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文檔簡介

5.1金屬-氧化物-5.1.1N溝道增強型1.結構（N溝道

L：溝道長 W：溝道寬 tox：絕緣層厚

N＋N W

P 5.1.1N溝道增強型源極 柵極 SiO2絕緣

ddgBs PPB ss ss電壓后，沒有電生。

PPBgdgd PPBB ss

B sVTs

PPBgdgdNN BB sgsgdPBsgdPB當一定（VGS>VT）時，VDSfiIDfi溝道電位梯度?fi靠近漏極d處的電位升高fifiOvssgdPB當一定（VGS>VT）時，VDSfiIDfi溝道電位梯度?sgsgdPB

ssgdPBsgdPB 預夾斷后，VDSfiOvOv AssgdPB 給定一個vGS，就有一條不同的iD–vDSOvsgdPB 3.V-IiD=f(vDS

vDS＝vDS＝vGS－VT(864205當vGS＜VT時，導電溝道尚未形成，iD＝0，為截止工3.V-IiD=f(vDS

vDS＝vDS＝vGS－VT(864205iD=Kn[2(vGS-VT)vDS- iD?2Kn(vGS-VT)

2Kn(vGS-VT

3.V-IvDS＝vGS－VT(864205iD?2Kn(vGS-VT)1nrdso=n

-VTK￠

WKn=

= ox

L

：柵極（與襯底間

3.V-ID③飽和 iD

vDS＝vGS－VT(（恒流區(qū)又稱放大區(qū)V-I

64

iDiD=Kn(vGS-VT=KV2v V-T=(vGS-VT0 IDO=KV 是

vDS＝vvDS＝vGS－VT(8A6B4CD2E05iD=f(vGS) iD=IDO

-8AB6C4D2E0 6#BJT是電流控制器件，還是 離子的絕緣

ddgBs 耗盡 N型溝PB

864

2 v

iD?IDSS(1- GS

= (

-

可變 可變86420369VT dgBsdgBsdgBs##在增強型的P溝道MOSFET中，vGS應加什么極性的電壓才 VV修正后

=K -V)2(1+

)= ( -1)2(1+

Tl?0.1V--l

（增強型參數（耗盡型參數飽和漏電流 （耗盡型參數輸出電阻

=

rds=[lKn

-VT)2]-1

5.1.5MOSFET低頻互導

=mm

KnKn

=K -V

-V)

gm

?[K

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