯發(fā)熱體上沉積多晶硅，純度提高，多晶硅經(jīng)區(qū)熔后基硼含量0.05PPB，P型電阻率感謝閱讀數(shù)千到30000Ω.cm，壽命達到1000μS五、硅烷熱分解法SiH4====Si+2H2900-1000℃感謝閱讀六、改良西門子法各國于1960年-1975年間不斷改進與完善，是目前普遍采用的工藝技術(shù)。精品文檔放心下載SiHCL3+H2====Si+3HCL1000-1100℃感謝閱讀半導(dǎo)體級多晶硅主要采用此法。第三章改良西門子法工藝一、發(fā)展歷程所謂改良西門子法，即以原料（三氯氫硅）閉路循環(huán)為主。由于西門子法生產(chǎn)多晶硅時，精品文檔放心下載感謝閱讀率只有15-25%，其余75-85%的高純原料從還原爐尾氣排出，過去沒有回收，而用水洗法處理謝謝閱讀后排入大氣和河道。稱為原始的西門子法。這是第一階段。精品文檔放心下載196680+-80精品文檔放心下載HCL“濕法回精品文檔放心下載收。稱為初步改進的西門子法，這是第二階段。這樣原材料的利用率大幅度地提高，單耗降精品文檔放心下載低，從1Kg多晶硅需用工業(yè)硅10Kg以上，變?yōu)樾栌?-6Kg工業(yè)硅，原料消耗減少了一半。感謝閱讀再后來，采用低溫變壓吸收、脫吸與吸附的工藝裝置稱為“干法回收，分別回收氫氣、感謝閱讀硅氯化物和HCL，返回流程中循環(huán)使用，原材料進一步大幅度地降低。1Kg多晶硅需用工業(yè)硅感謝閱讀粉降低到1.5Kg，這是改良西門子法，稱為第三階段。謝謝閱讀二、改良西門子法歸納起來有三大特點1）采用多對棒大型還原爐（硅棒對數(shù)從9對、12對到50對，硅芯長度從1.5米、2米精品文檔放心下載到2.5米或2.82）還原爐尾氣采用“干法回收，回收H2、HCL與硅氯化物；

3）四氯化硅氫化轉(zhuǎn)化為三氯氫硅，再循環(huán)回收利用。感謝閱讀三、工藝生產(chǎn)化學(xué)反應(yīng)方程式H2+CL2=2HCL3HCL+Si=SiHCl3+H2

SiHCl3+H2=Si+3HCL

SiCl4+H2=SiHCl3+HCL精品文檔放心下載第四章多晶硅生產(chǎn)的工藝過程一、合成部分1、液氯汽化1）工藝說明感謝閱讀汽化壓力：20℃時的飽和蒸汽壓為0.6864Mpa.A25℃時的飽和蒸汽壓為0.7868Mpa.A30℃時的飽和蒸汽壓為0.8973Mpa.A65℃時的飽和蒸汽壓為2.0Mpa.A工藝上需要的氯氣壓力是0.65Mpa.A，因此，液氯的汽化溫度應(yīng)控制在20℃左右。謝謝閱讀2）流程簡圖圖1液氯汽化工藝流程簡圖圖2汽化器流程圖3）控制要點A、為了滿足后續(xù)工藝需要氯氣的壓力，控制液氯鋼瓶汽化的熱水溫度是一個重點；謝謝閱讀B、控制緩沖罐氯氣出口壓力，需要一個恒壓。2、HCL合成1）工藝說明從氫氣制備與凈化工序來的氫氣和從合成氣干法分離工序返回的循環(huán)氫氣分別進入本工謝謝閱讀精品文檔放心下載精品文檔放心下載在燃燒槍出口被點燃，經(jīng)燃燒反應(yīng)生成氯化氫氣體。出合成爐的氯化氫氣體流經(jīng)空氣冷卻器、感謝閱讀水冷卻器、深冷卻器、霧沫分離器后，被送往三氯氫硅合成工序。精品文檔放心下載為保證安全，本工序設(shè)置一套主要由廢氣處理塔、堿液循環(huán)槽、堿液循環(huán)泵和堿液循環(huán)精品文檔放心下載精品文檔放心下載感謝閱讀氣體。其反應(yīng)可簡寫成下面的方程式：H2+CL2=2HCL2）流程簡圖圖3HCL合成工藝流程簡圖圖4HCL合成爐流程圖3）控制要點A、氫氣和氯氣的配比。B、HCL合成爐熄火連鎖C、HCL的點火裝置3、三氯氫硅合成1）工藝說明謝謝閱讀精品文檔放心下載精品文檔放心下載管。謝謝閱讀精品文檔放心下載硅合成爐。精品文檔放心下載精品文檔放心下載合成氣。反應(yīng)大量放熱。合成爐外壁設(shè)置有水夾套，通過夾套內(nèi)水帶走熱量維持爐壁的溫度。謝謝閱讀出合成爐頂部挾帶有硅粉的合成氣，經(jīng)三級旋風(fēng)除塵器組成的干法除塵系統(tǒng)除去部分硅精品文檔放心下載粉后，送入濕法除塵系統(tǒng)，被四氯化硅液體洗滌，氣體中的部分細小硅塵被洗下；洗滌同時，感謝閱讀謝謝閱讀混合氣體送往合成氣干法分離工序化學(xué)方程式如下：3HCL+Si=SiHCl3+H22）流程簡圖感謝閱讀圖5三氯氫硅合成工藝流程簡圖圖6三氯氫硅合成爐流程圖圖7除塵流程圖3）控制要點A、自動加料控制；B、集沉器自動吹掃和切換控制；C、帶濾器自動吹掃和切換控制；D、合成塔的爐溫控制；E、洗滌塔塔溫控制；二、提純部分1、工藝說明精品文檔放心下載還原回收料提純；氫化回收料提純；SiCl4綜合利用；還可能有高低沸物的分離提純。感謝閱讀謝謝閱讀SiHCl31感謝閱讀這部分物料需用較多級的精餾塔進行連續(xù)精餾才能得到合格的產(chǎn)品。過程主要包括：組分謝謝閱讀SiHCl3和SiCl4分離，硼磷和金屬雜質(zhì)的分離，精提純SiHCl3或SiCl4。謝謝閱讀還原回收料是由未反應(yīng)的高純SiHCl3SiCl4等氯硅烷冷凝液組成的混合物，精品文檔放心下載SiHCl3中的SiCl4、感謝閱讀SiH2Cl2、硼磷和金屬雜質(zhì)，其提純工藝比合成料提純要簡單。精品文檔放心下載氫化料的提純與還原回收料提純相似，其提純工藝比合成料提純要簡單精品文檔放心下載2、流程簡圖圖8粗餾提純工藝流程簡圖圖9合成精餾提純工藝流程簡圖圖10還原精餾提純工藝流程簡圖圖11氫化精餾提純工藝流程簡圖圖12合成氯硅烷粗餾1級流程圖圖13合成氯硅烷精餾1級流程圖3、控制要點A、控制塔內(nèi)壓差恒定。B、控制塔頂壓力恒定。C、控制回流比。D、控制精餾塔釜、塔中和塔頂?shù)臏囟取Ｈ?、氫化還原部分1、還原工序1）工藝說明精品文檔放心下載謝謝閱讀汽形成一定比例的混合氣體。謝謝閱讀熱硅芯//硅棒的直徑逐漸變謝謝閱讀謝謝閱讀感謝閱讀原尾氣干法分離工序。感謝閱讀謝謝閱讀工序各還原爐夾套使用。精品文檔放心下載用氫氣置換爐內(nèi)氮氣（氮氣排空），然后加熱運行，因此開車階段要向環(huán)境空氣中排放氮氣，謝謝閱讀和少量的真空泵用水（可作為清潔下水排放）；在停爐開爐階段（約5－7天1次），先用氫謝謝閱讀精品文檔放心下載感謝閱讀感謝閱讀精品文檔放心下載理。化學(xué)反應(yīng)方程式如下：SiHCl3+H2―→Si+SiCl4+HCl謝謝閱讀2）流程簡圖圖14還原爐生產(chǎn)多晶硅工藝流程簡圖圖15806號爐調(diào)控柜控制畫面圖16806號爐進料流程畫面3）控制要點A、還原爐進料自動控制；B、還原爐尾氣壓力自動控制；C、還原爐電氣控制（由PLC獨立完成）D、還原爐進料配比控制；E、還原爐電流控制；F、還原爐內(nèi)溫度和爐壁溫度控制。2、四氯化硅氫化1）工藝說明謝謝閱讀從氫氣制備與凈化工序送來的氫氣和從還原尾氣干法分離工序來的多余氫氣在氫氣緩沖罐混謝謝閱讀合后，也通入汽化器內(nèi)，與四氯化硅蒸汽形成一定比例的混合氣體。精品文檔放心下載謝謝閱讀謝謝閱讀有三氯氫硅、氯化氫和未反應(yīng)的四氯化硅、氫氣的混合氣體，送往氫化氣干法分離工序。精品文檔放心下載精品文檔放心下載感謝閱讀本工序各氫化爐夾套使用。化學(xué)反應(yīng)方程式如下：SiCl4+H2=SiHCl3+HCL2）流程簡圖圖17四氯化硅氫化工藝流程簡圖圖18四氯化硅氫化流程畫面圖19四氯化硅氫化爐調(diào)控柜控制畫面3）控制要點A、氫化爐進料自動控制；B、氫化爐尾氣壓力自動控制；C、氫化爐電氣控制（由PLC獨立完成）D、氫化爐進料配比控制；E、氫化爐功率控制；F、氫化爐爐內(nèi)溫度和爐壁溫度控制。四、回收部分1、工藝說明1）還原爐尾氣回收裝置（CDI-1）從三氯氫硅氫還原工序來的還原尾氣經(jīng)此工序被分離成氯硅烷液體、氫氣和氯化氫氣體，精品文檔放心下載分別循環(huán)回裝置使用。精品文檔放心下載精品文檔放心下載謝謝閱讀感謝閱讀謝謝閱讀貯存工序的還原氯硅烷貯槽。2）氫化爐尾氣回收裝置（CDI-2）感謝閱讀循環(huán)回裝置使用謝謝閱讀謝謝閱讀感謝閱讀感謝閱讀液體（即從氫化氣中分離出的氯硅烷），送入氯硅烷貯存工序的氫化氯硅烷貯槽。感謝閱讀3）合成尾氣回收裝置（CDI-3）精品文檔放心下載別循環(huán)回裝置使用。謝謝閱讀謝謝閱讀凍降溫后循環(huán)回塔頂用于氣體的洗滌，多余部份的氯硅烷送入氯化氫解析塔。感謝閱讀精品文檔放心下載感謝閱讀謝謝閱讀精品文檔放心下載感謝閱讀再生廢氣含有氫氣、氯化氫和氯硅烷，送往廢氣處理工序進行處理。謝謝閱讀謝謝閱讀硅烷匯合，然后送入氯化氫解析塔中部，通過減壓蒸餾操作，在塔頂?shù)玫教峒兊穆然瘹錃怏w。精品文檔放心下載出塔氯化氫氣體流經(jīng)氯化氫緩沖罐，然后送至設(shè)置于三氯氫硅合成工序的循環(huán)氯化氫緩沖罐；感謝閱讀感謝閱讀感謝閱讀硅烷貯存工序的原料氯硅烷貯槽。2、流程簡圖CDI-1，CDI-2，CDI-3三套系統(tǒng)處理的流程基本一樣，在此只列出一副簡圖。精品文檔放心下載圖20回收工藝流程簡圖圖21還原尾氣干法分離控制畫面圖22還原尾氣壓縮機控制畫面圖23還原尾氣解析塔控制畫面3、控制要點A、氫氣壓縮機連鎖控制（由氫壓機自帶PLC感謝閱讀B、解析塔溫度、液位、壓力自動控制；C、吸附塔自動切換控制；D、吸附塔出口尾氣壓力和吹掃壓力自動控制；E、吸附塔冷熱水的溫度控制。五、公用輔助部分各個分站都有自己的獨立DCS控制系統(tǒng)或PLC控制系統(tǒng)，此處不做論述。感謝閱讀1、電解水制氫與氫氣凈化提純；23456、供配電站；7謝謝閱讀8、三廢處理：建有尾氣和廢液處理裝置和綜合利用，可制備工業(yè)級的產(chǎn)品——氯化鈣與精品文檔放心下載硝酸鈣。第五章多晶硅工藝的主要控制精品文檔放心下載體現(xiàn)在還原氫化部分和尾氣回收吸附塔部分?，F(xiàn)將這兩個復(fù)雜的聯(lián)鎖控制介紹如下：感謝閱讀一、還原爐的自動和聯(lián)鎖控制還原爐流程圖和調(diào)控柜控制畫面：圖24還原爐流程畫面圖25還原爐調(diào)控柜流程圖1）還原爐自動升電流、降電流由于還原爐生產(chǎn)一爐多晶硅產(chǎn)品需要的周期是5~720A升到最終的精品文檔放心下載3000A，而且每個操作員需要關(guān)注8臺還原爐，因此靠手動升電流和降電流是不可能完成，只謝謝閱讀能自動。程序如下：圖26還原爐升降電流程序邏輯圖圖27硅棒生長電流電壓曲線圖2）還原爐停爐聯(lián)鎖為了保證還原爐在生產(chǎn)過程中的穩(wěn)定運行，其連鎖保護主要包括有：感謝閱讀A、電氣調(diào)控柜停止調(diào)功聯(lián)鎖感謝閱讀自動斷電，還原爐停爐。B、進料切斷聯(lián)鎖謝謝閱讀二、尾氣回收吸附塔的順序控制1）尾氣回收吸附塔流程和控制畫面圖28吸附塔工藝流程圖圖29吸附塔程控監(jiān)視流程圖2）順序控制時序圖介紹(看時序圖請，前后兩張并起來看)圖30程控時序圖1圖30程控時序圖23）吸附塔切換過程條件梯形圖圖31梯形圖——1圖32梯形圖——2圖33梯形圖——3圖34梯形圖——4圖35梯形圖——5圖36梯形圖——64）程序（部分）（*此段程序為程序運行時，需要加載的閥門狀態(tài)和設(shè)定參數(shù)變量，以及自定義的變量*）謝謝閱讀SEQUENCECDI1SEQ(HPM;POINTCDI1SEQ)精品文檔放心下載LOCALCMD:LOGICALATFL(001)--DCPOINTCONTROLFLAG感謝閱讀LOCALMSGA:STRINGATSTR16(1)--DCORRCPOINTERRORMSG感謝閱讀LOCALSPVALUE:NUMBERATNN(01)--RCSPVALUE感謝閱讀LOCALOPVALUE:NUMBERATNN(02)--RCOPVALUE精品文檔放心下載EXTERNALCDI1TS1,CDI1TS2,CDI1TS3,CDI1TS4,CDI1TS5,CDI1TS6,CDI1TS7,CDI1TS8感謝閱讀EXTERNALCDI1TS12,CDI1TS13,CDI1TS14,CDI1TS15,CDI1P1505SP,CDI1TS10,CDI1TS11精品文檔放心下載EXTERNALHS_1510,HS_1511,HS_1514,HS_1515,HS_1516,HS_1517,HS_1518,HS_1519感謝閱讀EXTERNALHS_1521,HS_1524,HS_1525,HS_1526,HS_1527,HS_1528,HS_1529,HS_1530感謝閱讀EXTERNALHS_1531,HS_1534,HS_1535,HS_1536,HS_1537,HS_1538,HS_1539,PIC_1505精品文檔放心下載EXTERNALTI_1512,ZSC_1510,ZSC_1511,TI_1522,TI_1532,TI_1509_1507,ZSC_1530感謝閱讀EXTERNALZSC_1520,ZSC_1521,ZSO_1511,ZSO_1524,ZSO_1531,TI_1641,FI_1504,TI_1651感謝閱讀EXTERNALPI_1510,PI_1520,PI_1530精品文檔放心下載EXTERNALPDISL_1530,PDISL_1531,PDISL_1520,PDISL_1521,PDISL_1511感謝閱讀EXTERNALCDI1A1,CDI1A2,CDI1A3,CDI1A4,CDI1A5,CDI1A6,CDI1A7,CDI1A8,CDI1A9,CDI1A10感謝閱讀EXTERNALCDI1A12,CDI1A13,CDI1A14,CDI1A15,CDI1A16,CDI1A17,CDI1A18,CDI1A19感謝閱讀EXTERNALCDI1A22,CDI1MA,CDI1CR,CDI1TR,CDI1TR1,CDI1TSA1,CDI1A20,CDI1A21謝謝閱讀EXTERNALCDI1TS9,HS_1520,ZSC_1531,PDISL_1510,CDI1A11,ZSC_1534,ZSC_1524感謝閱讀EXTERNALCDI1SP1,CDI1SP2,CDI1SP3,CDI1SP4,CDI1SP5,CDI1SP6,CDI1SP7,CDI1SP8,CDI1SP9精品文檔放心下載EXTERNALCDI1SP10,CDI1SP11,CDI1SP12,CDI1SP13,CDI1SP14,CDI1SP15謝謝閱讀EXTERNALZSC_1514,ZSO_1514,ZSO_1534,CDI1RUN,CDI1P1505SP_S,P1505SPRAMPT精品文檔放心下載--****************************************************************************謝謝閱讀（*CDI1RUNTRUE謝謝閱讀任然設(shè)置為手動狀態(tài)（即操作屬性）*）PHASEINITSTEPSTARTIFCDI1RUN.PVFLTHENGOTOSTEPS0PINIT

ELSE(SETCDI1CR.PV=0;感謝閱讀&SETHS_1510.MODATTR=OPERATOR;

&SETHS_1511.MODATTR=OPERATOR;

&SETHS_1514.MODATTR=OPERATOR;

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&SETPIC_1505.MODATTR=OPERATOR;感謝閱讀&GOTOPHASEINIT)（*此段程序為進入到自動運行狀態(tài)，若是第一次啟動，則程序從P1步執(zhí)行，若是中途停車，根據(jù)當(dāng)時停感謝閱讀止的時候CDI1CR.PV的計數(shù)自動選擇進入相應(yīng)的步數(shù)。*）感謝閱讀STEPS0PINITIF(CDI1CR.PV>=0ANDCDI1CR.PV<4)THENGOTOPHASEP1謝謝閱讀ELSEIF(CDI1CR.PV>=4ANDCDI1CR.PV<9)THENGOTOPHASEP2謝謝閱讀ELSEIF(CDI1CR.PV>=9ANDCDI1CR.PV<16)THENGOTOPHASEP3感謝閱讀ELSEIF(CDI1CR.PV>=16ANDCDI1CR.PV<25)THENGOTOPHASEP4感謝閱讀ELSEIF(CDI1CR.PV>=25ANDCDI1CR.PV<28)THENGOTOPHASEP5精品文檔放心下載ELSEIF(CDI1CR.PV>=28ANDCDI1CR.PV<32)THENGOTOPHASEP6精品文檔放心下載ELSEIF(CDI1CR.PV>=32ANDCDI1CR.PV<37)THENGOTOPHASEP7謝謝閱讀ELSEIF(CDI1CR.PV>=37ANDCDI1CR.PV<44)THENGOTOPHASEP8謝謝閱讀ELSEIF(CDI1CR.PV>=44ANDCDI1CR.PV<53)THENGOTOPHASEP9感謝閱讀ELSEIF(CDI1CR.PV>=53ANDCDI1CR.PV<56)THENGOTOPHASEP10感謝閱讀ELSEIF(CDI1CR.PV>=56ANDCDI1CR.PV<60)THENGOTOPHASEP11精品文檔放心下載ELSEIF(CDI1CR.PV>=60ANDCDI1CR.PV<65)THENGOTOPHASEP12精品文檔放心下載ELSEIF(CDI1CR.PV>=65ANDCDI1CR.PV<72)THENGOTOPHASEP13感謝閱讀ELSEIF(CDI1CR.PV>=72ANDCDI1CR.PV<81)THENGOTOPHASEP14感謝閱讀ELSEIF(CDI1CR.PV>=81ANDCDI1CR.PV<84)THENGOTOPHASEP15感謝閱讀ELSEIFCDI1CR.PV=84THENGOTOPHASECDI1END謝謝閱讀ELSE(SETCDI1CR.PV=0;GOTOPHASEINIT)精品文檔放心下載（*此段程序為進入到P1步時，劃分為4個小步，可參照程序時序圖進行觀看，執(zhí)行相應(yīng)的閥門開關(guān)）精品文檔放心下載PHASEP1STEPINITP1IFCDI1CR.PV=0THENGOTOSTEPS0P1謝謝閱讀ELSEIFCDI1CR.PV=1THENGOTOSTEPS1P1

ELSEIFCDI1CR.PV=2THENGOTOSTEPS2P1

ELSEIFCDI1CR.PV=3THENGOTOSTEPS3P1

ELSEGOTOPHASEINIT謝謝閱讀STEPS0P1IFCDI1MA.PVFL=OFFTHEN(SETCDI1CR.PV=1;GOTOPHASEINIT)

ELSEGOTOSTEPT0P1_1感謝閱讀STEPT0P1_1SETCDI1TR.COMMAND=STOPSETCDI1TR.SP=CDI1TS1.PVSETCDI1TR.COMMAND=RESETSETCDI1TR.COMMAND=STARTSTEPT0P1SETCMD=ONCALLVALV(HS_1510.MODATTR,CMD,HS_1510.I0,HS_1510.I1,

&HS_1510.P0,HS_1510.P1,HS_1510.BYPASS,HS_1510.OPCMD)

CALLVALV(HS_1518.MODATTR,CMD,HS_1518.I0,HS_1518.I1,

&HS_1518.P0,HS_1518.P1,HS_1518.BYPASS,HS_1518.OPCMD)

CALLVALV(HS_1519.MODATTR,CMD,HS_1519.I0,HS_1519.I1,

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