MLCC用鈦鋯酸鋇基陶瓷材料的制備﹑結(jié)構(gòu)及性能研課件

片式多層陶瓷電容器及其介質(zhì)材料研究進(jìn)展

1報(bào)告內(nèi)容簡(jiǎn)介

3國(guó)內(nèi)的研究現(xiàn)狀

2

片式多層陶瓷電容器介質(zhì)材料

1片式多層陶瓷電容器簡(jiǎn)介

★片式多層陶瓷電容器的概念★片式多層陶瓷電容器的結(jié)構(gòu)★片式多層陶瓷電容器的用途★鈦酸鋇基陶瓷介質(zhì)材料★片式多層陶瓷電容器用鈦酸鋇基陶瓷介質(zhì)材料的研究進(jìn)展★多層陶瓷電容器介質(zhì)材料的研究展望報(bào)告內(nèi)容簡(jiǎn)介2片式多層陶瓷電容器介質(zhì)材料1片式多21片式多層陶瓷電容器簡(jiǎn)介★片式多層陶瓷電容器的概念MultilayerchipCapacitor[MLCC]MLCC應(yīng)用于LSI1片式多層陶瓷電容器簡(jiǎn)介★片式多層陶瓷電容器的概念Mu3★片式多層陶瓷電容器的用途MLCC在電路中具體的作用有以下三種：（i）用于振蕩電路電容器在振蕩電路中與電阻共同作用，實(shí)現(xiàn)充放電過(guò)程，充放電時(shí)間決定了振蕩電路的頻率。(ii)用于放大電路放大電路中的耦合電容器能阻止直流電流通過(guò)，防止直流偏置電流在電容器的另一側(cè)混合。MLCC通過(guò)充放電過(guò)程，只將所需的交流信號(hào)傳輸給下游電路。（iii）用于濾波電路電路中電容器與電阻共同作用，將輸入的交流電流以近似直流電流形式輸出。

★片式多層陶瓷電容器的用途MLCC在電路中具體的4片式多層陶瓷電容器已經(jīng)成為蜂窩移動(dòng)電話(huà)、便攜式電腦、個(gè)人數(shù)字助

理、數(shù)碼相機(jī)與攝像機(jī)、HDTV、DVD等新一代數(shù)字視聽(tīng)產(chǎn)品的最基本構(gòu)成元件。多層陶瓷電容器具有結(jié)構(gòu)緊湊、體積小容量大、頻率特性好、可靠性高、片式化等優(yōu)點(diǎn)，在濾波、耦合、振蕩電路中得到廣泛的應(yīng)用,最近幾年MLCC的用量都維持在6000億只以上。MLCC在這些電路中的應(yīng)用,已經(jīng)對(duì)電子、通訊、計(jì)算機(jī)等高科技領(lǐng)域發(fā)展產(chǎn)生了深遠(yuǎn)的影響。

MLCC產(chǎn)量變化圖片式多層陶瓷電容器已經(jīng)成為蜂窩移動(dòng)電話(huà)、便攜式電腦、個(gè)人數(shù)字52片式多層電容器介質(zhì)材料★鈦酸鋇基介質(zhì)材料2片式多層電容器介質(zhì)材料★鈦酸鋇基介質(zhì)材料6鈦酸鋇單胞極化示意圖材料晶粒表面電荷形成示意圖

BaTiO3的極化這種極化現(xiàn)象在外電場(chǎng)的作用下更加明顯。當(dāng)施加了外電場(chǎng)后，在材料晶粒表面垂直外電場(chǎng)方向出現(xiàn)感應(yīng)電荷。計(jì)算的結(jié)果表明，在垂直于四方鈦酸鋇單位晶胞高度方向上的電荷面密度達(dá)到1.6×10-5C/cm2。鈦酸鋇單胞極化示意圖材料晶粒表面電7★片式多層電容器用鈦酸鋇基陶瓷介質(zhì)材料的研究進(jìn)展單晶鈦酸鋇陶瓷的介電常數(shù)-溫度曲線多晶鈦酸鋇陶瓷的介電常數(shù)-溫度曲線

1)80年代中期之前★片式多層電容器用鈦酸鋇基陶瓷介質(zhì)材料的研究進(jìn)展單晶鈦酸8三個(gè)主要任務(wù)1)移峰BaSnO3CaZrO3La2O3CeO2

2)壓峰CaTiO3MgTiO3Bi2(SnO3)MgZrO33)燒結(jié)三個(gè)主要任務(wù)92)80年代中期-----為了節(jié)省昂貴的金屬鈀，降低MLCC的成本，國(guó)外各主要生產(chǎn)廠家都已開(kāi)始采用金屬Ni作為內(nèi)電極制作賤金屬電極陶瓷電容器（BME—MLCC）。傳統(tǒng)的MLCC采用鈀/銀(Pd/Ag)做內(nèi)電極,與其相比，以Ni為內(nèi)電極有許多突出的優(yōu)點(diǎn)：Ni原子或原子團(tuán)的電遷移較銀或鈀小，因而具有良好的電化學(xué)穩(wěn)定性，可以提高M(jìn)LCC的可靠性；而含銀電極的一個(gè)共性的缺點(diǎn)是銀離子在高溫﹑高濕條件下易發(fā)生向瓷體中的遷移，從而導(dǎo)致電容器電學(xué)性能的劣化；Ni電極對(duì)焊料的耐蝕性和耐熱性好,工藝穩(wěn)定性好；Ni電極的電導(dǎo)率優(yōu)于鈀/銀電極,可以降低MLCC的等效串聯(lián)電阻，提高阻抗頻率特性；Ni電極成本低;MLCC用鈦鋯酸鋇基陶瓷材料的制備﹑結(jié)構(gòu)及性能研課件10不同金屬內(nèi)電極產(chǎn)量關(guān)系對(duì)比圖不同金屬內(nèi)電極產(chǎn)量關(guān)系對(duì)比圖11燒結(jié)氣氛的選擇Ni電極取代貴金屬電極是MLCC的一個(gè)發(fā)展方向。由于金屬Ni與O2反應(yīng)平衡的氧分壓非常低，如1250℃僅為3.30×10-7atm。因此，要求Ni電極MLCC必須在強(qiáng)還原的氣氛下燒結(jié)。鈦酸鋇基陶瓷材料燒結(jié)十分困難，這種現(xiàn)象在還原氣氛下尤其明顯。因此，選擇適當(dāng)?shù)臍夥蘸蜏囟葘?duì)鈦酸鋇陶瓷燒結(jié)是十分必要的。已見(jiàn)報(bào)道的賤金屬電極MLCC燒成氣氛主要有以下三種體系：i)CO/CO2體系該氣體體系可以通過(guò)調(diào)節(jié)CO/CO2比例來(lái)確定氧分壓，借助Ellingham圖可以查出相應(yīng)的氧分壓，氧分壓數(shù)值準(zhǔn)確而穩(wěn)定，該體系缺點(diǎn)是CO氣體為毒性氣體，實(shí)驗(yàn)或工業(yè)生產(chǎn)過(guò)程中容易發(fā)生安全事故。ii)H2/H2O體系該氣體體系的優(yōu)點(diǎn)與CO/CO2體系相同，也可以通過(guò)調(diào)節(jié)H2/H2O比例來(lái)確定氧分壓，借助Ellingham圖查出相應(yīng)的氧分壓，但是在MLCC燒成條件下，通過(guò)控制H2O的溫度和壓力來(lái)控制其在爐膛中的濃度比較難實(shí)現(xiàn)。iii)N2/H2體系該燒結(jié)氣體體系無(wú)毒而氣體成分容易控制，在高溫?zé)蛇^(guò)程中的氧分壓低，金屬Ni電極不容易氧化。目前已經(jīng)成為還原燒成鈦酸鋇材料的首選燒結(jié)氣體體系。

以Ni為片式多層陶瓷電容器內(nèi)電極對(duì)BaTiO3基陶瓷材料提出了新的要求-----燒結(jié)氣氛的選擇以Ni為片式多層陶瓷電容器內(nèi)電極對(duì)BaT12純鈦酸鋇在空氣氣氛下燒成的陶瓷材料擁有良好的絕緣性能。但是，在還原氣氛下燒結(jié)的鈦酸鋇晶格中部分氧會(huì)失去兩個(gè)電子，形成氧分子逸出，并在原來(lái)晶格中形成氧空位，同時(shí)伴隨生成兩個(gè)自由電子，非化學(xué)計(jì)量平衡的鈦酸鋇材料則成為導(dǎo)體。

OoO2+Vo˙˙+2e

Ti4++eTi3+

隨著氧分壓的降低和燒結(jié)溫度上升，氧空位不斷上升

氧空位濃度隨燒結(jié)溫度和氧分壓變化曲線

純鈦酸鋇陶瓷電導(dǎo)率與氧分壓的關(guān)系

純鈦酸鋇在空氣氣氛下燒成的陶瓷材料擁有良好的絕13BaTiO3還原問(wèn)題的解決辦法----引入抗還原組分Herbert:MnO,Cr2O3workasacceptorSakabe:BaOexcess,CaOworkasacceptorDesu:Ba2TiO4atgrainboundaryBaTiO3還原問(wèn)題的解決辦法----引入抗還原組分Her14

80年代末期Ni-MLCC首次大批量投入生產(chǎn),但是產(chǎn)品在使用過(guò)程中發(fā)現(xiàn)高溫或強(qiáng)電場(chǎng)下電阻快速下降,研究發(fā)現(xiàn)產(chǎn)生該現(xiàn)象的原因是由于晶格中氧空位過(guò)多形成空位遷移.解決的辦法是向介質(zhì)材料中引入稀土氧化物,關(guān)于稀土元素離子的作用機(jī)制還一直處于探討過(guò)程中.80年代末期Ni-MLCC首次大批量投入生產(chǎn),15MLCC用鈦鋯酸鋇基陶瓷材料的制備﹑結(jié)構(gòu)及性能研課件162>制備高介電常數(shù)材料ZrO2攙雜BaTiO3材料稀土元素與ZrO2共攙雜的介溫曲線BaTiO3材料的介溫曲線

3>發(fā)展市場(chǎng)需求旺盛,利潤(rùn)高的耐高頻高壓陶瓷介質(zhì)材料MLCC用鈦鋯酸鋇基陶瓷材料的制備﹑結(jié)構(gòu)及性能研課件173.1受主摻雜對(duì)鈦鋯酸鋇材料性能的影響及作用機(jī)制

樣品制備與檢測(cè)合成BTZ，研磨,引入助燒劑SiO20.1mol%，MnO2摻雜含量分別為0、1、3mol%,以酒精為助劑繼續(xù)進(jìn)行研磨,最后將所得粉體在20MPa的壓力下，制成Φ5×2mm的生坯。在電爐中進(jìn)行熱處理，在450℃/4h的條件下進(jìn)行保溫，直到恒重。冷卻后將樣品取出，在坯體的兩側(cè)均勻的涂上電子漿料，制成陶瓷電容器。

對(duì)要求空氣氣氛下燒成的樣品，首先將制得的電容器樣品在管式爐中，以2℃/min的升溫速率升到450℃,然后在450℃保溫1小時(shí)，使得電子漿料中的有機(jī)物完全揮發(fā)。然后以8℃/min的升溫速度升至1280℃，保溫2小時(shí)。對(duì)要求還原燒成樣品，為防止鎳電極在高溫?zé)蛇^(guò)程中氧化，待電子漿料中的有機(jī)物完全揮發(fā)完畢后，密封爐膛，并開(kāi)始通入保護(hù)氣氛。燒成設(shè)備為管式電阻爐，其結(jié)構(gòu)如下圖所示。燒成氣氛為H2/N2混合氣體，比例為H2：N2=5：95，通過(guò)壓力表和轉(zhuǎn)子流量計(jì)來(lái)控制氣體的壓力和流量，升溫速度為8℃/min,燒成溫度為1280℃，保溫時(shí)間2小時(shí)。熱處理樣品在保溫過(guò)程結(jié)束后停止通H2，并在溫度降到1000℃時(shí)保溫2小時(shí)3.1受主摻雜對(duì)鈦鋯酸鋇材料性能的影響及作用機(jī)制樣品制備與18燒結(jié)裝置簡(jiǎn)圖試樣的分析檢測(cè)

用XC2810A型LCR儀來(lái)測(cè)量電容器的電容值和介電損耗，使用液氮和油浴來(lái)控制試樣的測(cè)試溫度，每隔10℃測(cè)量一次試樣的電容值，然后根據(jù)公式C=ε0AK/t,求出材料的介電常數(shù)。材料在室溫下的電阻率通過(guò)ZC80高阻儀來(lái)測(cè)量。采用CambridgeS320型掃描電子顯微鏡進(jìn)行SEM觀察。燒結(jié)裝置簡(jiǎn)圖試樣的分析檢測(cè)19結(jié)果與討論結(jié)果與討論20小結(jié)MnO2摻雜在空氣燒結(jié)條件下能夠移動(dòng)BTZ居里點(diǎn)位置并壓制居里峰，氮?dú)鈼l件熱處理后的還原燒結(jié)樣品中，這種作用仍然存在；MnO2能夠顯著改善材料的抗還原性能，3mol%的MnO2結(jié)合熱處理工藝能夠有效降低介電損耗；提高M(jìn)nO2含量能夠抑制晶粒長(zhǎng)大，這種作用存在于所有MnO2摻雜樣品中。小結(jié)213.2施主摻雜對(duì)鈦鋯酸鋇材料性能的影響及作用機(jī)制樣品制備與測(cè)試設(shè)計(jì)兩種MnO2摻雜水平：1mol%MnO2和3mol%MnO2。三種施主摻雜氧化物的引入數(shù)量均為0.1mol%水平，其余實(shí)驗(yàn)過(guò)程和性能檢測(cè)設(shè)備與第二章相同。結(jié)果與討論1280℃不同燒成氣氛條件下所得摻雜試樣的性能（25℃）（D：Nb2O5摻雜試樣；E：V2O5摻雜試樣；F：Nd2O3摻雜試樣；下標(biāo)L/H分別對(duì)應(yīng)1mol%/3mol%MnO2含量）3.2施主摻雜對(duì)鈦鋯酸鋇材料性能的影響及作用機(jī)制22小結(jié)V2O5摻雜與Nb2O5摻雜在BTZ材料中的作用存在本質(zhì)差異。還原燒結(jié)條件下，V2O5在材料中主要起受主摻雜作用，Nb2O5起典型的施主摻雜作用。與其他兩種摻雜比，V2O5摻雜樣品在N2/H2燒結(jié)或N2熱處理后,樣品的介電損耗都最低。V2O5摻雜能夠顯著降低材料還原燒結(jié)后的介電損耗。在V2O5摻雜樣品中提高M(jìn)nO2含量，還原燒結(jié)或熱處理后電阻都將上升,熱處理后介電常數(shù)也上升，但是由于樣品中受主摻雜含量高，電阻反而低于Nb2O5與Nd2O3摻雜樣品。小結(jié)233.3稀土摻雜對(duì)鈦鋯酸鋇性能和結(jié)構(gòu)的影響

試樣制備與檢測(cè)設(shè)計(jì)兩種MnO2摻雜水平：1mol%MnO2和3mol%MnO2。三種施主摻雜氧化物的引入數(shù)量均為0.1mol%水平，其余實(shí)驗(yàn)過(guò)程和性能檢測(cè)設(shè)備與第二章相同。結(jié)果與討論

G：Yb2O3(Yb3+:0.83?)摻雜試樣；H：Ho2O3(Ho3+:1.23?)摻雜試樣;I：Dy2O3(Dy3+:1.03?)摻雜試樣；3.3稀土摻雜對(duì)鈦鋯酸鋇性能和結(jié)構(gòu)的影響G：Yb2O324小結(jié)

通過(guò)控制MnO2摻雜數(shù)量，同時(shí)引入不同半徑的稀土元素，可以控制BTZ材料的居里點(diǎn)和居里點(diǎn)處的介電常數(shù)峰值。小結(jié)25共摻雜樣品性能與結(jié)構(gòu)

共摻雜樣品性能與結(jié)構(gòu)26

共摻雜樣品的電阻行為共摻雜樣品的電阻行為27小結(jié)

通過(guò)引入適當(dāng)數(shù)量的Yb2O3，可以實(shí)現(xiàn)居里點(diǎn)的靈活移動(dòng)，并提高低溫區(qū)的介電常數(shù)；V2O5摻雜數(shù)量變化對(duì)居里點(diǎn)位置影響不大，提高含量可以降低居里點(diǎn)處介電常數(shù)；在Yb2O3摻雜樣品中增加V2O5摻雜數(shù)量可以促進(jìn)燒結(jié)收縮，提高電阻，材料中四方相數(shù)量上升。在上面研究的基礎(chǔ)上，制備出了具有Y5V介電特性陶瓷材料。小結(jié)283.5

還原氣氛下MnO2攙雜鈦酸鋇材料的燒結(jié)

實(shí)驗(yàn)攙雜MnO2的含量分別為0，1mol%，3mol%，樣品的制作見(jiàn)第2章實(shí)驗(yàn)部分，燒結(jié)氣氛為N2:H2=95:5。燒結(jié)溫度分別為1150℃,1250℃,1300℃,保溫時(shí)間分別為30min,60min,90min,120min,150min,180min。采用阿基米德法測(cè)定試樣的密度，并換算成相對(duì)密度。透射電鏡觀察在Technai2000型電鏡下進(jìn)行.3.5還原氣氛下MnO2攙雜鈦酸鋇材料的燒結(jié)29結(jié)果與討論

相對(duì)密度和晶粒尺寸與燒結(jié)時(shí)間關(guān)系（▲：0%MnO2;●：1%MnO2;：3%MnO2）上面的結(jié)果表明:MnO2含量對(duì)高溫?zé)Y(jié)鈦鋯酸鋇陶瓷樣品的相對(duì)密度影響不明顯.當(dāng)在1150℃燒結(jié)時(shí)，提高M(jìn)nO2含量鈦鋯酸鋇陶瓷樣品的相對(duì)密度下降.試樣相對(duì)密度隨時(shí)間變化曲線結(jié)果與討論（▲：0%MnO2;●：1%MnO2;：3%30

致密化過(guò)程的控制機(jī)制

dρ/dt=CNDγsΩ/Gn（6.1）

dρ/dt=A/Gn（6.2）

G是顆粒的尺寸，n取決于致密化過(guò)程的速率控制機(jī)制。受晶格擴(kuò)散控制或晶面擴(kuò)散控制的晶粒長(zhǎng)大過(guò)程中，n取3；當(dāng)晶粒長(zhǎng)大受晶界擴(kuò)散控制時(shí)，n取4。這樣，在理論上，可以通過(guò)下面的方法獲得n值和速率控制機(jī)制：以晶粒尺寸的對(duì)數(shù)為橫坐標(biāo)，以燒結(jié)速率的對(duì)數(shù)為縱坐標(biāo)做曲線，求得曲線斜率并獲得n的數(shù)值。

在1150℃燒結(jié)，晶界擴(kuò)散是無(wú)攙雜樣品的控制機(jī)制。1150℃攙雜樣品的速率控制過(guò)程不是很清楚，或許更多是晶格擴(kuò)散和晶界擴(kuò)散的混合機(jī)制控制。1250℃無(wú)攙雜樣品的n值比攙雜樣品n值高，二者都接近3。因此，在1250℃燒結(jié)，樣品的致密化過(guò)程主要是受晶格擴(kuò)散控制。

在1150℃燒結(jié)，晶界擴(kuò)散是無(wú)攙雜樣品的控31摻雜樣品晶粒生長(zhǎng)活化能3%molMnO2樣品經(jīng)過(guò)1250℃/3小時(shí)燒結(jié)所得到的樣品在晶界處探測(cè)到富Mn相，該雜質(zhì)相是阻礙晶粒生長(zhǎng)或晶界擴(kuò)散的直接原因。鈦鋯酸鋇的晶粒生長(zhǎng)速率-1/T的對(duì)數(shù)關(guān)系直線的率斜即為活化能的大小?？梢园l(fā)現(xiàn)，MnO2攙雜鈦鋯酸鋇晶粒生長(zhǎng)的活化能大于無(wú)摻雜樣品晶粒生長(zhǎng)的活化能摻雜樣品晶粒生長(zhǎng)活化能鈦鋯酸鋇的晶粒生長(zhǎng)速率-132致密化和晶粒生長(zhǎng)的關(guān)系晶粒尺寸-密度關(guān)系（▲：0%MnO2;●：1mol%MnO2;：3mol%MnO2）1150℃和1250℃燒結(jié)樣品的晶粒尺寸隨著相對(duì)密度上升而不斷變化，而1300℃樣品的曲線中相對(duì)密度達(dá)到一定數(shù)值后則不再變化。這說(shuō)明1300℃燒成的樣品在保溫過(guò)程中氣孔并沒(méi)有在燒結(jié)末期完全排除，可能已經(jīng)被“網(wǎng)”在晶粒內(nèi)部了。1300℃燒結(jié)3%MnO2樣品晶里粒內(nèi)部氣孔

致密化和晶粒生長(zhǎng)的關(guān)系晶粒尺寸-密度關(guān)系（▲：0%MnO2;33

對(duì)于在1150℃﹑1250℃﹑1300℃燒結(jié)的樣品，其氣孔率可以用下式表示：ρ=1-[（1-ρ0）/（1+t/τ）β]（6.3）

G=G0(1+t/τ)α（6.4）

對(duì)方程6.3微分，我們得到：dρ/dt=[(1-ρ0)β/τ]/(1+t/τ)1+β（6.5）改寫(xiě)方程6.2，應(yīng)用上面的表達(dá)式，我們得到：Gn=A/[dρ/dt]={A/[(1-ρ0)β/τ]}*(1+t/τ)1+β（6.6）最后，將方程6.4與方程6.6聯(lián)系在一起，有：G0n=Aτ/[(1-ρ0)β]（6.7）n=(1+β)/α（6.8）式6.8表明，致密化過(guò)程和晶粒生長(zhǎng)過(guò)程有著相互依賴(lài)和制約關(guān)系。n,β,α之間并不是相互獨(dú)立的，式6.8給出了三者之間的制約關(guān)系。表6.2給出了通過(guò)式6.8計(jì)算出來(lái)的n值。從表6.2中的結(jié)果可以看到，通過(guò)式6.8計(jì)算出來(lái)的n值和表6.1的n值（1150℃，1250℃）非常接近。對(duì)于在1150℃﹑1250℃﹑1300℃燒結(jié)的34MLCC用鈦鋯酸鋇基陶瓷材料的制備﹑結(jié)構(gòu)及性能研課件35小結(jié)在1150℃燒結(jié)，鈦鋯酸鋇陶瓷多晶材料相對(duì)密度隨著MnO2摻雜數(shù)量上升而下降，這種現(xiàn)象隨著燒結(jié)溫度上升而明顯減弱。我們認(rèn)為這種現(xiàn)象和燒結(jié)過(guò)程的控制機(jī)制隨著燒結(jié)溫度上升由晶界擴(kuò)散控制向晶格擴(kuò)散控制轉(zhuǎn)變有關(guān)。1150℃燒結(jié)，無(wú)摻雜樣品中晶界擴(kuò)散是燒結(jié)過(guò)程中主要擴(kuò)散機(jī)制，摻雜樣品燒結(jié)過(guò)程中的擴(kuò)散可能包括晶界擴(kuò)散和晶格擴(kuò)散。在1250℃燒結(jié)的樣品中，晶格擴(kuò)散為主要的擴(kuò)散控制機(jī)制。MnO2摻雜對(duì)晶粒生長(zhǎng)的抑制作用主要發(fā)生在高溫?zé)Y(jié)過(guò)程中，1250℃和1300℃燒結(jié)樣品的晶粒尺寸隨著MnO2含量的上升而下降。計(jì)算所得到的摻雜樣品的晶粒生長(zhǎng)活化能明顯高于無(wú)摻雜樣品晶粒生長(zhǎng)活化能。聚集在晶界處的MnO2阻礙了晶界處的擴(kuò)散是導(dǎo)致晶粒生長(zhǎng)受到抑制的原因。隨著燒結(jié)溫度的上升，相對(duì)密度-晶粒尺寸曲線的斜率上升，晶粒尺寸系數(shù)n與時(shí)間指數(shù)α和β之間有如下關(guān)系：n=(1+β)/α.小結(jié)363.7

Y5V陶瓷的電疇研究

在單晶和多晶純酸鋇材料中的情況已經(jīng)有許多報(bào)道，那么在多晶的攙雜鈦鋯鋇中情況如何呢？尤其是當(dāng)介電峰被移動(dòng)到室溫的情況下，如具有Y5V特性的陶瓷，其電疇和疇壁結(jié)構(gòu)有什么變化呢？這些將是本章的主要研究?jī)?nèi)容。

鐵電體中這種具有相同自發(fā)極化方向的小區(qū)域稱(chēng)為電疇

鈦酸鋇晶格中某些熱運(yùn)動(dòng)能量特別低的鈦離子，不足以克服鈦離子位移后鈦氧之間所形成的內(nèi)電場(chǎng)作用，將向著某一個(gè)氧離子，如c軸方向的氧離子靠近，而產(chǎn)生自發(fā)位移。3.7Y5V陶瓷的電疇研究在單晶和多晶純酸鋇材料中37試驗(yàn)樣品制備將制備的Y