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第二節(jié)晶體管的基礎(chǔ)知識4二、半導體的基礎(chǔ)知遲二、晶體二極管三、晶體三極管半導體的基礎(chǔ)知識P倒四行物體根據(jù)導電能力的強弱可分為導體、半導體和絕緣體三大類。凡容易導電的物質(zhì)(如金、銀、銅、鋁、鐵等金屬物質(zhì))稱為導體;不容易導電的物質(zhì)(如玻璃、橡膠、塑料、陶瓷等)稱為絕絲體;導電能力介于導體和絕緣體之間的物質(zhì)(如硅、鍺、硒等)稱為率導缽。半導體之所以得到廣泛的應用,是因為它具有熱敏性、光敏性、摻雜性等特殊性能。PN結(jié)1、P型、N型半導體本征半導體是一種純凈的半導體晶體。常用的半導體材料是單晶硅(Si)和單晶鍺(Ge)。半導體硅和鍺都是4價元素,其原子結(jié)構(gòu)如圖1(a),(b)所示。價電子電子軌道慣性核價電子原子核圖1:半導體的原子結(jié)構(gòu)示意圖(a)硅原子;(b)鍺原子;(c)簡化模型本征半導體晶體結(jié)構(gòu)示意圖如圖2所示。由圖2可見,各原子間整齊而有規(guī)則地排列著,使每個原子的4個價電子不僅受所屬原子核的吸引,而且還受相鄰4個原子核的吸引,每一個價電子都為相鄰原子核所共用,形成了穩(wěn)定的共價鍵結(jié)構(gòu)。每個原予核最外層等效有8個價電子,由于價電子不易掙脫原子核束縛而成為自由電子,因此,本征半導體導電能力較差。共價鍵價電子圖2單晶硅的共價鍵結(jié)構(gòu)但是,如果能叢外界獲得一定的能量(如光照、溫升等),有些價電子就會掙脫共價鍵的束縛而成為自由電子,在共價鍵中留下一個空位,稱為“空穴”空穴的出現(xiàn)使相鄰原子的價電子離開它所在的共價鍵來填補這個空穴,同時,這個共價鍵又產(chǎn)生了一個新的空穴。這個空穴也會被相鄰的價電子填補而產(chǎn)生新的空穴,這種電子填補空穴的運動相當于帶正電荷的空穴在運動,并把空穴看成一種帶正電荷的載流子??昭ㄔ蕉?半導體的載流子數(shù)目就越多,因此形成的電流就越大。在本征半導體中,空穴與電子是成對出視的,稱為電子一空穴對。其自由電子和空穴數(shù)目總是相等的。本征半導體在溫度升高時產(chǎn)生電子一空穴對的現(xiàn)象稱為本征激發(fā)。溫度越高,產(chǎn)生的電子一空穴對數(shù)目就越多,這就是半導體的熱敏性。在半導體中存在著自由電子和空穴兩種載流子,而導體中只有自由電子這一種載流子,這是半導體與導體的不同之處。在本征半導體中摻入微量的雜質(zhì)元素,就會使半導體的導電性能發(fā)生顯著改變。根據(jù)摻入雜質(zhì)元素的性質(zhì)不同,雜質(zhì)半導體可分為P型半導體和N型率導體兩大類①P型半導體P型半導體是在本征半導體硅(或鍺)中摻入微量的3價元素(如硼、銦等)而形成的。因雜質(zhì)原子只有3個價電子,它與周圍硅原子組成共價鍵時,缺少1個電子,因此在晶體中便產(chǎn)生一個空穴,當相鄰共價鍵上的電子受熱激發(fā)獲得能量時,就有可能填補這個空穴,使硼原子成為不能移動的負離子,而原來硅原子的共價鍵因缺少了一個電子,便形成了穴,使得整個率導體仍呈中性,如圖3所示。綜上所述,在摻入雜質(zhì)后,載流子的數(shù)目都有相當程度的增加。因而對半
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