半導(dǎo)體存儲(chǔ)行業(yè)市場(chǎng)分析4

半導(dǎo)體存儲(chǔ)行業(yè)市場(chǎng)分析1產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇愈演愈烈1.1全球半導(dǎo)體市場(chǎng)逐步回暖全球半導(dǎo)體銷(xiāo)售額連續(xù)四個(gè)月環(huán)比向上。根據(jù)美國(guó)半導(dǎo)體工業(yè)協(xié)會(huì)（SIA）數(shù)據(jù)，2023Q2全球半導(dǎo)體銷(xiāo)售額共計(jì)約1245億美金，相較于2022Q2同比下降17.3%，相較于2023Q1環(huán)比增長(zhǎng)4.7%。其中2023年6月全球半導(dǎo)體銷(xiāo)售額約415億美金，相較于5月407億美金環(huán)比增長(zhǎng)約1.9%，同時(shí)根據(jù)SIA統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)我們發(fā)現(xiàn)：自2023年3月起，全球半導(dǎo)體銷(xiāo)售額環(huán)比連續(xù)4個(gè)月為正，且環(huán)比增長(zhǎng)幅度也由3月0.3%提升至6月1.9%。我們認(rèn)為，通過(guò)目前數(shù)據(jù)反映出自2023年二季度起全球半導(dǎo)體行情開(kāi)始呈現(xiàn)復(fù)蘇態(tài)勢(shì)，且整體復(fù)蘇呈現(xiàn)出逐步加速態(tài)勢(shì)，后續(xù)伴隨下游需求市場(chǎng)回暖以及部分半導(dǎo)體企業(yè)去庫(kù)存進(jìn)入尾聲，全球半導(dǎo)體行業(yè)或?qū)⒀永m(xù)加速?gòu)?fù)蘇態(tài)勢(shì)。中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)回暖速度快于全球。中國(guó)市場(chǎng)方面，根據(jù)SIA數(shù)據(jù)，中國(guó)市場(chǎng)2023Q2半導(dǎo)體銷(xiāo)售額約356億美金，同比下降約28.4%，環(huán)比提升5.6%。其中2023年6月，中國(guó)半導(dǎo)體銷(xiāo)售額約123億美金，同比下降24.4%，環(huán)比提升3.2%。對(duì)比同機(jī)構(gòu)測(cè)算的全球數(shù)據(jù)，2023Q2中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)銷(xiāo)售額環(huán)比增速5.6%高于全球環(huán)比增速4.7%，截止2023年6月中國(guó)半導(dǎo)體銷(xiāo)售額連續(xù)4個(gè)月環(huán)比為正，且環(huán)比增速均高于全球市場(chǎng)。我們認(rèn)為相較于全球而言，中國(guó)市場(chǎng)下游新興領(lǐng)域發(fā)展較快以及部分需求表現(xiàn)亮眼，未來(lái)中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)有望延續(xù)加速回暖態(tài)勢(shì)。2022年全球半導(dǎo)體硅片出貨面積及營(yíng)收續(xù)創(chuàng)新高，2023Q2數(shù)據(jù)有所回暖。根據(jù)SEMI統(tǒng)計(jì)，2022年全球半導(dǎo)體硅片出貨面積達(dá)到147.13億平方英寸，總營(yíng)收為138億美元，均創(chuàng)新高，分別同比增長(zhǎng)3.9%、9.5%。細(xì)分來(lái)看，全球硅片出貨面積已經(jīng)從2012年的90.31億平方英寸增長(zhǎng)至2022年的147.13億平方英寸，CAGR達(dá)到5.0%，同比增速僅在2019年有小幅下滑；硅片營(yíng)收規(guī)模也從2012年的87億美元提升至2022年的138億美元，CAGR達(dá)到4.7%。此外，硅片ASP也在2022年提高至0.94美元/平方英寸。SEMI最新數(shù)據(jù)顯示，2023Q2的全球半導(dǎo)體硅片出貨面積達(dá)到33.31億平方英寸，雖然同比仍有10.1%的回落，但環(huán)比增速已轉(zhuǎn)正至2.0%。SEMI表示，在汽車(chē)、工業(yè)、物聯(lián)網(wǎng)以及5G建設(shè)等領(lǐng)域?qū)Π雽?dǎo)體器件強(qiáng)勁需求的驅(qū)動(dòng)下，全球8英寸及12英寸硅片需求同步增長(zhǎng)，我們認(rèn)為AI引領(lǐng)的新一輪半導(dǎo)體上行周期將在未來(lái)幾年持續(xù)驅(qū)動(dòng)硅片需求的增長(zhǎng)。中國(guó)臺(tái)灣8寸及12寸硅片月度進(jìn)口數(shù)據(jù)環(huán)比改善明顯。中國(guó)臺(tái)灣作為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要基地，其硅片進(jìn)口數(shù)據(jù)同樣值得關(guān)注。根據(jù)中國(guó)臺(tái)灣海關(guān)公開(kāi)數(shù)據(jù)，其8寸硅片在2023年7月的最新進(jìn)口數(shù)量達(dá)到106.46萬(wàn)片，環(huán)比增長(zhǎng)9.7%，扭轉(zhuǎn)了今年3月以來(lái)連續(xù)4個(gè)月環(huán)比下滑的趨勢(shì)，進(jìn)口金額也達(dá)到4563萬(wàn)美元，環(huán)比增長(zhǎng)8.0%；12寸方面，2023年7月進(jìn)口數(shù)量達(dá)到245.07萬(wàn)片，環(huán)比大幅增長(zhǎng)17.7%，進(jìn)口金額約2億美元，環(huán)比增速也達(dá)到11.1%。我們看到，中國(guó)臺(tái)灣8寸和12寸硅片的月度進(jìn)口數(shù)據(jù)明顯回暖，表明半導(dǎo)體行業(yè)景氣度正在復(fù)蘇。1.2核心半導(dǎo)體企業(yè)業(yè)績(jī)環(huán)比改善，回購(gòu)潮彰顯信心全球核心半導(dǎo)體企業(yè)業(yè)績(jī)環(huán)比向好。根據(jù)SemiconductorIntelligence的數(shù)據(jù)，在對(duì)終端用戶(hù)銷(xiāo)售產(chǎn)品的全球前15大半導(dǎo)體企業(yè)中2023Q2僅出現(xiàn)2家環(huán)比下滑（高通環(huán)比下滑10%,英飛凌環(huán)比下滑0.7%），同時(shí)根據(jù)最新指引情況，2023年三季度該趨勢(shì)或?qū)⒌玫窖永m(xù)，截止目前15家企業(yè)中9家企業(yè)2023Q3收入將呈現(xiàn)環(huán)比向上，環(huán)比增幅由0.4%到6.4%不等。我們認(rèn)為，目前多數(shù)全球半導(dǎo)體公司呈現(xiàn)業(yè)績(jī)逐漸向好態(tài)勢(shì)，未來(lái)伴隨去庫(kù)存進(jìn)入尾聲以及下游需求回暖，半導(dǎo)體市場(chǎng)有望延續(xù)環(huán)比向好態(tài)勢(shì)。國(guó)內(nèi)眾多上市公司大手筆推進(jìn)股票回購(gòu)，彰顯長(zhǎng)期發(fā)展信心。市場(chǎng)方面，我們注意到自年初以來(lái)，SW電子板塊中已有63家公司處于股票回購(gòu)的進(jìn)程中，其主要目的基本都是用于實(shí)施股權(quán)激勵(lì)或者員工持股計(jì)劃。具體來(lái)看，其中韋爾股份在今年2月3號(hào)和8月18號(hào)兩次發(fā)表公告，分別預(yù)計(jì)回購(gòu)706萬(wàn)股和1000萬(wàn)股，占總股本比例分別為0.6%、0.85%，其中2月的回購(gòu)進(jìn)度已達(dá)到48.7%，8月的回購(gòu)進(jìn)度也來(lái)到13.6%，預(yù)計(jì)花費(fèi)5至10億元的回購(gòu)資金。此外，紫光國(guó)微在6月也公告預(yù)計(jì)回購(gòu)462萬(wàn)股，但最新的回購(gòu)數(shù)量已經(jīng)超過(guò)預(yù)計(jì)值來(lái)到528萬(wàn)股，已回購(gòu)金額約5億元，翱捷科技的已回購(gòu)金額也達(dá)到5.3億元。與此同時(shí)，TCL科技、寒武紀(jì)、鼎龍股份、納芯微等公司均在大手筆推進(jìn)回購(gòu)，我們認(rèn)為此舉充分彰顯了上市公司對(duì)于未來(lái)長(zhǎng)期發(fā)展的堅(jiān)定信心。1.3英偉達(dá)業(yè)績(jī)大超預(yù)期，AI需求持續(xù)強(qiáng)勁FY24Q2(CY23Q2)業(yè)績(jī)：收入135.1億美元，超出FY24Q2指引（107.8-112.2億美元），yoy+101%，qoq+88%，超出彭博一致預(yù)期（110.4億美元）；GAAP凈利潤(rùn)61.9億美元，yoy+843%，qoq+203%；Non-GAAP凈利潤(rùn)67.4億美元，yoy+422%，qoq+148%GAAP：每股攤薄收益2.48美元，yoy+854%，qoq+202%；毛利率70.1%，超出FY24Q2指引（68.1%-69.1%），yoy+26.6pcts，qoq+5.5pcts，與彭博一致預(yù)期持平；運(yùn)營(yíng)費(fèi)用26.6億美元，略低于FY24Q2指引運(yùn)營(yíng)費(fèi)用（27.1億美元），yoy+10%，qoq+6%。Non-GAAP：每股攤薄收益2.70美元，yoy+429%，qoq+148%；毛利率71.2%，超出FY24Q2指引（69.5%-70.5%），yoy+25.3pcts，qoq+4.4pts；運(yùn)營(yíng)費(fèi)用18.4億美元，低于FY24Q2指引運(yùn)營(yíng)費(fèi)用19.0億美元，yoy+5%，qoq+5%。FY24Q2(CY23Q2)分業(yè)務(wù)業(yè)績(jī)：數(shù)據(jù)中心：收入為103.2億美元，yoy+171%，qoq+141%，占比為76%，超出彭博一致預(yù)期（80億美元）；游戲：收入為24.9億美元，yoy+22%，qoq+11%，占比為18%，超出彭博一致預(yù)期（24億美元）；專(zhuān)業(yè)可視化：收入為3.79億美元，yoy-24%，qoq+28%，占比為2%，超出彭博一致預(yù)期（3億美元）；汽車(chē)與自動(dòng)駕駛：收入為2.53億美元，yoy+15%，qoq-15%，占比為2%，略低于彭博一致預(yù)期（3億美元）；OEM&其他：收入0.66億美元，yoy-53%,qoq-14%，占比為0.5%，低于彭博一致預(yù)期（1億美元）。分業(yè)務(wù)亮點(diǎn)：數(shù)據(jù)中心：1）英偉達(dá)宣布應(yīng)用于AI和HPC的NVIDIA?GH200Grace?Hopper?超級(jí)芯片于本季度出貨，采用HBM3e內(nèi)存的第二代版本于2024年第二季度出貨。2）推出NVIDIAL40SGPU，是一款通用數(shù)據(jù)中心處理器，旨在加速計(jì)算最密集的應(yīng)用程序。3）將于本季度推出NVIDIAMGX?，配合系統(tǒng)制造商高效地為AI、HPC等應(yīng)用程序構(gòu)建100多種服務(wù)器變體。4）宣布推出NVIDIASpectrum-X?，系網(wǎng)絡(luò)加速平臺(tái)，旨在提高基于以太網(wǎng)AI云的性能和效率。5）與全球系統(tǒng)制造商聯(lián)合推出全新NVIDIARTX?工作站。6）與AmazonWebServices、MicrosoftAzure和區(qū)域云服務(wù)供應(yīng)商共同推出基于NVIDIAH100TensorCoreGPU的云實(shí)例。7）發(fā)布NVIDIAAIWorkbench，為一種工具包，供開(kāi)發(fā)人員在PC或工作站上快速創(chuàng)建、測(cè)試和預(yù)訓(xùn)練的生成式AI模型。游戲：1）開(kāi)始發(fā)售GeForceRTX?4060系列GPU，起售價(jià)299美元。2）宣布推出適用于游戲的NVIDIAAvatarCloudEngine（ACE），這是一項(xiàng)定制AI模型鑄造服務(wù)，使用AI驅(qū)動(dòng)的自然語(yǔ)言交互，通過(guò)為非可玩角色賦予人工智能來(lái)定制化游戲體驗(yàn)。3）添加了35款DLSS游戲，包括《DiabloIV》、《Ratchet&Clank：RiftApart》、《Baldur'sGate3》和《F123》，以及《Portal:PreludeRTX》。專(zhuān)業(yè)可視化：1）推出三款基于AdaLovelace架構(gòu)的全新桌面工作站RTXGPU（NVIDIARTX5000、RTX4500和RTX4000），以提供最新的AI、圖形和實(shí)時(shí)渲染功能，這些產(chǎn)品將于本季度出貨2）發(fā)布NVIDIAOmniverse平臺(tái)的重要版本，為開(kāi)發(fā)人員和工業(yè)企業(yè)提供新的基礎(chǔ)應(yīng)用程序和服務(wù)3）與Pixar、Adobe、Apple和Autodesk聯(lián)合組建OpenUSD聯(lián)盟，以促進(jìn)通用場(chǎng)景描述技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)化、開(kāi)發(fā)、演進(jìn)。汽車(chē)與自動(dòng)駕駛：1）宣布NVIDIADRIVEOrin?為新款小鵬G6CoupeSUV的智能高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)提供動(dòng)力2）與聯(lián)發(fā)科合作，為全球OEM廠商開(kāi)發(fā)主流汽車(chē)芯片系統(tǒng)，該系統(tǒng)集成了用于AI和圖形的全新NVIDIAGPU芯片IP。FY24Q3(CY23Q3)業(yè)績(jī)指引：收入指引區(qū)間為（156.8-163.2億美元），中值160億美元，yoy+171.2%，qoq+45.5%。GAAP毛利率指引區(qū)間為（71.0%-72.0%）；Non-GAAP毛利率指引區(qū)間為（72.0%-73.0%）。GAAP運(yùn)營(yíng)費(fèi)用預(yù)計(jì)約為29.5億美元；Non-GAAP運(yùn)營(yíng)費(fèi)用預(yù)計(jì)約為20.0億美元。GAAP和Non-GAAP稅率指引區(qū)間為（13.5%-15.5%），見(jiàn)證萬(wàn)億芯片公司，回顧英偉達(dá)近三年發(fā)展歷程：2020：供應(yīng)鏈中斷，居家游戲需求提升。進(jìn)入2020年，全球供應(yīng)鏈中斷、產(chǎn)線(xiàn)停止等不可預(yù)測(cè)事件對(duì)英偉達(dá)造成了重大影響，導(dǎo)致2020年一季度公司收入和利潤(rùn)同比出現(xiàn)負(fù)增長(zhǎng)。隨后，在2020年9月，英偉達(dá)首次宣布擬以400億美元收購(gòu)Arm，這將成為該公司歷史上規(guī)模最大的收購(gòu)交易。2021：全球半導(dǎo)體短缺，擁抱元宇宙。進(jìn)入2021年，全球半導(dǎo)體行業(yè)出現(xiàn)短缺狀態(tài)，但英偉達(dá)的業(yè)績(jī)表現(xiàn)強(qiáng)勁。同時(shí)，他們發(fā)布了Omniverse平臺(tái)以迎接元宇宙的挑戰(zhàn)，這使得公司股價(jià)出現(xiàn)顯著增長(zhǎng)。2022：加密貨幣需求下滑，游戲業(yè)務(wù)去庫(kù)存。然而，進(jìn)入2022年，加密貨幣價(jià)格暴跌導(dǎo)致相關(guān)GPU需求幾乎消失，同時(shí)公司的主要游戲業(yè)務(wù)需求未達(dá)預(yù)期，庫(kù)存去化帶來(lái)的毛利率和業(yè)績(jī)雙雙下滑，公司股價(jià)出現(xiàn)回落。2023：AI需求締造萬(wàn)億神話(huà)。2023年初，基于OpenAI發(fā)布的GPT-3.5架構(gòu)的大型語(yǔ)言模型引起了廣泛關(guān)注，人工智能領(lǐng)域獲得了廣泛關(guān)注。由于大型模型整體發(fā)展趨勢(shì)，GPU產(chǎn)品的強(qiáng)大計(jì)算能力備受矚目，這使得英偉達(dá)公司有望在人工智能發(fā)展中獲得深遠(yuǎn)影響，公司股價(jià)也出現(xiàn)了明顯的增長(zhǎng)。2023年5月，英偉達(dá)發(fā)布2023年一季報(bào)，其中服務(wù)器相關(guān)業(yè)務(wù)表現(xiàn)旺盛，英偉達(dá)成為全球首家突破一萬(wàn)億美金市值的芯片公司。在隨后2023年8月公布的2023半年報(bào)中，英偉達(dá)業(yè)績(jī)?cè)俪A(yù)期，2023Q2單季度營(yíng)業(yè)收入實(shí)現(xiàn)135.1億美金，超出上季度指引（107.8~112.2億美金），單季度毛利率達(dá)到70.1%，超出上季度指引（69.5%~70.5%）。2存儲(chǔ)：減產(chǎn)&控價(jià)成效顯現(xiàn)，NandFlash價(jià)格上漲趨勢(shì)持續(xù)鞏固2.1本周存儲(chǔ)價(jià)格行情NandFlash：大宗商品高容量?jī)r(jià)格持續(xù)上揚(yáng)，中低容量穩(wěn)中有升。大宗商品以TLC為例，低容量3DTLC（256GB）現(xiàn)貨均價(jià)自6月初（6.1）以來(lái)維持相對(duì)穩(wěn)定，本周現(xiàn)貨均價(jià)維持2.10美元不變，中等容量3DTLC（512GB）現(xiàn)貨均價(jià)自7月初（7.3）以來(lái)微幅上漲0.43%，本周現(xiàn)貨均價(jià)維持4.43美元。高容量3DTLC（1TB）現(xiàn)貨均價(jià)自7月初（7.7）以來(lái)漲幅1.98%，本周（8.14-8.18）收盤(pán)現(xiàn)貨均價(jià)10.30美元，較上周收盤(pán)同比增加0.1美元，漲幅0.48%。NandFlash：利基低容量產(chǎn)品價(jià)格跌幅仍在，高容量產(chǎn)品跌幅相對(duì)少。利基產(chǎn)品以SLCNand為例，本周各容量現(xiàn)貨均價(jià)小幅下跌，其中4Gb產(chǎn)品跌幅較為明顯，較上周下跌0.01美元，跌幅1.10%；16Gb產(chǎn)品收盤(pán)價(jià)7.49美元，較上周持平。自7月初（7.3）以來(lái)SLCNand1GB/2GB/4GB/8GB/16GB的價(jià)格跌幅依次為5.0%/4.5%/3.6%/2.5%/1.2%，大容量SLCNand產(chǎn)品價(jià)格相對(duì)更加穩(wěn)定。SSD品牌渠道跟蹤較價(jià)格微跌，減產(chǎn)加控價(jià)成效將現(xiàn)。從近半個(gè)月跟蹤產(chǎn)品的漲跌幅來(lái)看，多數(shù)產(chǎn)品價(jià)格相對(duì)穩(wěn)定，三星高容量PCIE3.0:970EVO+:1024GB:M.2產(chǎn)品跌幅相對(duì)較多，達(dá)6.6%。其他產(chǎn)品近半個(gè)月跌幅均控制在4%以?xún)?nèi)。部分SSD產(chǎn)品價(jià)格已有反彈，其中金士頓SATA3:A400:240GB:2.5inch產(chǎn)品近半月漲幅3.6%。我們預(yù)計(jì)隨著原廠持續(xù)減產(chǎn)以及模組廠陸續(xù)限價(jià)，SSD產(chǎn)品價(jià)格下跌動(dòng)能已近枯竭。而隨著2023Q3筆電等產(chǎn)品的需求復(fù)蘇疊加渠道庫(kù)存的持續(xù)去化，SSD產(chǎn)品價(jià)格有望陸續(xù)迎來(lái)反彈。eMMC及UFS產(chǎn)品價(jià)格早已穩(wěn)定，高容量eMMC本周價(jià)格已有上漲。eMMC本周低容量（8Gb、16Gb、32Gb）產(chǎn)品價(jià)格維持不變，中高容量產(chǎn)品中，64Gb及128Gb本周價(jià)格均有0.05美元的上漲。UFS跟蹤產(chǎn)品自2023年6月20日起價(jià)格均已穩(wěn)定，其中128Gb產(chǎn)品價(jià)格為4.70美元，256Gb產(chǎn)品價(jià)格為9.0美元。2023H2新機(jī)陸續(xù)發(fā)布有望帶動(dòng)UFS4.0進(jìn)一步滲透，UFS產(chǎn)品行情上漲可期。DRAM：利基產(chǎn)品價(jià)格已穩(wěn)定，高容量產(chǎn)品跌幅已收斂，內(nèi)存條部分產(chǎn)品價(jià)格急升。DDR顆粒本周（8.14-8.18）現(xiàn)貨漲跌不一，其中DDR34Gb512Mx8eTT產(chǎn)品漲幅靠前，較上周收盤(pán)均價(jià)漲幅0.8%；DDR516G(2Gx8)4800/5600產(chǎn)品跌幅靠前，較上周收盤(pán)價(jià)跌幅2.6%。內(nèi)存條產(chǎn)品價(jià)格漲勢(shì)已現(xiàn)，其中金士頓DDR48GB3200型號(hào)產(chǎn)品現(xiàn)貨均價(jià)較上周收盤(pán)均價(jià)上漲6美元，漲幅達(dá)5.8%。我們認(rèn)為內(nèi)存條價(jià)格上漲的主要原因在于模組廠商提高報(bào)價(jià)以及市場(chǎng)低價(jià)庫(kù)存已盡枯竭，部分產(chǎn)品急單導(dǎo)致的價(jià)格上漲。DDR3：現(xiàn)貨價(jià)格已企穩(wěn)，合約價(jià)格跌幅明顯收斂。利基產(chǎn)品以DDR34GB為例，現(xiàn)貨均價(jià)自8月初（8.1）以來(lái)基本維持不變，其中DDR34Gb512Mx81600MHz價(jià)格維持0.97美元不變，DDR34Gb512Mx8eTT及256Mx161600/1866較月初有0.01美元的下跌。合約均價(jià)以DDR3/4GB/256Mx16產(chǎn)品為例，2023年1-6月份跌幅分別為10.97%/5.80%/7.69%/7.50%/2.70%/2.78%，跌幅已明顯收斂。DDR4中低容量產(chǎn)品現(xiàn)價(jià)跌幅已收斂，高容量產(chǎn)品現(xiàn)價(jià)仍有下跌。（1）高容量DDR4產(chǎn)品現(xiàn)價(jià)本周均有不同程度的跌幅，以DDR416GB（2GB×8）2666Mbps產(chǎn)品為例，8月18日較8月14日下跌0.05美元，周內(nèi)跌幅達(dá)1.7%，較月初（8.1）下跌0.09美元，跌幅2.87%。合約價(jià)DDR顆粒和內(nèi)存條自4月份顯著下跌之后，5月和6月跌幅已顯著收斂。以DDR416Gb2Gbx8產(chǎn)品為例，合約均價(jià)4-6月跌幅分別為19.20%/3.30%/2.73%。（2）中低容量DDR4產(chǎn)品現(xiàn)價(jià)已基本企穩(wěn)，以8Gb(1Gx8)2666Mbps產(chǎn)品為例，本周收盤(pán)價(jià)1.46美元較上周收盤(pán)價(jià)持平，較月初（8.1）下跌0.01美元，跌幅0.75%。合約均價(jià)DDR顆粒和內(nèi)存條自4月份顯著下跌之后，5月和6月跌幅已顯著收斂。以DDR48Gb1Gbx8產(chǎn)品為例，合約均價(jià)4-6月跌幅分別為19.89%/3.45%/2.86%。DDR4中低容量產(chǎn)品現(xiàn)價(jià)已基本企穩(wěn)。DDR5價(jià)格將隨著原廠產(chǎn)能縮減及低價(jià)DDR4庫(kù)存清理逐步企穩(wěn)回升。DDR516GB現(xiàn)貨均價(jià)本周同樣延續(xù)下跌，以DDR516G(2Gx8)4800/5600產(chǎn)品為例，本周收盤(pán)價(jià)較上周收盤(pán)下跌0.07美元，跌幅2.61%。近3個(gè)月現(xiàn)貨均價(jià)下跌0.37美元，跌幅8.64%。合約價(jià)DDR5內(nèi)存條自4月份顯著下跌之后，5月和6月跌幅已顯著收斂，以DDR58GBU-DIMM內(nèi)存條為例，合約均價(jià)4-6月跌幅分別為17.60%/2.94%/2.24%。由于2023年北美大型云服務(wù)商削減資本開(kāi)支，以及國(guó)內(nèi)運(yùn)營(yíng)商招標(biāo)延期并下調(diào)數(shù)量，導(dǎo)致今年服務(wù)器需求不達(dá)預(yù)期，DRAM減產(chǎn)并未完全緩解價(jià)格壓力，部分現(xiàn)貨DDR顆粒供應(yīng)過(guò)剩，也導(dǎo)致部分DDR顆粒和內(nèi)存條報(bào)價(jià)的小幅下調(diào)。隨著原廠不斷收縮產(chǎn)能以及部分低價(jià)DDR4庫(kù)存消耗殆盡，DDR5產(chǎn)品后續(xù)價(jià)格將逐步企穩(wěn)。部分GDDR產(chǎn)品價(jià)格率先上漲，LPDDR價(jià)格已企穩(wěn)，2023Q3上漲可期。GDDR本周價(jià)格漲跌不一，其中GDDR58Gb現(xiàn)貨均價(jià)較上周微漲0.03美元，本周GDDR68Gb和16Gb分別下跌0.01美元/0.01美元。從近3個(gè)月現(xiàn)貨均價(jià)來(lái)看，以GDDR58Gb為例，現(xiàn)貨均價(jià)上漲0.33美元，漲幅達(dá)10.77%。LPDDR產(chǎn)品自7月多數(shù)產(chǎn)品現(xiàn)貨均價(jià)已穩(wěn)定不變，從跟蹤產(chǎn)品的數(shù)據(jù)來(lái)看，LPDDR4X32Gb本周與上周持平為6.10美元。部分品牌內(nèi)存條部分產(chǎn)品價(jià)格持續(xù)回升，服務(wù)器市場(chǎng)傳統(tǒng)產(chǎn)品仍舊低迷。本周內(nèi)存條產(chǎn)品價(jià)格漲跌不一，但從跟蹤產(chǎn)品來(lái)看，部分產(chǎn)品延續(xù)價(jià)格急漲態(tài)勢(shì)。其中金士頓DDR48GB3200產(chǎn)品較上周（8.11）收盤(pán)價(jià)上漲5.8%，自八月初(8.1)低點(diǎn)價(jià)格103元已上漲6.8%。金士頓DDR416GB3200產(chǎn)品亦有2.1%的價(jià)格上漲。自八月初(8.1)低點(diǎn)價(jià)格192元已上漲3.13%。服務(wù)器市場(chǎng)內(nèi)存條價(jià)格持續(xù)低迷，8月7日收盤(pán)價(jià)較7月31日下跌0.8美元，跌幅2.17%，較2022年同期下跌35美元,跌幅達(dá)49.3%。2.2本周存儲(chǔ)行業(yè)動(dòng)態(tài)臺(tái)灣省存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)2023Q2環(huán)比顯著改善。臺(tái)灣省存儲(chǔ)進(jìn)出口值2023Q2環(huán)比提升明顯，其中7月份臺(tái)灣省DRAM出口額322.93億新臺(tái)幣，創(chuàng)2023年新高，環(huán)比+12.85%。從產(chǎn)值角度來(lái)看2023Q2臺(tái)灣省存儲(chǔ)器制造產(chǎn)值達(dá)428億元，環(huán)比+5.40%，實(shí)現(xiàn)自2021Q4以來(lái)的首次正增長(zhǎng)；同比-37.30%，跌幅較2023Q1明顯收窄。原廠減產(chǎn)配合控價(jià)，2023H2NandFlash拐點(diǎn)已至。根據(jù)閃存市場(chǎng)，近期各大原廠NANDFlashwafer全面報(bào)漲，部分wafer官價(jià)上揚(yáng)10%。一方面，由于存儲(chǔ)原廠虧損仍嚴(yán)重，三星電子、SK海力士及美光均釋出繼續(xù)擴(kuò)大減產(chǎn)的規(guī)劃，其中三星自2023Q3起，已停止向華城16產(chǎn)線(xiàn)供應(yīng)NAND晶圓，平澤和西安工廠也將降低平均晶圓投入量，預(yù)計(jì)從每月投入22萬(wàn)~23萬(wàn)片晶圓降低至20萬(wàn)片，為兩年多來(lái)最低水準(zhǔn)。另一方面，根據(jù)臺(tái)灣省《工商時(shí)報(bào)》，三星已暫停存儲(chǔ)第六代V-NAND成熟制程報(bào)價(jià)，低于1.6美元全面停止出貨。同時(shí)國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)模組大廠近日向客戶(hù)宣布暫停低價(jià)接單。全球模組領(lǐng)先廠商金士頓也表示由于價(jià)格便宜，從8月起拒絕客戶(hù)降價(jià)，并且會(huì)重建部分NAND庫(kù)存。供給端的加速收縮以及限制低價(jià)供應(yīng)進(jìn)一步鞏固N(yùn)ANDFlashWafer價(jià)格的上漲趨勢(shì)。我們預(yù)計(jì)隨著2023H2國(guó)內(nèi)手機(jī)品牌開(kāi)始陸續(xù)推出新品、PC需求復(fù)蘇以及iPhone15即將發(fā)布，原廠出貨壓力將逐步緩解，NANDFlash調(diào)整周期尾聲將至。三星計(jì)劃在300+層NAND上采用雙層堆棧（double-stack）技術(shù)，以追求成本優(yōu)勢(shì)。根據(jù)閃存市場(chǎng)，三星預(yù)計(jì)2024年量產(chǎn)堆疊300層以上、第九代3DNand。三星從第七代176層3DNand開(kāi)始采用雙層堆棧技術(shù)。雙層堆棧架構(gòu)指在300mm晶圓上生產(chǎn)一個(gè)3DNand堆棧，然后在第一個(gè)堆棧的基礎(chǔ)上建立另一個(gè)堆棧。三星即將生產(chǎn)的超300層第9代V-Nand將提高單片晶圓上生產(chǎn)的存儲(chǔ)密度，有利于降低固態(tài)硬盤(pán)成本。在2022年10月舉行的“2022三星科技日”上，三星提出Nand層數(shù)長(zhǎng)期規(guī)劃：2030年將Nand層數(shù)提升至1000層。此前，SK海力士宣布計(jì)劃2025年量產(chǎn)堆疊321層3DNand，SK海力士預(yù)計(jì)采用三層堆棧（triple-stack），即分別制造堆疊120層、110層及91層的3DNand，再組合成單顆芯片。三次堆棧方案將增加生產(chǎn)步驟和原材料的用量，目的在于最大限度提高產(chǎn)量。SK海力士已供貨24GBLPDDR5X。根據(jù)閃存市場(chǎng)，SK海力士宣布已向客戶(hù)提供應(yīng)用于智能手機(jī)等移動(dòng)產(chǎn)品的高性能DRAMLPDDR5X24GB產(chǎn)品。公司于2022年11月成功量產(chǎn)LPDDR5X，此次首次開(kāi)發(fā)出容量提升至24GB的移動(dòng)DRAM封裝，并開(kāi)始供貨于一加Ace2Pro智能手機(jī)。SK海力士將HKMG(High-KMetalGate)工藝引入LPDDR5X24GB封裝產(chǎn)品中，可同時(shí)提供業(yè)界最高水平的能效和性能。英飛凌擴(kuò)展F-RAM存儲(chǔ)產(chǎn)品，瞄準(zhǔn)汽車(chē)EDR市場(chǎng)。英飛凌進(jìn)一步擴(kuò)展EXCELONF-RAM存儲(chǔ)產(chǎn)品，推出兩款分別具有1Mbit和4Mbit儲(chǔ)存容量的新型F-RAM存儲(chǔ)。全新1MbitEXCELONF-RAM是業(yè)界首款車(chē)規(guī)級(jí)串列F-RAM存儲(chǔ)。兩款新品均具有快速且高可靠的讀寫(xiě)性能，在SPI模式和QuadSPI（QSPI）模式下的讀寫(xiě)性能分別達(dá)50MHz和108MHz。該產(chǎn)品同時(shí)具備超低功耗特性，工作電壓范圍為1.8V至3.6V，并采用標(biāo)準(zhǔn)的8引腳SOIC封裝。除了耐用性出色之外，英飛凌F-RAM產(chǎn)品還可在斷電后保存數(shù)據(jù)超過(guò)100年。3封測(cè)：環(huán)比改善，先進(jìn)封裝貢獻(xiàn)動(dòng)能3.1板塊景氣度逐季回升臺(tái)股封測(cè)板塊月度營(yíng)收連續(xù)3月環(huán)比改善。我們選取了臺(tái)股封測(cè)板塊的日月光、頎邦科技、京元電子、南茂科技等10家公司，2023年7月板塊總營(yíng)收666.05億新臺(tái)幣，MoM+3.2%。2023年5-6月?tīng)I(yíng)收環(huán)比為+5.8%，+1.5%，已經(jīng)連續(xù)三個(gè)月環(huán)比改善，封測(cè)板塊底部有望確立，率先迎來(lái)復(fù)蘇。三季度有望逐季回升，毛利率持續(xù)改善。我們梳理了四家臺(tái)股封測(cè)廠的23Q2經(jīng)營(yíng)情況及法說(shuō)會(huì)交流，四家公司23Q2營(yíng)收和毛利率均有環(huán)比改善。展望三季度，日月光、南茂和力成預(yù)計(jì)營(yíng)收仍有望逐季回升。封測(cè)作為重資產(chǎn)的公司，隨著稼動(dòng)率的回升，毛利率也將持續(xù)改善。3.2先進(jìn)封裝市場(chǎng)高速成長(zhǎng)先進(jìn)封測(cè)市場(chǎng)占比迅速增加。先進(jìn)封裝市場(chǎng)規(guī)模將從2021年的321億美元增長(zhǎng)到2027年的572億美元，CAGR達(dá)10.11%。根據(jù)市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)Yole，2022年先進(jìn)封裝占全球封裝市場(chǎng)的份額約為47.20%，預(yù)計(jì)2025年占比將接近于50%。中國(guó)市場(chǎng)中先進(jìn)封裝占比低于全球水平，2022年為38%，自2014年以來(lái)與全球市場(chǎng)的差距正在逐步縮小。倒裝為目前主流，2.5D/3D封裝高速增長(zhǎng)。2021年FCBGA和FCCSP占比分別為33.69%和19.76%，合計(jì)占比超50%。其次為2.5D/3D封裝，2021年占比為20.57%，主要由臺(tái)積電供應(yīng)。在各封裝形式中，2.5D/3D封裝的增速最快，2021-2027年CAGR達(dá)14.34%，增量主要由AI、HPC、HBM等應(yīng)用驅(qū)動(dòng)。先進(jìn)封裝市場(chǎng)主要由HPC、網(wǎng)絡(luò)和消費(fèi)應(yīng)用驅(qū)動(dòng)。HPC和網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用的大部分增長(zhǎng)來(lái)自AI芯片、邊緣計(jì)算和網(wǎng)絡(luò)芯片，它們需要扇出型封裝以提供小尺寸和節(jié)約成本。2022年只有不到20%的數(shù)據(jù)中心使用2.5D封裝，但在2027年這一比例將有望超過(guò)50%。3D封裝將加速在HBM、CPU、GPU中的滲透。消費(fèi)電子應(yīng)用領(lǐng)域的重要客戶(hù)是蘋(píng)果，其應(yīng)用處理器、圖形芯片、5G/6G調(diào)制解調(diào)器芯片均使用扇出封裝。先進(jìn)封裝市場(chǎng)馬太效應(yīng)明顯。2021年ASE市占率居首，份額為26%。臺(tái)積電和安靠并列第二，長(zhǎng)電科技位列第四，市占率為10%。2021年CR5為76%，而2016年CR5為48%，5年間提升了28%，份額前五名中僅長(zhǎng)電和日月光仍位列其中。Fab/IDM廠和OSAT錯(cuò)位競(jìng)爭(zhēng)：Fab/IDM廠商涉足3D堆疊，OSAT主攻倒裝、扇出和晶圓級(jí)封裝。Fab/IDM廠基于前道制造優(yōu)勢(shì)和硅加工經(jīng)驗(yàn)，聚焦產(chǎn)品性能，多開(kāi)發(fā)基于Si-interposer的2.5D或3D封裝技術(shù)。從頭部廠商的封裝類(lèi)型來(lái)看，三星的3D堆疊產(chǎn)品最高，達(dá)67%，主要系其存儲(chǔ)產(chǎn)品占比較高所致。其次為臺(tái)積電，3D堆疊占比為46%；憑借其InFO在蘋(píng)果產(chǎn)品中的滲透，臺(tái)積電扇出型封裝占比也達(dá)到了33%。OSAT廠商則聚焦于載板技術(shù)，成本為先，產(chǎn)品結(jié)構(gòu)中倒裝仍是主力，F(xiàn)CBGA和FCCSP占比在ASE中為38%和29%，在安靠中為28%和33%，在長(zhǎng)電中為28%和31%。內(nèi)資封測(cè)企業(yè)中甬矽電子、通富微電先進(jìn)封裝占比領(lǐng)先。甬矽電子目前封裝技術(shù)以SiP為主，先進(jìn)封裝產(chǎn)品占比達(dá)100%。通富微電、長(zhǎng)電科技、華天科技技術(shù)布局最為廣泛，且均已具備2.5D/3D的技術(shù)儲(chǔ)備，未來(lái)先進(jìn)封裝占比有望繼續(xù)提升。凸點(diǎn)間距（BumpPitch）越小，封裝集成度越高，難度越大。從BumpPitch來(lái)看，臺(tái)積電3DFabric技術(shù)平臺(tái)下的3DSoIC、InFO、CoWoS均居于前列，其中3DSoIC的bumpPitch最小可達(dá)6um，居于所有封裝技術(shù)首位。BumpPitch間距最小的3DSoIC和FoverosDirect仍在研發(fā)中，尚未量產(chǎn)。目前已經(jīng)量產(chǎn)的封裝技術(shù)中，bumppitch最小的為臺(tái)積電的InFO_LSI。4臺(tái)積電CoWoS供不應(yīng)求，重視先進(jìn)封裝關(guān)鍵環(huán)節(jié)供應(yīng)鏈機(jī)遇為HPC而生，CoWoS成最主流封裝方案。臺(tái)積電的CoWoS平臺(tái)包含CoWoS-S/R/L，為高性能計(jì)算應(yīng)用提供最佳性能和最高集成密度，提供了廣泛的硅中介層尺寸、HBM數(shù)量和封裝尺寸。英偉達(dá)、博通、谷歌、亞馬遜、NEC、AMD、賽靈思、Habana等公司已廣泛采用CoWoS技術(shù)，2020年基于CoWoS-S的系統(tǒng)的總計(jì)算能力占所有500強(qiáng)系統(tǒng)總計(jì)算能力的50%以上。臺(tái)積電CoWoS產(chǎn)能緊缺，擴(kuò)產(chǎn)2X。HPC行業(yè)大趨勢(shì)的支撐下，計(jì)算需求的結(jié)構(gòu)性大幅增長(zhǎng)繼續(xù)推動(dòng)對(duì)性能和節(jié)能計(jì)算的更大需求。AI需要更高的計(jì)算能力和互連帶寬，推動(dòng)半導(dǎo)體含量增加。無(wú)論是使用CPU、GPU還是AI加速器和相關(guān)ASIC，對(duì)于機(jī)器學(xué)習(xí)的人工智能來(lái)說(shuō)，共同點(diǎn)是需要使用領(lǐng)先的技術(shù)和強(qiáng)大的代工設(shè)計(jì)生態(tài)系統(tǒng)。臺(tái)積電最新法說(shuō)會(huì)表示，服務(wù)器AI處理器需求目前約占公司總收入的6%，預(yù)計(jì)未來(lái)五年內(nèi)這一數(shù)字將以接近50%的速度增長(zhǎng)，占收入的百分比達(dá)到十幾個(gè)點(diǎn)。當(dāng)前先進(jìn)封裝產(chǎn)能供不應(yīng)求，公司預(yù)計(jì)CoWoS供需緊張持續(xù)至2024年底，CoWoS將擴(kuò)產(chǎn)至目前的兩倍。臺(tái)積電3DFabric技術(shù)平臺(tái)引領(lǐng)先進(jìn)封裝。臺(tái)積電于2011年開(kāi)始布局先進(jìn)封裝，目前其3DFabric包含前端SoIC技術(shù)和后端CoWoS、InFO封裝技術(shù)。SoIC的特點(diǎn)是在不使用后段集成中的凸塊情況下，將芯片堆疊在一起，與CoWoS和InFO技術(shù)相比，SoIC可以提供更高的封裝密度和更小的鍵合間隔。InFO使用polyamidefilm代替CoWoS中的硅中介層，因此成本和封裝高度相對(duì)CoWoS更低，主要用于移動(dòng)端，CoWoS則在AI/HPC等領(lǐng)域應(yīng)用更廣泛。CoWoS工藝流程分為前段CoW和后段oS工藝。CoW包括TSV、Siinterposer的制作，在裸芯（Die）上制備微凸點(diǎn)（ubump），其次進(jìn)行與晶圓的鍵合，并進(jìn)行晶圓級(jí)封裝。oS工藝包括減薄、臨時(shí)鍵合、植入C4、解鍵合、劃片，最后實(shí)現(xiàn)與載板之間的連接。CoWoS工藝結(jié)束后再進(jìn)行成品測(cè)試（FT）。目前CoW供應(yīng)商主要為臺(tái)積電，其次為聯(lián)電。oS工藝則臺(tái)積電、矽品、安靠、日月光皆可提供。CoWoS升級(jí)迭代，供不應(yīng)求。臺(tái)積電的CoWoS平臺(tái)涵蓋CoWoS-S、CoWoS-R和CoWoSL三種技術(shù)。旨在為高性能計(jì)算應(yīng)用提供卓越的性能和高集成密度，并且提供多種硅中介層尺寸、HBM數(shù)量以及封裝尺寸選擇。CoWoS-S采用硅中介層，為高性能計(jì)算應(yīng)用提供最佳性能和最高晶體管密度。CoWoS-R使用InFO技術(shù)，借助RDL中介層進(jìn)行互連，更專(zhuān)注于小芯片之間的連接。CoWoS-L則融合了CoWoS-S和InFO技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)，通過(guò)夾層與LSI（局部硅互連）芯片進(jìn)行互連，利用RDL層進(jìn)行電源和信號(hào)傳輸，提供了最靈活的集成方案。英偉達(dá)、博通、谷歌、亞馬遜、NEC、AMD、賽靈思等多家公司已廣泛采用CoWoS技術(shù)。十年5次迭代中介層尺寸不斷擴(kuò)展，6代今年量產(chǎn)在即。第一代CoWoS主要用于大型FPGA。CoWoS-1的內(nèi)插器裸片面積高達(dá)~800mm2，非常接近光罩極限。第二代CoWoS通過(guò)掩模拼接顯著增加了中介層尺寸。最初符合1200mm2要求的TSMC已將中介層尺寸增加到1,700mm2，這些大封裝被稱(chēng)為CoWoS-XL2。第五代CoWoS-S已經(jīng)可以支持HBM3，可以通過(guò)將中介層尺寸擴(kuò)展到3倍光罩(2500mm2)，在單個(gè)中介層上集成三個(gè)或更多邏輯芯片/小芯片和八個(gè)HBM。與上一代CoWoS相比，更大的尺寸與先進(jìn)的節(jié)點(diǎn)頂層裸片相結(jié)合，可以集成近20倍的晶體管和2倍的存儲(chǔ)器堆棧。預(yù)計(jì)第六代CoWoS-S將于2023年量產(chǎn)。CoWoS-R是利用InFO技術(shù)和RDL中介層，以實(shí)現(xiàn)小芯片之間的互連，特別是在HBM(高帶寬內(nèi)存)和SoC異構(gòu)集成中。CoWoS-R和CoWoS-S之間的主要區(qū)別在于硅中介層被有機(jī)中介層取代。CoWoS-R中的關(guān)鍵組件包括再分布層(RDL)和無(wú)TSV的垂直互連RDL中介層。RDL中介層包含多達(dá)6層銅線(xiàn)用于最小4um間(2um線(xiàn)寬/間距)的布線(xiàn)，以提供良好的信號(hào)和電氣性能。CoWoS-L作為CoWoS平臺(tái)中最新的芯片封裝技術(shù)，結(jié)合了CoWoS-S和InFO技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)，使用帶有LSI(本地硅互連)芯片的中介層提供最靈活的集成，用于dieto-die的芯片互聯(lián)，用于電源和信號(hào)傳輸?shù)男酒ミB和RDL層。該產(chǎn)品從具有1xSoC+4xHBM立方體的1.5X光罩中介層尺寸開(kāi)始，并將進(jìn)一步擴(kuò)展到更大尺寸以集成更多芯片。重視先進(jìn)封裝關(guān)鍵環(huán)節(jié)供應(yīng)鏈機(jī)遇。梳理先進(jìn)封裝工藝流程，我們看到RDL（Redistributedlayer，重布線(xiàn)層）、TSV（ThroughSiliconVia，硅通孔）、Bumping（凸點(diǎn)）和Wafer（晶圓）是先進(jìn)封裝重要的四個(gè)環(huán)節(jié)。RDL起到XY平面電氣延伸的作用，TSV起到Z軸電氣延伸的作用，Bumping起到界面互聯(lián)和應(yīng)力緩沖的作用，Wafer則是集成電路的載體以及RDL和TSV的介質(zhì)和載體。我們認(rèn)為圍繞這些環(huán)節(jié)的設(shè)備、材料供應(yīng)鏈有望受益先進(jìn)封裝市場(chǎng)增長(zhǎng)帶來(lái)的增量需求。4.1RDLRDL是晶圓級(jí)封裝中最為關(guān)鍵的技術(shù)。其在晶圓表面利用金屬層與介質(zhì)層形成相應(yīng)的金屬布線(xiàn)圖形，將原來(lái)設(shè)計(jì)的芯片線(xiàn)路焊盤(pán)重新布線(xiàn)到新的、間距更寬的位置，使芯片能適用于更有效的封裝互連形式。RDL通過(guò)改變線(xiàn)路I/O端口原有的設(shè)計(jì)，加大I/O端口間距，提供較大的凸塊焊接面積，同時(shí)減小基板與元器件間的應(yīng)力，提高元器件的可靠性。此外封裝工藝RDL可取代部分芯片線(xiàn)路，從而縮短芯片開(kāi)發(fā)時(shí)間。2.5D/3D封裝中RDL不可或缺。在2.5DIC集成中，以臺(tái)積電CoWoS-S為例，其在中間層上下都布有寬間距的RDL層，通過(guò)TIV（ThroughinterposerVia）進(jìn)行信號(hào)和電氣傳遞，在高速傳輸中提供低損耗的高頻信號(hào)。在3D封裝中，如果上下是不同類(lèi)型的芯片進(jìn)行堆疊，則需要通過(guò)RDL重布線(xiàn)層將上下層芯片的IO進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)，從而完成電氣互聯(lián)。隨著工藝技術(shù)的發(fā)展，RDL金屬布線(xiàn)的線(xiàn)寬和線(xiàn)間距越來(lái)越小，從而提供更高的互聯(lián)密度。封測(cè)廠主要用電鍍法制作RDL，大馬士革法滿(mǎn)足低L/S需求。RDL的制作方式包括電鍍法、大馬士革、金屬蒸鍍+金屬剝除等，由于電鍍法成本低，被封測(cè)廠廣泛應(yīng)用，而利用前道晶圓制造中的大馬士革原理的RDL工藝可以滿(mǎn)足低線(xiàn)寬/間距（Line/Space，L/S）的需求。4.2TSVTSV技術(shù)是2.5D/3D封裝的關(guān)鍵工藝之一。中介層是2.5D封裝關(guān)鍵特點(diǎn)之一，其作用是連接多個(gè)芯片，目前主要采用硅基材料制造。通過(guò)在DRAM、CPU、SoC等芯片之間引入硅中介層，可以實(shí)現(xiàn)高速運(yùn)算和數(shù)據(jù)交流，同時(shí)降低功耗，提高效率。在常見(jiàn)的2.5D封裝技術(shù)中，硅中介層集成了TSV，芯片通常通過(guò)MicroBump（微凸塊）與中介層相連接。中介層通過(guò)Bump與基板連接。而TSV則是連接中介層上下表面電氣信號(hào)的通道。TSV在3D結(jié)構(gòu)中同樣必不可少。依據(jù)TSV通孔生成的階段TSV工藝可以分為：1）Via-First；2）Via-Middle；3）Via-Last。1）Via-First指的是TSVs在FEOL工藝（例如晶體管）之前制造。Via-First由于是在器件制造之前進(jìn)行通孔工藝，因此可以使用高溫工藝來(lái)制造絕緣層，其劣勢(shì)在于填充通孔的材料受限，由于后續(xù)晶體管制造過(guò)程中會(huì)有高溫的環(huán)節(jié)，此時(shí)如果填充材料為銅的時(shí)候，銅會(huì)很容易擴(kuò)散到硅材料中。2）Via-Middle指的是TSVs在FEOL之后，BEOL（例如金屬層）之前制備，這種工藝由于晶圓廠在設(shè)備能力方面具備優(yōu)勢(shì)，晶圓廠通常也會(huì)制造，但也有部分OSAT廠商可以完成這一工藝。Via-Middle的優(yōu)勢(shì)在于可以實(shí)現(xiàn)較小的TSV結(jié)構(gòu)間距，再布線(xiàn)層通道阻塞小以及TSV結(jié)構(gòu)電阻也會(huì)較小，其劣勢(shì)主要在于它必須適合產(chǎn)品器件性能要求這樣才不會(huì)干擾器件，并且也不會(huì)干擾相鄰的布線(xiàn)層。3）Via-Last指的是TSVs在FEOL，MOL和BEOL工藝之后制造TSV，Via-Last（從晶圓正面）的方式由于在刻蝕的時(shí)候除了刻蝕硅之外，還需刻蝕整個(gè)電介質(zhì)層，以及會(huì)阻塞布線(xiàn)通道，因此較少被使用。BacksideVia-Last從晶圓背面進(jìn)行通孔，可以簡(jiǎn)化工藝流程，背面后通孔工藝被廣泛用于圖像傳感器和MEMS器件。4.3臨時(shí)鍵合/解鍵合晶圓減薄：在viafirst和viamiddle工藝中，晶圓表面平坦化后，還需要進(jìn)行晶圓背面的減薄使TSV露出，vialast工藝中，晶圓在進(jìn)行Bosch刻蝕工藝前就會(huì)進(jìn)行減薄。晶圓減薄的目的是使TSV露出，在晶圓級(jí)多層堆疊技術(shù)中，需要將多片晶圓進(jìn)行堆疊鍵合，同時(shí)總厚度還必須滿(mǎn)足封裝設(shè)備的要求。目前較為先進(jìn)的多層堆疊使用的芯片厚度均低于100μm。未來(lái)如果疊加層數(shù)增加，芯片的厚度需減薄至25μm甚至更薄。傳統(tǒng)的晶圓減薄技術(shù)包括機(jī)械磨削、CMP和濕法腐蝕等。由于晶圓經(jīng)過(guò)減薄后容易產(chǎn)生變形或翹曲，目前業(yè)界主流的解決方案是采用一體機(jī)的思路，將晶圓的磨削、拋光、保護(hù)膜去除和劃片膜粘貼等工序集合在一臺(tái)設(shè)備內(nèi)。晶圓從始至終都被吸在真空吸盤(pán)上，始終保持平整狀態(tài)，從而防止了晶圓在工序間搬運(yùn)時(shí)產(chǎn)生變形或翹曲。臨時(shí)鍵合工藝：由于超薄晶圓柔性較差且易碎，易產(chǎn)生翹曲，需要一套支撐系統(tǒng)來(lái)防止這些損傷。通常在封裝前使用某種特定的中間層材料，將超薄晶圓臨時(shí)鍵合到一個(gè)晶圓載板上，這種工藝稱(chēng)為臨時(shí)鍵合工藝（TemporaryBonding）。鍵合工藝主要有熱/機(jī)械滑移式臨時(shí)鍵合與解鍵合、熱/機(jī)械滑移式臨時(shí)鍵合與解鍵合、激光式臨時(shí)鍵合與解鍵合三種工藝。激光臨時(shí)鍵合與解鍵合工藝最大工藝溫度高，抗化學(xué)性好，是最新一代臨時(shí)鍵合/解鍵合技術(shù)方案。臨時(shí)鍵合/解鍵合常見(jiàn)工藝流程：在臨時(shí)載板或功能晶圓上通過(guò)壓合、粘貼或旋涂等方法制造一層鍵合黏接劑，然后翻轉(zhuǎn)功能晶圓，使其正面與臨時(shí)載板對(duì)準(zhǔn)，將二者轉(zhuǎn)移至鍵合腔進(jìn)行鍵合，臨時(shí)鍵合完成后，對(duì)功能晶圓進(jìn)行一系列工藝形成RDL等結(jié)構(gòu)。最后采用不同方式的解鍵合工藝將功能晶圓與臨時(shí)載板分離，對(duì)二者分別進(jìn)行清洗后，將功能晶圓轉(zhuǎn)移到劃片膜或其他支撐系統(tǒng)中，進(jìn)行下一步工藝。臨時(shí)載板可以馬上進(jìn)行再次利用。在這一工藝流程中，僅增加臨時(shí)鍵合機(jī)與解鍵合機(jī)兩臺(tái)設(shè)備，其他步驟均可采用與標(biāo)準(zhǔn)晶圓制造相同的設(shè)備與工藝完成。目前全球臨時(shí)鍵合設(shè)備主要供應(yīng)商有EVGroup、SUSSMicroTec等公司。國(guó)內(nèi)芯源微臨時(shí)鍵合機(jī)、解鍵合機(jī)產(chǎn)品進(jìn)展順利，已陸續(xù)實(shí)現(xiàn)了多家下游客戶(hù)的導(dǎo)入。臨時(shí)鍵合膠：是將功能晶圓和臨時(shí)載板黏接在一起的中間層材料。熱穩(wěn)定性、化學(xué)穩(wěn)定性、粘接強(qiáng)度、機(jī)械穩(wěn)定性、均一性等是臨時(shí)鍵合膠的關(guān)鍵選擇因素。臨時(shí)鍵合膠的材料性能主要是由基礎(chǔ)黏料的性質(zhì)決定的，因此基礎(chǔ)黏料的選擇至關(guān)重要?？捎米骰A(chǔ)黏料的高分子聚合物材料包括熱塑性樹(shù)脂、熱固性樹(shù)脂、光刻膠等。目前全球臨時(shí)鍵合膠產(chǎn)品主要有海外供應(yīng)商壟斷，主要有BrewerSciences的WaferBond和ZoneBond系列產(chǎn)品、3M的LTHC系列產(chǎn)品、DuPont的HD-3000系列產(chǎn)品、ThinMaterials的T-MAT系列產(chǎn)品、DowCorning的WL系列產(chǎn)品、東京應(yīng)化工業(yè)株式會(huì)社（TOK）的ZeroNewton系列產(chǎn)品和DowChemical的Cyclotene系列產(chǎn)品。4.4Bumping、底部填充及混合鍵合倒裝芯片的組裝主要有兩種方式，間接鍵合和直接鍵合。通過(guò)回流焊凸點(diǎn)焊球或者TCB熱壓鍵合的屬于間接鍵合，特點(diǎn)是芯片與基板之間有中間材料。通過(guò)混合鍵合，銅與銅擴(kuò)散鍵合，中間沒(méi)有其他材料的方式是直接鍵合。銅柱凸點(diǎn)是高密度、窄節(jié)距集成電路封裝市場(chǎng)主流方式。隨著先進(jìn)封裝對(duì)凸點(diǎn)間距要求越來(lái)越小，為了避免橋接現(xiàn)象的發(fā)生，實(shí)現(xiàn)更高I/O密度，IBM公司于21世紀(jì)初首次提出了銅柱凸點(diǎn)。在焊料互連過(guò)程中，銅柱凸點(diǎn)能夠保持一定的高度，可以防止焊料的橋接現(xiàn)象發(fā)生，同時(shí)可以掌控堆疊層芯片的間距高度，銅柱凸點(diǎn)的高徑比不再受到陣列間距的限制，在相同的凸點(diǎn)間距下，可以提供更大的支撐高度，顯著改善了底部填充膠的流動(dòng)性。C4錫球/C2銅柱凸點(diǎn)回流焊：回流焊被用于倒裝芯片的組裝超過(guò)50年，組裝過(guò)程相對(duì)簡(jiǎn)單，（1）使用上視和下視相機(jī)識(shí)別芯片上的凸點(diǎn)位置以及基板上的焊盤(pán)位置；（2）在C4凸點(diǎn)、基板上或兩者上都涂敷助焊劑；以及（3）將帶有C4凸點(diǎn)的芯片取出并放置在基板上，然后在一定溫度下進(jìn)行回流焊。通常來(lái)說(shuō)，C4凸點(diǎn)間距最小可以做到50微米。C2（帶有焊帽的銅柱）凸點(diǎn)芯片回流焊主要用于高引腳數(shù)和細(xì)間距的倒裝芯片組裝。組裝過(guò)程與C4凸點(diǎn)相同，但自對(duì)準(zhǔn)特性遠(yuǎn)不如C4凸點(diǎn)，因此很少被使用。一般來(lái)講，C2回流焊凸點(diǎn)間距可以小到25微米。C2TCB：在高密度和超細(xì)間距倒裝芯片組裝中運(yùn)用熱壓鍵合C2的方式主要有低壓應(yīng)力和高壓應(yīng)力兩種方式。低壓應(yīng)力C2TCB通常情況下可以做到小至8微米的銅柱間距。高壓應(yīng)力C2TCB則必須結(jié)合NCP或者NCP底部填充技術(shù)。TCB的缺點(diǎn)在于設(shè)備成本高，當(dāng)前全球做TCB設(shè)備的廠商主要是ASMPacific、庫(kù)力索法（K&S）以及Besi等。底部填充工藝作用在于1）將芯片凸點(diǎn)位置的集中應(yīng)力分散到底部填充體和塑封料中；2）可阻止焊料蠕變，并增加倒裝芯片連接的強(qiáng)度與剛度；3）保護(hù)芯片免受環(huán)境的影響，如濕氣、離子污染等；4）使芯片抗機(jī)械振動(dòng)與沖擊；5）極大改善焊點(diǎn)的熱疲勞可靠性。底部填充材料主要包括毛細(xì)作用底部填充（CapillaryUnderfill，CUF）、塑封底部填充（MoldedUnderfill，MUF）、非導(dǎo)電膠熱壓型（Non-ConductivePaste，NCP）底部填充和非導(dǎo)電膜熱壓型（Non-ConductiveFilm，NCF）底部填充。傳統(tǒng)毛細(xì)管底部填充料在高密度封裝中的流動(dòng)能力受限，可靠性降低。因此芯片間的互連方式從使用“毛細(xì)管底部填充料+回流”向使用“NCP/NCF材料+熱壓工藝”轉(zhuǎn)變，后者更加適應(yīng)緊湊空間條件下封裝保護(hù)的要求。凸點(diǎn)尺寸進(jìn)一步縮小受限，HybridBonding賦能3D堆疊。當(dāng)凸點(diǎn)尺寸縮小到小于10~20um時(shí)，就開(kāi)始需要用到HybridBonding工藝，解決bump間距小于10微米芯片間的鍵合問(wèn)題，從而實(shí)現(xiàn)更高的互連密度。由于HybridBonding信號(hào)丟失率幾乎可以忽略不計(jì)，在高吞吐量，高性能計(jì)算領(lǐng)域優(yōu)勢(shì)顯著?；旌湘I合（HybridBonding）也稱(chēng)DBI（DirectBondInterconnect，直接鍵合連接），Sony于2016年最早在CIS中運(yùn)用了混合鍵合技術(shù)，用于SamsungGalaxyS7的背照式CIS（BI-CIS）中，大幅提高了鏡頭分辨率。臺(tái)積電的SoIC也使用了混合鍵合。高頻率下混合鍵合的插入損耗表現(xiàn)大幅優(yōu)于傳統(tǒng)FC鍵合方式，且凸點(diǎn)密度大幅提升。混合鍵合中晶圓對(duì)晶圓（W2W）的工藝從晶圓加工到最終的BEOL互連級(jí)別開(kāi)始。沉積介電層（SiON、SiCN或SiO2）后將其蝕刻以在下面的金屬上形成通孔。沉積阻隔層和種子層，接著鍍銅。銅CMP拋光覆蓋層，使得后續(xù)在退火銅膨脹時(shí)，表面微小的間隙可以被填補(bǔ)。接著清洗晶圓去除所有污染物，通過(guò)等離子體活化，在介電層上產(chǎn)生活性位點(diǎn)。兩個(gè)晶圓在鍵合機(jī)精確對(duì)齊，之后在退火爐中，銅熔合在一起，進(jìn)行電接觸。最后，晶圓邊緣修整之后進(jìn)行背面晶圓研磨減薄，清潔和CMP拋光等，并用表面聲學(xué)顯微鏡（SAM）檢查粘合晶圓中的空隙。HybridBonding技術(shù)優(yōu)勢(shì)顯著，各大頭部廠商重視布局，但其生產(chǎn)成本仍然非常昂貴。銅的熔點(diǎn)（1083℃）高、自擴(kuò)散速率低，難以實(shí)現(xiàn)低溫鍵合，Cu-Cu直接鍵合需要在400℃的高溫下才能充分發(fā)生原子擴(kuò)散，高溫會(huì)降低對(duì)中精度、損傷器件性能、增加設(shè)備要求等問(wèn)題。目前實(shí)現(xiàn)Cu-Cu低溫鍵合的方式主要為熱壓鍵合（TCB），混合鍵合工藝、納米材料燒結(jié)工藝等?？傮w來(lái)講各項(xiàng)工藝仍處于不斷發(fā)展進(jìn)步階段。5設(shè)備零部件：國(guó)產(chǎn)供應(yīng)商持續(xù)突破梳理國(guó)內(nèi)晶圓廠2023年上半年招標(biāo)中標(biāo)情況，我們看到北方華創(chuàng)、中微公司、芯源微、拓荊科技、萬(wàn)業(yè)企業(yè)、睿勵(lì)科學(xué)等公司在刻蝕、沉積以及量測(cè)檢測(cè)等領(lǐng)域持續(xù)突破。從招標(biāo)網(wǎng)披露的數(shù)據(jù)來(lái)看，華虹無(wú)錫、積塔半導(dǎo)體2023年上半年中標(biāo)公告較多，盡管招標(biāo)網(wǎng)披露的公告僅包含部分晶圓廠和部分招投標(biāo)情況，我們?nèi)匀豢梢钥吹絿?guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備及零部件供應(yīng)商在晶圓廠尤其在積塔半導(dǎo)體的中標(biāo)公告中斬獲亮眼訂單。半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商2022年及2023Q1收入、利潤(rùn)延續(xù)高速增長(zhǎng)，規(guī)模效應(yīng)顯現(xiàn)，盈利水平持續(xù)提升，國(guó)產(chǎn)替代繼續(xù)深化。國(guó)產(chǎn)設(shè)備廠商始終重視研發(fā)，持續(xù)進(jìn)行產(chǎn)品迭代及新產(chǎn)品突破，完善產(chǎn)品品類(lèi)，長(zhǎng)期成長(zhǎng)可期。海外圍堵背景下，進(jìn)一步推動(dòng)晶圓廠與國(guó)產(chǎn)設(shè)備材料零部件供應(yīng)商全面加速緊密合作，中長(zhǎng)期國(guó)產(chǎn)供應(yīng)商確定性拓寬產(chǎn)品線(xiàn)、份額大幅提升，因此我們持續(xù)堅(jiān)定看好國(guó)產(chǎn)化鏈條！6消費(fèi)電子：下游終端出貨逐漸企穩(wěn)6.1智能手機(jī)跌幅收窄在經(jīng)歷了幾個(gè)季度的同