元器件電阻的阻值與功率介紹-基礎(chǔ)電子

精品文檔-下載后可編輯元器件電阻的阻值與功率介紹-基礎(chǔ)電子根據(jù)其阻值是否可變可分為微調(diào)電阻，可調(diào)電阻，電位器等。可調(diào)電阻(電位器)電路符號(hào)如下：電阻在標(biāo)記它的值的方法是用色環(huán)標(biāo)記法。它的識(shí)別方法如下：

電阻，用符號(hào)R表示其基本的作用就是阻礙電流的流動(dòng)。衡量電阻器的兩個(gè)基本的參數(shù)是阻值和功率。阻值用來表示電阻器對(duì)電流阻礙作用的大小，用歐姆表示。除基本單位外，還有千歐和兆歐。功率用來表示電阻器所能承受的電流，用瓦特表示，有1/16W，1/8W，1/4W，1/2W，1W，2W等多種，超過這一值，電阻器就會(huì)燒壞。根據(jù)電阻器的制作材料不同，有水泥電阻(制作成本低，功率大，熱噪聲大，阻值不夠，工作不穩(wěn)定)，碳膜電阻，金屬膜電阻(體積小，工作穩(wěn)定，噪聲小，精度高)以及金屬氧化膜電阻等等。電容，用符號(hào)C表示電容有存儲(chǔ)電荷的作用，由于它的這個(gè)特性，決定了它有通交流阻直流，通高頻阻低頻的作用。因此常用作隔直，濾波，耦合。電容器的兩個(gè)基本的指標(biāo)是容量和擊穿電壓。容量顯示電容器的儲(chǔ)存能力，有法拉(F)和微法(十的負(fù)六次方法拉)、皮法(十的負(fù)十二次方法拉)等計(jì)量單位。由于電容簡(jiǎn)單來說就是兩個(gè)相互絕緣的導(dǎo)體，所以當(dāng)電壓升高到一定程度時(shí)，會(huì)擊穿這層絕緣。這個(gè)極限電壓就是電容器的耐壓值。電容器按有無極性可分為有極性電容和無極性電容兩種，在一般情況下，有極性電容的正負(fù)極不可接反。按制作材料分，電容器有鋁電解電容(成本低，容量大，耐熱性差，穩(wěn)定性差)、鉭電解電容(成本高，精度高，體積小，漏電小)、磁片電容、聚炳稀電容、紙質(zhì)電容以及金屬膜電容等多種。按容量是否可變分為固定電容和可調(diào)電容。電感器通俗的說就是線圈。它的基本的性質(zhì)是通直流，阻交流，與電容器的性質(zhì)恰恰相反。衡量電感器的基本指標(biāo)是電感量。以亨利(H)為單位，還有毫亨，微亨等。電感器可分為磁芯電感(電感量大，常用在濾波電路)和空心電感(電感量小，常用于高頻電路)兩種。晶體管常用的有三極管和二極管兩種。它對(duì)信號(hào)有放大作用。三極管以符號(hào)BG(舊)或(T)表示，二極管以D表示。按制作材料分，晶體管可分為鍺管和硅管兩種。按極性分，三極管有PNP和NPN兩種，而二極管有P型和N型之分。多數(shù)國產(chǎn)管用xxx表示，其中每一位都有特定含義：如3AX31，位3代表三極管，2代表二極管。第二位代表材料和極性。A代表PNP型鍺材料;B代表NPN型鍺材料;C為PNP型硅材料;D為NPN型硅材料。第三位表示用途，其中X代表低頻小功率管;D代表低頻大功率管;G代表高頻小功率管;A代表高頻大功率管。面的數(shù)字是產(chǎn)品的序號(hào)，序號(hào)不同，各種指標(biāo)略有差異。注意，二極管同三極管第二位意義基本相同，而第三位則含義不同。對(duì)于二極管來說，第三位的P代表檢波管;W代表穩(wěn)壓管;Z代表整流管。上面舉的例子，具體來說就是PNP型鍺材料低頻小功率管。對(duì)于進(jìn)口的三極管來說，就各有不同，要在實(shí)際使用過程中注意積累資料。常用的進(jìn)口管有韓國的90xx、80xx系列，歐洲的2Sx系列，在該系列中，第三位含義同國產(chǎn)管的第三位基本相同。半導(dǎo)體晶體管的三種放大電路原理如下：1、————共基極放大電路。它的特點(diǎn)是輸入阻抗低，輸出阻抗高，電流放大倍數(shù)小于1，不易與前級(jí)匹配。2、————共發(fā)射極放大電路。它的特點(diǎn)是電流放大倍數(shù)較大，功率放大倍數(shù)更大，但在強(qiáng)信號(hào)是失真較大。3、————共集電極放大電路。它的特點(diǎn)是輸入阻抗高，輸出阻抗低，常用于阻抗匹配電路，增益。現(xiàn)在應(yīng)用多的莫過于集成電路，符號(hào)IC(IntegeredCircuit)。從小規(guī)模集成電路一直到大規(guī)模、超大規(guī)模乃至生物集成電路發(fā)展。它恐怕是電子元器件中種類多的。其命名方法依廠家的不同而千差萬別，兩塊功能和外形完全相同的集成電路由兩個(gè)廠家生產(chǎn)出來，其型號(hào)差異極大。集成電路的特點(diǎn)就是內(nèi)部元器件密