FM1608中文資料完整

TheDATASHEETChinaServiceCenterofRAMTRONabsorbed in ferroelectricsprofessionaltechnologyandattentiveservice第PAGE第2頁特性64K位鐵電非易失性隨機存儲器結(jié)構(gòu)容量為8,192*8位1萬億次以上的讀寫次數(shù)掉電數(shù)據(jù)保持10年寫數(shù)據(jù)無延時先進的鐵電制造工藝相對于BBSRAM模塊的優(yōu)勢沒有電池產(chǎn)生的不良因素單片集成電路可靠性高真正的表面貼裝解決方案優(yōu)異地抗潮濕、沖擊、振動的能力優(yōu)異的抗負脈沖能力

SRAM&EEPROM兼容&腳位70nsAccessTime130nsCycleTime低功耗操作工作電流為待機電流工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)工業(yè)溫度-40Cto+85°C28-pinSOICorDIP描述FM1808是采用先進的鐵電技術(shù)制造的是一種與相似但卻具有非易失性模組系統(tǒng)的設(shè)計復(fù)雜性和相關(guān)的數(shù)據(jù)可靠性問題缺點，數(shù)據(jù)掉電可以保存10高速寫操作以及高擦寫次數(shù)使得它比在系統(tǒng)操作中，F(xiàn)M1808非常類似于其它的非易失性特點歸功于它先進的鐵電存儲器制造工藝，與內(nèi)存解決方案的缺點。這些特性使得FM1808對于某些要求以字節(jié)寬度進行快速頻繁寫操作的非易格可以保證工作在工業(yè)溫度范圍-40Cto+85。

管腳配置管腳描述管腳名稱類型描述A0-A12IN地址：13位地址線選擇內(nèi)存的某一字節(jié)，地址值在/CE的下降沿被鎖存。DQ0-7I/O數(shù)據(jù)：訪問FRAM內(nèi)存的雙向8位數(shù)據(jù)總線/CEIN芯片使能：當(dāng)為低電平時選中芯片，在/CE的下降沿時地址被內(nèi)部鎖存，在下一個下降沿來臨前，在/CE為低電平時地址值的改變均被忽略。/OEIN輸出使能：低電平有效，在讀周期中允許輸出緩沖區(qū)輸出，使/OE變?yōu)楦唠娖胶髮⑹笵Q轉(zhuǎn)變?yōu)槿龖B(tài)狀態(tài)。/WEIN輸入使能：低電平時，允許將數(shù)據(jù)總線上數(shù)據(jù)寫入在/CE的下降沿時鎖存的地址單元VDDSupply電源：5VVSSSupply電源：地功能真值表（注意：/OE管腳僅控制輸出緩沖區(qū)的輸出）/CEWE功能HX靜態(tài)/預(yù)充電↓X鎖存地址（如果/WE為低電平則開始寫操作）LH讀L↓寫第PAGE第10頁概述FM1608是并口操作存儲器，內(nèi)存組織結(jié)構(gòu)為8,192x8，通過工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)并行接口界面進行訪問。所有寫入器件的數(shù)據(jù)沒有任何延時地立即具有非易失性，F(xiàn)RAM的內(nèi)存功能操作與SRAM器件類似，唯一區(qū)別就是在開始每一個內(nèi)存周期前FM1608需要一個/CE的下降沿以鎖存地址信息。內(nèi)存結(jié)構(gòu)32,752138,192字節(jié)中81K332塊區(qū)域中的某一塊，這種塊段結(jié)構(gòu)對操作沒有影持久性的要求，這一點將在下面進行描述。作內(nèi)存訪問時間也是相同的。當(dāng)/CE為高電平EEPROM一樣進行輪詢，以確定器件是否處于就緒狀態(tài)。需要注意的是，F(xiàn)M1608沒有特殊的電源跌落要求，它不會封鎖用戶對內(nèi)存的訪問。它的內(nèi)部沒有電源管理電路而僅有一個簡單的上電復(fù)位電路，因此，用戶應(yīng)保證電源電壓（VDD）在數(shù)據(jù)表規(guī)定的誤差范圍內(nèi)，防止器件出現(xiàn)誤操作。同樣地，VDD和/CE之間的正確的電壓水平與時序關(guān)系在系統(tǒng)上電或下電時都必須得到保證。內(nèi)存操作FM1608被設(shè)計成在操作上類似于其它字節(jié)寬度FM1608的性能是具有可比較性的，但在字節(jié)接口操作方式上，正如下面所描述，有一點不同。如果用戶熟悉EEPROM，那么它們之間明顯的

讀操作讀操作開始于/CE的下降沿，在這個時刻，地址被鎖存同時一個內(nèi)存周期被初始化。一旦開始，一個完整的內(nèi)存周期將在內(nèi)部完成，即使/CE被置為無效。在訪問時間滿足后數(shù)據(jù)在總線上可用。的內(nèi)存操作。當(dāng)/OE被設(shè)為低電平時，F(xiàn)M1608將驅(qū)動數(shù)據(jù)總線，如果/OE保持低電平的時間滿足內(nèi)存訪問時間，那么數(shù)據(jù)總線將以合法數(shù)據(jù)驅(qū)動，如果/OE在滿足內(nèi)存訪問時間前無效，那么在合法數(shù)據(jù)可用前數(shù)據(jù)總線將不會被驅(qū)動。這一特性通過排除短暫的非法數(shù)據(jù)來減少系統(tǒng)電流，當(dāng)/OE處于非合動狀態(tài)，數(shù)據(jù)總線將保持三態(tài)。寫操作FM1608的寫操作與讀操作一樣都非?？焖?，F(xiàn)M1608支持/CE和/WE控制的寫周期，在所有情況下，地址在/CE的下降沿被鎖存。在控制的寫操作中，/WE信號在開始內(nèi)存周期下降時為低電平，處于何種狀態(tài)，F(xiàn)M1608都不會驅(qū)動數(shù)據(jù)總線。在控制的寫周期中，內(nèi)存周期在/CE的下降沿信號在內(nèi)存周期作為讀開始，數(shù)據(jù)總線是否被驅(qū)動取決于/OE的狀態(tài)，直到/WE的下降沿到來，/CE和/WE的控制寫周期的時序?qū)⒃陔姎馓匦哉鹿?jié)描述。當(dāng)內(nèi)存周期初始化后，寫內(nèi)存操作保持同步，寫操作在或/CE的上升沿結(jié)束，不管誰先，數(shù)據(jù)建立時間，就如在電氣特性章節(jié)描述，明確了內(nèi)部的與其它的非易失性存儲器技術(shù)不同，鐵電存儲器沒那么用戶無須總線等待，整個內(nèi)存操作都在一個總線周期內(nèi)完成，然而，緊接著讀或?qū)懼罂梢赃M行任何操作，在技術(shù)中應(yīng)用的數(shù)據(jù)輪詢在此是不必要。預(yù)充電操作預(yù)充電操作是一個內(nèi)部狀態(tài)，此時內(nèi)存處于準(zhǔn)備一個新訪問狀態(tài)。所有的內(nèi)存周期都包含一個內(nèi)存訪問和一個預(yù)充電操作，預(yù)充電操作由用戶將/CE信號拉高或置此信號無效，它在高電平狀態(tài)必須滿足最低的預(yù)充電時間參數(shù)（Tpc）要求。既然在/CE變高前預(yù)充電不會開始，那么應(yīng)由用戶控制這一操作的執(zhí)行。無論如何，器件必須滿足最長的/CE低電平時間參數(shù)要求。持久性鐵電存儲器內(nèi)部使用讀和恢復(fù)機制，然而每一次讀或?qū)懖僮鞫及粋€狀態(tài)的改變，內(nèi)存體系結(jié)構(gòu)是基于行和列陣列，每次的內(nèi)存進入都FM1608324個字節(jié)的邊界表示一個新行的開始，可以通過將頻繁讀寫的數(shù)據(jù)放入不同相對于其它的非易失性存儲器提供了出色的寫1萬億次的讀寫操作，即3000十年的壽命。應(yīng)用作為第一個真正的非易失性存儲器，F(xiàn)M1608可以適應(yīng)不同的應(yīng)用，很明顯，它的單片特性及高性能使得它在許多應(yīng)用場合比電池后備的模組的優(yōu)勢，第二是設(shè)計參考，它主要提供了設(shè)計改進和新設(shè)計需注意的事項。FRAM的優(yōu)點雖然電池后備SRAM是一個成熟的和已確立列于下面。

結(jié)構(gòu)問題成本SRAM加后備電池的制造和元件成本很高，擁有單片結(jié)構(gòu)的FRAM必然成為低成本解決方案，另外當(dāng)進行線路板。濕度一個典型的電池后備模組適合的條件是60oC,90%Rh，之所以選擇這樣的條件是因為多元件裝配通過acceleratedstress120oC85%Rh,24.4psiaat。系統(tǒng)可靠性使用SRAM數(shù)據(jù)立即丟失?？臻g25％的線路板空間。電池問題現(xiàn)場維護不管電池后備模式多么成熟，它們始終有一個維護問題，而且最終都必須被替代。暫不管長壽命問題，這根據(jù)就不可能考慮到所有可能造成電池效能退化的各種因素。環(huán)境鋰電池被廣泛地認(rèn)為存在環(huán)境保護問題，并存在潛在的火災(zāi)危險，而且正確地處理廢電池也

潮流SRAM技術(shù)并將進一步改變系統(tǒng)設(shè)計的方式。FRAM具有非易失性，寫速度快不需要電池FRAM鐵電設(shè)計注意事項一樣將地。那些修改當(dāng)前設(shè)計而使用FRAM的用戶必須檢查內(nèi)存控制器以保證地址及控制管腳的時序在大多數(shù)情況下，這是唯一需要的改動，在下2的。

利用時間。另外一個設(shè)計注意事項與VDD有關(guān)，電池后備以便必要時切換至后備方SRAM對電池電源的消耗，用戶在電源下降時可能在沒有任何提示或警告的情況下突然被中斷對內(nèi)存的訪問。在電源超出誤差范圍之外時阻止處理器對內(nèi)存的訪沒有其它的特殊設(shè)計要求。電氣特性StressesabovethoselistedunderAbsoluteMaximumRatingsmaycausepermanentdamagetothedevice.Thisisastressratingonly,andthefunctionaloperationofthedeviceattheseoranyotherconditionsabovethoselistedintheoperationalsectionofthisspecificationisnotimplied.Exposuretoabsolutemaximumratingsconditionsforextendedperiodsmayaffectdevicereliability.Notes=5.5V,/CEcyclingatminimumcycletime.AllinputsatCMOSlevels,alloutputsunloaded.=5.5V,/CEatAllatTTLall=5.5V,/CEatatCMOSlevels,alloutputsunloaded.betweenandNotesTherelationshipbetweenretention,temperature,andtheassociatedreliabilitylevelischaracterizedinaseparatereliabilityreport.Notes1Thisparameterisperiodicallysampledandnot100%tested,except(min)is100%tested.2Therelationshipbetween/CEand/WEdeterminesifa/CE-or/WE-controlledwriteoccurs.Thereisnospecificationassociatedw