河北省保定市博野中學2023年高三第二學期第二次綜合練習物理試題理試卷

河北省保定市博野中學2023年高三第二學期第二次綜合練習物理試題理試卷注意事項:1．答題前，考生先將自己的姓名、準考證號碼填寫清楚，將條形碼準確粘貼在條形碼區(qū)域內。2．答題時請按要求用筆。3．請按照題號順序在答題卡各題目的答題區(qū)域內作答，超出答題區(qū)域書寫的答案無效；在草稿紙、試卷上答題無效。4．作圖可先使用鉛筆畫出，確定后必須用黑色字跡的簽字筆描黑。5．保持卡面清潔，不要折暴、不要弄破、弄皺，不準使用涂改液、修正帶、刮紙刀。一、單項選擇題：本題共6小題，每小題4分，共24分。在每小題給出的四個選項中，只有一項是符合題目要求的。1、一定質量的理想氣體，其狀態(tài)變化的P-T圖像如圖所示。氣體在由狀態(tài)1變化到狀態(tài)2的過程中，下列說法正確的是A．分子熱運動的平均速率增大B．分子熱運動的平均速率減小C．單位體積內分子數(shù)增多D．單位面積、單位時間內撞擊器壁的分子數(shù)增多2、如圖甲所示的“襄陽砲”是古代軍隊攻打城池的裝置，其實質就是一種大型拋石機，圖乙是其工作原理的簡化圖。將質量m=10kg的石塊，裝在與轉軸O相距L=5m的長臂末端口袋中，最初靜止時長臂與水平面的夾角，發(fā)射時對短臂施力使長臂轉到豎直位置時立即停止運動，石塊靠慣性被水平拋出，落在水平地面上。若石塊落地位置與拋出位置間的水平距離s=20m,不計空氣阻力，取g=l0m/s2。以下判斷正確的是A．石塊拋出后運動時間為B．石塊被拋出瞬間的速度大小C．石塊即將落地時重力的瞬時功率為D．石塊落地的瞬時速度大小為15m/s3、工在生產紡織品、紙張等絕緣材料時為了實時監(jiān)控其厚度，通常要在生產流水線上設置如圖所示傳感器。其中A、B為平行板電容器的上、下兩個極板，上下位置均固定，且分別接在恒壓直流電源的兩極上（電源電壓小于材料的擊穿電壓）。當流水線上通過的產品厚度減小時，下列說法正確的是（）A．A、B平行板電容器的電容增大B．A、B兩板上的電荷量變大C．有電流從a向b流過靈敏電流計D．A、B兩板間的電場強度變大4、如圖所示，在光滑水平桌面上有一邊長為L的正方形線框；在線框右側有一寬度為d（d>L）、方向垂直紙面向里的條形勻強磁場區(qū)域，磁場的邊界與線框的右邊框平行?，F(xiàn)使線框以某一初速度向右運動，t=0時線框的右邊框恰與磁場的左邊界重合，隨后線框進入并通過磁場區(qū)域。關于線框所受安培力F隨時間t變化的圖線可能正確的是（）A． B．C． D．5、已知長直導線中電流I產生磁場的磁感應強度分布規(guī)律是B=（k為常數(shù)，r為某點到直導線的距離）。如圖所示，在同一平面內有兩根互相平行的長直導線甲和乙，兩導線通有大小分別為2I和I且方向相反的電流，O點到兩導線的距離相等?，F(xiàn)測得O點的磁感應強度的大小為。則甲導線單位長度受到的安培力大小為（）A． B． C． D．6、一列簡諧橫波沿x軸正向傳播，某時刻的波形如圖所示。在波繼續(xù)傳播一個波長的時間內，下列圖中能正確描述x＝2m處的質點受到的回復力與其位移的關系的是（）A． B．C． D．二、多項選擇題：本題共4小題，每小題5分，共20分。在每小題給出的四個選項中，有多個選項是符合題目要求的。全部選對的得5分，選對但不全的得3分，有選錯的得0分。7、如圖甲所示在一條張緊的繩子上掛幾個擺，a、c擺的擺長相同且小于b擺的擺長。當a擺振動的時候，通過張緊的繩子給其他各擺施加驅動力，使其余各擺也振動起來。圖乙是c擺穩(wěn)定以后的振動圖像，重力加速度為g，不計空氣阻力，則（）A．a、b、c單擺的固有周期關系為Ta=Tc<TbB．b、c擺振動達到穩(wěn)定時，c擺振幅較大C．達到穩(wěn)定時b擺的振幅最大D．由圖乙可知，此時b擺的周期Tb小于t0E.a擺的擺長為8、一定質量的理想氣體從狀態(tài)A經過狀態(tài)B和C又回到狀態(tài)A。其壓強P隨體積V變化的圖線如圖所示，其中A到B為絕熱過程，C到A為等溫過程。則下列說法正確的是__________。A．A狀態(tài)速率大的分子比例較B狀態(tài)多B．A→B過程，氣體分子平均動能增大C．B→C過程，氣體對外做功D．B→C過程，氣體放熱E.C狀態(tài)單位時間內碰撞容器壁單位面積的分子數(shù)比A狀態(tài)少9、關于理想氣體，下列說法正確的是（）A．已知氣體的摩爾質量和阿伏伽德羅常數(shù)，可估算一個分子質量B．已知氣體的摩爾體積和阿伏伽德羅常數(shù)，可估算一個分子直徑C．氣體壓強是因為氣體分子間表現(xiàn)為斥力D．氣體壓強是因為氣體分子無規(guī)則運動撞擊器壁所致E.一定質量的理想氣體體積不變，溫度升高，壓強一定增大10、關于固體、液體和物態(tài)變化，下列說法正確的是（）A．當液體與固體接觸時，如果附著層內分子間的作用表現(xiàn)為斥力，這樣的液體與固體間就表現(xiàn)為浸潤B．當人們感到潮濕時，空氣的絕對濕度一定較大C．晶體一定具有規(guī)則的幾何外形D．液體表面張力有使其表面積收縮到最小的趨勢E.飽和汽壓與液體的溫度有關，水的飽和汽壓隨溫度的升高而增大三、實驗題：本題共2小題，共18分。把答案寫在答題卡中指定的答題處，不要求寫出演算過程。11．（6分）圖甲為在氣墊導軌上研究勻變速直線運動的示意圖，滑塊上裝有寬度為d（很?。┑恼诠鈼l，滑塊在鉤碼作用下先后通過兩個光電門，用光電計時器記錄遮光條通過光電門1的時間△t以及遮光條從光電門1運動到光電門2的時間t，用刻度尺測出兩個光電門之間的距離x．（1）用游標卡尺測量遮光條的寬度d，示數(shù)如圖乙，則d=_____cm；（2）實驗時，滑塊從光電門1的右側某處由靜止釋放，測得△t=50s，則遮光條經過光電門1時的速度v=_____m/s；（3）保持其它實驗條件不變，只調節(jié)光電門2的位置，滑塊每次都從同一位置由靜止釋放，記錄幾組x及其對應的t，作出﹣t圖象如圖丙，其斜率為k，則滑塊加速度的大小a與k關系可表達為a=_____．12．（12分）在學校社團活動中，某實驗小組先將一只量程為300μA的微安表頭G改裝為量程為0.3A的電流表，然后用改裝的電流表測量未知電阻的阻值?？晒┻x擇的實驗器材有：微安表頭G(量程300，內阻約為幾百歐姆)滑動變阻器R1(0～10)滑動變阻器R2(0～50)電阻箱R(0~9999)電源E1(電動勢約為1.5V)電源E2(電動勢約為9V)開關、導線若干(1)實驗小組先用如圖(a)所示電路測量表頭G的內阻Rg，實驗方法是：A．按圖(a)連接好電路，將滑動變阻器的滑片調至圖中最右端；B．斷開S2，閉合S1，調節(jié)滑動變阻器的滑片位置，使G滿偏；C．閉合S2，并保持滑動變阻器的滑片位置不變，調節(jié)電阻箱的阻值，使表頭G的示數(shù)為200，記錄此時電阻箱的阻值R0，①實驗中電源應選用________，滑動變阻器應選用_____(選填儀器字母代號)；②測得表頭G的內阻Rg=_____，表頭內阻的測量值較其真實值___(選填“偏大”或“偏小”)；(2)實驗測得G的內阻Rg=500，要將表頭G改裝成量程為0.3A的電流表，應選用阻值為______的電阻與表頭G并聯(lián)；(3)實驗小組利用改裝后的電流表A，用圖(b)所示電路測量未知電阻Rx的阻值。測量時電壓表V的示數(shù)為1.20V，表頭G的指針指在原電流刻度的250處，則Rx=______。四、計算題：本題共2小題，共26分。把答案寫在答題卡中指定的答題處，要求寫出必要的文字說明、方程式和演算步驟。13．（10分）如圖所示，閉合矩形線框abcd可繞其水平邊ad轉動，ab邊長為x，bc邊長為L、質量為m，其他各邊的質量不計，線框的電阻為R。整個線框處在豎直向上的磁感應強度為B的勻強磁場中。現(xiàn)給bc邊施加一個方向與bc邊、磁場的方向均垂直的初速度v，經時間t，bc邊上升到最高處，ab邊與豎直線的最大偏角為θ，重力加速度取g。求t時間內：（1）線框中感應電動勢的最大值；（2）流過線框導體截面的電量；（3）線框中感應電流的有效值。14．（16分）如圖所示，一塊質量為kg，長為m的均質薄木板靜止在足夠長的水平桌面上，在木板的左端靜止擺放著質量為kg的小木塊（可視為質點），薄木板和小木塊之間的動摩擦因數(shù)為，薄木板與地面之間的動摩擦因數(shù)為．在時刻，在木板左端施加一水平向左恒定的拉力N，取m/s1．則：（1）拉力剛作用在木板上時，木板的加速度大小是多少？（1）如果一直作用在上，那么經多少時間將離開？（3）若在時間s末撤去，再經過多少時間和第一次速度相同？在此情況下，最終在上留下的痕跡的長度是多少？15．（12分）一種測量稀薄氣體壓強的儀器如圖（a）所示，玻璃泡M的上端和下端分別連通兩豎直玻璃細管和。長為，頂端封閉，上端與待測氣體連通；M下端經橡皮軟管與充有水銀的容器R連通。開始測量時，M與相通；逐漸提升R直到中水銀面與頂端等高，此時水銀已進入，且中水銀面比頂端低，如圖（b）所示。設測量過程中溫度、與相通的待測氣體的壓強均保持不變。已知和的內徑均為，M的容積為，水銀的密度為，重力加速度大小為。求：(i)待測氣體的壓強(ii)該儀器能夠測量的最大壓強

參考答案一、單項選擇題：本題共6小題，每小題4分，共24分。在每小題給出的四個選項中，只有一項是符合題目要求的。1、A【解析】

本題考查分子動理論?！驹斀狻緼B．溫度是分子熱運動平均動能的標志，溫度升高，分子熱運動平均動能增加，分子熱運動的平均速率增大，A正確，B錯誤；C．由理想氣體狀態(tài)方程，溫度升高，壓強變小，體積變大，單位體積內分子數(shù)減少，C錯誤；D．溫度升高，分子熱運動的平均速率增大，壓強卻減小了，故單位面積，單位時間內撞擊壁的分子數(shù)減少，D錯誤；故選A。2、C【解析】

A、石塊被拋出后做平拋運動：h＝L+Lsina，豎直方向：hgt2，可得：ts，故A錯誤；B、石塊被拋出后做平拋運動，水平方向：s＝v0t，可得：v0m/s，故B錯誤；C、石塊即將落地時重力的瞬時功率為：P＝mgvy＝mg?gt＝500W，故C正確；D、石塊落地的瞬時速度大小為：vm/s，故D錯誤。3、C【解析】

A．根據可知當產品厚度減小，導致減小時，電容器的電容C減小，A錯誤；BC．根據可知極板帶電量Q減小，有放電電流從a向b流過，B錯誤，C正確；D．因兩板之間的電勢差不變，板間距不變，所以兩板間電場強度為不變，D錯誤。故選C。4、B【解析】

當線框向右運動過程中，有兩個過程產生安培力，即進入磁場到完全進入磁場和離開磁場到完全離開磁場兩個過程；其中任一過程中線框受到的安培力，故線框做加速度越來越小的減速運動，不是勻減速運動，選項A、C錯誤；線框運動過程中不論是進入磁場還是離開磁場的過程中，安培力方向不變，選項D錯誤，B正確。故選B。5、C【解析】

設兩導線間距為d，根據右手螺旋定則知，甲導線和乙導線在O點的磁感應強度方向均為垂直紙面向里，根據矢量疊加有乙導線在甲導線處產生的磁感應強度大小則甲導線單位長度受到的安培力大小C正確，ABD錯誤。故選C。6、A【解析】

簡諧橫波對應的質點，回復力大小與位移大小成正比，回復力方向與位移方向相反。故A項正確，BCD三項錯誤。二、多項選擇題：本題共4小題，每小題5分，共20分。在每小題給出的四個選項中，有多個選項是符合題目要求的。全部選對的得5分，選對但不全的得3分，有選錯的得0分。7、ABE【解析】

A．由單擺周期公式，知固有周期關系為Ta=Tc<Tb，故A正確；BC．因為Ta=Tc，所以c擺共振，達到穩(wěn)定時，c擺振幅較大，b擺的振幅最小，故B正確，C錯誤；D．受迫振動的頻率等于驅動力的頻率，所以三個單擺的頻率相同，周期相同，故Tb等于t0。故D錯誤。E．由圖乙與前面的分析可知a擺的周期為t0。由解得故E正確。故選ABE。8、ACE【解析】

AB．由圖可知A→B過程中，絕熱膨脹，氣體對外做功，內能減小，溫度降低，氣體分子的平均動能減小，則A狀態(tài)速率大的分子比例較B狀態(tài)多，故A正確，B錯誤。C．B→C過程中是等壓變化，體積增大，則氣體對外做功，故C正確。D．B→C過程中是等壓變化，體積增大，則氣體對外做功，則W＜0，溫度升高，氣體內能增大，即△U＞0，根據熱力學第一定律△U=W+Q，則Q＞0，即氣體吸熱，故D錯誤。E．狀態(tài)A和狀態(tài)C的溫度相等，溫度是分子平均動能的標志，所以氣體分子平均動能相同，從圖中可知，A狀態(tài)氣體壓強更大，說明氣體分子的密集程度更大，即A狀態(tài)單位時間內碰撞容器壁單位面積的分子數(shù)比C狀態(tài)多，故E正確。故選ACE。9、ADE【解析】

A．一個分子的質量已知氣體的摩爾質量和阿伏伽德羅常數(shù)，可估算一個分子質量，A正確；B．一個氣體分子占據的體積已知氣體的摩爾體積和阿伏伽德羅常數(shù)，不可以估算一個分子直徑，B錯誤；CD．氣體壓強是因為氣體分子無規(guī)則運動撞擊器壁所致，氣體分子之間的距離較大，幾乎不體現(xiàn)分子力，C錯誤，D正確；E．根據理想氣體狀態(tài)方程可知一定質量的理想氣體體積不變，溫度升高，壓強一定增大，E正確。故選ADE。10、ADE【解析】

A.液體對固體的浸潤，則分子間距小于液體內部，則液面分子間表現(xiàn)為斥力，液面呈現(xiàn)凹形，表面有擴張的趨勢，故A正確；B.當人們感到潮濕時，是因為空氣的相對濕度較大，而絕對濕度的大小無法確定，故B錯誤；C.單晶體一定具有規(guī)則的幾何外形，多晶體不一定具有規(guī)則的幾何外形，故C錯誤；D.液體表面分子間距較大，故有張力，使其表面積有收縮到最小的趨勢，故D正確；E.飽和汽壓與液體種類和溫度有關，水的飽和汽壓隨溫度的升高而增大，故E正確。故選ADE。三、實驗題：本題共2小題，共18分。把答案寫在答題卡中指定的答題處，不要求寫出演算過程。11、0.750.15【解析】（1）主尺：0.7cm，游標尺：對齊的是5，所以讀數(shù)為：5×0.1mm=0.5mm=0.05cm，故遮光條寬度d=0.75cm，（2）滑塊經過光電門時的瞬時速度可近似認為是滑塊經過光電門的平均速度．則滑塊經過光電門時的速度為：（3）據及得圖像的斜率，解得點睛：圖象法處理數(shù)據時，要根據物理規(guī)律寫出橫縱坐標之間的關系式．結合圖象的截距、斜率等求解．12、E2R2R0偏小0.54.3【解析】

(1)[1][2]閉合S2開關時認為電路電流不變，實際上閉合開關S2時電路總電阻變小，電路電流增大，電源電動勢越大、滑動變阻器阻值越大，閉合開關S2時微安表兩端電壓變化越小，實驗誤差越小，為減小實驗誤差，電源應選擇E2，滑動變阻器應選擇R2；[3][4]閉合開關S2時認為電路電流不變，流過微安表電流為滿偏電流的，則流過電阻箱的電流為滿偏電流的，微安表與電阻箱并聯(lián)，流過并聯(lián)電路的電流與阻值成反比，則：閉合開關S2時整個電路電阻變小，電路電流變大，大于300μA，當表頭G示數(shù)為200μA時，流過電阻箱的電流大于100μA，電阻箱阻值小于表頭G電阻的一半，實驗認為電流表內阻等于電阻箱阻值的一半，因此表頭G內阻測量值偏?。?2)[5]把微安表改裝成0.3A的電流表需要并聯(lián)分流電阻，并聯(lián)電阻阻值為：(3)[6]改裝后電流表內阻為：微安表量程為300μA，改裝