廈門一中20182019學年上學期期中考試化學

廈門一中20182019學年上學期期中考試化學廈門一中20182019學年上學期期中考試化學PAGEPAGE10廈門一中20182019學年上學期期中考試化學PAGE福建省廈門第一中學2018—2019學年度

第一學期期中考試

高二年化學試卷

命題教師：陳國平審查教師：蘇賽娥

也許用到的相對原子質(zhì)量：H-1O-16S-32Ni-59Zn-65

第一卷

選擇題：每道選擇題有且唯有一個正確選項，每題分，共30分。1．以下相關(guān)化學用語表示正確的選項是

A．H2S的電子式：B．基態(tài)氧原子的電子排布圖：

C．二氧化硅的份子式：SiO2D．24Cr的電子排布式：[Ar]3d54s12．已知五種短周期元素的原子半徑及主要化合價如表，以下表達正確的選項是LMQRT原子半徑〔nm〕主要化合價+2+3+6、﹣2+2﹣2A．L和Q產(chǎn)生的化合物含極性共價鍵B．M易與T單質(zhì)反響C．T、Q的簡單氫化物常溫常壓下均為無色氣體D．L、R的單質(zhì)與鹽酸反響速率：R＞L3．以下各組物質(zhì)的熔點均與所含化學鍵相關(guān)的是A．CaO與COB．NaCl與HClC．MgCl與SiD．Cl與I22224．相關(guān)雜化軌道的說法不正確的選項是A．雜化軌道所有參加產(chǎn)生化學鍵B．sp3、sp2、sp1雜化軌道的夾角辯解為109°28、′120°、180°C．四周體形、三角錐形、V形份子的構(gòu)造可以用sp3雜化軌道解說D．雜化前后的軌道數(shù)不變，但軌道的形狀發(fā)生了改變

5．以下描繪中正確的選項是

A．CS2為空間構(gòu)型為V形的極性份子

B．雙原子或多原子產(chǎn)生的氣體單質(zhì)中，必定有σ鍵，也許有π鍵

C．氫原子電子云的一個小黑點表示一個電子

432﹣的中心原子均為3雜化D．HCN、SiF和SOsp6．以下份子或離子中鍵角由大到小布列的是

①BCl3②NH3③H2O④PCl4+⑤BeCl2A．⑤④①②③B．④①②⑤③C．⑤①④②③D．③②④①⑤7．以下說法不正確的選項是A．產(chǎn)生單質(zhì)的份子內(nèi)不用然存在共價鍵

B．HF的熱堅固性很好，是因為HF份子間存在氫鍵

C．由非金屬元素構(gòu)成的化合物不用然是共價化合物

D．NaCl晶體融化，需要破壞離子鍵

8．以下份子或離子中，VSEPR模型稱號與份子或離子的立體構(gòu)型稱號不一致的是

A．CO2B．CO32-C．H2OD．CCl4

9．在N2F2份子中，所有原子均切合8電子堅固構(gòu)造，則該份子中的共價鍵種類是

A．僅有σ鍵B．三個σ鍵，兩個π鍵C．兩個σ鍵，兩個π鍵D．三個σ鍵，一個π鍵10．用價電子對互斥理論〔VSEPR〕可以展望很多份子或離子的空間構(gòu)型，也可猜想鍵角大小，以下判斷正確的選項是A．CS是V形份子B．SnBr鍵角大于22C．BF3是三角錐形份子D．NH4+鍵角等于109o28ˊ11．以下說法正確的選項是A．凡是中心原子采納sp3雜化模式成鍵的份子其幾何構(gòu)型都是正四周體B．C-C的鍵能大于C-Si，因此C60熔點高于金剛砂SiCC．若ABn型份子的中心原子A上沒有孤對電子，則ABn為非極性份子D．P4和CH4都是正四周體形份子且鍵角都為109°28′12＋中所有電子正好充滿K、L、M三個電子層，它與－．元素X的＋1價離子XN3產(chǎn)生的晶胞構(gòu)造如以以下列圖。以下說法過錯的選項是

A．X元素的原子序數(shù)是19

B．X的晶體擁有優(yōu)異的導電性、導熱性和延展性

＋C．X離子是圖中的黑球

D．該晶體中陽離子與陰離子個數(shù)比為3∶1

13．2018年1月26日，中國科技大學的教授們將水置于一個20℃、足夠強的電場中，水份子瞬時凝結(jié)產(chǎn)生“暖冰”。則對于“暖冰”的判斷正確的選項是

A．“暖冰”中存在離子鍵

B．“暖冰”中水份子的O-H鍵長短極性鍵

C．“暖冰”有優(yōu)異的導電性和導熱性

D．水凝結(jié)產(chǎn)生20℃時的“暖冰”所發(fā)生的變化是物理變化

14．以下說法不正確的選項是

A．干冰升華和液氯汽化時，都只需戰(zhàn)勝份子間作用力

B．PCl5份子中各原子最外層均達到了8電子堅固構(gòu)造

C．水份子堅固性強是因為水份子中的氫氧鍵較為牢靠

D．金剛石中所有原子均是以共價鍵相聯(lián)合的

15．以下各項比較中前者高于(或大于或強于)后者的是

A．金屬Mg〔六方最密群集〕和金屬Cu〔面心立方最密群集〕的空間利用率

B．BF3和CH4中心原子的價層電子對數(shù)

C．Si-O和C-O的鍵能

D．對羥基苯甲醛〔〕和鄰羥基苯甲醛〔〕的沸點

16．以下說法正確的選項是

A．SiO2的沸點高于CO2，其原因是SiO2的摩爾質(zhì)量較大

B．H2SO4溶于水能電離出H+和SO42-，因此硫酸是共價化合物

C．HClO易解析是因為HClO份子間作用力弱

D．含有陽離子的晶體不用然含有陰離子

17．以下說法不正確的選項是

A．硬度大的原因與Si、O原子之間的成鍵模式及布列模式相關(guān)

B．乙醇沸點高于二甲醚的原因與份子間作用力大小相關(guān)

C．冰醋酸溶于水時只破壞份子間作用力

D．MgO熔點高達是因為此中的離子鍵較難被破壞18．如以以下列圖為干冰晶體的晶胞，它是一種面心立方構(gòu)造，即每8個份子組建立方體，且再在6個面的中心各有1個份子據(jù)有，在每個四周間隔(此中為立方體棱長)的份子有A．4個B．8個C．12個

D．6個

19．以下各組物質(zhì)中，按熔點由低到高布列正確的選項是

A．CO2、汽油、MgO

B．KCl、P2O5、Si

C．NH3、PH3、HBr

D．SiC、NaCl、NO2

20．氮化硼(BN)晶體有多種構(gòu)造。六方相氮化硼是凡是存在的堅固相，與石墨相像，擁有層狀結(jié)

構(gòu)，可作高溫潤滑劑。立方相氮化硼是超硬資料，有優(yōu)異的耐磨性。它們的晶體構(gòu)造如圖所

示。對于這兩種晶體的說法，正確的選項是

A．立方相氮化硼含有σ鍵和π鍵，因此硬度大

B．六方相氮化硼層間作用力小，因此質(zhì)地軟

C．兩種晶體中的B原子的雜化種類同樣

D．兩種晶體均為份子晶體

第II卷

21．〔10

分〕常有的太陽能電池有單晶硅太陽能電池、多晶硅太陽能電池、

GaAs太陽能電池及銅

銦鎵硒薄膜太陽能電池等?！?〕Ga

基態(tài)原子核外電子排布式為

__________，As

基態(tài)原子核外有

__________個未成對電子。

〔2〕Ga、As、Se

的電負性由大到小的次序是

____________。

〔3〕GaCl3和

AsF3的立體構(gòu)型辯解是

____________，____________。

(4)比較以下鎵的鹵化物的熔點和沸點，解析其變化的原因：

____________。

鎵的鹵化物

GaCl3

GaBr3

GaI3

熔點/℃

沸點/℃

279

346

GaF3

的熔點超出

1000

℃，也許的原因是

____________。

〔5〕硼酸(H3BO3)自己不可以電離出

H+，在水中易聯(lián)合一個

OH－生成

[B(OH)4]

－，而表現(xiàn)弱酸性。[B(OH)4]

－中

B原子的雜化種類為

____________。

6〕若以硅原子取代金剛石晶體中的碳原子，便獲得晶體硅，若將金剛石晶體中一半的碳原子

換成硅原子，且碳、硅原子交替，即獲得碳化硅晶體(金剛砂)。金剛石、晶體硅、碳化硅的熔

點由高到低的布列次序是____________(用化學式表示)；22．〔10分〕鈦因為其堅固的化學性質(zhì)，優(yōu)異的耐高溫、耐低溫、抗強酸、抗強堿以及高強度、低密度，被美名為“將來鋼鐵”、“戰(zhàn)略金屬”?！?〕基態(tài)鈦原子核外共有___________種運動狀態(tài)不同樣樣的電子，價電子排布式___________；與鈦同周期的元素中，基態(tài)原子的未成對電子數(shù)與鈦同樣的有___________種?！?〕鈦比鋼輕、比鋁硬，是一種新興的構(gòu)造資料。鈦硬度比鋁大的原因是___________?！?〕TiCl4是氧化法制取鈦的中間產(chǎn)物。TiCl4份子構(gòu)造與CCl4同樣，在常溫下都是液體。TiCl4分子的空間構(gòu)型是__________；TiCl4堅固性比CCl4差，試從構(gòu)造解析其原因：__________?！?〕鈣鈦礦資料是一類有著與鈦酸鈣同樣晶體構(gòu)造的資料，這類奇異的晶體構(gòu)造讓它具備了很多獨到的理化性質(zhì)，比方吸光性、電催化性等。鈦酸鈣晶體構(gòu)造如以以下列圖。此中，A代表Ca2+，Ti原子位于由O原子產(chǎn)生的正八面體的中心，則鈦酸鈣的化學式為___________，Ca2+的配位數(shù)是___________。

23．〔12分〕A、B、C、D、E代表前四周期原子序數(shù)挨次增大的五種元素。A、D同主族且A原子

的2p軌道上有1個電子的自旋目標與其他電子的自旋目標相反；工業(yè)上電解熔融C2A3制取單

質(zhì)C；B、E除最外層均唯有2個電子外，其他各層全充滿。答復以下問題：

1〕B、C中第一電離能較大的是___________(用元素符號填空)，基態(tài)E原子價電子的軌道表達式為___________。

2〕DA2份子的VSEPR模型是___________。

〔3〕實驗測得C與氯元素產(chǎn)生化合物的實質(zhì)構(gòu)成為C26Cl，其球棍模型如圖所示。已知C26NaOH溶液反響可生成Cl在加熱時易升華，與過分的Na[C(OH)4]。①CCl屬于___________晶體〔填晶體種類〕，此中C原子的雜化軌道種類為___________雜化。26[C(OH)4]-中存在的化學鍵有___________。a．離子鍵

b．共價鍵

c．σ鍵

d．π鍵

e．配位鍵

f．氫鍵

〔4〕B、C的氟化物晶格能辯解是2957kJ·mol-1

、5492kJmol·-1

，二者相差很大的原因是

______。

〔5〕D與E產(chǎn)生化合物晶體的晶胞如以以下列圖所示：

①在該晶胞中，E的配位數(shù)為___________。②原子坐標參數(shù)可表示晶胞內(nèi)部各原子的相對地點。上圖晶胞中，原子的坐標參數(shù)為：a(0，0，0)；b(1/2，0，1/2)；c(1/2，1/2，0)。則d原子的坐標參數(shù)為___________。③已知該晶胞的邊長為xcm，則該晶胞的密度為ρ=___________g/cm3〔列出計算式即可〕。24．〔12分〕硫、鋅及其化合物用途分外遍布。答復以下問題：

〔1〕O和S處于一致主族。H2O及H2S中，中心原子的雜化模式同樣，鍵長及鍵角如以以下列圖。

①H2O份子中的鍵長比H2S中的鍵長短，其原因是___________。②H2O份子中的鍵角∠HOH比H2S份子中的鍵角∠HSH大，其原因是___________?！?〕單質(zhì)硫與熱的NaOH濃溶液反響的產(chǎn)物之一為Na2332-的空間構(gòu)型為___________，中心S。S原子的雜化模式為___________。

3〕噻吩()遍布應(yīng)用于合成醫(yī)藥、農(nóng)藥、染料工業(yè)。

①噻吩份子中含有___________個σ鍵。

②份子中的大π鍵可用符號表示，此中m代表參加產(chǎn)生大

π鍵的原子數(shù)，

n代表參加產(chǎn)生大

π鍵的電子數(shù)

(如苯份子中的大

π鍵可表示為

)，則噻吩份子中的大

π鍵應(yīng)表示為

___________。

③噻吩的沸點為84℃，吡咯()的沸點在129~131℃之間，后者沸點較高，其原因是

___________。

〔4〕冰晶體的構(gòu)造與金剛石的構(gòu)造相像，屬立方晶系。如圖，將金剛石晶胞中的C原子所有置換成

O原子，

O原子與近來間隔的四個

O原子相連，

H原子插入兩個相連的

O原子之間，與

氧產(chǎn)生一個共價鍵和一個氫鍵，即為冰中的共價鍵和氫鍵。

0℃時冰晶體中氫鍵的鍵長〔界說

氫鍵的鍵長為

O—HO的長度〕為_______________cm〔列

出計算式即可〕?！病鏁r冰密度為˙-3?！?cm

25．〔12分〕碳族元素的單質(zhì)和化合物在化工、醫(yī)藥、資料等限制有著遍布的應(yīng)用。

〔1〕鍺是重要半導體資料，基態(tài)Ge原子中，核外電子據(jù)有最高能級的符號是

___________，該

能級的電子云輪廓圖為

___________。Ge

的晶胞構(gòu)造與金剛石近似，質(zhì)地硬而脆，沸點

2830℃，鍺晶體屬于

___________晶體。

〔2〕(CH3)3C+是有機合成重要中間體，該中間體中碳原子雜化模式為

___________，(CH3)3C+中碳

骨架的幾何構(gòu)型為

___________。

〔3〕治療鉛中毒可滴注依地酸鈉鈣，

使Pb2+轉(zhuǎn)變成依地酸鉛鹽。以下說法正確的選項是

___________。

A．產(chǎn)生依地酸鉛離子所需n(Pb2+)∶n(EDTA)=1∶4

B．依地酸中各元素的電負性從大到小的次序為O>N>C>H

C．依地酸鉛鹽中含有離子鍵和配位鍵

D．依地酸擁有優(yōu)異的水溶性是因為其份子間能產(chǎn)生氫鍵

〔4〕下表列出了堿土金屬碳酸鹽的熱解析溫度和陽離子半徑：

碳酸鹽MgCO3333CaCOSrCOBaCO熱解析溫度/℃40290011721360陽離子半徑/pm6699112135堿土金屬碳酸鹽同主族由上到下的熱解析溫度逐漸高升，原因是：___________?！?〕有機鹵化鉛晶體擁有獨到的光電性能，以以下列圖為其晶胞構(gòu)造表示圖：

①若該晶胞的邊長為anm，則Cl-間的最短間隔是___________。

②在該晶胞的另一種表達模式中，若圖中Pb2+處于極點地點，則Cl-處于___________地點。

26．〔14分〕第VIII族元素單質(zhì)及其化合物在工業(yè)生產(chǎn)和科研限制有重要的用途。

〔1〕過渡元素Co基態(tài)原子價電子排布式為__________。第四電離能I4(Co)<I4(Fe)，其原因是__________。〔2〕Ni(CO)4常用作制備高純鎳粉，其熔點為－℃，沸點為43℃。則：①Ni(CO)的熔、沸點較低的原因為__________。4②寫出一種與CO互為等電子體的份子的化學式__________。Ni(CO)4中σ鍵和π鍵的數(shù)量之比為__________。

3〕NiSO4常用于電鍍工業(yè)，此中SO42－的中心原子的雜化軌道種類為__________，該離子中雜化軌道的作用是__________。

4〕氧化鎳和氯化鈉的晶體構(gòu)造同樣，可看作鎳離子取代鈉離子，氧離子取代氯離子。則：

①鎳離子的配位數(shù)為__________。②若阿伏加德羅常數(shù)的值為A-3，則該晶胞N，晶體密度為ρg·cm中近來的O2－之間的間隔為__________pm〔列出表達式〕?！?〕某種磁性氮化鐵的構(gòu)造如以以下列圖，F(xiàn)e為__________群集，則該化合物的化學式為__________。此中鐵原子近來的鐵原子的個數(shù)為__________。

福建省廈門第一中學2018—2019學年度第一學期期中考試

高二年化學試卷參照答案

1~20：DBCABCBCDDCADBDDCCAB

21【答案】⑴[Ar]3d104s24p1〔或1s22s22p63s23p63d104s24p1〕〔1分〕3〔1分〕⑵Se>As>Ga〔1分〕⑶平面三角形〔1分〕三角錐形〔1分〕⑷GaCl3331分〕，相對份子質(zhì)量挨次增大，份子間作用力挨次增大，、GaBr、GaI均為份子晶體〔沸點逐漸增大