第一章晶體結(jié)構(gòu)缺陷_第1頁
第一章晶體結(jié)構(gòu)缺陷_第2頁
第一章晶體結(jié)構(gòu)缺陷_第3頁
第一章晶體結(jié)構(gòu)缺陷_第4頁
第一章晶體結(jié)構(gòu)缺陷_第5頁
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文檔簡介

第一章晶體結(jié)構(gòu)缺陷第1頁,課件共13頁,創(chuàng)作于2023年2月2、書寫缺陷反應(yīng)式應(yīng)遵循的原則3、缺陷濃度計算4、固溶體的分類及形成條件5、研究固溶體的方法第一章習(xí)題課1、缺陷的分類6、非化學(xué)計量化合物第2頁,課件共13頁,創(chuàng)作于2023年2月點缺陷熱缺陷

雜質(zhì)缺陷非化學(xué)計量結(jié)構(gòu)缺陷(電荷缺陷)Frankel缺陷Schttyq缺陷第3頁,課件共13頁,創(chuàng)作于2023年2月非化學(xué)計量化合物類型:陽離子填隙型陰離子間隙型陽離子空位型陰離子缺位型第4頁,課件共13頁,創(chuàng)作于2023年2月

2-6(a)在CaF2晶體中,F(xiàn)rankel缺陷形成能為2.8eV,Schttky缺陷的生成能為5.5eV,計算在25℃和1600℃時熱缺陷的濃度?(b)如果CaF2晶體中,含有10-6的YF3雜質(zhì),則在1600℃時,CaF2晶體中是熱缺陷占優(yōu)勢還是雜質(zhì)缺陷占優(yōu)勢?說明原因。解:(a)由題可知,F(xiàn)rankel缺陷形成能<Schttky缺陷的生成能由知,F(xiàn)rankel缺陷濃度高,因而是主要的。(b)由此可知而在1873K時所以此時熱缺陷占優(yōu)勢。在298K時,在1873K時,第5頁,課件共13頁,創(chuàng)作于2023年2月2-7試寫出下列缺陷方程第6頁,課件共13頁,創(chuàng)作于2023年2月2-9高溫結(jié)構(gòu)材料Al2O3可以用ZrO2來實現(xiàn)增韌,也可以用MgO來促進(jìn)Al2O3的燒結(jié)。(a)如加入0.2mol%ZrO2,試寫出缺陷反應(yīng)式和固溶分子式。(b)如加入0.3mol%ZrO2和Xmol%MgO對進(jìn)行復(fù)合取代,試寫出缺陷反應(yīng)式、固溶分子式及求出X值。所以固溶分子式為:Al1.998Zr0.002O3.001解:(a)缺陷反應(yīng)式:2:2:10.002:0.002:0.001(b)缺陷反應(yīng)式為2:2:1

X:X:X/2復(fù)合取代反應(yīng)式為1:11:1:1/2:1/20.3%:X0.3%:X:X/2:0.15%根據(jù)電中性原則X=0.3%所以固溶分子式為Al1.994Zr0.003Mg0.003O3第7頁,課件共13頁,創(chuàng)作于2023年2月2-11非化學(xué)計量化合物FexO中,F(xiàn)e3+/Fe2+=0.1,求FexO中空位濃度及x值。

分析:FexO是Fe2O3溶解在FeO中的非化學(xué)計量化合物,先寫出缺陷方程式,然后根據(jù)Fe3+/Fe2+=0.1計算。解:缺陷反應(yīng)式:1:2:1a:2a:a其化學(xué)式為:Fe1-2a-aFe2aO

2a/1-3a=0.1

a=0.044

X=1-a=0.956注:1+X為正常結(jié)點數(shù)。第8頁,課件共13頁,創(chuàng)作于2023年2月補(bǔ)充:

1、用ZrO2和0.25molCaO制成固溶體,測得晶胞參數(shù)

a0=0.5153nm,密度為

=5.184g/cm3,ZrO2為螢石結(jié)構(gòu),問主要缺陷形式是何種?分析:寫出可能的缺陷反應(yīng)式及固溶體分子式,然后計算相應(yīng)的理論密度,最后把計算密度與實測密度相比確定缺陷形式。解:缺陷反應(yīng)式2:1:10.25:0.125:0.125固溶分子式:Zr0.875Ca0.25O2

1:1:10.25:0.25:0.25固溶分子式:Zr0.75Ca0.25O1.75或比較d與,看誰與接近即為所對應(yīng)的缺陷類型。第9頁,課件共13頁,創(chuàng)作于2023年2月2、一塊金黃色的人造剛玉,化學(xué)分析結(jié)果認(rèn)為,是在Al2O3中添加了0.5mol%NiO和0.02mol%Cr2O3。試寫出缺陷反應(yīng)方程(置換型)及化學(xué)式。解:缺陷反應(yīng)式為2:2:10.5%:0.5%:0.25%1:20.02%:0.04%固溶體的化學(xué)式為:

Al2-0.5%-0.04%Ni0.5%Cr0.04%O3-0.25%

即Al1.9946Ni0.005Cr0.0004O2.9975第10頁,課件共13頁,創(chuàng)作于2023年2月3、填空題(1)晶體產(chǎn)生Frankel缺陷時,晶體體積

,晶體密度

;而有Schtty缺陷時,晶體體積

,晶體密度

。一般說離子晶體中正、負(fù)離子半徑相差不大時,

是主要的;兩種離子半徑相差大時,

是主要的。(2)AgBr在適當(dāng)溫度時產(chǎn)生Frankel缺陷時,用缺陷反應(yīng)表示為

,[Agi.]=

;在MgO中形成Schtty缺陷時,缺陷反應(yīng)式為

,=

。(3)少量CaCl2在KCl中形成固溶體后,實測密度值隨Ca2+離子數(shù)/K+離子數(shù)比值增加而減少,由此可判斷其缺陷反應(yīng)式為

。(4)寫出缺陷反應(yīng)式第11頁,課件共13頁,創(chuàng)作于2023年2月答案:(1)不變不變變大變小Schtty缺陷Frankel缺陷(2)

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