半導(dǎo)體芯片制造技術(shù)

半導(dǎo)體芯片制造技術(shù)讀書筆記模板01思維導(dǎo)圖讀書筆記目錄分析內(nèi)容摘要精彩摘錄作者介紹目錄0305020406思維導(dǎo)圖半導(dǎo)體芯片制造刻蝕光刻半導(dǎo)體半導(dǎo)體芯片制備小結(jié)半導(dǎo)體制備法刻蝕工藝薄膜設(shè)備晶體材料第章氣相關(guān)鍵字分析思維導(dǎo)圖內(nèi)容摘要內(nèi)容摘要全面系統(tǒng)地介紹了半導(dǎo)體芯片制造技術(shù)，內(nèi)容包括半導(dǎo)體芯片制造概述、多晶半導(dǎo)體的制備、單晶半導(dǎo)體的制備、晶圓制備、薄膜制備、金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積、光刻、刻蝕、摻雜及封裝。書中簡(jiǎn)要介紹了半導(dǎo)體芯片制造的基本理論基礎(chǔ)，系統(tǒng)介紹了多晶半導(dǎo)體、單晶半導(dǎo)體與晶圓的制備，詳細(xì)介紹了薄膜制備、光刻與刻蝕及摻雜等工藝。由于目前光電產(chǎn)業(yè)的不斷發(fā)展，對(duì)于化合物半導(dǎo)體的使用越來(lái)越多。讀書筆記讀書筆記比完整介紹了半導(dǎo)體芯片制造的發(fā)展和只要工藝過程，從襯底到制片封裝。普普通通的一本書。對(duì)于半導(dǎo)體行業(yè)入門科普書籍還是很不錯(cuò)的，如果能就檢測(cè)手段和質(zhì)量評(píng)估分別舉例說明，那就更好了。對(duì)拉晶，切割，cvd，mocvd介紹的比較多。通俗易懂，對(duì)小白了解行業(yè)基本工藝較有幫助，不足是年代久遠(yuǎn)最新工藝發(fā)展未能涉及，期待新版。比較科普的一本關(guān)于芯片制造“是什么”的書籍，如果要知道為什么，張茹京那本書比較不錯(cuò)。比研報(bào)和百度百科寫得更詳細(xì)易懂，晶圓光刻刻蝕封裝，主要環(huán)節(jié)都寫得明白，其他細(xì)節(jié)需要再多看幾本。簡(jiǎn)明扼要的入門級(jí)科普書，適合快讀或檢索式閱讀，有助于非專業(yè)人士了解芯片制造企業(yè)臺(tái)積電、三星、因特爾，以及中芯國(guó)際；同時(shí)也便于讀者梳理芯片制造的產(chǎn)業(yè)鏈及供應(yīng)鏈。可能因?yàn)楸緯敲嫦嗦毿W(xué)生寫的，所以讀來(lái)非常通俗易懂，非常方便門外漢粗略了解半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的材料與器件層面的技術(shù)。精彩摘錄精彩摘錄主要依靠電子導(dǎo)電的半導(dǎo)體叫做N型半導(dǎo)體，主要依靠空穴導(dǎo)電的半導(dǎo)體稱為P型半導(dǎo)體。在一塊半導(dǎo)體材料中，如果一部分是N型區(qū)，另一部分是P型區(qū)，在N型區(qū)和P型區(qū)的交界面處就形成PN結(jié)。集成電路是在一塊極其微小的半導(dǎo)體晶片上，將成千上萬(wàn)的晶體管、電阻、電容及連接線做在一起，它是材料、元件、晶體管三位一體的有機(jī)結(jié)合。摩爾分析了集成電路迅速發(fā)展的原因，指出集成度的提高主要是三個(gè)方面的貢獻(xiàn)：一是特征尺寸不斷縮??；二是芯片面積不斷增大；三是集成電路結(jié)構(gòu)的不斷改進(jìn)。半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間，半導(dǎo)體之所以得到廣泛應(yīng)用，是因?yàn)樗膶?dǎo)電能力受摻雜、溫度和光照的影響十分顯著。顆粒的大小要小于器件上最小的特征圖形尺寸的1/10，否則，就會(huì)形成缺陷。晶體管就是用半導(dǎo)體材料制成的，這類材料最常見的是鍺和硅兩種。目錄分析1.1半導(dǎo)體工業(yè)發(fā)展概述1.2半導(dǎo)體材料基礎(chǔ)1.3半導(dǎo)體生產(chǎn)污染控制1.4純水的制備小結(jié)12345第1章半導(dǎo)體芯片制造概述1.2半導(dǎo)體材料基礎(chǔ)1.2.1半導(dǎo)體材料的基本性質(zhì)1.2.2半導(dǎo)體材料分類1.2.3晶體1.3半導(dǎo)體生產(chǎn)污染控制1.3.1污染物的種類1.3.2污染物引起的問題1.3.3超凈間的建設(shè)1.3.4超凈間標(biāo)準(zhǔn)1.3.5超凈間的維護(hù)1.4純水的制備1.4.1純水在半導(dǎo)體生產(chǎn)中的應(yīng)用1.4.2離子交換制備純水1.4.3水的純度測(cè)量2.1工業(yè)硅的生產(chǎn)2.2三氯氫硅還原制備高純硅2.3硅烷熱分解法制備高純硅小結(jié)第2章多晶半導(dǎo)體的制備2.1工業(yè)硅的生產(chǎn)2.1.1硅的簡(jiǎn)介2.1.2工業(yè)硅的制備2.2三氯氫硅還原制備高純硅2.2.1原料的制備2.2.2三氯氫硅的合成及提純2.2.3三氯氫硅還原2.2.4還原尾氣干法分離回收2.3硅烷熱分解法制備高純硅2.3.1硅烷概述2.3.2硅烷的制備及提純2.3.3硅烷熱分解3.1單晶硅的基本知識(shí)3.2直拉法制備單晶硅的設(shè)備及材料3.3直拉單晶硅的工藝流程3.4拉單晶過程中的異常情況及晶棒檢測(cè)3.5懸浮區(qū)熔法制備單晶硅12345第3章單晶半導(dǎo)體的制備小結(jié)3.6化合物半導(dǎo)體單晶的制備第3章單晶半導(dǎo)體的制備3.1單晶硅的基本知識(shí)3.1.1晶體的熔化和凝固3.1.2結(jié)晶過程的宏觀特征3.1.3結(jié)晶過程熱力學(xué)3.1.4晶核的形成3.1.5二維晶核的形成3.1.6晶體的長(zhǎng)大3.2直拉法制備單晶硅的設(shè)備及材料3.2.1直拉法制備單晶硅的設(shè)備3.2.2直拉單晶硅前的材料準(zhǔn)備3.2.3直拉單晶硅前的材料清潔處理3.3直拉單晶硅的工藝流程3.3.1裝爐前的準(zhǔn)備3.3.2裝爐3.3.3熔硅3.3.4引晶3.3.5縮頸3.3.6放肩和轉(zhuǎn)肩3.3.7等徑生長(zhǎng)3.3.8收尾3.3.9停爐3.4拉單晶過程中的異常情況及晶棒檢測(cè)3.4.1拉單晶過程中的異常情況3.4.2晶棒檢測(cè)3.4.3硅晶體中雜質(zhì)的均勻性分析3.6化合物半導(dǎo)體單晶的制備3.6.1Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體單晶的制備3.6.2Ⅱ-Ⅵ族化合物半導(dǎo)體單晶的制備4.1晶圓制備工藝小結(jié)4.2晶圓的清洗、質(zhì)量檢測(cè)及包裝第4章晶圓制備4.1晶圓制備工藝4.1.1截?cái)?.1.2直徑滾磨4.1.3磨定位面4.1.4切片4.1.5磨片4.1.6倒角4.1.7拋光4.2晶圓的清洗、質(zhì)量檢測(cè)及包裝4.2.1晶圓的清洗4.2.2晶圓的質(zhì)量檢測(cè)4.2.3包裝4.2.4追求更大直徑晶圓的原因5.1氧化法制備二氧化硅膜5.3物理氣相沉積法制備薄膜5.2化學(xué)氣相沉積法制備薄膜第5章薄膜制備小結(jié)5.4金屬化及平坦化第5章薄膜制備5.1氧化法制備二氧化硅膜5.1.1二氧化硅的性質(zhì)5.1.2二氧化硅的作用5.1.3熱氧化法制備二氧化硅膜5.1.4二氧化硅膜的檢測(cè)5.2化學(xué)氣相沉積法制備薄膜5.2.1化學(xué)氣相沉積概述5.2.2化學(xué)氣相沉積的主要反應(yīng)類型5.2.3化學(xué)氣相沉積反應(yīng)的激活能5.2.4幾種薄膜的CVD制備5.4金屬化及平坦化5.4.1金屬化5.4.2平坦化6.1金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積概述6.2金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積設(shè)備6.3金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積工藝控制和半導(dǎo)體薄膜的生長(zhǎng)6.4金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積生長(zhǎng)的半導(dǎo)體薄膜質(zhì)量檢測(cè)小結(jié)12345第6章金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積6.1金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積概述6.1.1金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積簡(jiǎn)介6.1.2金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積反應(yīng)機(jī)理6.2金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積設(shè)備6.2.1金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積設(shè)備的組成6.2.2典型設(shè)備的介紹6.4金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積生長(zhǎng)的半導(dǎo)體薄膜質(zhì)量檢測(cè)6.4.1X射線衍射6.4.2光致發(fā)光6.4.3原子力顯微鏡6.4.4掃描電子顯微鏡6.4.5Hall效應(yīng)測(cè)試7.1光刻概述小結(jié)7.2光刻工藝第7章光刻7.1光刻概述7.1.1光刻的特點(diǎn)及要求7.1.2光刻膠7.1.3光刻板7.1.4曝光方式7.2光刻工藝7.2.1光刻前的晶圓處理7.2.2涂光刻膠7.2.3前烘7.2.4對(duì)準(zhǔn)7.2.5曝光7.2.6顯影7.2.7檢查7.2.8堅(jiān)膜7.2.9刻蝕8.1刻蝕技術(shù)概述8.2干法刻蝕8.3等離子體刻蝕8.4反應(yīng)離子刻蝕與離子束濺射刻蝕第8章刻蝕小結(jié)8.5濕法刻蝕第8章刻蝕8.1刻蝕技術(shù)概述8.1.1刻蝕技術(shù)的發(fā)展8.1.2刻蝕工藝8.1.3刻蝕參數(shù)8.1.4超大規(guī)模集成電路對(duì)圖形轉(zhuǎn)移的要求8.2干法刻蝕8.2.1刻蝕作用8.2.2電勢(shì)分布8.3等離子體刻蝕8.3.1等離子體的形成8.3.2常見薄膜的等離子刻蝕8.3.3等離子體刻蝕設(shè)備8.4反應(yīng)離子刻蝕與離子束濺射刻蝕8.4.1反應(yīng)離子刻蝕8.4.2離子束濺射刻蝕8.5濕法刻蝕8.5.1硅的濕法刻蝕8.5.2二氧化硅的濕法刻蝕8.5.3氮化硅的濕法刻蝕8.5.4鋁的濕法刻蝕9.1熱擴(kuò)散小結(jié)9.2離子注入技術(shù)第9章?lián)诫s9.1熱擴(kuò)散9.1.1擴(kuò)散概述9.1.2擴(kuò)散形式9.1.3常用雜質(zhì)的擴(kuò)散方法9.1.4雜質(zhì)擴(kuò)散后結(jié)深和方塊電阻的測(cè)量9.2離子注入技術(shù)9.2.1離子注入技術(shù)概述9.2.2離子注入設(shè)備9.2.3注入離子的濃度分布與退火10.1封裝概述10.2封裝工藝10.3互連方法10.4先進(jìn)封裝方法小結(jié)12345第10章封裝10.1封裝概述10.1.1封裝的作用10.1.2封裝的分類10.1.3常見的封裝形式