電化學(xué)阻抗譜

電化學(xué)阻抗譜及其應(yīng)用2021/5/91電化學(xué)阻抗譜發(fā)展史1電化學(xué)阻抗譜的基礎(chǔ)2電化學(xué)阻抗譜的應(yīng)用3OliverHeaviside首次將拉普拉斯變換方法應(yīng)用到電子電路的瞬態(tài)響應(yīng)，由此開創(chuàng)了阻抗譜的應(yīng)用先河?！禩heElectrician》（1872年）——O.Heaviside,ElectricalPapers,volume1(NewYork:MacMillan,1894).——O.Heaviside,ElectricalPapers,volume2(NewYork:MacMillan,1894).

概念：電感（inductance）,電容（capacitance）,阻抗（impedance），并應(yīng)用到電子電路中。一、電化學(xué)阻抗譜發(fā)展史2021/5/932021/5/94TEXTTEXT195219721990200719601920介電性能生物體系陽極溶解腐蝕混合導(dǎo)體非均勻表面電橋機械發(fā)生器電橋電子發(fā)生器脈沖法示波器拉普拉斯變換模擬阻抗測定恒電位儀（AC+DC）數(shù)字阻抗測定電橋機械發(fā)生器局部電化學(xué)阻抗譜R--C電子等效電路Nyquist圖Bode圖校正Bode圖2021/5/95鎖相放大器頻譜分析儀阻抗~頻率Eeqt電化學(xué)阻抗法交流伏安法阻抗測量技術(shù)阻抗模量、相位角~頻率E=E0sin(t)電化學(xué)阻抗譜（ElectrochemicalImpedanceSpectroscopy，EIS）—給電化學(xué)系統(tǒng)施加一個頻率不同的小振幅的交流正弦電勢波，測量交流電勢與電流信號的比值（系統(tǒng)的阻抗）隨正弦波頻率的變化，或者是阻抗的相位角隨的變化。分析電極過程動力學(xué)、雙電層和擴散等，研究電極材料、固體電解質(zhì)、導(dǎo)電高分子以及腐蝕防護機理等。2021/5/96可以獲得的數(shù)據(jù)：2021/5/97

給黑箱（電化學(xué)系統(tǒng)M）輸入一個擾動函數(shù)X，它就會輸出一個響應(yīng)信號Y。用來描述擾動與響應(yīng)之間關(guān)系的函數(shù)，稱為傳輸函數(shù)G()。若系統(tǒng)的內(nèi)部結(jié)構(gòu)是線性的穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，則輸出信號就是擾動信號的線性函數(shù)。XYGG=Y/X二、電化學(xué)阻抗譜基礎(chǔ)2021/5/98

如果X為角頻率為的正弦波電勢信號，則Y即為角頻率也為的正弦電流信號，此時，頻響函數(shù)G()就稱之為系統(tǒng)Ｍ的導(dǎo)納（admittance)，用Y表示。

阻抗和導(dǎo)納統(tǒng)稱為阻納（immittance）,用G表示。阻抗和導(dǎo)納互為倒數(shù)關(guān)系，Z=1/Y。

如果X為角頻率為的正弦波電流信號，則Y即為角頻率也為的正弦電勢信號，此時，傳輸函數(shù)G()也是頻率的函數(shù)，稱為頻響函數(shù)，這個頻響函數(shù)就稱之為系統(tǒng)Ｍ的阻抗

（impedance)，用Z表示。Y/X=G()2021/5/99log|Z|/degBodeplotNyquistplot高頻區(qū)低頻區(qū)EIS技術(shù)就是測定不同頻率（f）的擾動信號X和響應(yīng)信號Y的比值，得到不同頻率下阻抗的實部Z’、虛部Z’’、模值|Z|和相位角，然后將這些量繪制成各種形式的曲線，就得到EIS抗譜。Nyqusit圖Bode圖2021/5/910由于采用小幅度的正弦電勢信號對系統(tǒng)進行微擾，電極上交替出現(xiàn)陽極和陰極過程，二者作用相反，因此，即使擾動信號長時間作用于電極，也不會導(dǎo)致極化現(xiàn)象的積累性發(fā)展和電極表面狀態(tài)的積累性變化。因此EIS法是一種“準穩(wěn)態(tài)方法”。由于電勢和電流間存在線性關(guān)系，測量過程中電極處于準穩(wěn)態(tài)，使得測量結(jié)果的數(shù)學(xué)處理簡化。EIS是一種頻率域測量方法，可測定的頻率范圍很寬，因而比常規(guī)電化學(xué)方法得到更多的動力學(xué)信息和電極界面結(jié)構(gòu)信息。EIS的特點2021/5/911EIS測量的前提條件因果性條件（causality）:輸出的響應(yīng)信號只是由輸入的擾動信號引起的的。線性條件（linearity）:輸出的響應(yīng)信號與輸入的擾動信號之間存在線性關(guān)系。電化學(xué)系統(tǒng)的電流與電勢之間是動力學(xué)規(guī)律決定的非線性關(guān)系，當(dāng)采用小幅度的正弦波電勢信號對系統(tǒng)擾動，電勢和電流之間可近似看作呈線性關(guān)系。通常作為擾動信號的電勢正弦波的幅度一般不超過10mV。穩(wěn)定性條件（stability）:擾動不會引起系統(tǒng)內(nèi)部結(jié)構(gòu)發(fā)生變化，當(dāng)擾動停止后，系統(tǒng)能夠回復(fù)到原先的狀態(tài)?？赡娣磻?yīng)容易滿足穩(wěn)定性條件；不可逆電極過程，只要電極表面的變化不是很快，當(dāng)擾動幅度小，作用時間短，擾動停止后，系統(tǒng)也能夠恢復(fù)到離原先狀態(tài)不遠的狀態(tài)，可以近似的認為滿足穩(wěn)定性條件。2021/5/912正弦電勢信號：正弦電流信號：--角頻率--相位角（一）

有關(guān)復(fù)數(shù)和電工學(xué)知識－復(fù)數(shù)2021/5/9131復(fù)數(shù)的概念（2）復(fù)數(shù)的輻角（即相位角）（1）復(fù)數(shù)的模（一）

有關(guān)復(fù)數(shù)和電工學(xué)知識－復(fù)數(shù)2021/5/914（3）虛數(shù)單位乘方（一）

有關(guān)復(fù)數(shù)和電工學(xué)知識－復(fù)數(shù)（4）共軛復(fù)數(shù)2021/5/9152復(fù)數(shù)表示法（一）

有關(guān)復(fù)數(shù)和電工學(xué)知識－復(fù)數(shù)（1）坐標表示法（2）三角表示法（3）指數(shù)表示法2021/5/916（一）

有關(guān)復(fù)數(shù)和電工學(xué)知識－復(fù)數(shù)3復(fù)數(shù)的運算法則（1）加減（2）乘除2021/5/917（二）

有關(guān)復(fù)數(shù)和電工學(xué)知識－電工學(xué)1正弦交流電流經(jīng)過各元件時電流與電壓的關(guān)系（1）純電阻元件電阻兩端的電壓與流經(jīng)電阻的電流是同頻同相的正弦交流電VRVI2021/5/918（二）

有關(guān)復(fù)數(shù)和電工學(xué)知識－電工學(xué)（2）純電感元件電感兩端的電壓與流經(jīng)的電流是同頻率的正弦量，但在相位上電壓比電流超前VItVL2021/5/919（二）

有關(guān)復(fù)數(shù)和電工學(xué)知識－電工學(xué)IVt2021/5/920（二）

有關(guān)復(fù)數(shù)和電工學(xué)知識－電工學(xué)（3）純電容元件電容器的兩端的電壓和流經(jīng)的電流是同頻率的正弦量，只是電流在相位上比電壓超前VC||VIt2021/5/921VIt（二）

有關(guān)復(fù)數(shù)和電工學(xué)知識－電工學(xué)2021/5/922（二）

有關(guān)復(fù)數(shù)和電工學(xué)知識－電工學(xué)2復(fù)阻抗的概念（1）復(fù)阻抗的串聯(lián)（2）復(fù)阻抗的并聯(lián)復(fù)阻抗Z是電路元件對電流的阻礙作用和移相作用的反映。2021/5/923（三）

電解池的等效電路（1）（2）（3）（4）（5）2021/5/924（三）

電解池的等效電路電路描述碼(CircuitDescriptionCode,CDC)規(guī)則如下：元件外面的括號總數(shù)為奇數(shù)時，該元件的第一層運算為并聯(lián)，外面的括號總數(shù)為偶數(shù)時，該元件的第一層運算為串聯(lián)。2021/5/925（三）

電解池的等效電路R(Q(W(RC)))串聯(lián)元件,計算阻抗，各元件阻抗相加；并聯(lián)元件,計算導(dǎo)納，各元件導(dǎo)納相加。2021/5/926（四）

理想極化電極的電化學(xué)阻抗譜電解池阻抗的復(fù)平面圖（Nyquist圖）2021/5/927（四）

理想極化電極的電化學(xué)阻抗譜1圖（2）低頻區(qū)討論：（1）高頻區(qū)Bode圖2021/5/928（四）

理想極化電極的電化學(xué)阻抗譜（2）低頻區(qū)討論：（1）高頻區(qū)Bode圖2圖2021/5/929（四）

理想極化電極的電化學(xué)阻抗譜時間常數(shù)當(dāng)處于高頻和低頻之間時，有一個特征頻率*，在這個特征頻率，和的復(fù)合阻抗的實部和虛部相等，即：2021/5/930（五）溶液電阻可忽略時電化學(xué)極化的EIS2021/5/931Nyquist圖（2）低頻區(qū)討論：（1）高頻區(qū)（五）溶液電阻可忽略時電化學(xué)極化的EIS2021/5/932Bode圖

圖（2）低頻區(qū)（1）高頻區(qū)（五）溶液電阻可忽略時電化學(xué)極化的EIS2021/5/933時間常數(shù)在Nyquist圖中，半圓上的極大值處的頻率就是特征頻率令（五）溶液電阻可忽略時電化學(xué)極化的EISBode圖

2021/5/934（五）溶液電阻可忽略時電化學(xué)極化的EISRC

（RC）

2021/5/935（六）溶液電阻不可忽略時電化學(xué)極化的EISCd與Rp并聯(lián)后與RL串聯(lián)后的總阻抗為實部：虛部：Cd與Rp并聯(lián)后的總導(dǎo)納為2021/5/936Nyquist圖（2）低頻區(qū)（1）高頻區(qū)（六）溶液電阻不可忽略時電化學(xué)極化的EIS2021/5/937Bode圖

圖（2）低頻區(qū)（1）高頻區(qū)（六）溶液電阻不可忽略時電化學(xué)極化的EIS2021/5/938（2）低頻區(qū)（1）高頻區(qū)Bode圖

圖（六）溶液電阻不可忽略時電化學(xué)極化的EIS2021/5/939（六）溶液電阻不可忽略時電化學(xué)極化的EIS3時間常數(shù)2021/5/940補充內(nèi)容

常見的規(guī)律總結(jié)在阻抗復(fù)數(shù)平面圖上，第1象限的半圓是電阻和電容并聯(lián)所產(chǎn)生的，叫做容抗弧。在Nyquist圖上，第1象限有多少個容抗弧就有多少個(RC)電路。有一個(RC)電路就有一個時間常數(shù)。2021/5/941補充內(nèi)容

常見的規(guī)律總結(jié)一般說來，如果系統(tǒng)有電極電勢E和另外n個表面狀態(tài)變量，那么就有n+1個時間常數(shù)，如果時間常數(shù)相差5倍以上，在Nyquist圖上就能分辨出n+1個容抗弧。第1個容抗?。ǜ哳l端）是(RpCd)的頻響曲線。2021/5/942補充內(nèi)容常見的規(guī)律總結(jié)有n個電極反應(yīng)同時進行時，如果又有影響電極反應(yīng)的x個表面狀態(tài)變量，此時時間常數(shù)的個數(shù)比較復(fù)雜。一般地說，時間常數(shù)的個數(shù)小于電極反應(yīng)個數(shù)n和表面狀態(tài)變量x之和，這種現(xiàn)象叫做混合電勢下EIS的退化。2021/5/943（七）電化學(xué)極化和濃度極化同時存在的電極的EIS電極的等效電路2021/5/944（七）電化學(xué)極化和濃度極化同時存在的電極的EIS實部：虛部：2021/5/945（七）電化學(xué)極化和濃度極化同時存在的電極的EIS濃差極化電阻RW和電容CW稱為Warburg系數(shù)。和都與角頻率的平方根成反比。2021/5/946（七）電化學(xué)極化和濃度極化同時存在的電極的EIS

Nyquist圖（2）低頻區(qū)（1）高頻區(qū)2021/5/947（七）電化學(xué)極化和濃度極化同時存在的電極的EISBode圖

圖（2）低頻區(qū)（1）高頻區(qū)2021/5/948（七）電化學(xué)極化和濃度極化同時存在的電極的EISBode圖

圖濃度極化對幅值圖的影響2021/5/949（2）低頻區(qū)（1）高頻區(qū)Bode圖

圖（七）電化學(xué)極化和濃度極化同時存在的電極的EIS2021/5/950Bode圖

圖（七）電化學(xué)極化和濃度極化同時存在的電極的EIS濃度極化對相角圖的影響2021/5/951（七）電化學(xué)極化和濃度極化同時存在的電極的EIS

時間常數(shù)令根據(jù)

即。由和可求得。Bode圖2021/5/952補充內(nèi)容

作Nyquist圖的注意事項（1）（2）（3）2021/5/953EIS譜圖實例鋅鋁涂層在海水浸泡過程中的EIS2021/5/954EIS譜圖實例2021/5/955EIS譜圖實例不恰當(dāng)?shù)膱D例2021/5/956（八）

阻抗譜中的半圓旋轉(zhuǎn)現(xiàn)象

在實際電化學(xué)體系的阻抗測定中，人們常常觀察到阻抗圖上壓扁的半圓（depressedsemi-circle），即在Nyquist圖上的高頻半圓的圓心落在了x軸的下方，因而變成了圓的一段弧。該現(xiàn)象又被稱為半圓旋轉(zhuǎn)。2021/5/957（八）

阻抗譜中的半圓旋轉(zhuǎn)現(xiàn)象一般認為，出現(xiàn)這種半圓向下壓扁的現(xiàn)象，亦即通常說的阻抗半圓旋轉(zhuǎn)現(xiàn)象的原因與電極/電解液界面性質(zhì)的不均勻性有關(guān)。固體電極的雙電層電容的頻響特性與“純電容”并不一致，而有或大或小的偏離，這種現(xiàn)象，一般稱為“彌散效應(yīng)”。雙電層中電場不均勻，這種不均勻可能是電極表面太粗糙引起的。界面電容的介質(zhì)損耗。2021/5/958（八）

阻抗譜中的半圓旋轉(zhuǎn)現(xiàn)象2021/5/959（八）

阻抗譜中的半圓旋轉(zhuǎn)現(xiàn)象雙電層電容Cd、Rp與一個與頻率成反比的電阻并聯(lián)的等效電路實部虛部2021/5/960（八）

阻抗譜中的半圓旋轉(zhuǎn)現(xiàn)象這是一個以為圓心，實部虛部為半徑的圓。以2021/5/961（八）

阻抗譜中的半圓旋轉(zhuǎn)現(xiàn)象利用阻抗復(fù)平面圖求和

根據(jù)圓心下移的傾斜角和圓弧頂點的特征頻率可以求得

、2021/5/962（八）

阻抗譜中的半圓旋轉(zhuǎn)現(xiàn)象常相位角元件（ConstantPhaseElement,CPE）具有電容性質(zhì)，它的等效元件用Q表示，Q與頻率無關(guān)，因而稱為常相位角元件。常相位角元件通常n在0.5和1之間。對于理想電極（表面平滑、均勻），Q等于雙層電容，n=1。n=1時，2021/5/963（八）

阻抗譜中的半圓旋轉(zhuǎn)現(xiàn)象上面介紹的公式中的b與n實質(zhì)上都是經(jīng)驗常數(shù)，缺乏確切的物理意義，但可以把它們理解為在擬合真實體系的阻抗譜時對電容所做的修正。2021/5/964阻抗實驗注意點（1）參比電極的影響（九）

阻抗實驗注意點和阻抗譜分析思路1.實驗準備雙參比電極結(jié)構(gòu)示意圖2021/5/965阻抗實驗注意點（2）要盡量減少測量連接線的長度，減小雜散電容、電感的影響。（九）

阻抗實驗注意點和阻抗譜分析思路1.實驗準備互相靠近和平行放置的導(dǎo)線會產(chǎn)生電容。長的導(dǎo)線特別是當(dāng)它繞圈時就成為了電感元件。測定阻抗時要把儀器和導(dǎo)線屏蔽起來。2021/5/966阻抗實驗注意點（九）

阻抗實驗注意點和阻抗譜分析思路2.頻率范圍要足夠?qū)捯话闶褂玫念l率范圍是105-10-4Hz。阻抗測量中特別重視低頻段的掃描。反應(yīng)中間產(chǎn)物的吸脫附和成膜過程，只有在低頻時才能在阻抗譜上表現(xiàn)出來。測量頻率很低時，實驗時間會很長，電極表面狀態(tài)的變化會很大，所以掃描頻率的低值還要結(jié)合實際情況而定。2021/5/967阻抗實驗注意點（九）

阻抗實驗注意點和阻抗譜分析思路3.阻抗譜必須指定電極電勢

電極所處的電勢不同，測得的阻抗譜必然不同。阻抗譜與電勢必須一一對應(yīng)。為了研究不同極化條件下的電化學(xué)阻抗譜，可以先測定極化曲線，在電化學(xué)反應(yīng)控制區(qū)（Tafel區(qū)）、混合控制區(qū)和擴散控制區(qū)各選取若干確定的電勢值，然后在響應(yīng)電勢下測定阻抗。2021/5/968阻抗實驗注意點（九）

阻抗實驗注意點和阻抗譜分析思路阻抗譜測試中的主要參數(shù)設(shè)置InitialFreq/HighFreqFinalFreq/LowFreqPoints/decadeCyclesDCVoltage/InitialEACVoltage/Amplitude2021/5/969（九）

阻抗實驗注意點和阻抗譜分析思路阻抗譜的分析思路1.現(xiàn)象分析2021/5/970（九）

阻抗實驗注意點和阻抗譜分析思路2.圖解分析阻抗譜的分析思路2021/5/971（九）

阻抗實驗注意點和阻抗譜分析思路3.數(shù)值計算阻抗譜的分析思路2021/5/972（九）

阻抗實驗注意點和阻抗譜分析思路4.計算機模擬阻抗譜的分析思路2021/5/973（九）

阻抗實驗注意點和阻抗譜分析思路2021/5/974（九）

阻抗實驗注意點和阻抗譜分析思路2021/5/975（九）

阻抗實驗注意點和阻抗譜分析思路2021/5/976（九）

阻抗實驗注意點和阻抗譜分析思路2021/5/977（九）

阻抗實驗注意點和阻抗譜分析思路2021/5/9786.8阻抗實驗注意點和阻抗譜分析思路2021/5/979（九）

阻抗實驗注意點和阻抗譜分析思路2021/5/980（九）

阻抗實驗注意點和阻抗譜分析思路2021/5/981（九）

阻抗實驗注意點和阻抗譜分析思路2021/5/982（九）

阻抗實驗注意點和阻抗譜分析思路2021/5/9831在金屬電沉積研究中的應(yīng)用

-1.15V-1.10V鍍鋅三、電化學(xué)阻抗譜的應(yīng)用2021/5/984鍍銅1在金屬電沉積研究中的應(yīng)用

a－基礎(chǔ)鍍液A；b－A+60mg/LCl－；c－B+300mg/LOP-21；d－B+30mg/LPEG（A）0.3mol/LCuSO4+1.94H2SO4（B）10mg/LTDY+60mg/LCl-+(A)三、電化學(xué)阻抗譜的應(yīng)用2021/5/985鍍銅1在金屬電沉積研究中的應(yīng)用

無Cl-時含不同量AQ的Nyquist圖含60ml/LCl-的Nyquist圖三、電化學(xué)阻抗譜的應(yīng)用2021/5/986鍍鉻1在金屬電沉積研究中的應(yīng)用

鐵電極在含2g/L硫酸的鍍鉻溶液中-0.9V時的Nyquist圖三、電化學(xué)阻抗譜的應(yīng)用2021/5/987在合金電鍍研究中的應(yīng)用1在金屬電沉積研究中的應(yīng)用

Zn-Fe合金電鍍，－1.45V（1），－1.5V（2）三、電化學(xué)阻抗譜的應(yīng)用2021/5/988a－只含Co2+；b、c、d－Co2+∶Ni2+=5∶1；1∶1；1∶5；e－只含Ni2+三、電化學(xué)阻抗譜的應(yīng)用1在金屬電沉積研究中的應(yīng)用

在合金電鍍研究中的應(yīng)用2021/5/989用于擬合的等效電路三、電化學(xué)阻抗譜的應(yīng)用1在金屬電沉積研究中的應(yīng)用

在合金電鍍研究中的應(yīng)用2021/5/990在復(fù)合鍍研究中的應(yīng)用1在金屬電沉積研究中的應(yīng)用

Ni-SiC納米復(fù)合鍍液的電化學(xué)阻抗圖（a）200rpm；（b）100rpm三、電化學(xué)阻抗譜的應(yīng)用2021/5/991在化學(xué)鍍研究中的應(yīng)用1在金屬電沉積研究中的應(yīng)用

化學(xué)鍍鎳中次亞磷酸鈉陽極氧化行為基礎(chǔ)液+0.10mol·L-1NaH2PO2

體系基礎(chǔ)液+0.10mol·L-1NaH2PO2

體系+0.10mol·L–1NaH2PO2體系三、電化學(xué)阻抗譜的應(yīng)用2021/5/9922在電化學(xué)反應(yīng)機理和參數(shù)測量中的應(yīng)用堿性溶液中析氫反應(yīng)的阻抗復(fù)平面圖Ag電極，2000rpm，過電勢：1－130mV；2－190mV；3－250mV；4－310mV三、電化學(xué)阻抗譜的應(yīng)用2021/5/9932在電化學(xué)反應(yīng)機理和參數(shù)測量中的應(yīng)用三、電化學(xué)阻抗譜的應(yīng)用2021/5/9943在化學(xué)電源研究中的應(yīng)用三、電化學(xué)阻抗譜的應(yīng)用2021/5/9953在化學(xué)電源研究中的應(yīng)用三、電化學(xué)阻抗譜的應(yīng)用2021/5/9963在化學(xué)電源研究中的應(yīng)用三、電化學(xué)阻抗譜的應(yīng)用2021/5/9973在化學(xué)電源研究中的應(yīng)用三、電化學(xué)阻抗譜的應(yīng)用E(V)Rct(×10-2Ωcm2)-0.1122.20-0.084.29-0.051.96銻電極在不同過電勢時的Bode圖3在化學(xué)電源研究中的應(yīng)用三、電化學(xué)阻抗譜的應(yīng)用JSolidStateElectrochem(2005)9:421–4283在化學(xué)電源研究中的應(yīng)用三、電化學(xué)阻抗譜的應(yīng)用JSolidStateElectrochem(2005)9:421–428物理意義：Rs:從參比電極到工作電極的溶液電阻CPE:與雙電層電容關(guān)聯(lián)的常相位角元件Rt:電極的電荷轉(zhuǎn)移電阻Wo:固相擴散的沃伯格阻抗3在化學(xué)電源研究中的應(yīng)用三、電化學(xué)阻抗譜的應(yīng)用JSolidStateElectrochem(2005)9:421–4281.同一放電深度，電荷轉(zhuǎn)移電阻Rt值隨著Zn含量的增加，先減小后增大(0%DOD除外)；2.同一Zn含量的樣品，Rt值隨著DOD的增大而增大，歸因于NiOOH的還原和鎳電極的電化學(xué)極化。4在腐蝕科學(xué)研究中的應(yīng)用在涂料防護性能研究方面的應(yīng)用干的富鋅涂層的EIS測定富鋅涂層EIS的裝置示意圖三、電化學(xué)阻抗譜的應(yīng)用2021/5/91024在腐蝕科學(xué)研究中的應(yīng)用在涂料防護性能研究方面的應(yīng)用在人工海水中浸泡不同時間后富鋅涂層的EIS三、電化學(xué)阻抗譜的應(yīng)用2021/5/91034在腐蝕科學(xué)研究中的應(yīng)用有機涂層下的金屬電極的阻抗譜浸泡初期涂層體系的EIS三、電化學(xué)阻抗譜的應(yīng)用RL：溶液電阻RC：涂層電阻CC：涂層電容CC不斷增大RC逐漸減小浸泡初期涂層體系相當(dāng)于一個“純電容”，求解涂層電阻會有較大的誤差，而涂層電容可以較準確地估算2021/5/91044在腐蝕科學(xué)研究中的應(yīng)用有機涂層下的金屬電極的阻抗譜浸泡中期涂層體系的EIS三、電化學(xué)阻抗譜的應(yīng)用RPO：通過涂層微孔途徑的電阻值電解質(zhì)是均勻地滲入涂層體系且界面的腐蝕電池是均勻分布的2021/5/9105