標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 42744-2023 微波電路 電調(diào)衰減器測(cè)試方法》是一項(xiàng)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)，旨在規(guī)范微波電路中電調(diào)衰減器的測(cè)試流程與方法。該標(biāo)準(zhǔn)適用于頻率范圍從1GHz到18GHz的電調(diào)衰減器，其主要內(nèi)容包括但不限于以下幾個(gè)方面：

首先，定義了術(shù)語(yǔ)和定義部分，明確了如“電調(diào)衰減器”、“插入損耗”、“電壓駐波比”等關(guān)鍵概念的確切含義，為后續(xù)內(nèi)容的理解奠定基礎(chǔ)。

接著，在技術(shù)要求章節(jié)中，詳細(xì)列出了電調(diào)衰減器應(yīng)滿足的各項(xiàng)性能指標(biāo)及其允許偏差范圍，比如工作頻段內(nèi)的最大插入損耗值、最小隔離度以及不同控制電壓下衰減值的變化規(guī)律等。

然后是測(cè)試條件的規(guī)定，這部分描述了進(jìn)行各項(xiàng)測(cè)試時(shí)所需的環(huán)境參數(shù)（如溫度、濕度）、電源特性以及其他外部因素的要求，確保測(cè)試結(jié)果的一致性和可比性。

隨后進(jìn)入核心部分——測(cè)試方法。對(duì)于每一種需要評(píng)估的性能參數(shù)，《GB/T 42744-2023》都給出了具體的測(cè)量步驟、所用儀器設(shè)備及數(shù)據(jù)處理方式。例如，在測(cè)量插入損耗時(shí)，會(huì)指導(dǎo)如何連接矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀，并通過(guò)校準(zhǔn)后對(duì)被測(cè)器件進(jìn)行掃描以獲取準(zhǔn)確的S參數(shù)；而在測(cè)定電壓駐波比時(shí)，則介紹了使用阻抗分析儀或反射計(jì)來(lái)完成任務(wù)的方法。

此外，還特別強(qiáng)調(diào)了安全注意事項(xiàng)，在操作過(guò)程中需遵守的相關(guān)規(guī)定，避免因不當(dāng)使用導(dǎo)致人身傷害或設(shè)備損壞。

最后，附錄部分提供了參考信息，可能包含典型應(yīng)用案例、常見(jiàn)問(wèn)題解答或是推薦的最佳實(shí)踐指南等內(nèi)容，幫助使用者更好地理解和應(yīng)用本標(biāo)準(zhǔn)。


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....

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  • 正在執(zhí)行有效
  • 2023-08-06 頒布
  • 2024-03-01 實(shí)施
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文檔簡(jiǎn)介

ICS31200

CCSL.56

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T42744—2023

微波電路

電調(diào)衰減器測(cè)試方法

Microwavecircuit—

Measuringmethodsforelectricallycontrolledattenuator

2023-08-06發(fā)布2024-03-01實(shí)施

國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T42744—2023

目次

前言

…………………………Ⅲ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語(yǔ)和定義

3………………1

一般要求

4…………………3

測(cè)試環(huán)境

4.1……………3

測(cè)試儀器

4.2……………3

注意事項(xiàng)

4.3……………4

詳細(xì)要求

5…………………4

插入損耗L

5.1(ins)………………………4

帶內(nèi)波動(dòng)L

5.2(Δ0)……………………5

衰減量A

5.3(att)…………………………5

衰減平坦度A

5.4(Δ)……………………6

衰減范圍A

5.5(ran)………………………7

衰減溫度穩(wěn)定性A衰減溫度系數(shù)αA

5.6(tem)、()………7

衰減精度A

5.7(aur)………………………8

幅度一致性An

5.8(Δ0)…………………9

相位一致性φn

5.9(Δ0)…………………10

輸入輸出駐波比

5.10、(VSWRin、VSWRout)…………10

n壓縮輸入功率Pn

5.11dB(i(dB))………………………11

交調(diào)失真雙頻PnP

5.12()(/1)………………………13

n階交調(diào)點(diǎn)輸入功率n

5.13(IIP)………………………14

附加相移

5.14(Phrlv)…………………14

開(kāi)啟時(shí)間t關(guān)斷時(shí)間t上升時(shí)間t下降時(shí)間t

5.15(on)、(off)、(rise)、(fall)………………15

最大承受功率P

5.16(max)……………16

Ⅰ

GB/T42744—2023

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專利的責(zé)任

。。

本文件由中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部提出

。

本文件由全國(guó)半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口

(SAC/TC78)。

本文件起草單位成都亞光電子股份有限公司安徽明洋電子有限公司安徽省中智科標(biāo)準(zhǔn)化研究

:、、

院有限公司空軍裝備部駐成都地區(qū)軍事代表局中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院

、、。

本文件主要起草人隆慧楊曉瑜劉影影陳敏湯朔周俊孟澤何亞平范富宏劉峋王昊付江蔚

:、、、、、、、、、、、、

侯林

。

Ⅲ

GB/T42744—2023

微波電路

電調(diào)衰減器測(cè)試方法

1范圍

本文件描述了微波電路類的電調(diào)衰減器主要電參數(shù)的測(cè)試方法

。

本文件適用于單片和混合集成的微波電調(diào)衰減器以下簡(jiǎn)稱衰減器的相關(guān)電參數(shù)測(cè)試

()。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過(guò)文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路第部分總則

GB/T17573—19981:

3術(shù)語(yǔ)和定義

下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

。

31

.

插入損耗insertionloss

L

ins

在衰減器線性工作區(qū)參考狀態(tài)下入射功率與輸出功率之比

,。

32

.

帶內(nèi)波動(dòng)passbandripple

L

Δ0

在不同頻點(diǎn)下參考狀態(tài)插入損耗以分貝為單位的最大變化量

,(dB)

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