光電器件第二章

光電器件課件第二章第1頁(yè)，課件共69頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月第2頁(yè)，課件共69頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月2.1pn結(jié)的基本結(jié)構(gòu)若在同一半導(dǎo)體內(nèi)部，一邊是P型，一邊是N型，則會(huì)在P型區(qū)和N型區(qū)的交界面附近形成pn結(jié)，它的行為并不簡(jiǎn)單等價(jià)于一塊P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體的串聯(lián)。這種結(jié)構(gòu)具有特殊的性質(zhì)：?jiǎn)蜗驅(qū)щ娦?。PN結(jié)是許多重要半導(dǎo)體器件的核心第3頁(yè)，課件共69頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月第4頁(yè)，課件共69頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月第5頁(yè)，課件共69頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月第6頁(yè)，課件共69頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月第7頁(yè)，課件共69頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月第8頁(yè)，課件共69頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月零偏（熱平衡）pn結(jié)p型半導(dǎo)體與n型半導(dǎo)體的能帶圖pn結(jié)的能帶圖內(nèi)建電勢(shì)差EcEvEFiEFEcEvEFiEF第9頁(yè)，課件共69頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月第10頁(yè)，課件共69頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月第11頁(yè)，課件共69頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月第12頁(yè)，課件共69頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月第13頁(yè)，課件共69頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月第14頁(yè)，課件共69頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月第15頁(yè)，課件共69頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月第16頁(yè)，課件共69頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月第17頁(yè)，課件共69頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月耗盡近似：認(rèn)為在勢(shì)壘區(qū)中全部自由載流子都被耗盡。第18頁(yè)，課件共69頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月電場(chǎng)強(qiáng)度pn+-E-xpxneNdeNa內(nèi)建電場(chǎng)由空間電荷區(qū)的電荷所產(chǎn)生，電場(chǎng)強(qiáng)度的大小和電荷密度的關(guān)系由泊松方程確定：其中φ為電勢(shì)，E為電場(chǎng)強(qiáng)度，ρ為電荷密度，εs為介電常數(shù)。

從圖可知，電荷密度ρ(x)為：耗盡區(qū)假設(shè)耗盡近似：認(rèn)為在勢(shì)壘區(qū)中全部自由載流子都被耗盡。第19頁(yè)，課件共69頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月則p側(cè)空間電荷區(qū)內(nèi)電場(chǎng)可以積分求得：邊界條件：x=-xp時(shí)，E=0相應(yīng)，n側(cè)空空間電荷區(qū)電場(chǎng)：邊界條件：x=xn時(shí)，E=0第20頁(yè)，課件共69頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月p側(cè)電場(chǎng)和n側(cè)電場(chǎng)在界面處（x=0）連續(xù)，即：-xpxneNdeNa-xpxnx=0E因而兩側(cè)空間電荷區(qū)的寬度xp和xn有關(guān)系：空間電荷區(qū)整體保持電中性空間電荷區(qū)主要向低摻雜一側(cè)延伸第21頁(yè)，課件共69頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月根據(jù)電場(chǎng)強(qiáng)度和電勢(shì)的關(guān)系，將p區(qū)內(nèi)電場(chǎng)積分可得電勢(shì)：確定具體的電勢(shì)值需要選擇參考點(diǎn)，假設(shè)x=xp處的電勢(shì)為0，則可確定積分常數(shù)值C1’和p區(qū)內(nèi)的電勢(shì)值為：第22頁(yè)，課件共69頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月同樣的，對(duì)n區(qū)內(nèi)的電勢(shì)表達(dá)式積分，可求出：當(dāng)x=0時(shí)，電勢(shì)值連續(xù)，因而利用p區(qū)電勢(shì)公式可求出：第23頁(yè)，課件共69頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月pp0np0nn0pn0-xpxnx=0EpnΦ=0Φ=Vbi電勢(shì)和距離是二次函數(shù)關(guān)系，即拋物線關(guān)系空間電荷區(qū)內(nèi)的載流子濃度變化顯然，x=xn時(shí)，Φ=Vbi，因而可以求出：第24頁(yè)，課件共69頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月空間電荷區(qū)寬度pn+-xp+xn由整體的電中性條件要求，我們已經(jīng)知道：將該式代入用電勢(shì)公式求出的Vbi式，可得到：空間電荷區(qū)寬度與摻雜濃度有關(guān)第25頁(yè)，課件共69頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月熱平衡狀態(tài)下pn結(jié)處存在著空間電荷區(qū)和接觸電勢(shì)差內(nèi)建電場(chǎng)從n區(qū)空間電荷區(qū)邊界指向p區(qū)空間電荷區(qū)，內(nèi)建電場(chǎng)在p、n交界處最強(qiáng)因?yàn)槭菬崞胶鉅顟B(tài)，p區(qū)、n區(qū)及空間電荷區(qū)內(nèi)具有統(tǒng)一的費(fèi)米能級(jí)空間電荷區(qū)內(nèi)的漂移電流和擴(kuò)散電流向平衡，無(wú)宏觀電流。p、n兩側(cè)的空間電荷總數(shù)量相等，對(duì)外部保持整體的電中性空間電荷區(qū)內(nèi)無(wú)（幾乎）自由載流子、因而又稱(chēng)為耗盡區(qū)；空間電荷區(qū)內(nèi)形成內(nèi)建電場(chǎng)，表現(xiàn)為電子的勢(shì)壘，因而又稱(chēng)為勢(shì)壘區(qū)空間電荷區(qū)的寬度與摻雜濃度密切相關(guān)第26頁(yè)，課件共69頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月pnpn-xpxnx=0EcEFEFiEv-+EeVbi-xpxnEMax第27頁(yè)，課件共69頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月

這一關(guān)系給出了內(nèi)建電勢(shì)差在p、n兩側(cè)的分配關(guān)系。這也解釋了為什么對(duì)于單邊突變結(jié)（p+n或pn+)來(lái)說(shuō)，電壓主要降落在輕摻雜一側(cè)。

外加電壓同樣會(huì)分配在pn結(jié)兩側(cè)，其分配比例不變。因?yàn)樵谕瑯拥暮谋M假設(shè)下，求解泊松方程的過(guò)程是完全相同的，只是將整個(gè)電場(chǎng)積分后的電勢(shì)差Vbi代換為Vbi-Vapp第28頁(yè)，課件共69頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月零偏狀態(tài)下內(nèi)建電勢(shì)差形成的勢(shì)壘維持著p區(qū)和n區(qū)內(nèi)載流子的平衡內(nèi)建電場(chǎng)造成的漂移電流和擴(kuò)散電流相平衡第29頁(yè)，課件共69頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月pn結(jié)的單向?qū)щ娦詐n結(jié)兩端加正向偏壓V后，V基本上全降落在耗盡區(qū)的勢(shì)壘上；由于耗盡區(qū)中載流子濃度很小，與中性P區(qū)和N區(qū)的體電阻相比耗盡區(qū)電阻很大。勢(shì)壘高度由平衡時(shí)的eVbi降低到了e(Vbi-V)；正向偏置電壓V在勢(shì)壘區(qū)中產(chǎn)生的電場(chǎng)與自建電場(chǎng)方向相反，勢(shì)壘區(qū)中的電場(chǎng)強(qiáng)度減弱，并相應(yīng)的使空間電荷數(shù)量減少，勢(shì)壘區(qū)寬度變窄。第30頁(yè)，課件共69頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月第31頁(yè)，課件共69頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月產(chǎn)生了凈擴(kuò)散流；電子：N區(qū)→P區(qū) 空穴：P區(qū)→N區(qū)熱平衡時(shí)載流子漂移流與擴(kuò)散流相互抵消的平衡被打破：勢(shì)壘高度降低，勢(shì)壘區(qū)中電場(chǎng)減弱，相應(yīng)漂移運(yùn)動(dòng)減弱，因而使得漂移運(yùn)動(dòng)小于擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)，產(chǎn)生了凈擴(kuò)散流。第32頁(yè)，課件共69頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月在空間電荷區(qū)的兩側(cè)產(chǎn)生了過(guò)剩載流子；通過(guò)勢(shì)壘區(qū)進(jìn)入P區(qū)的電子和進(jìn)入N區(qū)的空穴分別在界面（-xp和xn）處積累，從而產(chǎn)生了過(guò)剩載流子。這稱(chēng)為正向注入，由于注入的載流子對(duì)它進(jìn)入的區(qū)域來(lái)說(shuō)都是少子，所以又稱(chēng)為少子注入。對(duì)于注入的少子濃度遠(yuǎn)小于進(jìn)入?yún)^(qū)多子濃度的情況稱(chēng)為小注入。邊界上注入的過(guò)剩載流子，不斷向體內(nèi)擴(kuò)散，經(jīng)過(guò)大約幾個(gè)擴(kuò)散長(zhǎng)度后，又恢復(fù)到了平衡值。第33頁(yè)，課件共69頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月第34頁(yè)，課件共69頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月第35頁(yè)，課件共69頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月外加偏壓時(shí)勢(shì)壘區(qū)附近的載流子分布準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)用準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)代替費(fèi)米能級(jí)的位置，給出的是對(duì)應(yīng)的載流子在非平衡態(tài)條件下的密度

導(dǎo)帶電子準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)EFN和價(jià)帶空穴準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)EFP類(lèi)似于平衡態(tài)非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體的載流子濃度公式：非平衡態(tài)下的載流子濃度可寫(xiě)為：（2.1）

（2.2）

第36頁(yè)，課件共69頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月變換上兩式

（2.3）（2.4）（2.5）（2.6）小注入：由于注入的載流子對(duì)它進(jìn)入的區(qū)域來(lái)說(shuō)都是少子，所以又稱(chēng)為少子注入。對(duì)于注入的少子濃度遠(yuǎn)小于進(jìn)入?yún)^(qū)多子濃度的情況稱(chēng)為小注入。第37頁(yè)，課件共69頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月pn結(jié)的零偏、正偏和反偏考慮小注入情況在視類(lèi)區(qū)域內(nèi)空穴密度近似等于熱平衡時(shí)的空穴密度，其費(fèi)米能級(jí)近似為熱平衡狀態(tài)時(shí)的空穴費(fèi)米能級(jí)第38頁(yè)，課件共69頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月正向偏壓下第39頁(yè)，課件共69頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月反向偏壓下，在x=xn處的邊界處的空穴密度為：在x=-xp處的邊界處的電子密度為：第40頁(yè)，課件共69頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月加正向電壓、反向電壓時(shí)的載流子密度和電流密度分布第41頁(yè)，課件共69頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月

由此，我們可以得出PN結(jié)處于正偏和反偏條件時(shí)，耗盡區(qū)邊界處的少數(shù)載流子分布正偏反偏第42頁(yè)，課件共69頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月正偏電流圖像當(dāng)電流由P區(qū)歐姆接觸進(jìn)入時(shí)，幾乎全部為空穴的漂移電流；空穴在外電場(chǎng)作用下向電源負(fù)極漂移； 由于少子濃度遠(yuǎn)小于多子濃度可以認(rèn)為這個(gè)電流完全由多子空穴攜帶。空穴沿x方向進(jìn)入電子擴(kuò)散區(qū)以后，一部分與N區(qū)注入進(jìn)來(lái)的電子不斷地復(fù)合，其攜帶的電流轉(zhuǎn)化為電子擴(kuò)散電流；第43頁(yè)，課件共69頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月另一部分未被復(fù)合的空穴繼沿x方向漂移，到達(dá)-xp的空穴電流，通過(guò)勢(shì)壘區(qū)；若忽略勢(shì)壘區(qū)中的載流子產(chǎn)生-復(fù)合，則可看成它全部到達(dá)了xn處，然后以擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)繼續(xù)向前，在N區(qū)中的空穴擴(kuò)散區(qū)內(nèi)形成空穴擴(kuò)散流；

在擴(kuò)散過(guò)程中，空穴還與N區(qū)漂移過(guò)來(lái)的電子不斷地復(fù)合，使空穴擴(kuò)散電流不斷地轉(zhuǎn)化為電子漂移電流；直到空穴擴(kuò)散區(qū)以外，空穴擴(kuò)散電流全部轉(zhuǎn)化為電子漂移電流。忽略了少子漂移電流后，電子電流便構(gòu)成了流出N區(qū)歐姆接觸的正向電流?？昭娏髋c電子電流之間的相互轉(zhuǎn)化，都是通過(guò)在擴(kuò)散區(qū)內(nèi)的復(fù)合實(shí)現(xiàn)的，因而正向電流實(shí)質(zhì)上是一個(gè)復(fù)合電流。第44頁(yè)，課件共69頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月反偏電流圖像pn在反向偏置下，

P區(qū)的多子空穴受外電場(chǎng)的作用向P區(qū)的歐姆接觸負(fù)電極漂移，同時(shí)增強(qiáng)的空間電荷區(qū)電場(chǎng)也不斷地把N區(qū)的少子空穴拉過(guò)來(lái)；

N區(qū)的電子受外電場(chǎng)作用向N區(qū)的歐姆接觸正電極漂移，同時(shí)空間電荷區(qū)自建電場(chǎng)亦不斷地把P區(qū)的少子電子拉過(guò)來(lái)；N區(qū)邊界xn處的空穴被勢(shì)壘區(qū)的強(qiáng)電場(chǎng)驅(qū)向P區(qū)，而P區(qū)邊界-xp處的電子被驅(qū)向N區(qū)，當(dāng)這些少數(shù)載流子被電場(chǎng)驅(qū)走后，內(nèi)部的少子就來(lái)補(bǔ)充，形成反偏下的空穴擴(kuò)散電流和電子擴(kuò)散電流。這種情況好象少數(shù)載流子不斷地被抽向?qū)Ψ剑苑Q(chēng)為少數(shù)載流子的抽取。第45頁(yè)，課件共69頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月勢(shì)壘高度和載流子濃度的對(duì)應(yīng)關(guān)系偏壓對(duì)空間電荷區(qū)邊界處注入的非平衡載流子濃度的調(diào)制理想pn結(jié)電流-電壓關(guān)系正偏狀態(tài)的pn結(jié)，正偏電流的大小隨正偏電壓的增加而指數(shù)增加。反偏時(shí)趨于飽和當(dāng)產(chǎn)生非平衡載流子的外部作用撤除以后，非平衡載流子也就逐漸消失，半導(dǎo)體最終恢復(fù)到平衡態(tài)。半導(dǎo)體由非平衡態(tài)恢復(fù)到平衡態(tài)的過(guò)程，也就是非平衡載流子逐步消失的過(guò)程，稱(chēng)為非平衡載流子的復(fù)合。第46頁(yè)，課件共69頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月PN結(jié)電容第47頁(yè)，課件共69頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月第48頁(yè)，課件共69頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月第49頁(yè)，課件共69頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月第50頁(yè)，課件共69頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月第51頁(yè)，課件共69頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月第52頁(yè)，課件共69頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月第53頁(yè)，課件共69頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月第54頁(yè)，課件共69頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月小節(jié)勢(shì)壘高度和載流子濃度的對(duì)應(yīng)關(guān)系偏壓對(duì)空間電荷區(qū)邊界處注入的非平衡載流子濃度的調(diào)制理想pn結(jié)電流-電壓關(guān)系正偏狀態(tài)的pn結(jié)，正偏電流的大小隨正偏電壓的增加而指數(shù)增加。反偏時(shí)趨于飽和隨著溫度的升高，反偏飽和電流增大，相同正向電流下的偏壓降低利用溫度特性可以制成對(duì)溫度敏感的二極管，作為溫度探測(cè)器件。但同時(shí)二極管的溫度特性要求二極管要正確應(yīng)用，避免形成溫度正反饋導(dǎo)致燒毀當(dāng)pn結(jié)二極管的中性區(qū)長(zhǎng)度遠(yuǎn)小于擴(kuò)散長(zhǎng)度時(shí)為短二極管，擴(kuò)散區(qū)縮短，擴(kuò)散區(qū)內(nèi)的復(fù)合作用可以忽略。雙極晶體管中的EB結(jié)通常就是一個(gè)短pn結(jié)第55頁(yè)，課件共69頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月再利用上述兩個(gè)邊界條件，可得穩(wěn)態(tài)輸運(yùn)方程最終的解為：對(duì)于Wn<<Lp的條件，我們還可以對(duì)上式做進(jìn)一步的簡(jiǎn)化，因?yàn)榇藭r(shí)有：再利用上述兩個(gè)邊界條件，可得穩(wěn)態(tài)輸運(yùn)方程最終的解為：第56頁(yè)，課件共69頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月單邊突變結(jié)：一側(cè)高摻雜，而另一側(cè)低摻雜的突變結(jié)p+n或pn+單邊突變結(jié)空間電荷區(qū)主要向輕摻雜一側(cè)擴(kuò)展單邊突變結(jié)的勢(shì)壘主要降落在輕摻雜一側(cè)第57頁(yè)，課件共69頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月第58頁(yè)，課件共69頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月第59頁(yè)，課件共69頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月第60頁(yè)，課件共69頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月第61頁(yè)，課件共69頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月第62頁(yè)，課件共69頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月第63頁(yè)，課件共69頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月第64頁(yè)，課件共69頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月第65頁(yè)，課件共69頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月第66頁(yè)，課件共69頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月第67頁(yè)，課件共69頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月

注入到p（n）型區(qū)中的電子（空穴）會(huì)進(jìn)一步擴(kuò)散和復(fù)合，因此公式給出的實(shí)際上是耗盡區(qū)邊界處的非平衡少數(shù)載流子濃度。

上述邊界條件雖然是根據(jù)pn結(jié)正偏條件導(dǎo)出的，但是對(duì)于反偏情況也是適用的。因而當(dāng)反偏電壓足夠高時(shí)，從上述兩式可見(jiàn)，耗盡區(qū)邊界處的少數(shù)載流子濃度基本為零。

第68頁(yè)，課件共69頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月pn在反向偏置下，