提職申請(qǐng)報(bào)告

提職申請(qǐng)報(bào)告軟件與微電子學(xué)院XXX2004年5月12日個(gè)人簡(jiǎn)歷教學(xué)工作科研工作社會(huì)工作主要內(nèi)容2004年5月12日簡(jiǎn)歷1991.7在北京大學(xué)計(jì)算機(jī)系獲碩士學(xué)位2001.7在北京大學(xué)計(jì)算機(jī)系獲博士學(xué)位1991.7-至今

，北京大學(xué)軟件與微電子學(xué)院任教1995－1996香港科大，訪問學(xué)者，顯示用IC設(shè)計(jì)1999.7-至今，北京大學(xué)軟件與微電子學(xué)院副教授2004年5月12日教學(xué)工作

承擔(dān)的課程本科生課程2門，研究生課程2門，其中根底課或?qū)I(yè)根底課2門1、主講研究生專業(yè)根底課?高等半導(dǎo)體器件物理?連續(xù)講授了四年〔01，02，03，04年〕借鑒國(guó)外優(yōu)秀教材，實(shí)現(xiàn)了課程更新，由過去的以傳統(tǒng)器件為主轉(zhuǎn)變?yōu)橐援?dāng)代微電子學(xué)中的主流器件為主線，并介紹集成電路進(jìn)入納米尺度后的各種新效應(yīng)、新結(jié)構(gòu)、新器件的課程體系取得了較好效果，并建立了較為完整的課件2004年5月12日2、主講本科生根底課?微電子與電路根底?2004年起開始主講這門新課之前合作講授?微電子學(xué)概論?3年〔00、02、03〕3、連續(xù)5年開設(shè)本科生實(shí)驗(yàn)課?微電子學(xué)專業(yè)實(shí)驗(yàn)?自2000年起對(duì)微電子學(xué)專業(yè)實(shí)驗(yàn)進(jìn)行了全面更新，由以前分散的半導(dǎo)體材料和器件測(cè)試實(shí)驗(yàn)轉(zhuǎn)變?yōu)橄到y(tǒng)的IC設(shè)計(jì)和測(cè)試實(shí)驗(yàn)。4、合作開設(shè)研究生限選課程?納米半導(dǎo)體器件?已講授了5年，每次都根據(jù)微電子學(xué)的開展進(jìn)行更新教學(xué)工作2004年5月12日指導(dǎo)碩士研究生4名，2003年7月畢業(yè)1名〔陳松濤〕協(xié)助韓汝琦教授指導(dǎo)博士研究生5名合作出版教材/講義3本，其中?微電子學(xué)概論?，張興、黃如、劉曉彥，2002年全國(guó)普通高等學(xué)校優(yōu)秀教材二等獎(jiǎng)教學(xué)工作2004年5月12日科研工作小尺寸半導(dǎo)體器件模擬蒙特卡羅器件模擬流體動(dòng)力學(xué)器件模擬超深亞微米MOSFET器件模型新型器件結(jié)構(gòu)主要研究領(lǐng)域2004年5月12日小尺寸半導(dǎo)體器件模擬作為負(fù)責(zé)人建立了包括全能帶半導(dǎo)體器件蒙特卡羅模擬軟件和全流體動(dòng)力學(xué)器件模擬軟件的半導(dǎo)體器件模擬平臺(tái)。包括了一系列的創(chuàng)新性成果：提出了電子隧穿勢(shì)壘的蒙特卡羅模擬方法；首次提出了基于量子波爾茲曼方程的MC模擬方法，實(shí)現(xiàn)了多維量子效應(yīng)的MC模擬；在流體動(dòng)力學(xué)器件模擬中提出雙量子效應(yīng)修正方法為半導(dǎo)體器件的研究和設(shè)計(jì)提供了先進(jìn)的CAD工具。成為國(guó)內(nèi)唯一同時(shí)擁有這兩種自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)軟件的單位，并受到了國(guó)際同行的關(guān)注。大大提升了北京大學(xué)在半導(dǎo)體器件模擬領(lǐng)域的水平和知名度。2004年5月12日小尺寸半導(dǎo)體器件模擬全能帶蒙特卡羅半導(dǎo)體器件模擬軟件已推廣到中科院微電子中心使用，并完成了國(guó)防科技預(yù)研工程“深亞微米－納米器件物理研究〞的器件模擬局部，并通過鑒定，鑒定委員會(huì)認(rèn)為：“該軟件為深亞微米/納米半導(dǎo)體器件的設(shè)計(jì)提供了強(qiáng)有力的分析工具。該工作有所創(chuàng)新，并已進(jìn)入該研究領(lǐng)域的國(guó)際先進(jìn)水平。〞該軟件已在973和自然基金工程中應(yīng)用，并被富士通和三星公司采用。全流體動(dòng)力學(xué)半導(dǎo)體器件模擬軟件該軟件已在973工程、自然基金和富士通工程中應(yīng)用。通過驗(yàn)收。2004年5月12日超深亞微米MOSFET器件模型提出了一系列深亞微米MOSFET量子效應(yīng)的模型并建立了與BSIM3兼容的整套器件模型相關(guān)論文在國(guó)際學(xué)術(shù)會(huì)議上宣讀獲獎(jiǎng),在國(guó)際刊物發(fā)表并被他人引用，完成了國(guó)防科技預(yù)研工程“深亞微米－納米器件物理研究〞的器件模型局部的工作，并通過鑒定，鑒定委員會(huì)認(rèn)為：“所開發(fā)的這整套器件模型，可為MOSFET的設(shè)計(jì)和優(yōu)化提供根底〞。完成了2項(xiàng)863工程，通過了驗(yàn)收。提出了新結(jié)構(gòu)器件模型首次提出可描述高K柵介質(zhì)MOSFET的器件模型。相關(guān)論文在IEEEElectronDeviceLetter上發(fā)表。作為負(fù)責(zé)人，開發(fā)了通用的半導(dǎo)體器件特性參數(shù)及模型參數(shù)提取軟件包集成電路工藝和集成電路設(shè)計(jì)之間的橋梁作用。通過了863工程的驗(yàn)收。2004年5月12日新型器件結(jié)構(gòu)新器件結(jié)構(gòu)的研究及優(yōu)化設(shè)計(jì)提出了基于積累模式的n溝SBTT提出了SOISBTT、雙柵SBTT亞100nmSOI肖特基勢(shì)壘隧道晶體管的制備設(shè)計(jì)了柵長(zhǎng)為100nm－60nm的新型n溝SOISBTT利用我們提出的新型微細(xì)加工技術(shù)制備成功了70nm的n溝SOISBTT，在ElectronicLetter上發(fā)表。2004年5月12日主持國(guó)家級(jí)工程4項(xiàng)，總經(jīng)費(fèi)378萬元，到校經(jīng)費(fèi)總額144.6萬元。參加國(guó)家級(jí)工程1項(xiàng)，省部級(jí)工程3項(xiàng)，到校經(jīng)費(fèi)總額216.5萬元。主持其他工程3項(xiàng)，到校經(jīng)費(fèi)總額8.02萬美元承擔(dān)的科研工程科研工作2004年5月12日主持的國(guó)家級(jí)科研工程目前承擔(dān)的國(guó)家級(jí)工程973工程：適于20~50納米的器件模型、仿真及模擬軟件根底研究；2000.5-2005.5,300萬；課題負(fù)責(zé)人〔北大：劉曉彥；清華：余志平〕國(guó)家自然科學(xué)基金重大研究方案工程：雙柵肖特基隧道晶體管〔30萬元〕；2004.1－2006.12,課題負(fù)責(zé)人完成的國(guó)家級(jí)工程國(guó)家八六三方案預(yù)啟開工程：超深亞微米設(shè)計(jì)關(guān)鍵技術(shù)，2001.3-2001.8,課題負(fù)責(zé)人，17萬，通過驗(yàn)收國(guó)家八六三方案工程：VDSM器件與互連線建模關(guān)鍵技術(shù)研究2002.9-2003.12,課題負(fù)責(zé)人，36萬，通過驗(yàn)收2004年5月12日主持的其它科研工程三星公司：Devicemodelingandsimulationfornano-scalenon-planarMOSFETs，2003.8－2004.7,負(fù)責(zé)人，10.02萬美元目前承擔(dān)的工程富士通公司：DevicesimulationforSBTT，2000.7－2001.6，負(fù)責(zé)人之一〔韓汝琦〕，4萬美元富士通公司：Semiconductordevicesimulation，2000.7－2001.6，負(fù)責(zé)人之一〔韓汝琦〕，4萬美元已經(jīng)完成的工程2004年5月12日參加的科研工程國(guó)防科技預(yù)研工程?深亞微米/納米硅器件及其物理研究?1996.01-2000.12，器件模型和模擬，150萬元，通過驗(yàn)收教育部科學(xué)技術(shù)研究重點(diǎn)工程?突破微電子器件物理限制假設(shè)干關(guān)鍵問題的研究，子課題負(fù)責(zé)人，15萬元，通過驗(yàn)收國(guó)防科技預(yù)研基金工程：深亞微米半導(dǎo)體器件的蒙特卡羅模擬1999.9－2001.9,工程負(fù)責(zé)人之一，7.5萬元，評(píng)議為優(yōu)目前參加的科研工程國(guó)家八六三方案工程：0.09umCMOS集成電路大生產(chǎn)工藝與可制造性，負(fù)責(zé)器件模型建立，2003.6－2005.10已經(jīng)完成的工程2004年5月12日科研工作合作出版譯著1部，著作1部，教材1部在國(guó)內(nèi)外學(xué)術(shù)刊物和重要學(xué)術(shù)會(huì)議上發(fā)表論文30余篇。被SCI收錄13篇，EI收錄18篇，被ISTP收錄8篇。2篇論文被他人引用3次SCI/EI收錄第一作者4篇，第二作者8篇作為第一撰稿人完成GF報(bào)告2篇，863工程驗(yàn)收?qǐng)?bào)告2篇。主要論著2004年5月12日論〔譯〕著：S.Sze主編，劉曉彥、賈霖、康晉鋒譯?當(dāng)代半導(dǎo)體器件物理?〞〔譯著〕，科學(xué)出版社，2001年6月，全書共八章，本人翻譯了其中的第三、五、八章并負(fù)責(zé)全書的初審和統(tǒng)稿張興、黃如、劉曉彥?微電子學(xué)概論?，北京大學(xué)出版社，1999年9月，全書共九章，本人編寫了第二章半導(dǎo)體物理及半導(dǎo)體器件物理根底和第三章集成電路根底。該書獲2002年全國(guó)普通高等學(xué)校優(yōu)秀教材二等獎(jiǎng)。2003年又完成了該書第二版的修改工作。甘學(xué)溫,黃如,劉曉彥,張興?納米CMOS器件?，科學(xué)出版社，2003年8月，全書共六章，本人編寫了第四章納米CMOS器件中的柵工程。講義：1、劉曉彥韓德棟?微電子學(xué)專業(yè)實(shí)驗(yàn)?，校內(nèi)講義2002年7月，2003年7月修改主要論著2004年5月12日論文：XiaoyanLiu,JinfengKang,RuqiHan,DirectTunnelingCurrentModelforMOSDeviceswithUltra-thinGateOxideIncludingQuantizationEffectandPolysiliconDepletionEffect,SolidStateCommunication，Vol125,n3-4,January,2003,p219-223，被SCI、EI收錄〔引用因子1.671〕LiuXiaoyan,KANGJinfeng,HANRuqi,GateCurrentforMOSFETswithHighKDielectricMaterials,ChineseJ.SemiconductorVol23,n10,October,2002,p1009-1013，被EI收錄XiaoyanLiu,JinfengKang;LeiSun,RuqiHan.ThresholdVoltageModelforMOSFETswithHigh-KGateDielectricsIEEEElectronDeviceLett.Vol.23,No.8,2002,270,被SCI、EI收錄(引用因子2.619〕XiaoyanLiu,JinfengKang,RuqiHan,TheInfluenceofTunnelingEffectandInversionLayerQuantizationEffectonThresholdVoltageofDeepSubmicronMOSFET’SolidStateElectronics,44(2000),pp1435-1439，被SCI、EI收錄，被HouYT,LiMF，IEEETELECTRONDEV48(12):2893-2898DEC2001引用(引用因子0.913)XiaoyanLiu;ShuzuoLou;ZhiliangXia;DechaoGuo;HuiwenZhu;JinfengKang;RuqiHan,Characteristicsofdifferentstructuresub-100nmMOSFETswithhigh-kgatedielectrics,2001.6thInternationalConferenceonSolid-StateandIntegrated-CircuitTechnology,Volume:1,2001333–336，被ISTP收錄XiaoyanLiu;KuiLuo;GangDu;LeiSun;JinfengKang;RuqiHan,NchannelSOISchottkybarriertunnelingtransistors.6thInternationalConferenceonICSICT,Volume:1,2001Page(s):562–565，被ISTP收錄2004年5月12日經(jīng)驗(yàn)收的研究報(bào)告：劉曉彥韓汝琦?中國(guó)國(guó)防科學(xué)技術(shù)報(bào)告－深亞微米－納米硅器件及其物理?2000年10月，撰寫人，已通過驗(yàn)收劉曉彥韓汝琦?中國(guó)國(guó)防科學(xué)技術(shù)報(bào)告－深亞微米半導(dǎo)體器件的蒙特卡羅模擬?2001年10月，撰寫人，已通過驗(yàn)收劉曉彥?國(guó)家八六三方案工程驗(yàn)收自評(píng)估報(bào)告－SOC設(shè)計(jì)關(guān)鍵技術(shù)和制造關(guān)鍵技術(shù)研究?2001年8月,撰寫人，已通過驗(yàn)收劉曉彥?國(guó)家高技術(shù)研究開展方案(863方案)中期評(píng)估報(bào)告－VDSM器件與互連線建模關(guān)鍵技術(shù)研究?2003年3月,撰寫人，已通過驗(yàn)收2004年5月12日社會(huì)工作微電子學(xué)系副主任，分管教學(xué)工作ULSI科學(xué)與技術(shù)研究所副所長(zhǎng)新器件研究室副主任微電子學(xué)專業(yè)教學(xué)實(shí)驗(yàn)室主任參加北京大學(xué)‘創(chuàng)立世界一流大學(xué)工程’學(xué)科建設(shè)子工程：微電子測(cè)試分析教學(xué)實(shí)驗(yàn)室的建設(shè)，在實(shí)驗(yàn)室的開展方向、水平、管理、具體布置、測(cè)試設(shè)備選購和安裝調(diào)試等方面做了大量工作。擔(dān)任國(guó)家自然科學(xué)基金委重大研究方案“半導(dǎo)體集成化芯片系統(tǒng)根底研究〞專家組秘書，參與了該重大方案的申請(qǐng)、研究指南的編寫及工程評(píng)審等的工作。2004年5月12日承擔(dān)了4門課程，2門根底課，1門實(shí)驗(yàn)課，1門一般課指導(dǎo)碩士研究生4名，2003年7月畢業(yè)1名合作出版譯著1部，著作1部，教