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關(guān)于超聲探頭及超聲波檢測(cè)原理第1頁(yè),講稿共18頁(yè),2023年5月2日,星期三超聲波探頭教學(xué)目的:了解超聲波探頭發(fā)射和接受超聲波機(jī)理,掌握超聲波探頭種類和結(jié)構(gòu)特點(diǎn)。超聲波探頭第2頁(yè),講稿共18頁(yè),2023年5月2日,星期三一、超聲波探頭功用探傷用超聲波是一種頻率高達(dá)幾百千赫到幾兆赫的高頻脈沖彈性波。超聲波探頭TFB探頭零件顯示器缺陷第3頁(yè),講稿共18頁(yè),2023年5月2日,星期三一、超聲波探頭功用電信號(hào)→探頭→超聲波→零件--超聲波發(fā)射;零件內(nèi)超聲波→探頭→電信號(hào)--超聲波接收;超聲波探頭電信號(hào)超聲波探頭探頭功用:是一種可逆的聲電轉(zhuǎn)換元件。在探傷中起發(fā)射和接收高頻脈沖彈性波作用。第4頁(yè),講稿共18頁(yè),2023年5月2日,星期三二、壓電效應(yīng)超聲波探頭例如:石英又稱SiO2,它是一種單晶三角晶體。具有3個(gè)極化軸(X1,X2,X3)和1個(gè)光軸。
第5頁(yè),講稿共18頁(yè),2023年5月2日,星期三二、壓電效應(yīng)超聲波探頭第6頁(yè),講稿共18頁(yè),2023年5月2日,星期三二、壓電效應(yīng)超聲波探頭壓電效應(yīng)機(jī)理
應(yīng)力電場(chǎng)正壓電效應(yīng)逆壓電效應(yīng)正壓電效和逆壓電效應(yīng)統(tǒng)稱壓電效應(yīng)。第7頁(yè),講稿共18頁(yè),2023年5月2日,星期三三、探頭結(jié)構(gòu)組成超聲波探頭探頭組成:壓電晶片、阻尼塊、外殼、電極、保護(hù)膜(斜鍥)、調(diào)諧線圈壓電晶片:實(shí)現(xiàn)聲電相互轉(zhuǎn)換;阻尼塊:吸收聲能加大阻尼;外殼:保護(hù)固定內(nèi)部原件;電極:實(shí)現(xiàn)晶片和電纜連接;保護(hù)膜、斜鍥:保護(hù)晶片、波形轉(zhuǎn)換;調(diào)諧線圈:實(shí)現(xiàn)探頭與儀器最佳匹配。第8頁(yè),講稿共18頁(yè),2023年5月2日,星期三四、探頭種類超聲波探頭直探頭-單晶片,雙晶片,聚焦直探頭斜探頭-橫波探頭,表面波探頭可變角探頭其它探頭-充水探頭,渦流超聲探頭,薄膜探頭探頭種類第9頁(yè),講稿共18頁(yè),2023年5月2日,星期三四、探頭種類超聲波探頭直探頭特點(diǎn):適用于探測(cè)晶片正下方與聲束方向垂直的缺陷;探測(cè)深度較大,適用范圍較廣;檢測(cè)靈敏度高。第10頁(yè),講稿共18頁(yè),2023年5月2日,星期三四、探頭種類超聲波探頭斜探頭特點(diǎn):適合探測(cè)探頭斜下方不同角度方向的缺陷;探測(cè)深度較小,適用直探頭難以探測(cè)的部位;檢測(cè)靈敏度較高。第11頁(yè),講稿共18頁(yè),2023年5月2日,星期三四、探頭種類超聲波探頭雙晶探頭特點(diǎn):雙晶片聲場(chǎng)重疊區(qū)域靈敏度最高,一般用于定向定位檢測(cè);探測(cè)深度較??;檢測(cè)靈敏度高較。第12頁(yè),講稿共18頁(yè),2023年5月2日,星期三四、探頭種類超聲波探頭可變角探頭特點(diǎn):晶片產(chǎn)生超聲波的入射方向可以改變。一個(gè)探頭可進(jìn)行多個(gè)方向上探測(cè),是一種多功能探頭。第13頁(yè),講稿共18頁(yè),2023年5月2日,星期三四、探頭種類超聲波探頭聚焦探頭特點(diǎn):具有良好的方向性適用于探測(cè)曲面零件與晶片垂直方向上一定深度的缺陷。第14頁(yè),講稿共18頁(yè),2023年5月2日,星期三五、探頭表示方法超聲波探頭第15頁(yè),講稿共18頁(yè),2023年5月2日,星期三五、探頭表示方法超聲波探頭第16頁(yè),講稿共18頁(yè),2023年5月2日,星期三五、探頭表示方法超聲波探頭基本頻率晶片材料晶片尺寸探頭種類特征晶片材料表示法PBTLIQN鋯鈦酸鉛陶瓷鈦酸鋇陶瓷鈦酸鉛陶瓷鈮酸鋰單晶碘酸鋰單晶石英單晶其它壓電材料代號(hào)壓電材料探頭種類表達(dá)法ZKXFGSJBMKB直探頭斜探頭(用K表示)斜探頭(折射角表示)聯(lián)合雙探頭(分割探頭)水浸探頭
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