半導(dǎo)體之內(nèi)存產(chǎn)業(yè)

1記憶體產(chǎn)業(yè)DRAM─南科〔2408〕、力晶〔5346〕、茂德〔5387〕、茂矽〔2342〕、華邦〔2344〕、旺宏(2337)、晶豪科〔3006〕、鈺創(chuàng)〔5351〕、矽成(5473)、創(chuàng)見〔2451〕、勁永〔6145〕、品安〔8088〕、威剛〔3260〕結(jié)論：DRAM以往主要應(yīng)用在PC領(lǐng)域，因此DRAM景氣循環(huán)與PC出貨成長率息息相關(guān)。然2003年下半年NANDFlash崛起讓全球DRAM產(chǎn)能出現(xiàn)板塊移轉(zhuǎn)效應(yīng)，並進一步帶領(lǐng)DRAM廠商跨進消費性及通訊性市場，減弱DRAM產(chǎn)業(yè)大起大落之特性。2004年DRAM廠商資本資出金額達(dá)到110億美元，年成長率29%，大致回復(fù)到2000年水準(zhǔn)值，而此次資本支出方向均在興建12吋晶圓廠，以此推估2005年下半年至2006年上半年為另一波12吋廠產(chǎn)能大量開出時間。韓國Samsung及國內(nèi)廠商力晶、茂德於2001年開始興建12吋廠，2003年產(chǎn)能順利開出，成為此波DRAM景氣復(fù)甦最大贏家。2004年下半年，華亞半導(dǎo)體正式量產(chǎn)，年底月投片達(dá)24K，南科與Infineon各分一半產(chǎn)能，至此國內(nèi)三家DRAM廠商均有12吋廠產(chǎn)能貢獻，臺灣在DRAM生產(chǎn)本錢優(yōu)勢隱然浮現(xiàn)，預(yù)估2005年臺灣DRAM廠商產(chǎn)能將佔全球20%以上。今年以來DRAM現(xiàn)貨價格表現(xiàn)優(yōu)於預(yù)期，關(guān)鍵點在於2004年全球DRAM廠商正進行0.11微米製程移轉(zhuǎn)，由於Scanner由248nm改成193nm，對8吋廠而言面臨極限挑戰(zhàn)，對擁有較多8吋廠DRAM廠商相當(dāng)不利，今年產(chǎn)能增加幅度均明顯低於預(yù)期，因此另一選擇為將8吋廠轉(zhuǎn)去生產(chǎn)NandFlash；此外，DDRII世代交替初期因良率及學(xué)習(xí)曲線仍不穩(wěn)定，勢必有局部DRAM產(chǎn)能損耗，此兩點為供給面不利因素。至於2004年對記憶體龍頭廠商韓國Sansung而言可謂是引領(lǐng)風(fēng)騷的一年，不管是DRAM微縮製程或NandFlash產(chǎn)能配置具有絕對主導(dǎo)權(quán)，亦讓Samsung龐大產(chǎn)能能做有效發(fā)揮，尤其在TFT-LCD殺價競爭下，Samsung將盡可能維持記憶體價格穩(wěn)定，而臺灣廠商在資金及技術(shù)雖不如Samsung，但卻成為最大受惠者。反觀Micron既無12吋廠，NandFlash技術(shù)又不如Samsung，因此在2004年DRAM產(chǎn)業(yè)復(fù)甦受惠最少。就景氣定位而言，2004年第二季DRAM價格出現(xiàn)飆升，景氣位置達(dá)到本波的頂峰期，之後緩步下滑，研究員預(yù)估2005年第三季將是下一波景氣循環(huán)好轉(zhuǎn)期。個股評析：1.力晶：力晶為國內(nèi)產(chǎn)能最大之DRAM廠商，目前12吋廠月投片量達(dá)40K滿載，8吋廠月投片量37K，80%以上從事晶圓代工業(yè)務(wù)，由於在產(chǎn)能配置方面得宜，力晶2004年第三季單季毛利率接近50%，成為全球獲利率最正確的DRAM廠，研究員預(yù)估2004年力晶EPS達(dá)5.6元。此外，力晶在技術(shù)移轉(zhuǎn)方面，0.11微米製程來自Mitsubish，0.10微米以下製程技術(shù)來自Elpida，確保力晶未來幾年技術(shù)移轉(zhuǎn)無虞。就2005年而言，力晶第二座12吋晶圓廠將於第三季進入量產(chǎn)，可望帶動力晶另一波獲利成長動能。2.南科：南科目前擁有兩座8吋晶圓廠，由於8吋晶圓廠在轉(zhuǎn)0.11微米製程相當(dāng)不易，因此南科在2004年產(chǎn)出增幅相當(dāng)有限。然南科透過與Infineon合資興建華亞半導(dǎo)體於2004年第三季正式量產(chǎn)，2004年10月份單月投片量即達(dá)24K第一階段滿載，因此南科本身今年產(chǎn)出增幅雖有限，但第四季在華亞半導(dǎo)體一半產(chǎn)能貢獻下，預(yù)估第四季產(chǎn)出增加率將達(dá)30%，增幅相當(dāng)可觀。研究員預(yù)估2004年南科EPS約2.4元，至於2005年華亞半導(dǎo)體年底單月投片量將邁向50K第二階段滿載，對南科逐季產(chǎn)出貢獻可觀。此外，南科具有臺塑集團資源優(yōu)勢，因此財務(wù)穩(wěn)定度為國內(nèi)三家DRAM廠之冠。壹、2004年全球DRAM廠商資本資出110億美元，YoY+29%，12吋晶圓廠為擴廠重點DRAM產(chǎn)業(yè)為高度資金密集產(chǎn)業(yè)，8吋晶圓廠設(shè)置約10億美元，進入12吋晶圓廠時代，一座晶圓廠設(shè)置更高達(dá)25億美元，因此DRAM廠商資本支出對12吋廠投資均相當(dāng)謹(jǐn)慎。根據(jù)集邦科技統(tǒng)計資料，2004年全球DRAM廠商資本資出金額為110億美元，年成長率29%，就金額及成長率而言已接近2000年時的水準(zhǔn)。由於此次資本支出重點均擺在12吋晶圓廠設(shè)置，推算2005年下半年至2006年上半年將是另一波12吋廠新產(chǎn)能開出時間點，因此目前有多家研究機構(gòu)對2005年及2006年整體DRAM市場規(guī)模成長率看法趨向保守，認(rèn)為成長率均難超越2004年高達(dá)4成之成長。圖一、近十年全球DRAM廠商資本支出統(tǒng)計圖二、全球DRAM市場規(guī)模統(tǒng)計銹貳、偵Na鵝nd欲F陪la光sh柱應(yīng)用虜市場蛛崛起紛，排川擠怕8販吋杠DR紋AM昨廠產(chǎn)糊能超囑出預(yù)尸期，懼同時控帶領(lǐng)彼DR將AM捕廠商飄進入宜消費槐及通拖訊領(lǐng)廳域，薦減緩政大起秧大落夜之產(chǎn)梅業(yè)特逆性幕,躁隨著鞠12扭吋廠鏟產(chǎn)能匯陸續(xù)宰開出自，成蘿本競?cè)跔巸?yōu)喚勢與銅8奴吋廠晶逐漸園明顯弄拉開老，迫品使鑒8移吋廠柜必須極積極鍋尋找唯其他煤出路塘。此絞時剛弓好艘Na工nd澡F也la舊sh奔市場訓(xùn)快速您崛起名，加申上製竿程與倦DR卷AM籠類似惜，且貨生產(chǎn)容毛利武率遠(yuǎn)偷高於矮DR仇AM怪，吸括引頓DR怖AM擱大廠睡將產(chǎn)毅能轉(zhuǎn)敏去生伐產(chǎn)附Na戒nd悉F未la罩sh垮動機軟。韓返國太Sa港ms理un汽g倦為確素保龍卡頭地判位，鑰已將進四座她8養(yǎng)吋廠輸轉(zhuǎn)去歡生產(chǎn)擊Na沒nd目F屬la趙sh蘋，其悶他如寧Hy沖ni廈x巾、晶In兼fi捎ne群on遙及蜘Mi蔬cr滔on濁亦陸亮續(xù)將棚8朵吋廠考轉(zhuǎn)去伸生產(chǎn)簡Na籮nd梯F遣la氏sh謊。就盒統(tǒng)計瞎資料醋來看朝，膠20題03賠年至昏20聽05跑年全語球值DR魂AM沿產(chǎn)出錫顆粒茶(土約當(dāng)糖25圖6M私b)影分別串為猴32遷.1強6釀億顆中、燒45港.8晉8田億顆燭、晴67疼.7寶1絹億顆務(wù)，產(chǎn)都出年毀增率利分別決為殿46嶼.3昂%弱、膠42們.7偉%纏及袋47膽.6蔥%首；至褲於變20邁03留年至勾20具05亮年全撫球鞠Na社nd盲F乓la抓sh困產(chǎn)出譜顆粒泰(雄約當(dāng)爺51獅2M頸b)痰分別包為到3.服42柳億顆麥、好9.幫5曠億顆戀、朽20辯.5連4碰億顆仇，產(chǎn)晉出年糖增率鴉分別肝為兄20料0%帆、序17亂6%津及牌11罩8%道；假設(shè)前兩者券合併突計算粥，鋼Na馬nd店F籌la器sh寺佔的饑比重頂逐年項快速偽提昇呼，返20陡03熄年至嘴20犯05旦年比點重分摩別為范9.子6%籍、落17沈.1鞠%抱、胖23綁.2炸%效。整鴨體而圓言，濫Na理nd榜F址la膝sh考除排風(fēng)擠撐DR蛙AM沙產(chǎn)能由外，降由於掛Na返nd莫F分la貨sh注主要省用在亞小型巾記憶挺卡、叛大姆沫哥、李MP呼3口及手木機等功消費滔及通鐵訊領(lǐng)施域，唇因此跌DR濁AM西以往繳與叔P盆C屋出貨柴高度餐相關(guān)期之型宮態(tài)因炊Na門nd煩F覆la到sh熱產(chǎn)品柿而出死現(xiàn)改份變，講換句炎話說織，未稍來滔DR艷AM眨廠商劇仍須料面臨弊產(chǎn)業(yè)撿景氣痛波動貼，但挎對景四氣上估下震膊盪幅徒度減渡緩將誤相對留有利拔。

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