微機硬件系統(tǒng)內(nèi)存詳解

微機硬件系統(tǒng)內(nèi)存詳解演示文稿當前1頁，總共34頁。（優(yōu)選）微機硬件系統(tǒng)內(nèi)存當前2頁，總共34頁。

內(nèi)存是用來臨時存放數(shù)據(jù)的存儲器，它泛指電腦中用來存放數(shù)據(jù)的半導體存儲單元。它的容量和性能將直接影響電腦的運行速度。當前3頁，總共34頁。內(nèi)存的作用內(nèi)存（Memory）也稱內(nèi)存儲器或主存，就像人體大腦的記憶系統(tǒng)，用于存放電腦的運行程序和處理的數(shù)據(jù)。只要打開電源啟動電腦，內(nèi)存中就會有各種各樣的數(shù)據(jù)信息存在，可以說它永遠也不會空閑著。當運行電腦程序時，程序將首先被讀入內(nèi)存中，然后在特定的內(nèi)存中開始執(zhí)行，并且處理的結果也將保存在該內(nèi)存中，也就是說內(nèi)存會和CPU之間頻繁地交換數(shù)據(jù)，沒有內(nèi)存，CPU的工作將難以開展，電腦也無法啟動。當前4頁，總共34頁。內(nèi)存的外觀內(nèi)存是由內(nèi)存芯片、電路板、金手指等部分組成的。內(nèi)存的幾個重要組成部分的作用如下所述。內(nèi)存芯片：是內(nèi)存中最重要的元件，用于臨時存儲數(shù)據(jù)。電路板：用于承載和焊接內(nèi)存芯片的PCB板。金手指：是內(nèi)存與主板進行連接的“通道”。內(nèi)存卡槽：用于將內(nèi)存固定在內(nèi)存插槽中。內(nèi)存缺口：與內(nèi)存插槽中的防凸起設計配對，防止內(nèi)存錯誤插入。當前5頁，總共34頁。內(nèi)存的種類

按照工作原理分按照內(nèi)存的性能分當前6頁，總共34頁。按照工作原理分按照內(nèi)存的工作原理主要分為兩類。一類是RAM（RandomAccessMemory），即隨機存取存儲器，存儲的內(nèi)容可通過指令隨機讀寫訪問。RAM中存儲的數(shù)據(jù)在掉電時會丟失，因而只能在開機運行時存儲數(shù)據(jù)。其中RAM又可以分為兩種，一種是DynamicRAM（DRAM，動態(tài)隨機存取存儲器），另一種是StaticRAM（SRAM，靜態(tài)隨機存取存儲器）。由于DRAM具有集成度高、結構簡單、功耗低、生產(chǎn)成本低等特點，主要應用在電腦的主存儲器中，如內(nèi)存條；而SRAM結構相對較復雜、造價高、速度快，所以一般SRAM多應用于高速小容量存儲器中，如Cache。當前7頁，總共34頁。另一類是ROM（ReadOnlyMemory），即只讀存儲器，只能從中讀取信息而不能任意寫入信息。ROM雖然價格高、容量小，但由于其具有掉電后數(shù)據(jù)可保持不變的優(yōu)點，因此多用于存放一次性寫入的程序或數(shù)據(jù)。當前8頁，總共34頁。按照內(nèi)存的性能分SDRAM（SynchronousDynamicRAM）DDRSDRAM（DualDateRateSDRAM）RDRAM（RambusDRAM）當前9頁，總共34頁。SDRAM

SDRAM（同步動態(tài)隨機存取存儲器）內(nèi)存工作速度與系統(tǒng)總線速度同步，一個時鐘周期內(nèi)只傳輸一次數(shù)據(jù)，SDRAM曾被廣泛應用，采用的是64位數(shù)據(jù)讀寫形式，內(nèi)存條的引腳為168線，采用雙列直插式的DIMM內(nèi)存條，讀寫速度最高達到了10ns。

SDRAM內(nèi)存的命名規(guī)則是基于工作頻率的，規(guī)格有PC100和PC133兩種。

SDRAM內(nèi)存如圖4-1所示。當前10頁，總共34頁。圖4-1當前11頁，總共34頁。DDRSDRAM

DDRSDRAM是SDRAM的更新?lián)Q代產(chǎn)品，是目前最流行的內(nèi)存。它允許在時鐘脈沖的上升沿和下降沿傳輸數(shù)據(jù)，這樣不需要提高時鐘的頻率就能成倍提高SDRAM的速度，并具有比SDRAM多一倍的傳輸速率和內(nèi)存帶寬。DDRSDRAM內(nèi)存如圖4-2所示。當前12頁，總共34頁。圖4-2當前13頁，總共34頁。同SDRAM一樣，DDRSDRAM也是采用64位的并行數(shù)據(jù)總線，使用2.5V電壓。從外觀上來看，DDRSDRAM與SDRAM相比差別并不大，它們具有相同的長度與同樣的管腳距離。然而DDRSDRAM內(nèi)存具有184針和一個小缺口，管腳數(shù)比SDRAM多出16針。當前14頁，總共34頁。DDR2內(nèi)存DDR2內(nèi)存是在DDRSDRAM的換代產(chǎn)品，它的預讀取能力是DDR的兩倍，DDR2內(nèi)存插槽為240針DDR2DIMM結構，內(nèi)存條金手指每面有120針，也只有一個卡口，但卡口位置與DDR稍有不同，因此DDR內(nèi)存和DDR2內(nèi)存不能互插，目前DDR2內(nèi)存已成為市場主流產(chǎn)品。當前15頁，總共34頁。RDRAM

RDRAM是美國的RAMBUS公司開發(fā)的一種內(nèi)存。與DDR和SDRAM不同，它采用了串行的數(shù)據(jù)傳輸模式，具有相當高的數(shù)據(jù)傳輸率。在推出時，因為其徹底改變了內(nèi)存的傳輸模式，無法保證與原有的制造工藝相兼容，而且內(nèi)存廠商要生產(chǎn)RDRAM還必須要加納一定專利費用，再加上其本身制造成本，就導致了RDRAM從一問世就高昂的價格讓普通用戶無法接收。該內(nèi)存插槽為184針RIMM結構，內(nèi)存條中間有兩個靠的很近的卡口。因價格較高市場上產(chǎn)品很少。當前16頁，總共34頁。圖4-3當前17頁，總共34頁。內(nèi)存的性能指標容量內(nèi)存主頻當前18頁，總共34頁。容量內(nèi)存容量表示內(nèi)存可以存放數(shù)據(jù)的空間大小，其單位有B，KB，MB和GB等，在286、386和486時代的內(nèi)存都以KB為單位，通常只有幾KB或者幾十KB。目前內(nèi)存大多以MB為單位，市面上常見的內(nèi)存容量規(guī)格為單條256MB、512MB和1GB的內(nèi)存，也有2GB或4GB的內(nèi)存。當前19頁，總共34頁。內(nèi)存主頻內(nèi)存主頻表示內(nèi)存所能達到的最高工作頻率，以MHz為單位。內(nèi)存主頻越高，一定程度上表示內(nèi)存所能達到的速度越快。目前市場主流DDR2內(nèi)存主頻有533MHz、667MHz、800MHz、1066MHz。當前20頁，總共34頁。選購內(nèi)存應注意的問題符合主板上的內(nèi)存插槽要求速度要匹配注意內(nèi)存的做工注意內(nèi)存的品牌當前21頁，總共34頁。符合主板上的內(nèi)存插槽要求不同的主板提供有不同線數(shù)的內(nèi)存插槽，它們分別要求使用相應線數(shù)的內(nèi)存條。目前的主板大多數(shù)都提供240線（DDR2）的內(nèi)存插槽，配置時應仔細閱讀主板說明書，看是否符合要求。當前22頁，總共34頁。速度要匹配內(nèi)存芯片的速度應與主板的速度匹配，不能低于主板運行的速度，否則會影響整個電腦系統(tǒng)的性能。當前23頁，總共34頁。注意內(nèi)存的做工內(nèi)存的做工影響著內(nèi)存的性能，一般來說，要使內(nèi)存能穩(wěn)定的工作，要求使用的PCB板層數(shù)應在6層以上，否則內(nèi)存在工作時容易出現(xiàn)不穩(wěn)定的情況。當前24頁，總共34頁。注意內(nèi)存的品牌由于內(nèi)存的生產(chǎn)相對來說比較簡單，只是將內(nèi)存顆粒封裝在電路板上即可，因此不少小的廠家將低端的內(nèi)存顆粒通過涂改編號或其他造假方法，將低檔內(nèi)存打磨成高檔內(nèi)存出售，以獲取暴利。而這些內(nèi)存往往不能穩(wěn)定、正常地工作，因此最好選購品牌內(nèi)存。當前25頁，總共34頁。目前市場上內(nèi)存品牌較多，不過真正生產(chǎn)內(nèi)存芯片的廠商只有幾家，其他很多內(nèi)存制造商都是采用別人的內(nèi)存顆粒，如Kingmax（勝創(chuàng)）生產(chǎn)的內(nèi)存就是采用好幾家內(nèi)存芯片廠商生產(chǎn)的內(nèi)存顆粒。全球的內(nèi)存芯片廠商有Samsung（三星）、Hyundai（現(xiàn)代）、KingSton（金士頓）等幾家。當前26頁，總共34頁。Samsung

Samsung是世界上最大的內(nèi)存芯片制造商，目前市場上銷售的優(yōu)質內(nèi)存大都采用Samsung的內(nèi)存芯片。當前27頁，總共34頁。Hyundai

Hyundai是韓國較大的內(nèi)存顆粒制造商，其生產(chǎn)的內(nèi)存顆粒除了供應自己的品牌內(nèi)存外，還供給其他內(nèi)存廠家?，F(xiàn)代的SDRAM內(nèi)存兼容性非常好，支持DIMM的主板一般都可以順利地使用它。當前28頁，總共34頁。Kingston金士頓科技——全球內(nèi)存領導廠商，成立于1987年。從開始的單一產(chǎn)品的生產(chǎn)者，金士頓發(fā)展到現(xiàn)在擁有2000多種儲存產(chǎn)品，支持計算機、服務器和打印機到MP3播放器、數(shù)字相機和手機等幾乎所有的使用儲存產(chǎn)品的設備。當前29頁，總共34頁。安裝內(nèi)存

（1）將內(nèi)存插槽兩邊的鎖扣拉起來，如圖4-13所示。下面以安裝SDRAM內(nèi)存為例，安裝內(nèi)存的具體操作如下。當前30頁，總共34頁。圖4-13當前31頁，總共34頁。

（2）在內(nèi)存下邊緣左右有不對稱的缺口，安裝時應將它