模擬電子技術(shù)三極管詳解教學(xué)課件2

模擬電子技術(shù)三極管詳解模擬電子做術(shù)第2導(dǎo)你呂級21雙極型半導(dǎo)體三極管22單極型半導(dǎo)體三極管23半導(dǎo)體三極管電路的基本分析方法24半導(dǎo)體三極管的測試與應(yīng)用模擬電子做術(shù)←第2章e導(dǎo)你寫級宿物2雙極型半尋體三極管一品三管洲晶體二極管的性出線晶體極管的參模擬電子做術(shù)第2章半導(dǎo)體三極管211晶體三極管(Semiconductortransistor)結(jié)構(gòu)、符號和分類collector集電極C分類:集電區(qū)按材料分集電結(jié)硅管、鍺管基極B基區(qū)按結(jié)構(gòu)分base發(fā)射結(jié)發(fā)射區(qū)NPN、PNP發(fā)射極EE按使用頻率分emitter低頻管、高頻管按功率分:BB小功率管<500mWNN型EPNP型E中功率管05-1W大功率管>1W模擬電子做術(shù)第2章半導(dǎo)體三極管、電流放大原理1.三極管放大的條件{集區(qū)修濃度低拿揮(案地正偏2滿足放大條件的三種電路B共基極共發(fā)射極共集電極實現(xiàn)電路RcD■RrlLL模擬電子做術(shù)第2章半導(dǎo)體三極管3.三極管內(nèi)部載流子的傳輸過程三極管內(nèi)載流子動1)發(fā)射區(qū)向基區(qū)注入多子電子,CBOc形成發(fā)射極電流Rc(基囟塋致達劫因派度低而忽略)多數(shù)向BC結(jié)方向擴散形成lcN少數(shù)與空穴復(fù)合,形成BN°RBN①ce基區(qū)空基極電源提供穴來源集電區(qū)少子漂移(CaEE即:BNBOB-IBNICBO3)集電區(qū)收集擴散過來的載流子形成集電極電流le三IC=IcN+IcBo模擬電子做術(shù)第2章半導(dǎo)體三極管4.三極管的電流分配關(guān)系BNCBOC=IcN+ICBO當管子制成后,發(fā)射區(qū)載流子濃度、基區(qū)寬度、集電結(jié)面積等確定,故電流的比例關(guān)系確定,即:BCNCBOBNIB+IcBoIc=BlB+(1+B)IcBo=BlB+Icpo穿透電流TE=IC+IBE=Ic+IBlR+BIE=(1+B)IB+ICEOE=(1+B)IB模擬電子做術(shù)第2章半導(dǎo)體三極管212晶體三極管的特性曲線輸入特性=0與二極管特性相似子靜m1W川cE=常數(shù)R輸CCRCE=0lE≥IvLBElE>0特性右移(因集電結(jié)開始吸引電子)u≥1特性基本重合(電流分配關(guān)系確定)硅管:(0.6~0.8)V取0.7V導(dǎo)通電壓UE(o锘管:02~0.3)V取0.2V模擬電子做術(shù)第2章半導(dǎo)體三極管二、輸出特性輸出特性」2放大區(qū):IC=BIB+lcEo常數(shù)ic/mA條件:發(fā)射結(jié)正偏50μA集電結(jié)反偏40HA特點:水平、等間隔叔大區(qū)30uA3.飽和區(qū):uCE≤lBE20uAl=ulE-llBE≤0條件:兩個結(jié)正偏μ截止區(qū)特點:Ic≠BlB8ucEN臨界飽和時:CEBE1.截止區(qū):IB≤0深度飽和時:CEO≈03V(硅管)條件:兩個結(jié)反偏CE(SAT0.1V(鍺管)模擬電子做術(shù)第2章半導(dǎo)體三極管三、溫度對特性曲線的影響1.溫度升高,輸入特性曲線向左移。T溫度每升高1°C,UBg↓(2~2.5)mV溫度每升高10°C,IcBo約增大1倍。2.溫度升高,輸出特性曲線向上移。T,>T溫度每升高1°C,↑(05~1)%。輸出特性曲線間距增大CE模擬電子做術(shù)第2章半導(dǎo)體三極管213晶體三極管的主要參數(shù)、電流放大系數(shù)↑ic/mA1.共發(fā)射極電流放大系數(shù)40HAβ一直流電流放大系數(shù)030μA2.45×10A20HAB≈82≈IOHA30×10AJucrvB—交流電流放大系數(shù)68△i(2.45-165)×10A0.8B10×10A102.共基極電流放大系數(shù)80a<1一般在0.98以上=0.988=80+11+B二、極間反向飽和電流CB極間反向飽和電流lcBo,CE極間反向飽和電流lcm31、只有永遠躺在泥坑里的人，才不會再掉進坑里。——黑格爾

32、希望的燈一旦熄滅，生活剎那間變成了一片黑暗。——普列姆昌