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《大學物理ⅠX》在線平時作業(yè)1-00001試卷總分:100得分:100一、單選題(共25道試題,共100分)題面為圖片{圖}ABCD答案:B2.{圖}ABCD答案:A3.把電荷由A點移到B點時下述說法正確的是:若把正電荷由A點移到B點外力克服電場力作正功,則A點比B點的電勢低;若把負電荷由A點移到B點時,電場力作正功,則A點也比B點的電勢低若把正電荷由A點移到B點外力克服電場力作負功,則A點比B點的電勢低;若把負電荷由A點移到B點時,電場力作負功,則A點也比B點的電勢低若把正電荷由A點移到B點外力克服電場力作正功,則A點比B點的電勢高;若把負電荷由A點移到B點時,電場力作正功,則A點也比B點的電勢高若把正電荷由A點移到B點外力克服電場力作負功,則A點比B點的電勢低;若把負電荷由A點移到B點時,電場力作正功,則A點也比B點的電勢高答案:A4.一個帶正電的粒子,沿電場方向移動,下述說法正確的是:它的電勢能一定會增加。它的電勢能一定會減少它的電勢能既不增加也不減少如果它帶的是負電荷,那么電勢能就會減少答案:B5.對靜電場和由變化的磁場所產(chǎn)生的感生電場,下面的說法正確的是都對電荷有靜電力的作用只有靜電場對電荷有力的作用對電荷都有力的作用只有感生電場對電荷有力的作用答案:C6.絕熱過程中外界對理想氣體作功,經(jīng)該過程氣體的溫度與體積的變化為溫度升高,體積變大溫度升高,體積變小溫度降低,體積變大溫度降低,體積變小答案:B7.某半徑為R的孤立導體球,取無窮遠為電勢的零點時導體球的電勢為U,則該導體球上所帶電荷的電量為Q,導體球表面的電荷面密度為σ。則有:U=4πε0RU;σ=ε0U/RU=4πε0U;σ=ε0U/RU=4πε0U;σ=2ε0U/RU=4πε0RU;σ=2ε0U/R答案:A8.題面為圖片{圖}ABCD答案:C9.對某理想氣體系統(tǒng)的內(nèi)能與熱量,下面哪種說法是正確的:溫度越高,則熱量越大。溫度越高,則內(nèi)能越大。溫度越高,則內(nèi)能越大,熱量也越大。吸收的熱量越多,其內(nèi)能就越大。答案:B10.題面為圖片{圖}ABCD答案:B11.感生電場是變化的磁場產(chǎn)生的,把感生電場與靜電場相比較可知:它們都不能對場中運動的的電荷產(chǎn)生力的作用感生電場不能對場中的電荷產(chǎn)生力的作用只有靜電場不能對場中的運動電荷產(chǎn)生力的作用它們都能對場中的電荷產(chǎn)生力的作用答案:D12.關(guān)于溫度的意義,有下列幾種說法:(1)氣體的溫度是分子熱運動平均平動動能的量度.(2)氣體的溫度是大量氣體分子熱運動的集體表現(xiàn),具有統(tǒng)計意義.(3)溫度的高低反映物質(zhì)內(nèi)部分子熱運動劇烈程度的不同.(4)從微觀上看,氣體的溫度表示每個氣體分子的冷熱程度.上述說法中正確的是(1)、(2)、(4)(1)、(2)、(3)(2)、(3)、(4)(1)、(3)、(4)答案:B13.題面為圖片{圖}A點比B點電勢高A點與B點電勢相等A點比B點電勢低有時A點比B點電勢高。有時A點比B點電勢低答案:A14.{圖}πRlE-πRlE2RlE-2RlE答案:C15.現(xiàn)有20個質(zhì)點,其速率如下:2個具有速率v0;3個具有速率2v0;5個具有速率3v0;4個具有速率4v0;3個具有速率5v0;2個具有速率6v0;1個具有速率7v0。這些質(zhì)點的平均速率與最概然速率分別為:平均速率為3.65v0;最概然速率為5v0。平均速率為3v0;最概然速率為3.65v0平均速率為3.65v0;最概然速率為3v0平均速率為5v0;最概然速率為3.65v0答案:C16.理想氣體的內(nèi)能從U1變化到U2。對于等容、等壓和絕熱三種不同的過程。該氣體的溫度變化和與外界交換熱量的情況為:氣體的溫度變化不同;與外界交換的熱量也不同氣體的溫度變化相同;與外界交換的熱量不同氣體的溫度變化相同;與外界交換的熱量也相同氣體的溫度變化不同;與外界交換的熱量相同答案:B17.{圖}ABCD答案:A18.{圖}電動勢的大小為6,4×10-3V;方向由c→b→a電動勢的大小為6,4×10-3V;方向由a→b→c電動勢的大小為4.8×10-3V;方向由c→b→a電動勢的大小為4.8×10-3V;方向由a→b→c答案:C19.{圖}ABCD答案:D20.題面為圖片{圖}ABCD答案:D21.{圖}內(nèi)能是氣體狀態(tài)的函數(shù)和對一定量的理想氣體內(nèi)能只是溫度的單值函數(shù)只因為內(nèi)能是氣體狀態(tài)的函數(shù)只因為對一定量的理想氣體內(nèi)能只是溫度的單值函數(shù)以上說法都不正確答案:A22.在某導體球殼空腔內(nèi)的球心處放一點電荷該導體球殼的電荷分布和把該點電荷從球心處移開(但仍在空腔內(nèi)),則此時球殼外表面的電荷分布情況分別為:開始時導體球殼的內(nèi)、外表面的電荷均勻分布。點電荷從球心移開后導體球殼外表面的電荷為非均勻分布開始時導體球殼的內(nèi)表面電荷可以非均勻分布但外表面的電荷應(yīng)為均勻分布。點電荷從球心移開后導體球殼外表面的電荷為非均勻分布開始時導體球殼的內(nèi)表面電荷可以非均勻分布但外表面的電荷應(yīng)為均勻分布。點電荷從球心移開后導體球殼外表面的電荷仍為均勻分布開始時導體球殼的內(nèi)、外表面的電荷均勻分布。點電荷從球心移開后導體球殼外表面的電荷仍均勻分布答案:D23.從氣體分子動理論的假設(shè)出發(fā),下述表述正確的是:溫度是大量分子的平均平動動能的量度溫度是大量分子的平均動能的量度溫度是大量分子熱運動的平均動能的量度溫度是大量分子熱運動的平均平動動能的量度答案:D24.用公式DU=νCVDT(式中CV為定容摩爾熱容量,ν為氣體摩爾數(shù))計算理想氣體內(nèi)能增量時,該式:只適用于準靜態(tài)的等容過程.只適用于一切等容過程只適用于一切準靜態(tài)過程適用于一

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