非線性波形振蕩晶閘管

非線性波形振蕩晶閘管第1頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四理想運放工作在飽和區(qū)的特點：1.輸出只有兩種可能+Uo

(sat)

或–Uo(sat)

當u+>u－

時，uo=+Uo

(sat)

u+<u－

時，uo=–

Uo(sat)

不存在“虛短”現象

2.i+=i－0仍存在“虛斷”現象電壓傳輸特性uo

u+–u–

–Uo(sat)+Uo(sat)飽和區(qū)O第2頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四電壓傳輸特性–Uo(sat)+Uo(sat)運放處于開環(huán)狀態(tài)1.基本電壓比較器閾值電壓(門限電平)：輸出躍變所對應的輸入電壓。uiuoOURURuouiR2++–R1+–++––當u+>u–

時，uo=+Uo

(sat)

u+<u–

時，uo=–Uo

(sat)

即ui<UR時，uo=+Uo

(sat)

ui

>UR

時，uo=–

Uo

(sat)可見，在ui=UR處輸出電壓uo發(fā)生躍變。參考電壓動畫第3頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四uitOUROuot+Uo

(sat)–Uo

(sat)t1t2單限電壓比較器：

當ui

單方向變化時，uo

只變化一次。URuouiR2++–R1+–++––電壓傳輸特性–Uo(sat)+Uo(sat)uiuoOUR第4頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四ui>UR，uo=+Uo

(sat)ui

<UR，uo=–Uo

(sat)URuouiR2++–R1+–++––uiuoURR2++–R1+–++––

–Uo(sat)

+Uo(sat)uiuoOUR輸入信號接在反相端輸入信號接在同相端電壓傳輸特性–Uo(sat)+Uo(sat)uiuoOUR第5頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四URuouiR2++–R1+–++––uiuoURR2++–R1+–++––Ot+Uo(sat)–Uo(sat)uo輸入信號接在反相端輸入信號接在同相端uitOUROuot+Uo

(sat)–Uo

(sat)t1t2第6頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四輸出帶限幅的電壓比較器設穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓為UZ，忽略穩(wěn)壓管的正向導通壓降則ui

<

UR，uo

=UZ

ui>UR，uo=–UZUZ–UZuo'RDZURuouiR2++–R1+–++––電壓傳輸特性–Uo(sat)+Uo(sat)uiuoOURui<UR時，uo'

=+Uo

(sat)

ui

>UR

時，uo'

=–

Uo

(sat)

第7頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四過零電壓比較器利用電壓比較器將正弦波變?yōu)榉讲║RuouiR2++–R1+–++––電壓傳輸特性–Uo(sat)+Uo(sat)uiuoOUR=0tuiOtuo+Uo(sat)–Uo(sat)O第8頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四2.滯回比較器上門限電壓下門限電壓

電路中引入正反饋(1)提高了比較器的響應速度；(2)輸出電壓的躍變不是發(fā)生在同一門限電壓上。RF當uo=+Uo(sat)，則當uo

=–Uo(sat)，則門限電壓受輸出電壓的控制R2uoui++–R1+–+–－－第9頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四上門限電壓U'+

：ui逐漸增加時的門限電壓下門限電壓U"+：ui

逐漸減小時的門限電壓uiuoO

–Uo(sat)+Uo(sat)電壓傳輸特性uitOuoOt+Uo(sat)–Uo(sat)兩次跳變之間具有遲滯特性——滯回比較器RFR2uoui++–R1+–+–第10頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四根據疊加原理，有改變參考電壓UR，可使傳輸特性沿橫軸移動?？梢姡簜鬏斕匦圆辉賹ΨQ于縱軸，+UR–RFR2uoui++–R1+–+–uiuoO–Uo(sat)+Uo(sat)電壓傳輸特性當參考電壓UR不等于零時第11頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四定義：回差電壓與過零比較器相比具有以下優(yōu)點：1.改善了輸出波形在躍變時的陡度。2.回差提高了電路的抗干擾能力，U越大，抗干擾能力越強。結論：1.調節(jié)RF

或R2

可以改變回差電壓的大小。2.改變UR可以改變上、下門限電壓，但不影回差電壓U。

電壓比較器在數據檢測、自動控制、超限控制報警和波形發(fā)生等電路中得到廣泛應用。第12頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四解：對圖（1）

上門限電壓

下門限電壓例：電路如圖所示，Uo(sat)

=±6V，UR

=5V，

RF

=20k，R2=10k，求上、下門限電壓。（1）RFR2uoui++–R1+–+–+UR–RFR2uoui++–R1+–+–（2）第13頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四解：對圖（2）

例：電路如圖所示，Uo(sat)

=±6V，UR

=5V，

RF

=20k，R2=10k，求上、下門限電壓。（1）RFR2uoui++–R1+–+–+UR–RFR2uoui++–R1+–+–（2）第14頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四（1）RFR2uoui++–R1+–+–+UR–RFR2uoui++–R1+–+–（2）uiuoO-6-226

圖(1)的電壓傳輸特性圖(2)的電壓傳輸特性uouiO-661.335.33第15頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四5.4

運放在波形產生方面的應用波形發(fā)生器的作用：產生一定頻率、幅值的波形（如正弦波、方波、三角波、鋸齒波等）。特點：不用外接輸入信號，即有輸出信號。第16頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四5.4.1矩形波發(fā)生器1.電路結構

由滯回比較器、RC充放電電路組成，

電容電壓uC

即是比較器的輸入電壓，2.工作原理設電源接通時，

uo

=+Uo(sat)

，uC(0)=0。

電阻R2兩端的電壓UR即是比較器的參考電壓。uo

通過RF對電容C充電，uC

按指數規(guī)律增長。RFCuC+–R1R2uo++–+–充電UR+–第17頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四當uo

=+Uo(sat)時，電容充電，uC上升，電容放電，

uC下降，當uC=UR

時，uo

跳變成–Uo(sat)當uC=–UR

時，uo

跳變成

+Uo(sat)

，電容又重新充電。放電2.工作原理RFCuC+–R1R2uo++–+–充電UR+–RFCuC+–R1R2uo++–+–UR+–動畫第18頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四3.工作波形充電放電uouCt1t3t2T=T1+T2電容充放電過程，uC的響應規(guī)律為4.周期與頻率T1T2T–Uo(sat)+Uo(sat)第19頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四在充電過程中在放電過程中矩形波的周期矩形波的頻率充放電時間常數相同：

=RC

矩形波常用于數字電路中作為信號源第20頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四

A1：滯回比較器

因

u–=0，所以當u+=0時，A1狀態(tài)改變5.4.3三角波發(fā)生器1.電路結構A2：反相積分電路Cuo1R3DZR2++–R6uoR5R4+–++–A2A1R1第21頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四2.工作原理A1：滯回比較器因

u-=0，所以當u+=0時，A1狀態(tài)改變輸出uo1

改變(+UZ

躍變到–UZ

或–UZ

躍變到+UZ)，當同時積分電路的輸入、輸出電壓也隨之改變。Cuo1R3DZR2++–R6uoR5R4+–++–A2A1R1動畫第22頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四TT1T23.工作波形4.周期與頻率T=T1+T2

=2T1=2T2uo1UZ

–UZtOuo(1)改變比較器的輸出uo1、電阻R1、R2即可改變三角波的幅值。

(2)改變積分常數RC

即可改變三角波的頻率。動畫第23頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四5.4.3鋸齒波發(fā)生器1.電路Cuo1R3DZR2++–R6uoR5R4+–++–A2A1R1三角波發(fā)生器CR3DZR2++–R6uoR5R4+–++–A2A1R1uo1R'4D在三角波發(fā)生器的電路中，使積分電路的正、反向積分的時間常數不同，即可使其輸出鋸齒波。第24頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四2.波形5.4.3鋸齒波發(fā)生器CR3DZR2++–R6uoR5R4+–++–A2A1R1uo1R4'D1.電路tUZ–UZuouo1Ouo動畫第25頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四5.5

運放在信號測量方面的應用

在自動控制和非電測量等系統(tǒng)中，常用各種傳感器將非電量(如溫度、應變、壓力和流量等)的變化轉換為電信號(電壓或電流)，而后輸入系統(tǒng)。但這種非電量的變化是緩慢的，電信號的變化量常常很小(一般只有幾毫伏到幾十毫伏)，所以要將電信號加以放大。測量放大電路的作用是將測量電路或傳感器送來的微弱信號進行放大，再送到后面電路去處理。一般對測量放大電路的要求是輸入電阻高、噪聲低、穩(wěn)定性好、精度及可靠性高、共模抑制比大、線性度好、失調小、并有一定的抗干擾能力。第26頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四測量放大器的原理電路ui1++∞R2++∞uo2uo1uoR6R6R4R4++∞R2R1+ui2ui++A2A1A3–––––––+對A1和A2有對A3有

改變R1的阻值，即可調節(jié)電壓放大倍數第27頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四5.6

集成功率放大器

使喇叭相當于純電阻負載去耦，防止低頻自激消振，防止高頻自激集成功放LM386接線圖特點:

工作可靠、使用方便。只需在器件外部適當連線，即可向負載提供一定的功率。。++∞.32ui。。+_++4758++UCCLM386+uo+_第28頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四5.7

運算放大器電路中的負反饋5.7.1

并聯電壓負反饋i1if

iduoRFuiR2R1++––++–RL－設輸入電壓ui

為正，差值電流id=i1–

if各電流的實際方向如圖if削弱了凈輸入電流(差值電流)

——負反饋反饋電流取自輸出電壓——電壓反饋

反饋信號與輸入信號在輸入端以電流的形式比較——并聯反饋

特點：輸入電阻低、輸出電阻低第29頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四5.7.2

串聯電壓負反饋+–uf+–uduoRFuiR2R1+–++–+–RL設輸入電壓ui為正，差值電壓ud=ui–

uf各電壓的實際方向如圖uf削弱了凈輸入電壓(差值電壓)

——負反饋反饋電壓取自輸出電壓——電壓反饋

反饋信號與輸入信號在輸入端以電壓的形式比較

——串聯反饋

特點：輸入電阻高、輸出電阻低第30頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四5.7.3

串聯電流負反饋uouiR2RL+–++–ioR+–uf–+ud設輸入電壓ui

為正，差值電壓ud=ui–

uf各電壓的實際方向如圖uf削弱了凈輸入電壓(差值電壓)

——負反饋反饋電壓取自輸出電流——電流反饋

反饋信號與輸入信號在輸入端以電壓的形式比較

——串聯反饋uf=Rio特點：輸出電流io與負載電阻RL無關

——同相輸入恒流源電路或電壓-電流變換電路第31頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四5.7.4

并聯電流負反饋RFR1uiR2RL+–++–ioRi1ifid設輸入電壓ui

為正，差值電流id=i1–

if各電流的實際方向如圖if削弱了凈輸入電流(差值電流)——負反饋反饋電流取自輸出電流——電流反饋

反饋信號與輸入信號在輸入端以電流的形式比較

——并聯反饋－第32頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四5.7.4

并聯電流負反饋RFR1uiR2RL+–++–ioRi1ifid設輸入電壓ui

為正，差值電流id=i1–

if各電流的實際方向如圖if削弱了凈輸入電流(差值電流)——負反饋反饋電流取自輸出電流——電流反饋－特點：輸出電流io與負載電阻RL無關

——反相輸入恒流源電路第33頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四第6章正弦波振蕩電路6.1

自激振蕩6.2

RC振蕩電路6.3

LC振蕩電路

第34頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四第6章正弦波振蕩電路本章要求：1.了解正弦波振蕩電路自激振蕩的條件。2.了解LC振蕩電路和RC振蕩電路的工作原理。第35頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四

正弦波振蕩電路用來產生一定頻率和幅值的正弦交流信號。它的頻率范圍很廣，可以從一赫以下到幾百兆以上；輸出功率可以從幾毫瓦到幾十千瓦；輸出的交流電能是從電源的直流電能轉換而來的。6.1

自激振蕩常用的正弦波振蕩器LC振蕩電路:輸出功率大、頻率高。RC振蕩電路:輸出功率小、頻率低。石英晶體振蕩電路：頻率穩(wěn)定度高。

應用：無線電通訊、廣播電視，工業(yè)上的高頻感應爐、超聲波發(fā)生器、正弦波信號發(fā)生器、半導體接近開關等。第36頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四1Su1.

自激振蕩

放大電路在無輸入信號的情況下，就能輸出一定頻率和幅值的交流信號的現象。

開關合在“1”為無反饋放大電路。21Su

開關合在“2”為有反饋放大電路，

開關合在“2”時,，去掉ui

仍有穩(wěn)定的輸出。反饋信號代替了放大電路的輸入信號。自激振蕩狀態(tài)2第37頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四2.自激振蕩的條件(1)幅度條件：(2)相位條件：n是整數

相位條件意味著振蕩電路必須是正反饋；

幅度條件表明反饋放大器要產生自激振蕩，還必須有足夠的反饋量(可以通過調整放大倍數A

或反饋系數F達到)。自激振蕩的條件第38頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四3.起振及穩(wěn)幅振蕩的過程設：Uo

是振蕩電路輸出電壓的幅度，

B是要求達到的輸出電壓幅度。起振時Uo

0，達到穩(wěn)定振蕩時Uo

=B。起振過程中Uo

<B，要求AuF

>

1，穩(wěn)定振蕩時Uo

=B，要求AuF

=

1，

從AuF

>

1到AuF

=

1，就是自激振蕩建立的過程?？墒馆敵鲭妷旱姆炔粩嘣龃蟆Ｊ馆敵鲭妷旱姆鹊靡苑€(wěn)定。起始信號的產生：在電源接通時，會在電路中激起一個微小的擾動信號，它是個非正弦信號，含有一系列頻率不同的正弦分量。第39頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四4.正弦波振蕩電路的組成(1)放大電路:放大信號(2)反饋網絡:必須是正反饋，反饋信號即是

放大電路的輸入信號(3)選頻網絡:

保證輸出為單一頻率的正弦波

即使電路只在某一特定頻率下滿

足自激振蕩條件(4)穩(wěn)幅環(huán)節(jié):

使電路能從AuF

>1，過渡到

AuF

=1，從而達到穩(wěn)幅振蕩。第40頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四6.2RC振蕩電路RC選頻網絡正反饋網絡同相比例電路放大信號

用正反饋信號uf作為輸入信號

選出單一頻率的信號1.電路結構uf–+R++∞RFR1CRC–uO–+第41頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四2.RC串并聯選頻網絡的選頻特性傳輸系數：。。RCRC。+–+–。式中

：

分析上式可知：僅當=o時，達最大值，且u2與u1同相，即網絡具有選頻特性，fo決定于RC。第42頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四u1u2u2與u1波形相頻特性（f）fo幅頻特性ffo13第43頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四3.工作原理

輸出電壓

uo經正反饋（兼選頻）網絡分壓后，取uf

作為同相比例電路的輸入信號ui

。(1)起振過程第44頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四(2)穩(wěn)定振蕩

A

=

0，僅在f

0處F=

0滿足相位平衡條件，所以振蕩頻率f

0=12RC。改變R、C可改變振蕩頻率RC振蕩電路的振蕩頻率一般在200KHz以下。(3)振蕩頻率

振蕩頻率由相位平衡條件決定。第45頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四振蕩頻率的調整++∞RFRCC–uO–+SSR1R2R3R3R2R1

改變開關K的位置可改變選頻網絡的電阻，實現頻率粗調；改變電容C的大小可實現頻率的細調。振蕩頻率第46頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四（4）起振及穩(wěn)定振蕩的條件穩(wěn)定振蕩條件AuF

=1，|F|=1/3，則起振條件AuF

>1，因為|F|=1/3，則

考慮到起振條件AuF

>1,一般應選取RF

略大2R1。如果這個比值取得過大，會引起振蕩波形嚴重失真。

由運放構成的RC串并聯正弦波振蕩電路不是靠運放內部的晶體管進入非線性區(qū)穩(wěn)幅，而是通過在外部引入負反饋來達到穩(wěn)幅的目的。第47頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四帶穩(wěn)幅環(huán)節(jié)的電路(1)

熱敏電阻具有負溫度系數，利用它的非線性可以自動穩(wěn)幅。

在起振時，由于uO

很小，流過RF的電流也很小，于是發(fā)熱少，阻值高，使RF>2R1；即AuF>1。隨著振蕩幅度的不斷加強，uO增大，流過RF

的電流也增大，RF受熱而降低其阻值，使得Au下降，直到RF=2R1時，穩(wěn)定于AuF=1，

振蕩穩(wěn)定。半導體熱敏電阻R++∞RFR1CRC–uO–+第48頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四帶穩(wěn)幅環(huán)節(jié)的電路(1)

熱敏電阻具有負溫度系數，利用它的非線性可以自動穩(wěn)幅。半導體熱敏電阻R++∞RFR1CRC–uO–+

穩(wěn)幅過程：

思考：

若熱敏電阻具有正溫度系數，應接在何處？uotRFAu第49頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四帶穩(wěn)幅環(huán)節(jié)的電路(2)IDUD振蕩幅度較小時正向電阻大振蕩幅度較大時正向電阻小

利用二極管的正向伏安特性的非線性自動穩(wěn)幅。R++∞RF2R1CRC–uO–+D1D2RF1穩(wěn)幅環(huán)節(jié)第50頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四帶穩(wěn)幅環(huán)節(jié)的電路（2）R++∞RF2R1CRC–uO–+D1D2RF1

圖示電路中，RF分為兩部分。在RF1上正反并聯兩個二極管，它們在輸出電壓uO的正負半周內分別導通。在起振之初，由于uo幅值很小，尚不足以使二極管導通，正向二極管近于開路此時，RF>2R1。而后，隨著振蕩幅度的增大，正向二極管導通，其正向電阻逐漸減小，直到RF=2R1，振蕩穩(wěn)定。第51頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四晶閘管及其應用1

晶閘管2

可控整流電路3

晶閘管的保護第52頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四1.了解晶閘管的基本結構、工作原理、特性和主要參數。2.理解可控整流電路的工作原理、掌握電壓平均值與控制角的關系。晶閘管及其應用第53頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四晶閘管（Silicon

ControlledRectifier）晶閘管是在晶體管基礎上發(fā)展起來的一種大功率半導體器件。它的出現使半導體器件由弱電領域擴展到強電領域。晶閘管也像半導體二極管那樣具有單向導電性，但它的導通時間是可控的，主要用于整流、逆變、調壓及開關等方面。

體積小、重量輕、效率高、動作迅速、維修簡單、操作方便、壽命長、容量大（正向平均電流達千安、正向耐壓達數千伏）。

優(yōu)點：第54頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四G控制極1

晶閘管1.1基本結構K陰極G陽極

AP1P2N1N2四層半導體

晶閘管是具有三個PN結的四層結構,其外形、結構及符號如圖。(c)結構KGA(b)符號(a)外形晶閘管的外形、結構及符號三個

PN

結第55頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四P1P2N1N2K

GA晶閘管相當于PNP和NPN型兩個晶體管的組合+KA

T2T1_P2N1N2IGIAP1N1P2IKGPPNNNPAGK第56頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四T1T21.2工作原理A

在極短時間內使兩個三極管均飽和導通，此過程稱觸發(fā)導通。形成正反饋過程KGEA>0、EG>0EGEA+_R第57頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四

晶閘管導通后，去掉EG

，依靠正反饋，仍可維持導通狀態(tài)。2.2

工作原理GEA>0、EG>0KEA+_RT1T2EGA形成正反饋過程第58頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四晶閘管導通的條件：1.晶閘管陽極電路(陽極與陰極之間)施加正向電壓。

2.晶閘管控制電路(控制極與陰極之間)加正向電壓或正向脈沖(正向觸發(fā)電壓)。

晶閘管導通后，控制極便失去作用。

依靠正反饋，晶閘管仍可維持導通狀態(tài)。晶閘管關斷的條件：

1.必須使可控硅陽極電流減小,直到正反饋效應不能維持。

2.將陽極電源斷開或者在晶閘管的陽極和陰極間加反相電壓。第59頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四正向特性反向特性URRMUFRMIG2>IG1>IG0UBRIFUBO正向轉折電壓IHoUIIG0IG1IG2+_+_反向轉折電壓正向平均電流維持電流U1.3伏安特性第60頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四1.4主要參數UFRM:正向重復峰值電壓（晶閘管耐壓值）晶閘管控制極開路且正向阻斷情況下,允許重復加在晶閘管兩端的正向峰值電壓。一般取UFRM

=80%UB0

。普通晶閘管UFRM

為100V—3000V反向重復峰值電壓控制極開路時,允許重復作用在晶閘管元件上的反向峰值電壓。一般取URRM

=80%UBR

普通晶閘管URRM為100V—3000VURRM：第61頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四正向平均電流環(huán)境溫度為40C及標準散熱條件下，晶閘管處于全導通時可以連續(xù)通過的工頻正弦半波電流的平均值。

IF：IFt2如果正弦半波電流的最大值為Im,則普通晶閘管IF為1A—1000A。第62頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四UF:

通態(tài)平均電壓（管壓降）在規(guī)定的條件下，通過正弦半波平均電流時，晶閘管陽、陰極間的電壓平均值。一般為1V左右。IH:

維持電流在規(guī)定的環(huán)境和控制極斷路時，晶閘管維持導通狀態(tài)所必須的最小電流。一般IH為幾十~一百多毫安。UG、IG：控制極觸發(fā)電壓和電流室溫下，陽極電壓為直流6V時，使晶閘管完全導通所必須的最小控制極直流電壓、電流。一般UG為1到5V，IG為幾十到幾百毫安。第63頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四晶閘管型號及其含義導通時平均電壓組別共九級,用字母A~I表示0.4~1.2V額定電壓,用百位或千位數表示取UFRM或URRM較小者額定正向平均電流(IF)（晶閘管類型）P--普通晶閘管K--快速晶閘管S--雙向晶閘管

晶閘管KP普通型如KP5-7表示額定正向平均電流為5A,額定電壓為700V。第64頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四2

可控整流電路2.1單相半波可控整流

1.電阻性負載(1)

電路

u

>0時：若ug=0，晶閘管不導通，u

<0時:

晶閘管承受反向電壓不導通,

uo=0,uT=u，故稱可控整流?？刂茦O加觸發(fā)信號，晶閘管承受正向電壓導通，uuoRL+–+uT+––Tio第65頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四(2)工作原理t12u

<

0時:

可控硅承受反向電壓不導通即：晶閘管反向阻斷

加觸發(fā)信號，晶閘管承受正向電壓導通tOu

>0時:tO第66頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四tO

接電阻負載時單相半波可控整流電路電壓、電流波形動畫控制角t1tOtOt22tO導通角(3)工作波形第67頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四(4)整流輸出電壓及電流的平均值由公式可知：改變控制角，可改變輸出電壓Uo。第68頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四2.電感性負載與續(xù)流二極管(1)電路

當電壓u過零后，由于電感反電動勢的存在，晶閘管在一段時間內仍維持導通，失去單向導電作用。uuoR+–+uT+––T?LeL?

在電感性負載中,當晶閘管剛觸發(fā)導通時，電感元件上產生阻礙電流變化的感應電勢(極性如圖)，電流不能躍變，將由零逐漸上升(見波形)。第69頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四tOtOtOt1tOt22

2)工作波形(未加續(xù)流二極管)第70頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四uuoR+–+uT+––LTioDiou>0時：

D反向截止，不影響整流電路工作。u

<0時：

D正向導通,晶閘管承受反向電壓關斷,電感元件L釋放能量形成的電流經D構成回路(續(xù)流),負載電壓uo波形與電阻性負載相同(見波形圖)。3.電感性負載(加續(xù)流二極管)+–(1)電路第71頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四(3)工作波形(加續(xù)流二極管)iLttOtO2tO第72頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四2.2單相半控橋式整流電路1.

電路2.

工作原理T1和D2承受正向電壓。T1控制極加觸發(fā)電壓,則T1和D2導通，電流的通路為T1、T2晶閘管D1、D2晶體管aRLD2T1b(1)電壓u為正半周時io+–+–T1T2RLuoD1D2au+–b此時，T2和D1均承受反向電壓而截止。第73頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四io+–+–T1T2RLuoD1D2au+–bT2和D1承受正向電壓。T2控制極加觸發(fā)電壓,則T2和D1導通，電流的通路為(2)電壓u為