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電子技術(shù)向志軍結(jié)型場效應(yīng)管1場效應(yīng)管的類型2結(jié)型場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)3結(jié)型場效應(yīng)管的工作原理4結(jié)型場效應(yīng)管的特性曲線01場效應(yīng)管的類型場效應(yīng)管FET

(FieldEffectTransistor)類型:結(jié)型

JFET

(JunctionFieldEffectTransistor)金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)管(簡稱MOSFET,即Metal-Oxide-SemiconductortypeFieldEffectTransistor)增強型:NMOS、PMOS耗盡型:NMOS、PMOSMOSFET場效應(yīng)管的類型場效應(yīng)管的類型02結(jié)型場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)結(jié)型場效應(yīng)管——結(jié)構(gòu)N基底:N型半導(dǎo)體PP兩邊是P區(qū)G(柵極)S源極D漏極導(dǎo)電溝道NPPG(柵極)S源極D漏極N溝道結(jié)型場效應(yīng)管DGSDGS結(jié)型場效應(yīng)管——結(jié)構(gòu)PNNG(柵極)S源極D漏極P溝道結(jié)型場效應(yīng)管DGSDGS結(jié)型場效應(yīng)管——結(jié)構(gòu)03結(jié)型場效應(yīng)管的工作原理PGSDUDSUGSNNNNUGS=0V,導(dǎo)電溝道最寬ID最大。由于PN結(jié)反偏,UGS越大則耗盡區(qū)越寬,導(dǎo)電溝道越窄。UDS較小時結(jié)型場效應(yīng)管——工作原理以P溝道為例UDS較小時PGSDUDSUGSNNNN但當(dāng)UGS較小時,耗盡區(qū)寬度有限,存在導(dǎo)電溝道。DS間相當(dāng)于線性電阻。UGS越大耗盡區(qū)越寬,溝道越窄,電阻越大ID越小。結(jié)型場效應(yīng)管——工作原理PGSDUDSUGSNNUDS較小時UGS達(dá)到一定值時(夾斷電壓VP),耗盡區(qū)碰到一起,DS間被夾斷,漏極電流是ID=0。結(jié)型場效應(yīng)管——工作原理04結(jié)型場效應(yīng)管的特性曲線UGS0IDIDSSVP飽和漏極電流夾斷電壓轉(zhuǎn)移特性曲線一定UDS下的ID-UGS曲線結(jié)型場效應(yīng)管——特性曲線予夾斷曲線IDUDS2VUGS=0V1V3V4V5V可變電阻區(qū)夾斷區(qū)恒流區(qū)輸出特性曲線0結(jié)型場效應(yīng)管——特性曲線N溝道結(jié)型場效應(yīng)管的特性曲線UGS0IDIDSSVP結(jié)型場效應(yīng)管——特性曲線輸出特性曲線IDUDS0UGS=0V-1V-3V-4V-5VN溝

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