化合物射頻半導(dǎo)體

-.z化合物射頻半導(dǎo)體：百億美元空間、持續(xù)穩(wěn)健成長。2021年全球射頻功率放大器市場規(guī)模84.5億美元，化合物射頻半導(dǎo)體占比高達(dá)95.33%。預(yù)計(jì)2021年市場總量增至114.16億美元，2021至2021年復(fù)合增長率7.51%。砷化鎵器件應(yīng)用于消費(fèi)電子射頻功放，是3G/4G通訊應(yīng)用的主力，物聯(lián)網(wǎng)將是其未來應(yīng)用的藍(lán)海；氮化鎵器件則以高性能特點(diǎn)目前廣泛應(yīng)用于基站、雷達(dá)、電子戰(zhàn)等軍工領(lǐng)域，利潤率高且戰(zhàn)略位置顯著，由于更加適用于5G，氮化鎵有望在5G市場迎來爆發(fā)，而砷化鎵則是5G功放的另一種備選。寡頭壟斷競爭，市場格局漸變。全球化合物射頻芯片設(shè)計(jì)呈現(xiàn)IDM三寡頭格局，2021年IDM廠商Skyworks、Qorvo、Avago在砷化鎵領(lǐng)域分別占據(jù)32.3%、25.5%、7.8%市場份額；產(chǎn)業(yè)鏈呈現(xiàn)多模式整合態(tài)勢，設(shè)計(jì)公司去晶圓化及IDM產(chǎn)能外包成必然趨勢，未來行業(yè)整合仍將持續(xù)；化合物半導(dǎo)體代工市場將加速成長，預(yù)計(jì)2021年擴(kuò)至百億人民幣規(guī)模。四大邏輯看好國化合物射頻半導(dǎo)體行業(yè)開展前景：第一，國家意志及需支持外鄉(xiāng)化合物射頻集成電路開展。射頻芯片大陸需求端市場全備，高端/軍用供應(yīng)受國外“芯片禁運(yùn)〞遏喉，外鄉(xiāng)化迫在眉睫。第二，IC國產(chǎn)化趨勢明朗，優(yōu)秀設(shè)計(jì)公司不斷涌現(xiàn)。受益于產(chǎn)業(yè)開展和人才回流，大陸化合物射頻廠商2G領(lǐng)域出貨量已遠(yuǎn)超國外IDM大廠，合計(jì)市場份額占比超過75%；3G/4G領(lǐng)域技術(shù)突破在即，國產(chǎn)化替代加速。第三，設(shè)計(jì)推動(dòng)產(chǎn)業(yè)開展，化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈初現(xiàn)。未來大陸有望打造“設(shè)計(jì)〔信維通信、長盈精細(xì)、唯捷創(chuàng)芯、銳迪科、漢天下、國民飛驤、中普微電子、慧智微〕+晶圓代工〔三安光電、海特高新〕+封裝測試〔長電科技+晶方科技+華天科技+大港股份〕〞PA類IDM全產(chǎn)業(yè)鏈。第四，“大基金〞注資支持，大陸化合物晶圓代工龍頭“呼之欲出〞。三安光電融資投產(chǎn)砷化鎵/氮化鎵器件產(chǎn)線工程，深度布局化合物半導(dǎo)體代工市場。產(chǎn)業(yè)總體趨勢性向亞洲轉(zhuǎn)移，大陸產(chǎn)業(yè)鏈雛形初現(xiàn)，代工環(huán)節(jié)極有希望由三安光電填補(bǔ)空白。半導(dǎo)體工程獲國家層面支持，大基金48億元投資成為公司第二大股東，25億美元規(guī)模產(chǎn)業(yè)合作基金、國開行200億信貸額度將助力公司外延爆發(fā)式增長。2021年全部達(dá)產(chǎn)后產(chǎn)能可達(dá)36萬片〔砷化鎵30萬片，氮化鎵6萬片〕，有望占據(jù)全球27.3%的代工份額。風(fēng)險(xiǎn)因素：下游周期性波動(dòng)；市場競爭加??；新技術(shù)替代。投資策略:設(shè)計(jì)關(guān)注并購，制造追蹤“龍頭〞?！?〕上游設(shè)計(jì)領(lǐng)域：重點(diǎn)關(guān)注化合物射頻PA公司被并購時(shí)機(jī)。PA設(shè)計(jì)公司獨(dú)立生存的空間逐步縮小。出于提升性能、降低本錢、提升平臺(tái)競爭力等因素考慮，占據(jù)資金和產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢的基帶芯片公司，具備收購射頻設(shè)計(jì)公司補(bǔ)全平臺(tái)設(shè)計(jì)鏈的強(qiáng)烈意愿。重點(diǎn)關(guān)注信維通信〔天線巨頭布局射頻前端〕，并關(guān)注長盈精細(xì)〔參股宜確〕，非上市公司關(guān)注銳迪科、中科漢天下、唯捷創(chuàng)芯、國民飛驤?！?〕下游代工領(lǐng)域：看好積極布局化合物半導(dǎo)體代工領(lǐng)域LED龍頭企業(yè)三安光電，關(guān)注海特高新；并關(guān)注細(xì)分封裝產(chǎn)業(yè)鏈。四大邏輯看好國化合物射頻半導(dǎo)體行業(yè)開展前景第一，國家意志及需支持外鄉(xiāng)化合物射頻集成電路開展。射頻芯片大陸需求端市場全備，高端/軍用供應(yīng)受國外“芯片禁運(yùn)〞遏喉，外鄉(xiāng)化迫在眉睫。第二，IC國產(chǎn)化趨勢明朗，優(yōu)秀設(shè)計(jì)公司不斷涌現(xiàn)。受益于產(chǎn)業(yè)開展和人才回流，大陸化合物射頻廠商2G領(lǐng)域出貨量已遠(yuǎn)超國外IDM大廠，合計(jì)市場份額占比超過75%；3G/4G領(lǐng)域技術(shù)突破在即，國產(chǎn)化替代加速。第三，設(shè)計(jì)推動(dòng)產(chǎn)業(yè)開展，化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈初現(xiàn)。未來大陸有望打造“設(shè)計(jì)〔信維通信、長盈精細(xì)、唯捷創(chuàng)芯、銳迪科、漢天下、國民飛驤、中普微電子、慧智微〕+晶圓代工〔三安光電、海特高新〕+封裝測試〔長電科技+晶方科技+華天科技+大港股份〕〞PA類IDM全產(chǎn)業(yè)鏈。天線龍頭信維通信積極布局射頻前端，向材料和有源器件等領(lǐng)域全面擴(kuò)，后續(xù)動(dòng)作值得期待。第四，“大基金〞注資支持，大陸化合物晶圓代工龍頭“呼之欲出〞。三安光電融資投產(chǎn)砷化鎵/氮化鎵器件產(chǎn)線工程，深度布局化合物半導(dǎo)體代工市場。產(chǎn)業(yè)總體趨勢性向亞洲轉(zhuǎn)移，大陸產(chǎn)業(yè)鏈雛形初現(xiàn)，代工環(huán)節(jié)極有希望由三安光電填補(bǔ)空白。半導(dǎo)體工程獲國家層面支持，大基金48億元投資成為公司第二大股東，25億美元規(guī)模產(chǎn)業(yè)合作基金、國開行200億信貸額度將助力公司外延爆發(fā)式增長。2021年全部達(dá)產(chǎn)后產(chǎn)能可達(dá)36萬片〔砷化鎵30萬片，氮化鎵6萬片〕，有望占據(jù)全球27.3%的代工份額。投資策略：設(shè)計(jì)關(guān)注并購，制造追蹤“龍頭〞上游設(shè)計(jì)領(lǐng)域：重點(diǎn)關(guān)注化合物射頻PA公司被并購時(shí)機(jī)。PA設(shè)計(jì)公司獨(dú)立生存的空間逐步縮小。出于提升性能、降低本錢、提升平臺(tái)競爭力等因素考慮，占據(jù)資金和產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢的基帶芯片公司，具備收購射頻設(shè)計(jì)公司補(bǔ)全平臺(tái)設(shè)計(jì)鏈的強(qiáng)烈意愿。重點(diǎn)推薦國積極布局射頻前端的上市公司信維通信，并關(guān)注長盈精細(xì)。下游代工領(lǐng)域：看好積極布局化合物半導(dǎo)體代工領(lǐng)域LED龍頭企業(yè)三安光電。公司LED芯片龍頭地位穩(wěn)固，并強(qiáng)勢進(jìn)軍化合物半導(dǎo)體代工領(lǐng)域，將受益于LED照明市場穩(wěn)定開展和化合物半導(dǎo)體代工市場爆發(fā)性增長。射頻性能優(yōu)異的化合物半導(dǎo)體化合物半導(dǎo)體射頻性能優(yōu)異。硅單晶材料是制作普通集成電路芯片的主要原料，但受限于材料特性，很難適用于高頻/高壓/大電流芯片應(yīng)用?；衔锇雽?dǎo)體材料因其優(yōu)良的器件特性廣泛適用于射頻器件。常見的化合物半導(dǎo)體包括三五族化合物半導(dǎo)體和四族化合物半導(dǎo)體。其中，砷化鎵〔GaAs〕和氮化鎵〔GaN〕作為其中應(yīng)用領(lǐng)域最廣、產(chǎn)業(yè)化程度最高的三五族化合物材料，具有優(yōu)良的射頻性能，天然具備禁帶寬度寬、截止頻率高、功率密度大等特點(diǎn)，作為射頻功率器件的根底材料分別主宰主流民用和軍用/高性能射頻集成電路市場。工藝獨(dú)特，產(chǎn)業(yè)鏈自成體系化合物半導(dǎo)體工藝獨(dú)特，需要專門的制造產(chǎn)線。普通硅工藝集成電路和砷化鎵/氮化鎵等化合物集成電路芯片生產(chǎn)流程大致類似：先將襯底材料純化、拉晶、切片后在*種襯底上形成外延層，由代工廠按照設(shè)計(jì)公司的設(shè)計(jì)進(jìn)展一系列工藝步驟進(jìn)展電路制造，制成的芯片交由相關(guān)廠商進(jìn)展封裝與測試，最終完成芯片制造。然而由于材料特性、外延方式和制作環(huán)境要求和普通硅CMOS工藝截然不同，化合物集成電路需要使用專門的生產(chǎn)工藝流程與產(chǎn)線設(shè)備，進(jìn)而催生出專門針對化合物半導(dǎo)體集成電路生產(chǎn)的工廠〔Fab〕?；衔锇雽?dǎo)體射頻器件產(chǎn)業(yè)存在整合元件制造商〔IDM〕和〔無晶圓設(shè)計(jì)公司+晶圓代工廠〕兩種商業(yè)模式。傳統(tǒng)的國際設(shè)計(jì)廠商都采用IDM形式，各自配備私有產(chǎn)線，從設(shè)計(jì)到晶圓生產(chǎn)成品都自己完成。該模式的優(yōu)點(diǎn)為有利于技術(shù)、產(chǎn)線工藝參數(shù)控制及設(shè)計(jì)準(zhǔn)確度提升，缺點(diǎn)是重固定資產(chǎn)配置的產(chǎn)線容易閑置浪費(fèi)，且規(guī)模擴(kuò)受限。新興化合物集成電路設(shè)計(jì)公司往往采用無晶圓設(shè)計(jì)〔FablessDesignHouse〕模式，即設(shè)計(jì)公司本身不配備芯片制造產(chǎn)線，而將晶圓代工和封裝測試都交由下游專業(yè)代工廠〔Fab〕配合進(jìn)展。PA：獨(dú)立于主芯片的射頻器件射頻功率放大器〔PowerAmplifier,簡稱PA〕是化合物半導(dǎo)體應(yīng)用的主要器件，也是無線通信設(shè)備射頻前端最核心的組成局部。射頻前端〔RFFrontEnd〕是用以實(shí)現(xiàn)射頻信號(hào)發(fā)射與接收功能的芯片組，與基帶芯片協(xié)同工作，共同實(shí)現(xiàn)無線通訊功能。射頻前端包括功率放大器〔PowerAmplifier〕、開關(guān)〔Switch〕、濾波器〔Filter〕、雙工器〔Duple*er〕、低噪聲放大器〔LowNoiseAmplifier〕等功能構(gòu)件，其中核心器件是決定發(fā)射信號(hào)能力的射頻功率放大器芯片。PA芯片的性能直接決定了手機(jī)等無線終端的通訊距離、信號(hào)質(zhì)量和待機(jī)時(shí)間，是整個(gè)通訊系統(tǒng)芯片組中除基帶主芯片之外最重要的組成局部。射頻前端功能組件圍繞PA芯片設(shè)計(jì)、集成和演化，形成獨(dú)立于主芯片的前端芯片組。隨著無線通訊協(xié)議的復(fù)雜化及射頻前端芯片設(shè)計(jì)的不斷演進(jìn)，PA設(shè)計(jì)廠商往往將開關(guān)或雙工器等功能與功率放大電路集成在一個(gè)芯片封裝中，視系統(tǒng)需求形成多種功能組合。目前PA芯片除實(shí)現(xiàn)發(fā)射信號(hào)功率放大功能外，往往會(huì)集成開關(guān)器或雙工器，進(jìn)而演化出T*M〔PA+Switch〕、PAiD〔PA+Duple*er〕、PAM〔多PA模組〕等多種復(fù)合功能的PA芯片類型。砷化鎵占據(jù)PA主流，氮化鎵戰(zhàn)略利潤雙高地化合物PA芯片是射頻前端市場的主流產(chǎn)品。PA主要有化合物工藝的砷化鎵/氮化鎵PA和硅工藝的CMOSPA。砷化鎵PA芯片相對于硅工藝CMOS芯片具備高頻高效率等特點(diǎn)，目前廣泛應(yīng)用于手機(jī)/WiFi等消費(fèi)品電子領(lǐng)域，其射頻性能雖略遜于氮化鎵射頻器件，但本錢和良率方面存在相對優(yōu)勢，完全可以滿足民用需求；GaNPA具有最高的功率、增益和效率，但本錢相對較高、工藝成熟度低于砷化鎵芯片，目前主要用于遠(yuǎn)距離信號(hào)傳送或高功率級別〔例如雷達(dá)、基站收發(fā)臺(tái)、衛(wèi)星通信、電子戰(zhàn)等〕射頻細(xì)分市場和軍用電子領(lǐng)域。CMOSPA采用普通硅基集成電路工藝制造，由于與主流半導(dǎo)體〔硅〕制造工藝兼容，易于集成射頻控制邏輯單元，近年來在2G手機(jī)和低端Wifi等消費(fèi)電子領(lǐng)域出現(xiàn)爆發(fā)性增長，但始終受限于材料性能，只能應(yīng)用于對線性度、頻率和效率等方面要求較低的低端應(yīng)用，無法滿足復(fù)雜通訊系統(tǒng)的性能要求。隨著無線網(wǎng)絡(luò)頻率圍不斷向高頻擴(kuò)展及無線通訊系統(tǒng)頻帶分布的復(fù)雜化，化合物半導(dǎo)體射頻芯片的優(yōu)勢地位未來仍將維持。砷化鎵PA占據(jù)市場主流，CMOSPA低端市場占比擴(kuò)大。因性能遠(yuǎn)超硅基CMOSPA器件，產(chǎn)品良率和制造本錢優(yōu)于氮化鎵PA器件，砷化鎵PA目前在消費(fèi)電子市場占據(jù)統(tǒng)治地位。根據(jù)IBS數(shù)據(jù)，2021年，全球PA市場規(guī)模為84.5億美元，其中CMOSPA產(chǎn)值3.77億美元，市場占比僅4.67%；化合物PA產(chǎn)值80.76億美元，占比高達(dá)95.33%，其中絕大多數(shù)為應(yīng)用于消費(fèi)品電子射頻前端的砷化鎵PA。氮化鎵PA占據(jù)利潤高地，且戰(zhàn)略位置顯著。Cree公司相關(guān)年報(bào)顯示，其氮化鎵相關(guān)的射頻與功率器件部門2021/2021/2021年產(chǎn)值分別為0.89億/1.08億/1.24億美元，毛利率分別為54%/56.5%/54.7%，受益于高端應(yīng)用，維持較高毛利水平。氮化鎵射頻器件經(jīng)過近十年的科技攻關(guān)已在2021年實(shí)現(xiàn)高可靠量產(chǎn)，產(chǎn)品性能在寬帶、效率、高頻等三個(gè)方面全面超越GaAs器件，主要用于軍事雷達(dá)、電子戰(zhàn)、民用基站等高端高性能應(yīng)用場景，戰(zhàn)略位置顯著。此外，長期困擾GaN功率器件實(shí)用化技術(shù)推廣的瓶頸如可靠性和穩(wěn)定性問題隨著材料、工藝和器件構(gòu)造等水平的提高已大幅提升。以HRL公司生產(chǎn)的E-W波段GaN器件為例，其輸出功率是其他材料器件的5倍，且性能仍有廣闊的提升空間。處于軍事目的考慮，國外高性能的氮化鎵射頻PA均實(shí)行對華禁運(yùn)。因此完善和開展自主氮化鎵射頻半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，對增強(qiáng)國防平安和促進(jìn)高性能射頻器件研制具有重要的意義。核心驅(qū)動(dòng)力：3G/4G/5G終端市場持續(xù)穩(wěn)定增長預(yù)計(jì)全球2021年移動(dòng)終端出貨總量為26.5億部。據(jù)IDC數(shù)據(jù)，手持終端市場從2000年至2021年保持12%的復(fù)合增長率，2021年全球手持終端出貨量為21.8億部。據(jù)電子行業(yè)研究機(jī)構(gòu)Navian2021年統(tǒng)計(jì)，預(yù)計(jì)2021年全球手持終端出貨量26.5億部。手持終端出總量保持平穩(wěn)增長將拉動(dòng)對砷化鎵PA芯片的需求，從而推動(dòng)化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的持續(xù)穩(wěn)定開展。4G終端市場占比擴(kuò)大，載波聚合〔CA〕技術(shù)維持砷化鎵PA優(yōu)勢地位。2021年2G/3G/4G移動(dòng)通訊手持終端出貨量占比分別約為44.7%、48.5%、6.8%；2021年分別為17.1%、51.7%、31.2%；2021年預(yù)計(jì)為6.2%、19.1%和74.7%。4G手持終端出貨量和市場占比逐年增加，由2021年2100萬臺(tái)迅速增長至2021年的9.67億臺(tái)，預(yù)計(jì)2021年可達(dá)19.8億臺(tái)，2001年至2021年復(fù)合增速高達(dá)91.45%。LTE-A標(biāo)準(zhǔn)使用的載波聚合技術(shù)對PA線性度和能效的高標(biāo)準(zhǔn)要求將進(jìn)一步強(qiáng)化砷化鎵射頻PA芯片在該領(lǐng)域的絕對市場份額。多模多頻終端單機(jī)所需的PA芯片增至5-7顆，StrategyAnalytics預(yù)測5G單機(jī)需16顆PA。手持終端單機(jī)所需PA個(gè)數(shù)取決于通訊標(biāo)準(zhǔn)的調(diào)制方式和頻帶數(shù)目，考慮到無線通訊設(shè)備對通訊制式的向下兼容，對單機(jī)射頻前端數(shù)目更多且性能要求更高。一方面，3G/4G所需頻帶數(shù)目較2G系統(tǒng)大幅增加，尤其是4G頻段眾多，而單個(gè)終端PA數(shù)目與需要支持的頻段數(shù)目正向相關(guān)，不相鄰頻段間難以實(shí)現(xiàn)PA復(fù)用；另一方面，3G/4G的通訊信號(hào)調(diào)制方式與2G不同，對PA的特性要求不同〔3G/4G要求使用線性PA〕，基于性能考慮很難通用。加之各國各運(yùn)營商頻段和制式〔FDD/TDD〕分配情況復(fù)雜，單個(gè)手持終端為滿足用戶多模多頻的實(shí)際應(yīng)用需求，需要集成的PA個(gè)數(shù)和實(shí)現(xiàn)復(fù)雜度都隨之提升，進(jìn)而導(dǎo)致單機(jī)PA本錢提升。統(tǒng)計(jì)結(jié)果顯示，2G時(shí)代手機(jī)單機(jī)PA芯片本錢僅0.3美元/部，3G手機(jī)則提升至約1.25美元/部，而4G時(shí)代則增至2美元～3.25美元/部，高端手機(jī)本錢甚至更高，僅iPhone6射頻局部就使用了6顆PA芯片。據(jù)StrategyAnalytics，5G手機(jī)天線可能與信號(hào)收發(fā)器集成，需多顆PA組成發(fā)射通道，未來單機(jī)所需PA或達(dá)16顆。移動(dòng)通訊升級成為化合物射頻半導(dǎo)體持續(xù)增長的主要?jiǎng)恿?。移?dòng)終端射頻前端作為化合物集成電路的主要應(yīng)用市場，其增長速度大于終端產(chǎn)品出貨量增速，主要受益于3G/4G單機(jī)PA復(fù)雜度的上升和本錢的增加。根據(jù)終端出貨情況和對應(yīng)射頻前端本錢，我們測算2021年全球手持終端市場PA芯片〔局部含Switch〕總產(chǎn)值約40.38億美元，預(yù)計(jì)2021年，總產(chǎn)值將增長至86.57億美元。未來5G技術(shù)的開展將進(jìn)一步拓展化合物PA芯片的市場空間。5G標(biāo)準(zhǔn)預(yù)計(jì)采用的高載頻〔6G～80GHz〕，高數(shù)據(jù)吞吐率和寬頻多天線系統(tǒng)，對PA性能指標(biāo)和數(shù)目也提出更高的要求。Qorvo預(yù)測，8GHz以下砷化鎵仍是主流，8GHz以上氮化鎵替代趨勢明顯。砷化鎵作為一種寬禁帶半導(dǎo)體，可承受更高工作電壓，意味著其功率密度及可工作溫度更高，因而具有高功率密度、能耗低、適合高頻率、支持寬帶寬等特點(diǎn)，5G時(shí)代將被廣泛應(yīng)用于基站等根底設(shè)施，而氮化鎵有望在更廣闊的移動(dòng)終端市場成為主力。目前CMOS工藝射頻器件尚不能滿足3G/4G通訊性能的需求?？梢灶A(yù)計(jì)在未來載波頻率更高、頻段更多、頻寬更寬的5G時(shí)代，氮化鎵化合物PA芯片仍將占據(jù)主流，將進(jìn)一步強(qiáng)化和拓展化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的市場空間。同時(shí)，PA應(yīng)用數(shù)量將大幅提升，StrategyAnalytics稱5G時(shí)代單機(jī)所需PA或達(dá)16顆。輔助驅(qū)動(dòng)：物聯(lián)網(wǎng)高性能互連需求和軍工無線網(wǎng)關(guān)領(lǐng)域?qū)Ω邤?shù)據(jù)率遠(yuǎn)距離傳輸?shù)男阅苄枨螅瑢⒓铀偻苿?dòng)WiFi領(lǐng)域?qū)衔锷漕l功放芯片的需求。目前無線局域網(wǎng)網(wǎng)關(guān)WiFi領(lǐng)域采用的802.11b/g/n標(biāo)準(zhǔn)對射頻性能要求不高，功率發(fā)射單元多被集成到WIFI基帶芯片中，只有中高端方案采用單獨(dú)PA芯片供WIFI使用。從2021年開場，在無線局域網(wǎng)網(wǎng)關(guān)和物聯(lián)網(wǎng)WiFi領(lǐng)域，支持雙頻〔2GHz&5GHz〕，MIMO〔多進(jìn)多出天線〕和高發(fā)射功率性能需求的802.11ac標(biāo)準(zhǔn)的設(shè)備市占率將大幅增加。根據(jù)InfoneticsResearch預(yù)測結(jié)果，2021年802.11ac標(biāo)準(zhǔn)WiFi市場占比將超過80%。預(yù)計(jì)在手機(jī)WiFi模塊應(yīng)用上也將出現(xiàn)同樣的趨勢。支持802.11ac協(xié)議的旗艦手機(jī)目前已逐步增加，業(yè)界標(biāo)桿企業(yè)蘋果在iphone6/6plus中已配置支持該協(xié)議的WiFi模組。物聯(lián)網(wǎng)對數(shù)據(jù)傳輸速率和多頻運(yùn)行環(huán)境支持將進(jìn)一步拉動(dòng)性能優(yōu)勢明顯的GaAsPA增量快速開展。軍工領(lǐng)域?qū)τ诟叨送ㄓ嵁a(chǎn)品的需求也將促進(jìn)化合物半導(dǎo)體射頻芯片市場更快增長。未來雷達(dá)和電子戰(zhàn)系統(tǒng)需要大功率的無線信號(hào)發(fā)射系統(tǒng)，器件的可靠性要求也更為嚴(yán)苛，其功放芯片通常采用GaN或GaAs制造。根據(jù)StrategyAnalytics的預(yù)測，2021年軍用GaAs器件市場規(guī)模將到達(dá)5億美元，年復(fù)合增長率達(dá)13%，其中最大的應(yīng)用領(lǐng)域?yàn)槔走_(dá)，約占60%。軍用領(lǐng)域的增長驅(qū)動(dòng)以及軍用產(chǎn)品國產(chǎn)化的迫切需求將給化合物半導(dǎo)體帶來更大的市場空間?；衔锷漕l集成電路：百億美金市場空間砷化鎵占據(jù)射頻PA市場絕對市場份額，2021年可達(dá)百億美元規(guī)模。2021年，全球PA市場規(guī)模為73.9億美元，由于砷化鎵PA由于相對Si基CMOSPA性能優(yōu)勢明顯，砷化鎵PA產(chǎn)值占據(jù)絕對市場份額，合計(jì)71.49億美元，市場占比高達(dá)94%。同時(shí)，受益于移動(dòng)終端升級、物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)的持續(xù)開展，PA市場總量預(yù)計(jì)2021年將增至114.16億美元，2021至2021年復(fù)合增長率為7.51%。氮化鎵射頻器件市場預(yù)計(jì)2021年可達(dá)6.2億美元。YoleDevelopment數(shù)據(jù)顯示，2021年全球氮化鎵射頻器件市場總體規(guī)模僅為6300萬美元，2021年2.98億美元，2021年預(yù)計(jì)約6.2億美元。2021年至2022年復(fù)合增長率為13%?？傮w市場規(guī)模相對于砷化鎵射頻芯片小很多，但考慮到氮化鎵PA器件在軍事平安領(lǐng)域和高性能民用基站、高頻功率轉(zhuǎn)換器件等領(lǐng)域的諸多應(yīng)用，其戰(zhàn)略位置和開展前景不言而喻。IDM主導(dǎo)寡頭競爭格局全球化合物射頻芯片設(shè)計(jì)業(yè)呈現(xiàn)IDM三寡頭格局。由于GaAs/GaN化合物集成電路工藝的獨(dú)特性及射頻電路設(shè)計(jì)高技術(shù)壁壘，化合物半導(dǎo)體市場總體呈現(xiàn)寡頭競爭格局，且以IDM公司為主。2021年P(guān)A市場傳統(tǒng)砷化鎵IDM廠商Skyworks、Qorvo、Avago三寡頭市場份額分別為37%、25%、24%。設(shè)計(jì)第四大廠Murata于2021年3月收購Renesas旗下相關(guān)事業(yè)部，進(jìn)軍砷化鎵PA市場，完成對射頻行業(yè)全備產(chǎn)品線布局，2021年占據(jù)市場份額9%。以RDA為代表的國Fabless設(shè)計(jì)廠商因目前主要產(chǎn)品集中于單顆售價(jià)低于0.3美元的2GPA領(lǐng)域，2021年合計(jì)市場份額小于5%。優(yōu)秀設(shè)計(jì)公司涌現(xiàn)，產(chǎn)業(yè)持續(xù)整合產(chǎn)業(yè)鏈呈現(xiàn)多模式整合態(tài)勢。一方面，隨著行業(yè)開展和技術(shù)演進(jìn)，傳統(tǒng)的砷化鎵/氮化鎵化合物射頻IDM廠商為保持自身技術(shù)優(yōu)勢，選擇強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手或持續(xù)整合新興的Fabless設(shè)計(jì)公司；另一方面，高通、聯(lián)發(fā)科等基帶芯片平臺(tái)為增強(qiáng)平臺(tái)自身的競爭力，選擇參股或并購相應(yīng)的射頻化合物集成電路設(shè)計(jì)廠商。近年來PA行業(yè)并購不斷：國際方面，RFMD收購TriQuint，PA龍頭強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手；Skyworks收購A*IOM和SiGe、RFMD收購Amalfi、Avago收購Javelin，傳統(tǒng)GaAsPA大廠推進(jìn)GaAs、CMOS、SiGe等工藝多元化戰(zhàn)略；聯(lián)發(fā)科收購絡(luò)達(dá)科技〔Airoha〕31.55%股權(quán)、Qualcomm并購BlackSand，基帶廠商涉足PA領(lǐng)域提平臺(tái)案競爭力。國方面，2021年7月紫光集團(tuán)完成對銳迪科收購；2021年5月建廣資產(chǎn)管理〔JACCapital〕收購N*P功率放大器〔RFPower〕事業(yè)部門，在國家意志驅(qū)動(dòng)及并購基金引導(dǎo)下，中國赴海外私有化PA廠商大幕開啟。預(yù)期未來行業(yè)整合仍將持續(xù)。主要集中在以下領(lǐng)域：〔1〕隨著獨(dú)立PA設(shè)計(jì)廠商生存空間縮小，占據(jù)資金和產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢的基帶芯片公司有望并購PA廠商，以補(bǔ)全平臺(tái)設(shè)計(jì)鏈；〔2〕占主導(dǎo)地位的砷化鎵/氮化鎵PAFabless或IDM廠商并購采用CMOS工藝的Fabless設(shè)計(jì)等新技術(shù)廠商，以增強(qiáng)自身技術(shù)覆蓋圍和保持持續(xù)競爭力；〔3〕考慮到高性能氮化鎵半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域敏感性，出于軍事平安/技術(shù)/產(chǎn)品性能深度優(yōu)化的考慮，不排除設(shè)計(jì)公司通過收購方式建立化合物芯片產(chǎn)線，或代工廠反向收購設(shè)計(jì)公司打造垂直產(chǎn)業(yè)鏈的并購可能；〔4〕大陸扶持集成電路行業(yè)意志堅(jiān)決，海外并購優(yōu)秀的砷化鎵廠商將持續(xù)加速；〔5〕國消費(fèi)電子產(chǎn)業(yè)鏈上下游公司出于拓展業(yè)務(wù)目的收購優(yōu)質(zhì)化合物半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司，如長盈精細(xì)收購宜確股權(quán)布局物聯(lián)網(wǎng)，未來利用自身的產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)勢向客戶推廣其射頻功放產(chǎn)品?；衔锞A代工模式加速成長砷化鎵芯片產(chǎn)能滯后，增長需求強(qiáng)烈。據(jù)統(tǒng)計(jì)2021年全球PA行業(yè)總產(chǎn)值為84.5億美元，砷化鎵代工市場總產(chǎn)值為6.5億美元，占比僅7.7%。2021年二季度由于中低端智能手機(jī)的增量爆發(fā)和4G市場占比的迅速拉升，大陸手機(jī)市場砷化鎵PA產(chǎn)能供應(yīng)嚴(yán)重缺乏，市場缺口一度高達(dá)20%以上。以Skyworks為代表的國外IDM大廠PA缺貨嚴(yán)重，甚至迫使聯(lián)發(fā)科等平臺(tái)芯片廠商修改平臺(tái)設(shè)計(jì)方案應(yīng)對。設(shè)計(jì)公司“去晶圓化〞，IDM產(chǎn)能外包成未來必然趨勢。與硅基集成電路開展趨勢類似，化合物半導(dǎo)體公司也將逐步由垂直一體的IDM模式向“無晶圓Fabless設(shè)計(jì)+專業(yè)晶圓代工〞模式開展。一方面，新成立的設(shè)計(jì)公司一般不購置重資產(chǎn)的芯片生產(chǎn)產(chǎn)線，采用Fabless的純設(shè)計(jì)公司方式有助于保持公司的靈活性；另一方面，考慮到晶圓代工產(chǎn)業(yè)已然成規(guī)模及受到新興Fabless設(shè)計(jì)公司擠壓，IDM公司對自有產(chǎn)線擴(kuò)展投資更為保守，因其自有產(chǎn)能必須要保證充分利用產(chǎn)線才不至于閑置。相比之下晶圓代工廠則可以通過掌握Fabless及IDM外發(fā)訂單維持產(chǎn)能利用率。傳統(tǒng)的IDM大廠越來越傾向于不再采用擴(kuò)大自身產(chǎn)能，轉(zhuǎn)而采用外包給專業(yè)的晶圓代工公司進(jìn)展芯片生產(chǎn)，進(jìn)而又推動(dòng)晶圓代工模式的成長。代工市場產(chǎn)值2021年預(yù)計(jì)增至百億人民幣規(guī)模。隨著Fabless設(shè)計(jì)公司的涌現(xiàn)和IDM外包業(yè)務(wù)的開展，化合物集成電路代工業(yè)務(wù)將持續(xù)穩(wěn)步增長。2021年全球砷化鎵代工市場總量為6.5億美元，其中龍頭穩(wěn)懋月產(chǎn)能24k片〔以6英寸片計(jì)〕，產(chǎn)值3.78億美元，占比58.2%。受益于PA芯片業(yè)務(wù)市場需求的迅猛增長和產(chǎn)業(yè)模式轉(zhuǎn)變，預(yù)計(jì)全球化合物集成電路代工業(yè)務(wù)市場將實(shí)現(xiàn)增量擴(kuò)，2021年代工市場總?cè)萘繉⒃鲋?6.9億美元，行業(yè)占比增至17.5%。代工近期向穩(wěn)懋、宏捷科集中，三安光電有望強(qiáng)勢切入。目前全球?qū)I(yè)砷化鎵晶圓代工廠商以臺(tái)企為主，代表企業(yè)為穩(wěn)懋〔Win〕和宏捷科〔AWSC〕，2021年占化合物晶圓代工市場份額分別為58.2%、21.4%。穩(wěn)懋、宏捷科主要客戶分別為Avago、Skyworks。原IDM大廠TriQuint也提供代工效勞，但因其兼具IDM和晶圓代工業(yè)務(wù)易與客戶業(yè)務(wù)發(fā)生沖突，導(dǎo)致其在砷化鎵晶圓代工市場市占率已從2021年的29%萎縮到18%。預(yù)期，中短期GaAs晶圓代工市場份額將不斷向穩(wěn)懋、宏捷科集中。大陸上市公司三安光電目前強(qiáng)勢布局砷化鎵及氮化鎵晶圓代工〔2021年底年產(chǎn)能砷化鎵30萬片、氮化鎵6萬片〕，達(dá)產(chǎn)后產(chǎn)能將和穩(wěn)懋現(xiàn)有產(chǎn)能比肩，有望搶占臺(tái)廠代工市場。需拉動(dòng)集成電路產(chǎn)業(yè)整體開展集成電路巨額進(jìn)口和國家平安戰(zhàn)略引起國家高度重視。集成電路被喻為國家的“工業(yè)糧食〞和國防現(xiàn)代化的“電子血液〞，而中國集成電路產(chǎn)業(yè)根底薄弱，嚴(yán)重依賴進(jìn)口，實(shí)際自給率僅有約10%，進(jìn)幾年進(jìn)口金額接近甚至超過原油進(jìn)口，因此，開展集成電路產(chǎn)業(yè)已經(jīng)被提升為國家平安戰(zhàn)略布局。國家意志有望驅(qū)動(dòng)行業(yè)戰(zhàn)略性拐點(diǎn)?！?〕5/10年成長周期，扶持政策明確。近年來集成電路扶持政策密集公布，融資、稅收、補(bǔ)貼等政策環(huán)境不斷優(yōu)化。尤其是2021年6月出臺(tái)的?國家集成電路產(chǎn)業(yè)開展推進(jìn)綱要?，定調(diào)“設(shè)計(jì)為龍頭、制造為根底、裝備和材料為支撐〞，以2021、2021、2030為成長周期全力推進(jìn)我國集成電路產(chǎn)業(yè)的開展?！?〕龐大資本運(yùn)作，撬動(dòng)開展的主要手段。2021年10月，中國成立國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金〔簡稱“大基金〞〕，“大基金〞首批規(guī)模將到達(dá)1200億元，至2021年9月已投資37個(gè)工程，28個(gè)企業(yè)，加之超過6000億元的地方基金以及私募股權(quán)投資基金，中國有望以千億元基金撬動(dòng)萬億元資金投入集成電路行業(yè)，加速行業(yè)重組、并購。資源向龍頭集中，“馬太效應(yīng)〞凸顯。全球集成電路產(chǎn)業(yè)寡頭壟斷特征日益顯著，中國成長性缺乏企業(yè)也將逐步退出，優(yōu)質(zhì)資源向龍頭集中。例如“大基金〞已投工程及國開行融資工程涉及PA產(chǎn)業(yè)鏈公司的包括：〔1〕設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)，“大基金〞100億元投資紫光集團(tuán)，國開行為紫光集團(tuán)提供200億元融資貸款。〔2〕晶圓代工環(huán)節(jié)：“大基金〞以48.4億元收購三安光電9.07%股權(quán)、以不超過25億美元推進(jìn)與三安集團(tuán)及三安光電合作；國開行以最優(yōu)惠利率提供200億人民幣融資總量，用于支持三安集團(tuán)及三安光電的業(yè)務(wù)開展?！?〕封裝測試環(huán)節(jié)：“大基金〞3億美元助力長電科技收購星科金朋。國產(chǎn)化趨勢明朗：“芯片禁運(yùn)〞與需求缺口化合物射頻芯片大陸需求端市場全備，供應(yīng)端受“芯片禁運(yùn)〞遏喉，外鄉(xiāng)化迫在眉睫?！?〕需求端：終端應(yīng)用市場全備，規(guī)模條件逐步成熟。隨著全球移動(dòng)終端產(chǎn)品產(chǎn)能向中國轉(zhuǎn)移，中國已經(jīng)成為全球PA終端產(chǎn)品制造基地，2021年中國汽車、平板電腦、PC、智能手機(jī)出貨量占全球比重分別達(dá)28%、14%、30%、41%，終端應(yīng)用市場全備，化合物PA芯片市場空間巨大?！?〕供應(yīng)端：中國尚無產(chǎn)值規(guī)模占比居前、技術(shù)領(lǐng)先的砷化鎵/氮化鎵集成電路設(shè)計(jì)、晶圓代工廠商，PA尤其是中高端3G/4G手機(jī)射頻PA芯片嚴(yán)重依賴進(jìn)口。美國對華“芯片禁運(yùn)〞政策，尤其是高性能、軍用PA禁運(yùn)政策非常嚴(yán)格，也將極大刺激氮化鎵芯片產(chǎn)業(yè)外鄉(xiāng)化開展。設(shè)計(jì)端根底扎實(shí)，技術(shù)突破在即大陸優(yōu)秀設(shè)計(jì)公司不斷涌現(xiàn)，2GPA市場領(lǐng)域已占“半壁江山〞。和其他集成電路細(xì)分行業(yè)開展軌跡類似，我國化合物集成電路設(shè)計(jì)公司較國外IDM大廠比起步較晚、規(guī)模相對較小，目前集中于低端消費(fèi)類電子PA領(lǐng)域，普遍采用Fabless的純設(shè)計(jì)公司模式，由代工廠穩(wěn)懋等專業(yè)代工廠商提供芯片制造效勞。區(qū)別于基帶數(shù)字電路芯片動(dòng)輒上千人的“集團(tuán)軍〞作戰(zhàn)模式，化合物集成電路多為射頻模擬電路，F(xiàn)abless設(shè)計(jì)公司核心工程師團(tuán)隊(duì)往往只需數(shù)十人甚至數(shù)人。受益于國外人才回流和信息壁壘削弱，大陸化合物集成電路設(shè)計(jì)公司總體開展勢頭迅猛，涌現(xiàn)出如銳迪科/漢天下/唯捷創(chuàng)芯等一系列在業(yè)界占據(jù)一席之地的優(yōu)秀射頻功率放大器設(shè)計(jì)公司。2G通訊終端領(lǐng)域，大陸PA廠商出貨量已遠(yuǎn)超國外IDM大廠，合計(jì)份額超過75%，占據(jù)市場主流地位。2021年，銳迪科微電子2GPA2021年出貨量1.41億顆，3GPA出貨量300萬顆，PA事業(yè)部實(shí)現(xiàn)營收4300萬美元；中科漢天下微電子2GPA出貨量2.52億顆，3GPA出貨量4600萬顆，實(shí)現(xiàn)營收9000萬美元。唯捷創(chuàng)芯在3GPA領(lǐng)域起步較早，2021/2021/2021年分別實(shí)現(xiàn)營收3.40億元、4.69億元和4.1億元。技術(shù)突破在即，3G/4G市場國產(chǎn)化替代加速。目前4GPA市場仍被Skyworks、Qorvo、Avago和Murata等幾家供應(yīng)商壟斷，其他各家研發(fā)進(jìn)度也在提速，國產(chǎn)化趨勢確定。預(yù)計(jì)2021年4GPA市場大陸PA市占率將大幅增加，占比達(dá)20%～40%。晶圓代工強(qiáng)勢導(dǎo)入，全產(chǎn)業(yè)鏈雛形初現(xiàn)設(shè)計(jì)推動(dòng)代工，大陸化合物晶圓代工龍頭“呼之欲出〞，PA類IDM產(chǎn)業(yè)鏈初現(xiàn)。目前我國化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域，尤其是PAFabless設(shè)計(jì)領(lǐng)域已經(jīng)涌現(xiàn)出銳迪科〔RDA〕、唯捷創(chuàng)芯〔Vanchip〕、漢天下〔Huntersun〕、國民飛驤〔2021年收購國民技術(shù)射頻PA業(yè)業(yè)務(wù)〕、宜確〔2021年被長盈精細(xì)收購20%股權(quán)〕等廠商，及CETC13所、CETC55所等軍用科研院所。國化合物集成電路設(shè)計(jì)目前已占領(lǐng)2G/3G/WiFi等消費(fèi)品電子市場中的低端應(yīng)用。其中漢天下和唯捷創(chuàng)芯已分別在國2G/3GPA市場占據(jù)較大市場份額，各家4G砷化鎵射頻模組芯片研發(fā)快速推進(jìn)，2021年均有望實(shí)現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)，國產(chǎn)化替代趨勢明朗且持續(xù)加速。封測領(lǐng)域已經(jīng)儲(chǔ)藏長電科技、晶方科技、華天科技等優(yōu)質(zhì)企業(yè)。未來代工環(huán)節(jié)有望由三安光電填補(bǔ)空白。2021年三安光電擬募投建立年產(chǎn)能30萬片砷化鎵和6萬片氮化鎵〔6寸〕生產(chǎn)線，2021年底達(dá)產(chǎn)產(chǎn)能有望超越穩(wěn)懋現(xiàn)有規(guī)?！?021年月產(chǎn)能24k片〕，成為國第一家規(guī)模量產(chǎn)GaAs/GaN化合物晶圓代工企業(yè)。在國家意志驅(qū)動(dòng)下，未來大陸有望打造“設(shè)計(jì)+晶圓代工+封裝測試PA類IDM全產(chǎn)業(yè)鏈。上游設(shè)計(jì)領(lǐng)域：重點(diǎn)關(guān)注化合物射頻PA公司被并購時(shí)機(jī)。PA設(shè)計(jì)公司獨(dú)立生存的空間逐步縮小。出于提升性能、降低本錢、提升平臺(tái)競爭力等因素考慮，占據(jù)資金和產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢的基帶芯片公司，具備收購射頻設(shè)計(jì)公司補(bǔ)全平臺(tái)設(shè)計(jì)鏈的強(qiáng)烈意愿。重點(diǎn)推薦國上市公司信維通信，關(guān)注長盈精細(xì)。下游代工領(lǐng)域：看好積極布局化合物半導(dǎo)體代工領(lǐng)域LED龍頭企業(yè)三安光電。公司LED芯片龍頭地位穩(wěn)固，并強(qiáng)勢進(jìn)軍化合物半導(dǎo)體代工領(lǐng)域，將受益于LED照明市場穩(wěn)定開展和化合物半導(dǎo)體代工市場爆發(fā)性增長。重點(diǎn)關(guān)注國上市公司三安光電。上游設(shè)計(jì)公司：關(guān)注PA設(shè)計(jì)公司被并購時(shí)機(jī)基帶芯片設(shè)計(jì)公司并購PAFabless設(shè)計(jì)公司趨勢明顯?；衔锛呻娐废掠巫畲蟮南M(fèi)類應(yīng)用領(lǐng)域是射頻功率放大器，在通訊領(lǐng)域必須與基帶主芯片搭配使用，在地位上依附于主芯片。即便是國外的PAIDM大廠，在產(chǎn)業(yè)鏈中和平臺(tái)芯片設(shè)計(jì)廠商相比也處于附屬地位。目前全球集成電路產(chǎn)業(yè)明顯呈現(xiàn)“持續(xù)融合，強(qiáng)者恒強(qiáng)〞的高度集中化開展趨勢。一方面，PA芯片是通訊領(lǐng)域僅次于基帶芯片的重要組成器件，設(shè)計(jì)和優(yōu)化上與基帶芯片存在天然互補(bǔ)聯(lián)系，銷售業(yè)績和產(chǎn)值預(yù)期與基帶芯片也存在強(qiáng)烈依附關(guān)系，是基帶芯片公司的必要有益補(bǔ)充；另一方面，硅基芯片與化合物半導(dǎo)體設(shè)計(jì)方法和工藝流程上都存在巨大差異，基帶芯片設(shè)計(jì)公司通過自身組建研發(fā)團(tuán)隊(duì)從而具備PA設(shè)計(jì)能力并非易事。據(jù)此我們研判，在消費(fèi)電子領(lǐng)域，外鄉(xiāng)PA設(shè)計(jì)公司獨(dú)立生存的空間將逐步縮小。出于提升性能、降低本錢、提升平臺(tái)競爭力等因素考慮，占據(jù)資金和產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢的基帶芯片公司，具備收購相關(guān)外鄉(xiāng)PA設(shè)計(jì)公司，補(bǔ)全平臺(tái)設(shè)計(jì)鏈的強(qiáng)烈意愿?；鶐酒揞^高通收購BlackSand穩(wěn)固PA產(chǎn)品、聯(lián)發(fā)科入資Airoha、大陸展訊與銳迪科合并形成紫光展銳，且與中科漢天下嚴(yán)密合作，都是這一趨勢的有力佐證。重點(diǎn)推薦上市公司：信維通信，關(guān)注長盈精細(xì)。重點(diǎn)關(guān)注非上市公司：銳迪科，中科漢天下，唯捷創(chuàng)芯，宜確，國民飛驤。銳迪科：與展訊合并，紫光展銳“基帶+射頻〞產(chǎn)業(yè)一體化協(xié)同效應(yīng)明顯。2021年7月至2021年6月展訊及銳迪科分別以18.7億美元和9.07億美元完成私有化，2021年整合初步完成紫光展銳外鄉(xiāng)IC設(shè)計(jì)巨頭現(xiàn)身。展訊2021年已成為全球第三大基帶芯片商，LTE芯片出貨過千萬顆，產(chǎn)品占三星出貨量30%以上。銳迪科在合并前已為國十大IC設(shè)計(jì)商之一，為國領(lǐng)先射頻及混合信號(hào)芯片供應(yīng)商，2021年開發(fā)的RDA3G/4GPA在WCDMA模式可到達(dá)達(dá)50%以上的效率〔同期業(yè)界平均為40%〕，LTE模式下工作可到達(dá)40%效率同期〔業(yè)界平均水平為35%〕。2021年紫光展銳手機(jī)芯片預(yù)計(jì)出貨量將達(dá)6.5億套，穩(wěn)居全球前三。唯捷創(chuàng)芯：目前國唯一大規(guī)模量產(chǎn)2G、3G、4G所有標(biāo)準(zhǔn)射頻前端產(chǎn)品的公司。2021年成功登陸新三板，2021年又14億估值完成7000萬元融資。2021/2021/2021年?duì)I業(yè)收入分別為3.40/4.67/4.06億元，2021年1-4月2G/3G/4G芯片營收占比為38.94%/56.70%/3.16%。2021年6月推出射頻前端產(chǎn)品包含2套組合，分別支持3模和5模的4G移動(dòng)通信終端應(yīng)用，符合MTK的4G通信平臺(tái)定義的phase2射頻前端標(biāo)準(zhǔn)。目前公司產(chǎn)品已成功應(yīng)用到聯(lián)想、華為、HTC等國一線品牌。2021年與RFMD訴訟案達(dá)成和解，為公司未來開展又掃除一大隱患。中科漢天下：2GCMOSPA全球市占率超50%，穩(wěn)居全球第一。公司為國領(lǐng)先無線射頻芯片、智能手機(jī)功放芯片、雙工器、濾波器芯片制造商，2021年公司RF-PA月出貨量超過7000萬顆，其中2GPA超4000萬/月，3GPA超1100萬套/月，4GPA已導(dǎo)入數(shù)家知名IDH方案商和品牌客戶的BOM列表，并完成了首批產(chǎn)品的規(guī)模量產(chǎn)測試。2021年射頻前端芯片通過了三星認(rèn)證，將大規(guī)模量產(chǎn)4G三模八頻和五模十七頻射頻前端套片。下游制造企業(yè)：關(guān)注大陸化合物代工潛在龍頭重點(diǎn)公司推薦：看好積極布局化合物半導(dǎo)體代工領(lǐng)域的A股上市公司三安光電。公司主要從事Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體材料的研究與應(yīng)用，著重以碳化硅、砷化鎵、氮化鎵、藍(lán)寶石等半導(dǎo)體新材料所涉及的核心主業(yè)做大做強(qiáng)，近兩年一系列動(dòng)作布局謀求化合物集成電路代工寡頭。從國家戰(zhàn)略，產(chǎn)業(yè)開展，及軍品民用化等角度考量，培養(yǎng)外鄉(xiāng)的化合物PA代工龍頭企業(yè)勢在必行，三安光電已積累豐富的化合物半導(dǎo)體制備關(guān)鍵技術(shù)，切入化合物芯片代工領(lǐng)域恰逢其時(shí)。信維通信：深度受益5G爆發(fā)，由天線至射頻前端，翻開千億市值空間射頻主業(yè)受益大客戶份額持續(xù)提升。信維通信主營射頻元器件，是全球領(lǐng)先天線廠商，提供產(chǎn)品包括射頻隔離器、射頻連接器、手機(jī)天線、WIFI天線、NFC天線、無線充電等，為國際A客戶、三星電子、華為等知名廠商大量供貨。隨著在射頻主業(yè)中競爭對手安費(fèi)諾、Mole*等的逐步下滑，公司在大客戶的份額穩(wěn)步提升，并由手機(jī)向單機(jī)價(jià)值量更大的pad，筆記本電腦領(lǐng)域快速擴(kuò)，預(yù)期今明年相關(guān)領(lǐng)域的拓展仍能夠?yàn)樯漕l主業(yè)帶來40%以上的增長。此外，公司在國產(chǎn)安卓陣營的份額仍然較低，這局部也將奉獻(xiàn)未來一兩年公司成長的主要?jiǎng)恿?。切入聲學(xué)，翻開中期成長空間。受益聲學(xué)射頻一體化趨勢，公司切入聲學(xué)領(lǐng)域，提供聲學(xué)+射頻的bo*一體化解決方案。聲學(xué)領(lǐng)域單機(jī)價(jià)值量遠(yuǎn)大于天線，是更為廣闊的成長領(lǐng)域。公司聲學(xué)產(chǎn)品目前已為索尼出貨，2021年將大概率在安卓陣營全面導(dǎo)入，迎來聲學(xué)業(yè)務(wù)的全面爆發(fā)，包括華為和步步高系都是公司的潛在客戶，我們認(rèn)為公司2021年在聲學(xué)領(lǐng)域的營收有望突破10億元。前瞻布局，迎接無線充電盛宴。公司當(dāng)前是三星無線充電的主力供應(yīng)商，并和國科研院所合作，布局無線充電前端材料，打造無線充電核心競爭力。根據(jù)媒體報(bào)道，2021年大客戶有望在三款手機(jī)全部導(dǎo)入無線充電，從而使無線充電迎來爆發(fā)元年。當(dāng)前，公司已經(jīng)全面布局包括大客戶和三星在的不同無線充電解決方案，并致力于提供發(fā)射端平臺(tái)，我們認(rèn)為公司的無線充電業(yè)務(wù)將在2021年大幅放量，2021年全面爆發(fā)。全面布局上游材料，發(fā)力5G射頻前端，打造中國村田。5G技術(shù)，天線與射頻是關(guān)鍵，射頻前端模組價(jià)格預(yù)期可至50美元，市場空間超200億美元。5G對手機(jī)天線集成度要求不斷提高的同時(shí)，手機(jī)向下兼容的需求拉動(dòng)單機(jī)射頻器件使用量，同時(shí)射頻器件向高頻開展。4G時(shí)代，PA、SAW等射頻核心元件市場被掌握射頻材料的美日大廠所掌控。公司順應(yīng)5G要求，開展天線陣列與射頻模組，進(jìn)軍射頻新材料戰(zhàn)略卡位，控股國為數(shù)不多掌握射頻電子材料、磁性材料、LTCC工藝的先進(jìn)企業(yè)光線新材料。對標(biāo)村田，由射頻材料逐步向射頻核心元件與模組進(jìn)發(fā)，未來成長可期。風(fēng)險(xiǎn)因素。射頻元件技術(shù)風(fēng)險(xiǎn)；無線充電市場風(fēng)險(xiǎn)。盈利預(yù)測、估值及投資評級。公司是全球領(lǐng)先天線廠商，原有業(yè)務(wù)經(jīng)營良好，對國際大客戶滲透不斷加強(qiáng)，成長空間廣闊。5G時(shí)代提前布局，依托大客戶開展，射頻前端新產(chǎn)品增長可期。根據(jù)近期產(chǎn)業(yè)調(diào)研及上下游驗(yàn)證，我們維持公司2021/17/18年EPS預(yù)測0.57/0.97/1.52元，按照2021年P(guān)E=37倍，對應(yīng)的目標(biāo)價(jià)35.89元，維持“買入〞評級。長盈精細(xì)：布局射頻前端具備潛力，金屬外觀持續(xù)高增長布局移動(dòng)通訊終端零組件，2021年入股宜確。公司2021年以4500萬元入股宜確，持股20%。宜確成立于2021年，為射頻前端集成電路設(shè)計(jì)商，業(yè)務(wù)覆蓋2G/3G/4G/MMMB射頻功率放大器及射頻前端芯片等。2021年成功獲審高頻段5G基站用功率放大器國家科技重大專項(xiàng)課題，業(yè)務(wù)延伸布局未來5G通訊。長盈精細(xì)籍此拓展無線互聯(lián)網(wǎng)絡(luò)射頻接入相關(guān)業(yè)務(wù)，奠基無線接入端提供整體方案芯片開發(fā)。受益下游市場，金屬CNC外觀持續(xù)高增長。公司當(dāng)前60%以上的營收和利潤來自CNC，受益于公司主要客戶VIVO及OPPO市場份額增長，CNC類產(chǎn)品持續(xù)高增長。2021Q2VIVO/OPPO國市場份額由去年同期7.4%/6.9%增至11.9%/13.9%，出貨1300/1520萬部。假設(shè)2021年玻璃外觀成為趨勢，中框大概率由鋁變?yōu)椴讳P鋼，加工時(shí)長將翻倍，刺激營收增長。長盈精細(xì)2021H1金屬外觀營收18.4億，同比增長約60%，未來可望繼續(xù)保持高速增長。增資入股方振，切入A客戶產(chǎn)業(yè)鏈。公司2021年向A客戶防水液態(tài)硅膠供應(yīng)商方振增資4500萬元，獲得15%股權(quán)。A客戶新品引智能手機(jī)防水熱潮，假設(shè)未來每年20億部移動(dòng)通訊終端采用防水材料，僅消費(fèi)電子類產(chǎn)品上防水材料市場可超百億元規(guī)模。2021H1方振實(shí)現(xiàn)利潤728萬元，近2021年全年2倍，2021-2021年預(yù)計(jì)營收3000/4000/6000萬元。長盈科技切入防水材料業(yè)務(wù)，外加其防水端子2021年達(dá)產(chǎn)在即，全面布局精細(xì)防水產(chǎn)業(yè)有望。連接器業(yè)務(wù)多點(diǎn)開花。公司積極布局連接器業(yè)務(wù)，產(chǎn)能與技術(shù)均具優(yōu)勢。2021年公司精細(xì)連接器年產(chǎn)能達(dá)12億件，超精細(xì)連接器達(dá)5億件。2021H1公司大電流BTB連接器及卡類快速充電連接器技術(shù)廣受好評，出貨增長明顯；自主開發(fā)高自動(dòng)化程度RF線纜組裝線，效率較業(yè)界水平提高一倍以上；成功開發(fā)出Type-C端子，銷量已過200萬。2021H1公司連接器營收3.8億元，預(yù)計(jì)為公司業(yè)績未來穩(wěn)定增長點(diǎn)。風(fēng)險(xiǎn)因素。5G射頻前端開發(fā)受阻；下游手機(jī)市場風(fēng)險(xiǎn)。盈利預(yù)測、估值及投資評級。公司主營業(yè)務(wù)增長強(qiáng)勁，2021H1金屬CNC外觀業(yè)務(wù)同比增長達(dá)60%；連接器業(yè)務(wù)進(jìn)展順利，新品多點(diǎn)開花，Type-C端子可望放量；入股宜確布局移動(dòng)射頻前端，未來5G業(yè)務(wù)為潛在增長點(diǎn)。我們給予公司16/17/18三年EPS為0.64、1.03、1.32元的盈利預(yù)測，看好公司主營業(yè)務(wù)高增長，工業(yè)4.0下新業(yè)務(wù)潛力，按照2021年P(guān)E=24倍，給予24.72元目標(biāo)價(jià)，首次覆蓋，給予“增持〞評級。三安光電：打造國化合物半導(dǎo)體代工龍頭LED芯片龍頭地位穩(wěn)固，全球市場提供廣闊空間。LED照明產(chǎn)業(yè)平穩(wěn)增長將成為拉動(dòng)LED芯片產(chǎn)業(yè)的強(qiáng)勁動(dòng)力。2021年國照明市場LED滲透率有望增至80%。三安光電外延片生產(chǎn)核心設(shè)備MOVCD預(yù)計(jì)2021年底可達(dá)