信息功能材料與元器件知到章節(jié)答案智慧樹2023年西華大學(xué)

信息功能材料與元器件知到章節(jié)測(cè)試答案智慧樹2023年最新西華大學(xué)第一章測(cè)試信息顯示技術(shù)材料未來(lái)的發(fā)展方向是：

參考答案:

OLED第二章測(cè)試導(dǎo)體膜是用于形成電路中的電阻。

參考答案:

錯(cuò)低真空的壓力范圍為（）

參考答案:

102－10-1Pa壓強(qiáng)低時(shí)，分子稀薄，真空度高，分子的平均自由程短。

參考答案:

錯(cuò)分子泵必須在一定的真空度下才能有效的運(yùn)行。

參考答案:

對(duì)關(guān)于PVD的特點(diǎn)，下列說(shuō)法正確的是()

參考答案:

經(jīng)過(guò)物理過(guò)程轉(zhuǎn)移;固態(tài)或熔融態(tài)作源物質(zhì);沒(méi)有化學(xué)反應(yīng)第三章測(cè)試下列材料中，用于制作厚膜電阻材料的是()

參考答案:

RuO2按膜厚分，小于1μm的為薄膜。

參考答案:

對(duì)觸變型流體隨著切應(yīng)力的增加，凝膠結(jié)構(gòu)的分子間價(jià)鍵破裂，粘度增加

參考答案:

錯(cuò)厚膜導(dǎo)體材料中的銀導(dǎo)體，其最大特點(diǎn)是電導(dǎo)率高，最大缺點(diǎn)是易氧化。

參考答案:

錯(cuò)對(duì)電容器等用的介質(zhì)膜則需要介電常數(shù)大。

參考答案:

對(duì)第四章測(cè)試N2和H2中主要存在偶極子轉(zhuǎn)向極化

參考答案:

錯(cuò)由于外加電壓的作用，致使電介質(zhì)內(nèi)部發(fā)生化學(xué)變化而引起的擊穿稱為電介質(zhì)的電化學(xué)擊穿

參考答案:

對(duì)壓電效應(yīng)產(chǎn)生的條件有（）

參考答案:

其結(jié)構(gòu)必須有帶正負(fù)電荷的質(zhì)點(diǎn)。即壓電體是離子晶體或由離子團(tuán)組成的分子晶體;晶體結(jié)構(gòu)沒(méi)有對(duì)稱中心;壓電體是電介質(zhì)介電常數(shù)的意義包括（）

參考答案:

研究介質(zhì)損耗的理論依據(jù);選擇絕緣體用于電容器和電纜中;絕緣試驗(yàn)的理論依據(jù);用于多層介質(zhì)的合理配合（）產(chǎn)生的條件是體系必須是極性晶體，即具有特殊極化方向的晶體

參考答案:

熱釋電效應(yīng)第五章測(cè)試光電效應(yīng)實(shí)驗(yàn)中，（）光照射金屬后，所獲得的遏止電壓最大。

參考答案:

紫太陽(yáng)能的利用方式主要有（）

參考答案:

光電利用;光熱利用;光化學(xué)利用LED的工作電流會(huì)隨著供應(yīng)電壓的變化及環(huán)境溫度的變化而產(chǎn)生較大波動(dòng)，所以LED一般工作在（）驅(qū)動(dòng)狀態(tài)。

參考答案:

恒定直流輻射復(fù)合是指電子和空穴復(fù)合時(shí)，放出的能量以（）的形式輻射出去。

參考答案:

光激光器發(fā)光需要外界的誘發(fā)促使載流子復(fù)合的受激發(fā)射。

參考答案:

對(duì)第六章測(cè)試熱電材料利用（）實(shí)現(xiàn)余熱回收并轉(zhuǎn)換成電能。

參考答案:

Seebeck效應(yīng)熱電材料利用（）將電能直接轉(zhuǎn)變成熱能，用于熱電制冷。

參考答案:

Peltier效應(yīng)電流通過(guò)存在溫度梯度的單一導(dǎo)體時(shí)，會(huì)產(chǎn)生可逆的Thomson熱效應(yīng)，不產(chǎn)生焦耳熱。

參考答案:

錯(cuò)衛(wèi)星和空間站的溫差發(fā)電系統(tǒng)通常處于900K溫度以上，可選用Bi2Te3/Sb2Te3系材料。

參考答案:

錯(cuò)熱電材料的性能通常用熱電優(yōu)值ZT來(lái)表示，其中Z的量綱為（）

參考答案:

1/K第七章測(cè)試超級(jí)電容器是介于什么器件之間的新型儲(chǔ)能裝置

參考答案:

電容;電池鋰電池重放點(diǎn)過(guò)程有哪兩個(gè)過(guò)程實(shí)現(xiàn)

參考答案:

嵌入;脫嵌超級(jí)電容器的忒點(diǎn)包括一下哪幾個(gè)方面

參考答案:

容量大;使用壽命長(zhǎng);瞬間放電功率大;溫度性能好超級(jí)電容器按原理分類

參考答案:

雜化電容器原理;雙電層電容原理;贗電容原理雙電層電容器由哪兩層電荷組成

參考答案:

表面電荷（正電荷或負(fù)電荷）由由于化學(xué)相互作用而吸附到物體上的離子組成。;庫(kù)侖力吸引到表面電荷的離子組成。第八章測(cè)試下列導(dǎo)電性最好的金屬材料是（）

參考答案:

銀一般認(rèn)為薄膜導(dǎo)電材料的厚度在（）

參考答案:

20nm至2μm用金、銀、鈀之類的金屬和有機(jī)物構(gòu)成有機(jī)金屬漿料，具有成本低、耐蝕性好的優(yōu)點(diǎn)

參考答案:

對(duì)點(diǎn)缺陷引起的殘余電阻率變化遠(yuǎn)比線缺陷的影響小

參考答案:

錯(cuò)金屬薄膜試樣的電導(dǎo)率與其厚度成正比

參考答案:

對(duì)第九章測(cè)試常用的賤金屬電阻合金線有（）

參考答案:

康銅線;鎳鉻線;錳銅線作為薄膜電阻材料要求材料具有以下哪些特性（）

參考答案:

電阻溫度系數(shù)小;電阻率范圍寬;工藝性能好;電阻電壓系數(shù)小碳基薄膜電阻材料是用碳?xì)浠衔铮缂淄?、汽油、苯等為原料在高溫下熱分解得?/p>

參考答案:

對(duì)由于化學(xué)沉積膜反應(yīng)時(shí)產(chǎn)生大量氫氣，使鍍膜多孔，其防潮性較差

參考答案:

對(duì)厚膜電阻漿料中的粘結(jié)相主要起粘接導(dǎo)電相和堅(jiān)固電阻體的作用，同時(shí)還有調(diào)整阻值、改善性能、提高膜層附著力等作用

參考答案:

對(duì)第十章測(cè)試硅晶體結(jié)構(gòu)是金剛石結(jié)構(gòu)，每個(gè)晶胞中含有原子個(gè)數(shù)為（）

參考答案:

8關(guān)于本征半導(dǎo)體，下列說(shuō)法中錯(cuò)誤的是（）

參考答案:

本征半導(dǎo)體的費(fèi)米能級(jí)與溫度無(wú)關(guān)，只決定于材料本身半導(dǎo)體材料最常見(jiàn)的兩種晶體結(jié)構(gòu)是（）

參考答案:

金剛石型;閃鋅礦型與絕緣體相比，半導(dǎo)體的價(jià)電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）

參考答案:

比絕緣體小將Si摻雜入GaAs中，若Si取代Ga則起（）雜質(zhì)作用

參考答案:

施主第十一章測(cè)試磁滯回線的形狀可以反映磁性材料的基本磁性能。磁致回線的寬度越窄，代表該材料的（）

參考答案:

越易被磁化下列方法不能用于提高軟磁材料起始磁導(dǎo)率的是（）

參考答案:

增大磁致伸縮系數(shù)，提高內(nèi)應(yīng)力作為磁存儲(chǔ)材料，對(duì)磁頭材料的性能要求描述錯(cuò)誤的是（）

參考答案:

高矯頑力，易于保存信號(hào)下列屬于軟磁材料磁性特點(diǎn)