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精品文檔-下載后可編輯光電探測器響應度隨波長變化曲線-基礎電子在功率為15W疝燈背入射下，測得光譜響應曲線如圖1所示，峰值響應波長為286nm，適合在太陽盲區(qū)工作。圖中六條不同曲線分別表示在0V、-1V、-2V、-3V、-4V、-5V偏壓下的響應度，在沒有偏壓下響應度為14.8mA/W，相應的外量子效率為6.4%。在-5V偏壓下響應度可達55mA/W，外量子效率和內(nèi)量子效率分別為22.5%和28.1%。

由于AlxGa1-xN中Mg的激活能隨會Al組分而變化，如圖1所示Al組分越高，Mg的激活能也就越大。這樣在高Al組分的p-Al0.4Ga0.6N層中，由于離化的受主濃度較低導致該層電阻變大，大的電阻不利于提高工作速度。為了解決這一問題，通常采用Al,Ga1-xN/GaN超晶格結(jié)構(gòu)以減小Mg的有效激活能，從而提高自由空穴濃度[33~34]。超晶格中強的電場強度使得能帶呈鋸齒形狀，這使得有些受主能級低于費米能級，從而降低了離化能提高了空穴濃度。

目前GaN基器件遇到的主要障礙是缺少外延生長所需的良好晶格匹配的襯底。高質(zhì)量的GaN晶體生長需要高溫高壓過程，而這是傳統(tǒng)的生長工藝技術(shù)所不具備的。因此目前常用的生長技術(shù)是在藍寶石或者硅化物襯底上通過MOCVD或MBE進行外延生長。然而藍寶石和硅化物與GaN存在較大的晶格失配和熱失配，應力層的缺陷態(tài)密度達到了10-cm-2。通過氫化物化學氣相淀積（HydrideVaporPhaseEpitaxy,HVPE）和外延側(cè)向過生長（EpitaxialLateralOvergrowth，EL0）可使缺陷態(tài)密度降到106cm-2。隨著這些新的外延生長技術(shù)的成熟，GaN基器件的性能將會更加完善。

圖1不同偏壓下（-5~0V）響應度隨波長變化曲線

圖2AlGa1-xN中

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