GB/T 42744-2023微波電路電調(diào)衰減器測試方法

ICS31200

CCSL.56

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T42744—2023

微波電路

電調(diào)衰減器測試方法

Microwavecircuit—

Measuringmethodsforelectricallycontrolledattenuator

2023-08-06發(fā)布2024-03-01實施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

GB/T42744—2023

目次

前言

…………………………Ⅲ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語和定義

3………………1

一般要求

4…………………3

測試環(huán)境

4.1……………3

測試儀器

4.2……………3

注意事項

4.3……………4

詳細(xì)要求

5…………………4

插入損耗L

5.1(ins)………………………4

帶內(nèi)波動L

5.2(Δ0)……………………5

衰減量A

5.3(att)…………………………5

衰減平坦度A

5.4(Δ)……………………6

衰減范圍A

5.5(ran)………………………7

衰減溫度穩(wěn)定性A衰減溫度系數(shù)αA

5.6(tem)、()………7

衰減精度A

5.7(aur)………………………8

幅度一致性An

5.8(Δ0)…………………9

相位一致性φn

5.9(Δ0)…………………10

輸入輸出駐波比

5.10、(VSWRin、VSWRout)…………10

n壓縮輸入功率Pn

5.11dB(i(dB))………………………11

交調(diào)失真雙頻PnP

5.12()(/1)………………………13

n階交調(diào)點輸入功率n

5.13(IIP)………………………14

附加相移

5.14(Phrlv)…………………14

開啟時間t關(guān)斷時間t上升時間t下降時間t

5.15(on)、(off)、(rise)、(fall)………………15

最大承受功率P

5.16(max)……………16

Ⅰ

GB/T42744—2023

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構(gòu)不承擔(dān)識別專利的責(zé)任

。。

本文件由中華人民共和國工業(yè)和信息化部提出

。

本文件由全國半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會歸口

(SAC/TC78)。

本文件起草單位成都亞光電子股份有限公司安徽明洋電子有限公司安徽省中智科標(biāo)準(zhǔn)化研究

:、、

院有限公司空軍裝備部駐成都地區(qū)軍事代表局中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院

、、。

本文件主要起草人隆慧楊曉瑜劉影影陳敏湯朔周俊孟澤何亞平范富宏劉峋王昊付江蔚

:、、、、、、、、、、、、

侯林

。

Ⅲ

GB/T42744—2023

微波電路

電調(diào)衰減器測試方法

1范圍

本文件描述了微波電路類的電調(diào)衰減器主要電參數(shù)的測試方法

。

本文件適用于單片和混合集成的微波電調(diào)衰減器以下簡稱衰減器的相關(guān)電參數(shù)測試

()。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路第部分總則

GB/T17573—19981:

3術(shù)語和定義

下列術(shù)語和定義適用于本文件

。

31

.

插入損耗insertionloss

L

ins

在衰減器線性工作區(qū)參考狀態(tài)下入射功率與輸出功率之比

,。

32

.

帶內(nèi)波動passbandripple

L

Δ0

在不同頻點下參考狀態(tài)插入損耗以分貝為單位的最大變化量

,(dB)