場效應管識別與檢測

場效應管識別與檢測1第一頁，共二十六頁，編輯于2023年，星期日場效應晶體管（FieldEffectTransistor縮寫(FET)）簡稱場效應管.由多數載流子參與導電,也稱為單極型晶體管.它屬于電壓控制型半導體器件.

特點:

具有輸入電阻高（100000000～1000000000Ω）、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區(qū)域寬、熱穩(wěn)定性好等優(yōu)點,現已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者.

2第二頁，共二十六頁，編輯于2023年，星期日3第三頁，共二十六頁，編輯于2023年，星期日結型場效應管JFET絕緣柵型場效應管MOS場效應管有兩種:結型場效應管(JFET)因有兩個PN結而得名；絕緣柵型場效應管(JGFET)則因柵極與其他電極完全絕緣而得名。一、場效應管的種類4第四頁，共二十六頁，編輯于2023年，星期日一、場效應管的種類按溝道半導體材料的不同，結型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種。絕緣柵型場效應管與結型場效應管的不同之處在于它們的導電方式不同。若按導電方式來劃分，絕緣柵型場效應管又可分成耗盡型與增強型。結型場效應管均為耗盡型。5第五頁，共二十六頁，編輯于2023年，星期日N溝道P溝道增強型耗盡型N溝道P溝道N溝道P溝道（耗盡型）FET場效應管JFET結型MOSFET絕緣柵型(IGFET)場效應晶體管的種類6第六頁，共二十六頁，編輯于2023年，星期日N基底：N型半導體PP兩邊是P區(qū)G(柵極)S源極D漏極一、結構結型場效應管:導電溝道二、場效應管的原理7第七頁，共二十六頁，編輯于2023年，星期日NPPG(柵極)S源極D漏極N溝道結型場效應管DGSDGS8第八頁，共二十六頁，編輯于2023年，星期日PNNG(柵極)S源極D漏極P溝道結型場效應管DGSDGS9第九頁，共二十六頁，編輯于2023年，星期日絕緣柵場效應管:一、結構和電路符號PNNGSDP型基底兩個N區(qū)SiO2絕緣層導電溝道金屬鋁GSDN溝道增強型10第十頁，共二十六頁，編輯于2023年，星期日N溝道耗盡型PNNGSD預埋了導電溝道GSD11第十一頁，共二十六頁，編輯于2023年，星期日NPPGSDGSDP溝道增強型12第十二頁，共二十六頁，編輯于2023年，星期日P溝道耗盡型NPPGSDGSD預埋了導電溝道13第十三頁，共二十六頁，編輯于2023年，星期日三、場效應管的識別與檢測1．場效應管外形的識別塑料封裝場效應管14第十四頁，共二十六頁，編輯于2023年，星期日金屬封裝場效應管15第十五頁，共二十六頁，編輯于2023年，星期日2．場效應管的符號16第十六頁，共二十六頁，編輯于2023年，星期日2．場效應管的符號在有些大功率MOSFET管中的G-S極間或D-S極間增加了保護二極管，以保護管子不致于被靜電擊穿，這種管子的電路圖符號如圖所示。17第十七頁，共二十六頁，編輯于2023年，星期日3.場效應管引腳的識別場效應管也有三個引腳，分別是柵極(又稱控制極)、源極、漏極3個端子。場效應管可看作一只普通晶體三極管，柵極G對應基極b，漏極D對應集電極C，源極S對應發(fā)射極E。N溝道對應NPN型晶體管，P溝道對應PNP晶體管。18第十八頁，共二十六頁，編輯于2023年，星期日3.場效應管引腳的識別直接目測識別GDSSSDG散熱片散熱片19第十九頁，共二十六頁，編輯于2023年，星期日1.結型場效應晶體管柵極的判斷2.場效應晶體管好壞的判斷

先用MF10型萬用表R*100KΩ擋（內置有15V電池），把負表筆（黑）接柵極（G），正表筆（紅）接源極（S）。給柵、源極之間充電，此時萬用表指針有輕微偏轉。再該用萬用表R*1Ω擋，將負表筆接漏極（D），正表筆接源極（S），萬用表指示值若為幾歐姆，則說明場效應管是好的。4.場效應管引腳的檢測20第二十頁，共二十六頁，編輯于2023年，星期日四、場效應管的主要參數①開啟電壓VGS(th)(或VT)

開啟電壓是MOS增強型管的參數，柵源電壓小于開啟電壓的絕對值,場效應管不能導通。②夾斷電壓VGS(off)(或VP)

夾斷電壓是耗盡型FET的參數，當VGS=VGS(off)

時,漏極電流為零。③飽和漏極電流IDSS

耗盡型場效應三極管,當VGS=0時所對應的漏極電流21第二十一頁，共二十六頁，編輯于2023年，星期日④輸入電阻RGS

場效應三極管的柵源輸入電阻的典型值，結型場效應三極管，反偏時RGS約大于107Ω，絕緣柵型場效應三極管,RGS約是109～1015Ω。⑤低頻跨導gm

低頻跨導反映了柵源電壓對漏極電流的控制作用。(相當于普通晶體管的hEF

)，單位是mS(毫西門子)。⑥最大漏極功耗PDM

最大漏極功耗可由PDM=VDSID決定，與雙極型三極管的PCM相當。22第二十二頁，共二十六頁，編輯于2023年，星期日⑦極限漏極電流ID是漏極能夠輸出的最大電流，相當于普通三極管的ICM

，其值與溫度有關，通常手冊上標注的是溫度為25℃時的值。一般指的是連續(xù)工作電流，若為瞬時工作電流，則標注為IDM

，這個值通常大于ID

。⑧最大漏源電壓UDSS

是場效應管漏源極之間可以承受的最大電壓(相當于普通晶體管的最大反向工作電壓UCEO)，有時也用UDS表示。23第二十三頁，共二十六頁，編輯于2023年，星期日五、使用場效應管的注意事項1．在設計電路時應注意的問題管子的實際工作條件，不能超過其最大漏極功耗PDM

、極限漏極電流ID

、最大漏源電壓UDSS等參數的極限值。要遵守場效應管偏置的極性。如結型場效應管柵源漏之間是PN結，N溝道管柵極不能加正偏壓；P溝道管柵極不能加負偏壓，等等。2．場效應管的運輸與儲存由于輸入阻抗極高，在運輸、貯藏中必須將引腳短路，要用金屬屏蔽包裝，以防止外來感應電勢將柵極擊穿，同時注意防潮。24第二十四頁，共二十六頁，編輯于2023年，星期日3．使用場效應管時必須注意為了防止場效應管柵極感應擊穿，要求一切測試儀器、工作臺、電烙鐵、線路本身都必須有良好接地；在焊接管腳時，先焊源極；在連入電路之前，管子的全部引線保持互相短接狀態(tài)，焊接完后才可把短接線去掉；從元器件架上取下管時，應以適當的方式確保人體接地(如采用接地環(huán)等)；如果能采用靜電電烙鐵來焊接場效應管是比較方便的，并且可以確保安全；不能帶電插拔。25第二十五頁，共二十六頁，編輯于2023年，星期日4．場效應管的