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半導體Chiplet先進封裝行業(yè)市場分析1先進封裝引領摩爾定律延續(xù)半導體封裝是半導體制造工藝的后道工序,是指將通過測試的晶圓加工得到獨立芯片的過程,即將制作好的半導體器件放入具有支持、保護的塑料、陶瓷或金屬外殼中,并與外界驅(qū)動電路及其他電子元器件相連的過程。1.1先進封裝發(fā)展歷程迄今為止全球集成電路封裝技術一共經(jīng)歷了五個發(fā)展階段。通常認為,前三個階段屬于傳統(tǒng)封裝,第四、五階段屬于先進封裝。當前的主流技術處于以CSP、BGA為主的第三階段,且正在從傳統(tǒng)封裝(SOT、QFN、BGA等)向先進封裝(FC、FIWLP、FOWLP、TSV、SIP等)轉(zhuǎn)型。傳統(tǒng)封裝以引線框架型封裝為主,芯片與引線框架通過焊線連接,引線框架的接腳連接PCB,主要包括DIP、SOP、QFP、QFN等封裝形式。傳統(tǒng)封裝的功能主要在于芯片保護、尺度放大、電氣連接三項功能,先進封裝技術則對芯片進行封裝級重構,能有效提高系統(tǒng)高功能密度?,F(xiàn)階段先進封裝主要是指倒裝焊(FlipChip)、晶圓級封裝(WLP)、2.5D封裝(Interposer)和3D封裝(TSV)等。先進封裝與傳統(tǒng)封裝的主要區(qū)別在于一級互聯(lián)和二級互聯(lián)方式的不同。一級互聯(lián)方式主要包括:傳統(tǒng)工藝—WireBonding(WB);先進工藝—FlipChip(FC)。二級互聯(lián)方式主要包括:傳統(tǒng)工藝—通孔插裝型/表面貼裝;先進工藝—球柵陣列型(BGA)/平面網(wǎng)格陣列LGA/插針網(wǎng)格陣列(PGA)。因此FCBGA、FCLGA等封裝就稱為先進封裝。同時,傳統(tǒng)的元件封裝也演變?yōu)橄到y(tǒng)封裝,封裝對象由單芯片向多芯片發(fā)展,由平面封裝向立體封裝發(fā)展。市場規(guī)模方面,據(jù)研究數(shù)據(jù),2017年以來全球封測市場規(guī)模穩(wěn)健增長,2022年達到815億美元。Yole預計總體市場規(guī)模將保持增長態(tài)勢,2026年達到961億美元。先進封裝則有望展現(xiàn)高于封測市場整體的增長水平。據(jù)Yole預計,2019-2025年,全球整體封裝市場規(guī)模年均復合增速4%,先進封裝市場規(guī)模則達到7%的年均復合增速,并在2025年占據(jù)整體封裝市場的49.4%。1.2先進封裝助力摩爾定律延續(xù)摩爾定律主要內(nèi)容為:在價格不變時,集成電路上可以容納的晶體管數(shù)量每18-24個月便會增加一倍,即:處理器性能大約每兩年翻一倍,同時價格下降為之前的一半。自2015年以來,集成電路先進制程的發(fā)展開始放緩,7nm、5nm、3nm制程的量產(chǎn)進度均落后于預期。隨著臺積電宣布2nm制程工藝實現(xiàn)突破,集成電路制程工藝已接近物理尺寸極限;與此同時芯片設計成本快速提升,以先進工藝節(jié)點處于主流應用時期設計成本為例,工藝節(jié)點為28nm時,單顆芯片設計成本約為0.41億美元,而工藝節(jié)點為7nm時設計成本提升至2.22億美元。為有效降低成本、進一步提升芯片性能、豐富芯片功能,各家龍頭廠商爭相探索先進封裝技術。先進封裝技術作為提高連接密度、提高系統(tǒng)集成度與小型化的重要方法,在單芯片向更高端制程推進難度大增時,擔負起延續(xù)摩爾定律的重任。如今,除了單個芯片封裝形式的演進以外,多芯片集成、2.5D/3D堆疊等技術也成為現(xiàn)階段先進封裝的主流技術路徑,尤其對于大規(guī)模集成電路,Chiplet封裝技術應運而生發(fā)揮重要作用,我們將在下文重點討論。2Chiplet:算力時代的共同選擇2.1算力時代來臨,算力芯片降本增效需求凸顯AI技術蓬勃發(fā)展的當下,數(shù)據(jù)中心對高算力芯片的需求急速增長。GPU由于具備并行計算能力,可兼容訓練和推理,高度適配AI模型構建,目前被廣泛應用于加速芯片。隨著ChatGPT帶來新的AI應用熱潮,數(shù)據(jù)中心對高算力的GPU芯片需求急速增長。相較于傳統(tǒng)消費級芯片,算力芯片面積更大,存儲容量更大,對互連速度要求更高,而Chiplet技術可以很好的滿足這些大規(guī)模芯片的性能和成本需求,因而得到廣泛運用。Chiplet即小芯粒,它將一類滿足特定功能的die(裸片),通過die-to-die內(nèi)部互聯(lián)技術將多個模塊芯片與底層基礎芯片封裝在一起,形成一個系統(tǒng)芯片。2.2Chiplet技術在算力芯片領域的三大優(yōu)勢(1)大面積芯片降低成本提升良率由于更高的性能需求,算力芯片的diesize通常要遠大于過去的消費級產(chǎn)品。例如Nvdia主流AI加速卡產(chǎn)品,diesize通常超過800mm2。而近年來,隨著先進制程推進,研發(fā)生產(chǎn)成本持續(xù)走高,大面積單顆SOC良率日益下降。Chiplet將單顆SOC的不同功能模塊拆分成獨立的小芯粒(即Chiplet),大大縮小了單顆die的面積,起到提升良率、降低成本的作用。DAC2022會議上,清華大學馮寅瀟發(fā)表研究成果,結論表明在5nm制程,當芯片面積達到200mm2以上,單顆SOC的成本將高于MCM工藝;當芯片面積達到400mm2以上,由于良率的大幅下降,單顆SOC方案的成本將高于InFO工藝(MCM、InFO均為Chiplet技術的不同封裝形式)。其成本差異就主要在大面積單芯片方案中的良率損失,在多芯片方案中大幅下降。(2)HBM的導入高性能計算應用對內(nèi)存速率提出了更高的要求,借助3D封裝技術的HBM則很好的解決了內(nèi)存速率瓶頸。HBM(HighBandwidthMemory)即高帶寬存儲器,其通過使用先進的封裝方法(如TSV硅通孔技術)垂直堆疊多個DRAM,并在硅interposer上與GPU封裝在一起。HBM內(nèi)部的DRAM堆疊屬于3D封裝,而HBM與GPU合封于Interposer上屬于2.5D封裝,是典型的Chiplet應用。(3)允許更多計算核心的“堆料”由于chiplet工藝引入了高速互連的Interposer或其他中介層,使得芯片廠商得以將多顆計算核心die進行合封,以提高芯片整體性能。Apple的M1Ultea芯片采用了臺積電的InFO_LSI工藝,將兩顆M1Max“拼接”,Apple將其成為UltraFusion芯片互連技術。LSI即本地硅互連(LocalSiliconInterconnect),即通過在RDL載板中嵌入一塊硅橋?qū)崿F(xiàn)兩顆Die的高速互連。與之類似,2022年8月,國產(chǎn)算力芯片廠商壁仞科技發(fā)布BR100,采用臺積電CoWoS-S工藝,將兩顆計算核心封在一塊硅Interposer上,其16位浮點算力達到1000T以上、8位定點算力達到2000T以上,創(chuàng)造全球算力紀錄。2.3行業(yè)龍頭助力,算力芯片異構化已成大勢所趨得益于Chiplet技術在大規(guī)模算力芯片領域的優(yōu)異表現(xiàn),業(yè)內(nèi)設計公司巨頭紛紛加入推廣Chiplet成為行業(yè)主流方案。2022年3月3日,AMD、Intel等半導體巨頭宣布共同成立Chiplet行業(yè)聯(lián)盟,目標共同打造Chiplet互連標準、推進開放生態(tài),并制定了標準規(guī)范UCIe,在芯片封裝層面確立互聯(lián)互通的高速接口標準。目前市面上的主流算力芯片廠商均導入了Chiplet方案,尤其是在AI芯片領域。Nvdia方面,當前主力產(chǎn)品A100/H100均采用臺積電CoWoS2.5D封裝,A100采用7nm制程,最高配備80GBHBM2E;H100則采用4nm制程,并配備最高80GBHBM3。AMD方面則推出了更大規(guī)模的Chiplet產(chǎn)品,其2023年6月14日正式發(fā)布的MI300AI加速卡擁有13個小芯片,共包括9個5nm的計算核心(6個GCD+3個CCD),4個6nm的I/Odie兼InfinityCache(同時起到中介層的作用,位于計算核心和interposer之間),還配備了累計8顆共計128GB的HBM3芯片。相較Nvdia的A/H系列產(chǎn)品,MI300更進一步的將SOC拆分成了多顆小芯粒,并擁有更大的面積、芯粒數(shù)量、緩存顆粒數(shù)量。國內(nèi)算力芯片廠商亦在快速跟進,除了前文提到的壁仞科技以外,沐曦、天數(shù)等AI芯片廠商亦紛紛推出異構集成的GPU產(chǎn)品,導入HBM存儲,我們相信Chiplet的技術優(yōu)勢將使其成為算力芯片未來的主流方案,給產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)帶來價值增量。下文我們將具體討論Chiplet的產(chǎn)業(yè)鏈進展,以及其對國產(chǎn)供應鏈的拉動作用。3龍頭晶圓廠主導Chiplet技術路線3.1臺積電晶圓代工龍頭臺積電是Chiplet工藝的全球領軍者,也是當前業(yè)內(nèi)主流算力芯片廠商的主要供應商,因此我們將做著重介紹。其于2021年將2.5D/3D先進封裝相關技術整合推出3DFabric平臺,由于Chiplet技術涉及芯片的堆疊,因此臺積電將其命名為3DFabric?技術,旗下?lián)碛蠧oWoS、InFO、SoIC三種封裝工藝,代表當前Chiplet技術的三種主流形式。Intel和三星各自都有類似的2.5D/3D封裝工藝,盡管命名不同,但結構與臺積電方案類似。前段技術3DSoIC利用芯片間直接銅鍵合,具有更小間距;后段技術2.5D方面,CoWos擴展至三種不同轉(zhuǎn)接板技術,InFO將封裝凸塊直接連接到再分配層。(1)CoWoS2012年臺積電與Xilinx共同開發(fā)集成電路封裝解決方案CoWoS,該封裝技術已成為高性能和高功率設計的實際行業(yè)標準。CoWoS-S采用硅中介層,可以為高性能計算應用提供更高的性能和晶體管密度;CoWoS-R采用RDL中介層,利用InFO技術進行互連,更強調(diào)小芯片間的互連;CoWoS-L融合CoWoS-S和InFO技術優(yōu)勢,使用夾層與LSI(局部硅互連)芯片進行互連,使用RDL層進行電源和信號傳輸,提供了靈活的集成。英偉達、博通、谷歌、亞馬遜、NEC、AMD、賽靈思、Habana等公司已廣泛采用CoWoS技術。(2)InFO2017年臺積電宣布2.5D封裝技術InFO(IntegratedFanouttechnology)集成扇出晶圓級封裝。臺積電的InFO技術使用polyamide代替CoWoS中的硅中介層,降低了成本和封裝高度,促進大規(guī)模生產(chǎn)應用。InFO具有高密度的RDL,適用于移動、高性能計算等需要高密度互連和性能的應用。(3)SoIC2019年臺積電推出SoIC技術,包括chip-on-wafer(COW)和wafer-on-wafer(WOW)兩種方案。與CoWoS和InFO不同,前面兩種方案是在封裝環(huán)節(jié)將完成晶圓級封裝的邏輯芯片、HBM、Interposer等進行堆疊,因此成為后道3D制造(BackEnd3DFabric),而SoIC是在前道晶圓制造環(huán)節(jié),就在邏輯芯片上制造TSV通孔,并將邏輯芯片之間(或邏輯芯片的晶圓之間)進行堆疊,這個過程稱為前道3D制造(FrontEnd3DFabric),完成堆疊后的晶圓切割后可再進行類似InFO和CoWoS的后道封裝。因此,SoIC與InFO/CoWoS并非并列、替代關系,而是將InFO/CoWoS所用到的單顆SoC替換成了經(jīng)過3D堆疊的多顆SoC。SoIC是臺積電異構小芯片封裝的關鍵,具有高密度垂直堆疊性能,與CoWoS和InFO技術相比SoIC可以提供更高的封裝密度和更小的鍵合間隔。3.2Intel作為全球CPU設計龍頭廠商,Intel同時亦是領先的IDM廠商。其主推的Chiplet工藝包括EMIB和Foveros,分別類似于臺積電的InFO_LSI和SoIC。EMIB是2.5D硅中介層的替代方案,die-substrate互連通過傳統(tǒng)覆晶芯片方式,die-die橋接的部分用一個很小的Si片實現(xiàn),并將這部分嵌入在載板內(nèi),和硅中介層(interposer)相比,EMIB硅片面積更微小、更靈活、更經(jīng)濟;與傳統(tǒng)2.5D封裝的相比,因為沒有TSV,因此EMIB技術具有正常的封裝良率、無需額外工藝和設計簡單等優(yōu)點。Foveros技術是高于EMIB技術的3D芯片堆疊技術,利用晶圓級封裝能力,與2D的EMIB封裝方式相比,F(xiàn)overos更適用于小尺寸產(chǎn)品或?qū)?nèi)存帶寬要求更高的產(chǎn)品。與TSMC的SoIC/CoWoS/InFO的關系類似,F(xiàn)overos與EMIB亦可以配合使用。3.3三星三星基于“超越摩爾定律”方法的異構集成技術,沿著水平集成和垂直集成兩種方向,先后研發(fā)出三大先進封裝技術:I-Cube、H-Cube和X-Cube。I-Cube和H-Cube是2.5D封裝方案。I-CUBE-S類似臺積電的CoWoS-s,I-CUBE-E類似臺積電的CoWoS-L。H-Cube方案則拋棄了大面積的ABF基板,采用面積較小的ABF基板或FBGA基板疊加大面積的HDI基板的方式。X-Cube則采用在3D空間堆疊邏輯裸片的方法,類似臺積電的SoIC方案。而在芯片之間的互連方式上,X-Cube可以采用傳統(tǒng)的u-bump,也可以使用更高端的混合鍵合(HybridBonding),HybridBonding可以容納更高的I/O密度。4Chiplet技術帶來國產(chǎn)供應鏈機遇本章我們將重點討論Chiplet技術應用,尤其是增長潛力較大的算力芯片2.5D/3D封裝帶來的國產(chǎn)供應鏈機遇。主要包括:1)封測端:算力芯片廣泛采用的2.5D/3D封裝方案是對傳統(tǒng)封裝的重大升級,但封測廠商仍將扮演重要地位。尤其是在晶圓級封裝等領域,與過去的FC封裝有共通之處。2)設備端:Chiplet技術帶來芯片數(shù)量的增長,測試設備用量。此外Chiplet技術還增加了晶圓級封裝的需求,諸多晶圓制造設備迎來需求增量。3)材料端:Chiplet技術對芯片的高速互聯(lián)需求增長,帶來高速封裝基板需求,此外高端封裝耗材的用量亦會有所增加。4.1封裝:晶圓廠主導,封裝廠商配套導入中算力芯片的2.5D/3D封裝主要包括中段晶圓級封裝+后段封裝。以臺積電CoWoS封裝為例:1)晶圓級封裝:計算核心等芯片晶圓制造完成后在重構晶圓上制造RDL和bump;2)COW:將計算核心、I/Odie、HBM等芯片封裝在Interposer上,即為CoWoS(chiponwaferonsubstrate)的chiponwafer環(huán)節(jié);3)OS:完成CoW封裝的整個系統(tǒng)在封裝基板上封裝,這一步即CoWoS的onsubstrate環(huán)節(jié),其封裝方式與傳統(tǒng)的FCBGA的后段封裝基本類似。與傳統(tǒng)的產(chǎn)業(yè)鏈分工不同的是,2.5D/3D封裝是在晶圓制造和傳統(tǒng)的后段封裝之間增加了額外的環(huán)節(jié),因此晶圓廠和封裝廠均有參與機會。當前臺積電基本壟斷了全球算力芯片的2.5D封裝市場,受益于算力芯片需求攀升,正在積極擴充封裝產(chǎn)能。而于此同時,國內(nèi)龍頭封裝廠亦在積極把握行業(yè)機遇,導入客戶Chiplet產(chǎn)品供應鏈。通富微電已經(jīng)具備7nmChiplet規(guī)模量產(chǎn)能力,并持續(xù)與AMD等龍頭廠商加深合作;長電科技推出XDFOI?技術方案,已經(jīng)實現(xiàn)國際客戶4nm節(jié)點Chiplet產(chǎn)品的量產(chǎn)出貨。此外,Chiplet應用加速了晶圓級封裝的需求,國內(nèi)諸多封測廠商都具備晶圓級封裝能力,諸如長電科技、通富微電、華天科技、甬矽電子、盛合晶微等,有望迎來晶圓級封裝的需求增量。我們看好Chiplet技術應用提速之下國內(nèi)先進封裝廠商的發(fā)展機遇。4.2設備:晶圓級封裝設備和后道封測設備需求增長Chiplet應用對設備的需求拉動來自兩方面:1)晶圓級封裝設備。晶圓級封裝需要的設備與前道晶圓制造類似,涉及光刻機、涂膠顯影設備、薄膜設備、電鍍設備、刻蝕設備、清洗設備、量測設備等。國產(chǎn)諸多公司都有相關業(yè)務:北方華創(chuàng)(刻蝕、薄膜、清洗等)、芯源微(涂膠顯影、清洗)、盛美上海(電鍍、清洗、涂膠顯影、拋光)、中科飛測(檢測)等。2)后道封測設備。Chiplet封裝依舊需要和傳統(tǒng)封裝類似的封裝和測試環(huán)節(jié),有望成為國產(chǎn)封測設備廠商成長的新動力,包括:封裝設備廠商新益昌、ASMP;測試設備廠商長川科技、華峰測控、金海通等。4.3材料:ABF載板用量提升Chiplet技術發(fā)展增大芯片封裝面積,提升ABF載板用量。Chiplet是將一類滿足特定功能的die(裸片),通過die-to-die內(nèi)部互聯(lián)技術實現(xiàn)多個模塊芯片與底層基礎芯片封裝在一起,形成一個系統(tǒng)芯片,要將這些芯片整合在一起需要更大的ABF載板來放置,這意味著ABF載板耗用的面積將隨chiplet技術而變大,而載板的面積越大,ABF的良率就會越低,ABF載板需求也會進一步提高。同時,Chiplet先進封裝的應用也會增加封裝載板層數(shù),具體層數(shù)與技術指標要求取決于芯片的設計方案。ABF載板已經(jīng)成為FC-BGA封裝的標配。ABF載板又被稱為味之素基板,其關鍵材料ABF膜被日本味之素公司壟斷,是FC-BGA封裝的標配材料。ABF載板作為芯片封裝中連接芯片與電路板的中間材料,主要用于CPU、GPU、FPGA、ASIC等高運算性能芯片,其核心作用就是與芯片進行更高密度的高速互聯(lián)通信,然后通過載板上的更多線路與大型PCB板進行互聯(lián),起著承上啟下的作用,進而保護電路完整、減少漏失、固定線路位置、有利于芯片更好的散熱以保護芯片,甚至可埋入無源、有源器件以實現(xiàn)一定系統(tǒng)功能。ABF載板廠商主要集中在中國臺灣、日本和韓國。根據(jù)QYResearch統(tǒng)計及預測,2021年全球ABF基板市場銷售額達到43.68億美元,預計2028年將達到65.29億美元,CAGR為5.56%。目前ABF載板主要有七大供貨商,2021年供貨比重分別是欣興21.6%、Ibiden19.0%、AT&S16.0%、南電13.5%、Shinko12.1%、景碩7.2%、Semco5.1%,2022年除Semco外,其余廠商于皆有進行擴產(chǎn)。從生產(chǎn)端來看,日本、中國臺灣和韓國主導了全球ABF載板生產(chǎn),2021年這三大地區(qū)的市場份額分別為25%、44%和9.9%。未來隨著CPU、GPU、FPGA、ASIC等高性能運算芯片需求增長以及Chiplet技術的廣泛應用,ABF載板的需求量將進一步提升。國內(nèi)廠商如華正新材、生益科技、方邦股份、興森科技、深南電路等正在加快核心技術研發(fā),力爭打破海外壟斷格局。目前華正新材的CBF積層絕緣膜正在加快新產(chǎn)品開發(fā)進程,在CPU、GPU等半導體芯片封裝領域進入了下游IC載板廠、封裝測試廠及芯片終端驗證流程,并取得了良好進展。5投資分析長電科技長電科技成立于1972年,是全球領先的集成電路制造和技術服務企業(yè)。主營業(yè)務包括集成電路的系統(tǒng)集成、設計仿真、技術開發(fā)、產(chǎn)品認證、晶圓中測、晶圓級中道封裝測試、系統(tǒng)級封裝測試、芯片成品測試。公司全面覆蓋主流中高低封測技術,并覆蓋WLP、2.5D/3D、SIP、高性能倒裝芯片、引線互聯(lián)等先進技術;業(yè)務實現(xiàn)對汽車領域、通信領域、高性能計算領域、存儲領域的覆蓋。長電旗下生產(chǎn)基地全球布局,擁有主營先進封裝的星科金朋、長電韓國、長電先進、長電江陰,和主營傳統(tǒng)封裝的滁州、宿遷多個廠區(qū)。長電科技在中國、韓國和新加坡?lián)碛袃纱笱邪l(fā)中心和六大集成電路成品生產(chǎn)基地,星科金朋、長電先進、長電韓國主營先進封裝業(yè)務,而長電本部江陰廠、宿遷廠和滁州廠主營傳統(tǒng)封裝業(yè)務。各生產(chǎn)基地分工明確、各具技術特色和競爭優(yōu)勢。2022年半導體封測行業(yè)景氣下行,但公司加快高性能封測領域的研發(fā)和客戶產(chǎn)品導入,強化高附加值市場的開拓,優(yōu)化產(chǎn)品結構和業(yè)務比重,實現(xiàn)收入和凈利潤逆勢增長。2022年全年,公司實現(xiàn)營收337.62億元,同比增長10.69%;實現(xiàn)歸母凈利潤32.31億元,同比增長9.20%,創(chuàng)歷年新高。2023年Q1,受半導體周期性下行影響,公司業(yè)績短期承壓,實現(xiàn)歸母凈利潤1.10億元,同比下滑87.24%,實現(xiàn)營收58.60億元,同比下滑27.99%。利潤率和費用率方面,公司在過去數(shù)年間通過業(yè)務規(guī)模增長、運營管理精進,實現(xiàn)了較好的降費增效和盈利釋放。2017-2022年,公司毛利率從11.71%提升至17.04%,期間費用率從13.55%下降至7.47%,2019年實現(xiàn)扭虧為盈,2022年實現(xiàn)凈利率9.57%。2023年Q1,受行業(yè)景氣度影響公司毛利率短期下滑至11.84%,凈利率同步下滑至1.88%。從下游市場結構來看,公司下游市場以通信和消費電子為主。2022年全年,公司收入結構中通訊電子占比39.3%、消費電子占比29.3%、運算電子占比17.4%、工業(yè)及醫(yī)療電子占比9.6%、汽車電子占比4.4%。運算電子和汽車電子兩大成長性賽道將是公司重點發(fā)力方向。通富微電通富微電是全球第四、中國大陸第二OSAT廠商,2022年全球市占率6.51%,公司主要從事集成電路封裝測試一體化服務。封裝類型齊全,包含框架類封裝,基板類封裝和圓片類封裝,以及COG、COF和SIP等。產(chǎn)品種類豐富,廣泛應用于高性能計算、大數(shù)據(jù)存儲、網(wǎng)絡通訊、移動終端、車載電子、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)智造等領域。公司共設有七大生產(chǎn)基地,分別為崇川總部、南通通富、合肥通富、通富超威蘇州、通富超威檳城、廈門通富和通富通科。2022年以來,封測行業(yè)需求走弱,但公司蘇州、檳城廠收入保持了50%以上的強勁增長,2022年公司營收214.29億元,同比增長35.52%。稼動率下行更多地體現(xiàn)在國內(nèi)業(yè)務,并影響了利潤端,2022年公司歸母凈利潤5.02億元,同比下降47.53%,蘇通廠、合肥廠均出現(xiàn)凈利虧損。2023年Q1公司收入46.42億元,保持正增長,年度收入目標248億,同比增長16%。利潤率和費用率方面,2022年公司毛利率和凈利率分別為13.9%/2.48%,近五年來呈現(xiàn)明顯波動的情況;同年,公司期間費用率為12.02%,自2018年來保持相對穩(wěn)定態(tài)勢。2023年Q1,公司毛利率和凈利率分別為9.45%/0.23%,期間費用率為12.11%。華天科技公司主要從事半導體集成電路封裝測試業(yè)務,封裝產(chǎn)品可分為三大類:(1)引線框架類產(chǎn)品,主要包括DIP/SOP、QFP、QFN、FCQFN、SOT、DFN;(2)基板類產(chǎn)品,主要包括WBBGA/LGA、FCCSP/FCLGA、FCBGA、SiP;(3)晶圓級產(chǎn)品,定位高端產(chǎn)品,主要包括WLP系列、TSV系列、Bumping系列和MEMS系列等。產(chǎn)品主要應用于計算機、網(wǎng)絡通訊、消費電子及智能移動終端、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)自動化控制、汽車電子等電子整機和智能化領域。受終端市場產(chǎn)品需求下降及集成電路行業(yè)景氣度下滑影響,公司2022年營業(yè)收入119.06億元,同比下降1.58%;歸母凈利潤7.54億元,同比下降46.74%。景氣度低迷持續(xù)到2023年Q1,公司實現(xiàn)營業(yè)收入22.39億元,同比下降26%;歸母凈利潤虧損1.06億元,同比下降151.2%。利潤率和費用率方面,2022年公司毛利率和凈利率分別為16.84%/8.59%,近五年內(nèi)出現(xiàn)明顯的波動;同年,公司期間費用率為12.45%,自2018年來保持相對穩(wěn)定態(tài)勢。2023年Q1,公司毛利率和凈利率分別為3.99%/-5.66%,期間費用率為14.13%。業(yè)務拆分:集成電路封測:公司的主要業(yè)務,2022年因封測行業(yè)周期性下行,收入增速轉(zhuǎn)負并呈現(xiàn)毛利率的下滑,預計2023年起伴隨半導體下游需求逐漸回復,集成電路封測業(yè)務收入恢復增長。綜合考慮行業(yè)景氣度回升,以及公司2021年定增募投項目將在2023年底逐步達到可用狀態(tài),并在之后實現(xiàn)產(chǎn)能釋放,我們預計2024-2025年會有更高的收入增速,預計2023-2025年收入同比增長14.5/17.4/17.8%,而毛利率仍受到價格及產(chǎn)能利用率影響,預計2023年仍將短期承壓,并有望于2024年開始回升,逐步回到接近周期前高水平(2021年度),預計2023-2025年毛利率分別為14.2/18.2/20.1%。LED封測:收入占比較低,且相較集成電路業(yè)務更為低端,因此在行業(yè)下行周期呈現(xiàn)了較大的收入降幅和利潤虧損。我們預計下游LED需求將在2023年觸底,后續(xù)受有望受益于面板行業(yè)復蘇、miniLED新品滲透等因素恢復增長,2023-2025年收入同比增長-30.1/9.0/4.3%。毛利率方面,短期價格及產(chǎn)能利用率維持地位仍將壓制公司盈利水平,預計2023年起虧損收窄,并逐漸扭虧,2023-2025年毛利率分別為-19.5/-9.0/-0.3%。甬矽電子甬矽電子是一家新銳半導體封測企業(yè),從成立之初即聚焦集成電路封測業(yè)務中的先進封裝領域。公司擁有的主要核心技術包括高密度細間距倒裝凸點互聯(lián)芯片封裝技術、應用于4G/5G通訊的射頻芯片/模組封裝技術、混合系統(tǒng)級封裝(Hybrid-SiP)技術、多芯片(Multi-Chip)/高焊線數(shù)球柵陣列(WB-BGA)封裝技術、基于引線框的高密度/大尺寸的QFN封裝技術、MEMS&光學傳感器封裝技術和多應用領域先進IC測試技術等。公司全部產(chǎn)品均為QFN/DFN、WB-LGA、WB-BGA、FC-BGA、FC-LGA等中高端先進封裝形式,并在系統(tǒng)級封裝(SiP)、高密度細間距凸點倒裝產(chǎn)品(FC類)、大尺寸/細間距扁平無引腳封裝產(chǎn)品(QFN/DFN)等先進封裝領域具有較為突出的封裝技術優(yōu)勢和先進性。2022年,受到行業(yè)周期下行影響,公司營收增速放緩,全年營業(yè)收入21.77億元,同比增長5.96%;實現(xiàn)歸母凈利潤1.38億元,同比下降57.11%。行業(yè)景氣低迷持續(xù)到2023年Q1,該季度甬矽實現(xiàn)營收4.25億元,同比下降26.85%;歸母凈利潤為虧損0.50億元,同比下降170.04%。收入構成方面,系統(tǒng)級封裝產(chǎn)品(SiP)與扁平無引腳封裝產(chǎn)品(QFN/DFN)為公司兩大主要營收來源。2022年,公司SiP業(yè)務收入12.25億元;QFN/DFN業(yè)務收入6.32億元;FC類業(yè)務收入2.92億元;MEMS業(yè)務收入0.05億元;其他業(yè)務及產(chǎn)品收入0.22億元。利潤率和費用率方面,受半導體行業(yè)需求波動影響,產(chǎn)品毛利率有所下滑,同時人員規(guī)模擴大、貸款增加等因素導致期間費用有所增長,影響利潤表現(xiàn)。2022年毛利率為21.91%,凈利率為6.30%,近五年來總體呈上升趨勢;公司期間費用率為18.64%,自2018年來呈下降趨勢。2023年Q1毛利率為8.39%,凈利率為-13.60%,期間費用率為26.34%。晶方科技晶方科技是大陸晶圓級封測龍頭,擁有領先的硅通孔(TSV)、晶圓級、Fanout、系統(tǒng)級等多樣化的封裝技術,目前同時具備8英寸和12英寸晶圓級芯片尺寸封裝(WLCSP)技術的規(guī)模量產(chǎn)能力。公司重點聚焦以影像傳感芯片為代表的智能傳感器市場,封裝的產(chǎn)品主要包括CIS芯片、TOF芯片、生物身份識別芯片、MEMS芯片等,廣泛應用在手機、安防監(jiān)控、身份識別、汽車電子、3D傳感等電子領域。主要客戶有豪威、格科微、索尼、晶相光電、思特威等;同時公司已進一步收購Anteryon,持有其81.09%股份,強化了對WLO業(yè)務和半導體封裝技術的整合,有望進一步受益于MLA車燈需求增長;公司加大對以色列VisIC公司的投資,VisIC是全球領先的GaN器件設計公司,研發(fā)團隊擁有數(shù)十年的產(chǎn)品研發(fā)經(jīng)驗,并已開發(fā)出GaN大功率晶體管和模塊,其專利技術的氮化鎵功率器件可廣泛應用于快充、電動汽車、5G基站和數(shù)據(jù)中心、高功率激光等領域。公司通過對VisIC的布局,有望有效把握第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展機遇。2022年受市場需求下降、行業(yè)產(chǎn)能過剩庫存高企、手機等消費電子產(chǎn)品創(chuàng)新力不足,更換設備的間隔拉長等多因素影響,公司所專注的影像傳感器細分市場景氣度疲軟,2022年公司實現(xiàn)銷售收入11.06億元,同比下降21.62%,實現(xiàn)營業(yè)利潤2.58億元,同比下降59.63%,實現(xiàn)歸屬于母公司所有者的凈利潤2.28億元,同比下降60.45%。2023年Q1,公司實現(xiàn)營收2.23億元,同比下降26.89%;歸母凈利潤0.29億元,同比下降68.48%。業(yè)務拆分:芯片封裝:2022年受封測行業(yè)周期下行影響,芯片封裝業(yè)務收入、毛利率均有下滑,預計2023年伴隨下游封裝周期觸底,需求逐漸回復,收入恢復增長,預計2023-2025年收入同比增長15.0/20.0/20.0%,毛利率亦有望在年內(nèi)底部企穩(wěn),考慮到2023年Q1毛利率的較大嚇唬,我們預計全年毛利率仍將短期承壓,2024年開始有望看到較為明顯的回升,預計2023-2025年毛利率分別為45.0/46.0/47.0%。光學器件:2021年包含在芯片封裝業(yè)務中,2022年起作為新業(yè)務在公司財報中單獨披露,由于基數(shù)較低展現(xiàn)了較高的增速。公司預計2023年將加大投入開發(fā)提升微型光學器件的設計、研發(fā)與制造能力,加強荷蘭Anteryon、晶方光電的業(yè)務與技術協(xié)同,進一步鞏固混合鏡頭業(yè)務的技術領先能力,提高其在半導體設備、工業(yè)智能等領域的應用規(guī)模。完善增強晶圓級微型鏡頭業(yè)務的制造能力,拓展MLA產(chǎn)品的客戶群體與業(yè)務規(guī)模,并大力推進在汽車大燈等智能交互領域的開發(fā)與商業(yè)化應用。因此預計未來保持較高的收入增長和盈利提升趨勢,預計2023-2025年收入同比增長80.0/60.0/40.0%,業(yè)務規(guī)模逐漸起量有望帶來規(guī)模優(yōu)勢和成本下降,預計2023-2025年毛利率分別為38.0/38.5/39.0%。偉測科技公司是國內(nèi)知名的第三方集成電路測試服務企業(yè),提供從測試方案開發(fā)、晶圓測試、芯片成品測試、SLT測試、老化測試、InTrayMark、LeadScan等全流程測試服務。公司測試的晶圓和成品芯片在類型上涵蓋CPU、MCU、FPGA、SoC芯片、射頻芯片、存儲芯片、傳感器芯片、功率芯片等芯片種類;在工藝上涵蓋6nm、7nm、14nm等先進制程和28nm以上的成熟制程;在晶圓尺寸上涵蓋12英寸、8英寸、6英寸等主流產(chǎn)品。公司的測試產(chǎn)品廣泛應用于汽車電子、工業(yè)控制、通訊、計算機、消費電子等領域。2022年,公司實現(xiàn)營業(yè)收入7.33億元,同比增長48.64%,主要系下游集成電路測試需求旺盛,公司持續(xù)擴大測試產(chǎn)能,加大對新老客戶產(chǎn)品的測試開發(fā)力度,使得集成電路測試收入保持較快增長所致;歸母凈利潤24,332.73萬元,同比增長84.09%。2023年Q1受封測行業(yè)景氣度周期下行影響,公司實現(xiàn)營收1.41億元,同比下降15.38%;歸母凈利潤0.27億元,同比下降39.29%。業(yè)務拆分:晶圓測試業(yè)務:公司的主要業(yè)務,得益于公司獨特的第三方測試服務商商業(yè)模式,在封測行業(yè)下行周期中仍保持了較好的收入增速,預計未來保持穩(wěn)健增長,2023-2025年收入同比增長40.0/40.0/35.0%。毛利率方面,2023年Q1整體毛利率略有下滑,預計未來伴隨封測整體需求復蘇,盈利將有所恢復,2023-2025年毛利率55.0/56.0/56.0%。成品類業(yè)務:成品測試業(yè)務為公司2020-2021年發(fā)力開拓方向,已實現(xiàn)可觀收入規(guī)模,預計未來保持穩(wěn)健增長,2023-2025年收入同比增長35.0/35.0/30.0%。毛利率方面,在市場開拓期業(yè)務毛利率有所下降,預計未來伴隨收入規(guī)模擴大而逐步穩(wěn)定,2023-2025年毛利率36.0/35.0/35.0%。其他業(yè)務:非主營業(yè)務,收入較少,預計未來收入伴隨公司整體規(guī)模增長而穩(wěn)定增長,毛利率則將維持穩(wěn)定。2023-2025年收入同比增長45.0/45.0/45.0%,毛利率維持45.0%。長川科技長川科技成立于2008年,公司主要為集成電路封裝測試企業(yè)、晶圓制造企業(yè)、芯片設計企業(yè)等提供測試設備。目前主要銷售產(chǎn)品為測試機、分選機、自動化設備及AOI光學檢測設備等。公司生產(chǎn)的測試機包括大功率測試機、模擬測試機、數(shù)字測試機等;分選機包括重力式分選機、平移式分選機、測編一體機;自動化設備包括指紋模組、攝像頭模組等領域的自動化生產(chǎn)設備;AOI光學檢測設備包括晶圓光學外觀檢測設備、電路封裝光學外觀檢測設備等。2022年,歸功于國家對集成電路產(chǎn)業(yè)關注度的提升,公司研發(fā)項目加大投入,產(chǎn)品線豐富和客戶范圍擴張等積極作用,公司實現(xiàn)營業(yè)收入25.77億元,同比增長70.49%;歸母凈利潤46,108.04萬元,同比增長111.28%。2023年Q1受半導體封測行業(yè)景氣度周期下行影響,公司實現(xiàn)營收3.2億元,同比下降40.48%;歸母凈利潤為虧損0.57億元,同比下降180.5%。業(yè)務拆分:分選機:分選機業(yè)務在過去保持了較高的收入增長和毛利率提升,2023年公司并購長奕科技,并發(fā)力三溫分選機等新品,預計收入將繼續(xù)高增,2023-2025年收入同比增長43.4/32.8/25.2%,毛利率方面,伴隨收入規(guī)模釋放,公司分選機已在國內(nèi)市場占據(jù)領先地位,毛利率已達到較高水平,預計2023-2025年穩(wěn)定在45.0%。測試機:測試機產(chǎn)品線新品持續(xù)放量,在2021-2022年持續(xù)高增,達到較大收入規(guī)模,2023年數(shù)字測試機新品放量仍將帶來較高的收入增速,預計未來2024-2025年增速逐漸趨緩,2023-2025年收入同比增長72.7/21.6/19.5%。毛利率方面,測試機毛利率高于分選機業(yè)務,且得益于數(shù)字測試機新品迭代,未來仍有望維持高位,預計2023-2025年分別為68.0/69.0/69.0%。興森科技興森科技成立于1993年,是PCB樣板、快件和小批量領域的領軍企業(yè),并在半導體ATE測試板、封裝基板細分領域成為國內(nèi)頭部廠商之一。公司主營業(yè)務為PCB和半導體業(yè)務。PCB業(yè)務聚焦于樣板快件及批量板的研發(fā)、設計、生產(chǎn)、銷售和表面貼裝;半導體業(yè)務聚焦于IC封裝基板(含CSP封裝基板和FCBGA封裝基板)及半導體測試板。產(chǎn)品廣泛應用于通信設備、服務器、工業(yè)控制及儀器儀表、醫(yī)療電子、軌道交通、計算機應用、半導體等多個行業(yè)領域。公司總部設在中國深圳,并在廣州、宜興、珠海、英國和美國等地建立了生產(chǎn)運營基地;在中國香港、美國成立了子公司。目前海內(nèi)外已建立數(shù)十個客戶服務中心,形成了全球化的營銷和技術服務網(wǎng)絡。2022年,半導體整體景氣度下行。受限于行業(yè)層面需求不振、競爭加劇的壓力,公司收入增速放緩,且毛利率下行,2022年公司整體營收53.54億元,同比增長6.23%;歸母凈利潤5.26億元,同比下降15.42%。2023年Q1封測行業(yè)稼動率持續(xù)低迷,公司實現(xiàn)營收12.52億元,同比下降1.63%;歸母凈利潤為0.08億元,同比下降96.27%。收入構成方面,2022年公司PCB樣板及小批量板收入40.30億元;IC封裝基板收入6.90億元;半導體測試板收入4.59億元;固態(tài)硬盤、SMT等其他業(yè)務收入1.75億元。華正新材華正新材成立于2003年,公司主要從事覆銅板及粘結片、復合材料和膜材料等產(chǎn)品的設計、研發(fā)、生產(chǎn)及銷售,產(chǎn)品廣泛應用于5G通訊、服務器、數(shù)據(jù)中心、半導體封裝、新能源汽車、智慧家電、醫(yī)療設備、軌道交通、綠色物流等領域。公司主要產(chǎn)品覆銅板(CCL)全稱覆銅箔層壓板,是制作印制電路板(PCB)的基礎材料。公司產(chǎn)能高質(zhì)量擴張,積極布局進入半導體產(chǎn)業(yè)。覆銅板業(yè)務方面,2022年公司年產(chǎn)2400萬張高等級覆銅板珠海基地項目一期工程按計劃部分投產(chǎn),新增產(chǎn)能有效提高了公司高等級覆銅板的供應能力,進一步提升了行業(yè)地位。膜材料業(yè)務方面,公司持續(xù)加快CBF積層絕緣膜新產(chǎn)品開發(fā)進度,在CPU、GPU等半導體芯片封裝領域進入下游IC載板廠、封裝測試廠及芯片終端驗證流程;BT封裝材料在MiniLED背光和直顯應用領域?qū)崿F(xiàn)穩(wěn)定市場供應,已在存儲芯片、微機電系統(tǒng)芯片、射頻模塊芯片等應用市場開展終端驗證。終端市場需求疲軟,公司業(yè)績承壓。公司2022年營業(yè)收入為32.86億元,同比減少9.23%;歸母凈利潤為0.36億元,同比減少84.85%,主要系終端及下游客戶需求增長乏力,且產(chǎn)業(yè)整體稼動率不高,同業(yè)競爭加劇導致覆銅板售價下降。受行業(yè)景氣度影響,2023Q1公司營收為7.58億元,同比減少9.45%,環(huán)比減少16.50%;歸母凈利潤為-0.08億元,同比減少125.30%,環(huán)比增長68.16%。公司一季度歸母凈利潤出現(xiàn)環(huán)比減虧,同時CBF終端產(chǎn)品驗證順利,隨著覆銅板和鋁塑膜業(yè)務擴產(chǎn)項目的投產(chǎn),預計全年盈利能力有望得到持續(xù)改善。覆銅板為公司主要收入來源。公司主要產(chǎn)品包括覆銅板、交通物流用復合材料、絕緣材料、導熱材料。2022年,公司覆銅板業(yè)務收入達到24.92億元,占總營收75.84%,貢獻公司大部分收入;交通物流用復合材料、絕緣材料和導熱材料收入分別達到3.40億元、1.93億元和1.90億元,其營收占比分別為10.34%、5.87%和5.79%。毛利率與凈利率23Q1環(huán)比改善。受下游需求疲軟影響,公司2022年毛利率為12.98%,同比下降3.53pct;凈利率為1.24%,同比下降5.4pct。2023Q1,公司毛利率為11.43%,同比減少3.84pct,環(huán)比增加1.07pct;凈利率為-1.04%,同比減少4.83pct,環(huán)比增加1.57pct,毛利率及凈利率環(huán)比均出現(xiàn)增長。華海誠科公司成立于2010年12月,是一家專業(yè)從事于半導體器件、集成電路、特種器件、LED支架等電子封裝材料的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和技術服務企業(yè)。公司已發(fā)展成為我國規(guī)模較大、產(chǎn)品系列齊全、具備持續(xù)創(chuàng)新能力的環(huán)氧塑封料廠商,在半導體封裝材料領域已構建了完整的研發(fā)生產(chǎn)體系并擁有完全自主知識產(chǎn)權。公司主要產(chǎn)品包括環(huán)氧塑封料與電子膠黏劑,廣泛應用于半導體封裝、板級組裝等應用場景。其中環(huán)氧塑封料與芯片級電子膠黏劑與半導體封裝技術的發(fā)展息息相關,是保證芯片功能穩(wěn)定實現(xiàn)的關鍵材料。環(huán)氧塑封料應用于半導體封裝工藝中的塑封環(huán)節(jié),屬于技術含量高、工藝難度大、知識密集型的產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié)。在塑封過程中,封裝廠商主要采用傳遞成型法將環(huán)氧塑封料擠壓入模腔并將其中的半導體芯片包埋,在模腔內(nèi)交聯(lián)固化成型后成為具有一定結構外型的半導體器件。2022年,受下游封測需求疲軟影響,公司營業(yè)收入為3.03億元,同比減少12.67%;歸母凈利潤為0.41億元,同比減少13.39%,主要系公司營業(yè)收入同比下滑、管理費剛性支出以及研發(fā)費用的持續(xù)投入所致。2023年Q1下游封測景氣度持續(xù)低迷,公司實現(xiàn)營收0

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