電子元器件選型規(guī)范

3/18編號(hào)：**/**-**-***-**受控狀態(tài)：電子元器件選型規(guī)范編制：日期：審核：日期：批準(zhǔn)：日期：CHBCHBCHB有限責(zé)任公司修訂記錄日期修訂狀態(tài)修改內(nèi)容修改人審核人批準(zhǔn)人功率器件優(yōu)先選用RjA熱阻小,Tj結(jié)溫更大的封裝型號(hào)。禁止選用封裝尺寸小于0402（含）的器件。所選元器件MSL（潮濕敏感度等級(jí)）不能大于5級(jí)（含）。優(yōu)先選用密封真空包裝的型號(hào)，MSL（潮濕敏感度等級(jí)）大于2級(jí)（含）的，必須使用密封真空包裝。優(yōu)先選用卷帶包裝、托盤包裝的型號(hào)。如果是潮濕敏感等級(jí)為二級(jí)或者以上的器件，則要求盤狀塑料編帶包裝，盤狀塑料編帶必須能夠承受125℃的使用的材料要求滿足抗靜電、阻燃、防銹蝕、抗氧化以及安規(guī)等要求。選型時(shí)必須向我公司合格供應(yīng)商確認(rèn)供貨渠道是否通暢。電子物料選型時(shí)需確定的幾個(gè)基本因素：技術(shù)參數(shù)：電氣參數(shù)，機(jī)械參數(shù)，見《規(guī)格書》；型號(hào)，廠家料號(hào)，包括尾綴，以及可替換的型號(hào)；封裝；使用環(huán)境；供貨渠道（品牌，供貨商）；價(jià)格；技術(shù)支持；引用文件：GJB/Z35《元器件降額準(zhǔn)則》各類電子元器件選型原則 電阻選型首先確認(rèn)電阻的基本參數(shù)：阻值大小。精度：常規(guī)使用優(yōu)選1%精度。額定功率和體積：優(yōu)先選擇常規(guī)功率的體積，具體參見下表1。溫漂，有特殊要求的應(yīng)用，比如傳感器應(yīng)用，必須關(guān)注此參數(shù)帶來產(chǎn)品性能的影響。工作溫度范圍，超過70攝氏度的環(huán)境必須降額使用。電阻類別：貼片厚膜電阻，貼片薄膜電阻，線繞電阻等，普通應(yīng)用為貼片厚膜電阻或者薄膜電阻。封裝額定功率(W)

@70°C最高工作電壓

(V)工作溫度(°C)英制

(inch)公制

(mm)常規(guī)功率系列0100504021/3215-55~+125020106031/2025040210051/1650-55~+155060316081/1050080520121/8150120632161/4200121032251/4200-55~+125201050251/2200251264321200表1具體選型原則如下：電阻阻值優(yōu)先選用10系列，12系列，15系列，20系列，30系列，39系列，47系列，51系列,68系列，82系列。貼片電阻優(yōu)選0603和0805的封裝，0402以下的封裝禁選。插腳電阻優(yōu)選0.25W，0.5W，1W，2W，3W，5W，7W，10W，15W。對(duì)于電阻的溫漂，J檔溫漂不能超過500ppm/℃，F(xiàn)檔溫漂不能超過100ppm/℃，B檔溫漂不能超過10ppm/℃。慎選電位器，如果無法避免，選用多圈的，品牌用BOURNS。優(yōu)選貼片封裝。電阻品牌優(yōu)選YAGEO，厚生。特種場(chǎng)合電阻選型：反饋電路，電流/電壓采樣檢測(cè)電阻選無感電阻，精度越高越好。芯片或網(wǎng)絡(luò)輸入端的啟動(dòng)電阻或?yàn)V波吸收電阻，電壓功率降額。高壓電阻：安規(guī)認(rèn)證；1KV額定電壓，電阻本體長(zhǎng)度≥10mm，4KV時(shí)本體長(zhǎng)度≥25mm。電容選型鋁電解電容缺點(diǎn)：體積大，ESR大，感抗較大，溫度敏感；適用場(chǎng)合：溫度變化小、工作頻率低（<25kHz）場(chǎng)合；選型規(guī)則：需快速充放電的場(chǎng)合禁用鋁電解電容。壽命：普通應(yīng)用中選擇標(biāo)準(zhǔn)型、壽命1000HR~3000HR（為價(jià)格考慮，慎選長(zhǎng)壽命型），優(yōu)選2000Hr。耐壓：降額使用，3.3V系統(tǒng)取10V、5V系統(tǒng)取10V、12V系統(tǒng)取25V、24V系統(tǒng)取50V；48V系統(tǒng)選100V，在發(fā)熱元件附件使用，慎選電解電容；濾波電路，按（電路額定電壓+噪聲疊加后）的電壓峰值*（1.2—1.5）選擇電解電容耐壓。額定電壓*1.3作為電容器的浪涌電壓，工作電壓>160V時(shí)，額定工作電壓+50V作為浪涌電壓；降額標(biāo)準(zhǔn)參見GJB/Z35《元器件降額準(zhǔn)則》。工作溫度：鋁電解電容必須選用工作溫度為105度的。容值：優(yōu)選10、22、47系列；25V以下禁選224、105、475之類容值型號(hào)（用片狀多層陶瓷電容或鉭電解電容替代）。極性：對(duì)于高壓型鋁電解電容保留400V。禁選無極性鋁電解電容。品牌：普通鋁電解電容選用品牌“SAMWHA”（三和），高端鋁電解電容選用NCC（黑金剛）或其他日本名牌鋁電解電容，或者臺(tái)灣利隆。封裝：優(yōu)先選用貼片的鋁電解電容。鉭電解電容優(yōu)點(diǎn)：在串聯(lián)電阻、感抗、對(duì)溫度的穩(wěn)定性與鋁電解相比優(yōu)勢(shì)明顯；缺點(diǎn)：工作電壓較低。選型規(guī)則：漏電流要求較高的場(chǎng)合，不選鉭電解電容，需選用薄膜電容。耐壓：降額選用，禁止選用耐壓超過35V以上的，3.3V系統(tǒng)取10V、5V系統(tǒng)取16V、12V系統(tǒng)取35V、10V、16V、35V為優(yōu)選，4V、6.3V、50V為禁用（用鋁電解電容替代），電源輸入級(jí)或低阻抗環(huán)境使用，推薦降額到0.3，電源輸出級(jí)及一般應(yīng)用環(huán)境推薦降額0.5。封裝：插腳式鉭電解電容禁選。品牌：僅限選擇KEMET、AVX。片狀多層陶瓷電容選用基本原則：低ESR和高的諧振頻率，ESR越小越好。Q值：高Q值陶瓷電容慎選；只用在射頻電路上。封裝：0603、0805優(yōu)選、1206、1210慎選、1808以上禁選。耐壓：優(yōu)選25V、50V、100V；106（含）以上容值的耐壓不大于25V。容量：優(yōu)選10、22、33、47、68系列。材料：優(yōu)選NPO、X7R、X5R，其它禁選。品牌：優(yōu)選YAGEO，其他可選TAIYO（太陽(yáng)誘電）、MURATA（村田）、KEMET、TEMEX（高Q陶瓷電容）電感選型電感選型時(shí)考慮的因素如下：體積大??；電感值所在工作頻率；開關(guān)頻率下的電感值為實(shí)際需要的電感值；線圈的直流阻抗(DCR)越小越好；工作電流應(yīng)降額至額定飽和電流的0.7倍以下，額定rms電流；交流阻抗(ESR)越小越好；Q因子越大越好；屏蔽類型：屏蔽式或非屏蔽式，優(yōu)先選擇屏蔽式。工作頻率和繞組電壓不可降額；品牌：貼片電感優(yōu)選TDK，MURATA(村田),“三禮”（臺(tái)灣）和“SUMIDA”（勝美達(dá)，日本）。二極管選型二極管參數(shù)需降額使用，具體參考《GJB/Z35元器件降額準(zhǔn)則》。發(fā)光二極管：發(fā)光二極管優(yōu)選直徑為5mm的插腳型號(hào).貼片發(fā)光二極管優(yōu)選選用有焊接框架的型號(hào)，ESD/MSL等級(jí)遵循上述的標(biāo)準(zhǔn)。發(fā)光二極管優(yōu)選有邊、短腳的；為了保持公司產(chǎn)品的一致性，紅發(fā)紅、綠發(fā)綠等型號(hào)優(yōu)選，白發(fā)紅、白發(fā)綠等型號(hào)慎選；如果沒有特殊要求，盡量不要使用長(zhǎng)腳、無邊的。發(fā)光二極管優(yōu)選品牌為“億光”?？旎謴?fù)二極管：低電壓（耐壓值200V以下）下，高時(shí)間特性時(shí)選肖特基二極管；肖特基管熱阻和電流都較大，優(yōu)選分立式封裝。通常3A以下可以選擇SOD-123或D-64封裝；3～8A可以選擇D2－PAK封裝；8A以上DO-201、TO-220、TO-3P。在高電壓時(shí)選擇PIN結(jié)構(gòu)快恢復(fù)二極管。整流二極管：主要考慮最大整流電流、最大反向工作電流、截止頻率及反向恢復(fù)時(shí)間等參數(shù)；開關(guān)電源整流、脈沖整流用整流二極管，宜選工作頻率較高、反向恢復(fù)時(shí)間較短、或選快恢復(fù)二極管。低電壓、大電流時(shí)整流，選肖特基二極管。同電流等級(jí)優(yōu)先選擇反壓最高的型號(hào).如1A以下選用1N4007（M7），3A的選用IN5408。肖特基二極管：同電流檔次的保留反壓最高的等級(jí)，如：1N5819保留,1N5817禁選，SS14保留，SS12禁選;B340A保留。穩(wěn)壓二極管：穩(wěn)定電壓值應(yīng)與應(yīng)用電路的基準(zhǔn)電壓值相同；最大穩(wěn)定電流高于應(yīng)用電路的最大負(fù)載電流50%左右；穩(wěn)壓管在選型時(shí)務(wù)必注意器件功率的降額處理。實(shí)際功率應(yīng)小于0.5×P。功率在0.5W以下的型號(hào)選擇貼片式封裝，0.5W及以上選擇直插式封裝瞬態(tài)抑制二極管：Vrmax（最大反向工作電壓）≥正常工作電壓。Vcmax（最大鉗位電壓）≤最大允許安全電壓。常規(guī)CMOS電路電源電壓為3～18V，擊穿電壓為22V，則應(yīng)選Vcmax為18～22V的TVS管。Pp（瞬態(tài)脈沖功率的最大值）=最大峰值脈沖電流Ipmax與Vcmax。Pp大于被保護(hù)器件或線路的最大瞬態(tài)浪涌功率。品牌：優(yōu)選NXP和ON。三極管選型三極管選型時(shí)，以下幾個(gè)參數(shù)必須考慮：ICM集電極最大允許電流<實(shí)際集電極電流，降額70%使用；BVCEO，基極開路時(shí)，集電極-發(fā)射極反向擊穿電壓>電源電壓*70%，有感電路降額使用，并加保護(hù)電路；PCM，集電極最大允許耗散功率，降額70%使用；Ft,特征頻率>3倍實(shí)際工作頻率；小功率的三極管選用901X系列的9012，9013，9014以及8550,8050等；開關(guān)用三極管可用NMOS管代替的，盡量用NMOS管代替，可用NMOS有：2N2002,IRF120N,IRF540N等。品牌：盡量選用大品牌的貼片封裝器件，例如：NXP，DIODE，ST，TI等；晶體和晶振選型優(yōu)選表貼封裝晶體或晶振；優(yōu)選金屬殼封裝，電磁屏蔽特性好；要求頻率穩(wěn)定度（溫度穩(wěn)定度）<15ppm時(shí)，優(yōu)選溫補(bǔ)晶振（TCXO）；晶體物料通用技術(shù)要求：AT切（基頻），12.5pF負(fù)載電容，溫度范圍-20～+70℃（工業(yè)溫度等級(jí)），制造頻偏30ppm，溫漂50ppm/℃負(fù)載電容：對(duì)于內(nèi)置振蕩器的處理器，注意振蕩器對(duì)晶體負(fù)載電容的要求，如STM32的RTC晶體，為6pf負(fù)載電容，不滿足可能造成振蕩器不起振或者頻率偏差過大。晶體和晶振品牌優(yōu)選HOSONIC和EPSON。晶體和晶振優(yōu)選系列如下表：名稱品牌優(yōu)選型號(hào)頻率范圍矮型插腳晶體HOSONICESA**.****F20E35F<25MHz矮型貼片晶體HOSONICESB**.****F20E35F<25MHz方形貼片晶體HOSONICE6SB**.****F20E35F8MHz<fo<25MHz小型塑封表晶EPSONMC-15632.7680KA-A532.768kHz方形貼片晶振HOSONICD36B**.****NNS方形插腳晶振HOSONICD22B**.****NNS繼電器選型 由于熱敏干簧繼電器屬于機(jī)電器件，相對(duì)半導(dǎo)體器件，體積較大，使用不當(dāng)、設(shè)計(jì)保護(hù)措施不足都容易造成產(chǎn)品故障，故盡量減少熱敏干簧繼電器的使用。選型時(shí)考慮以下參數(shù)：額定工作電壓：正常工作時(shí)線圈所需電壓;直流電阻：線圈的直流電阻，通過萬能表測(cè)量;吸合電流：繼電器能夠產(chǎn)生吸合動(dòng)作的最小電流;釋放電流：繼電器產(chǎn)生釋放動(dòng)作的最大電流;當(dāng)繼電器吸合狀態(tài)的電流減小到一定程度時(shí)，繼電器就會(huì)恢復(fù)到未通電的釋放狀態(tài)。這時(shí)的電流遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于吸合電流。觸點(diǎn)切換電壓和電流：是指繼電器允許加載的電壓和電流，使用時(shí)不能超過此值，否則很容易損壞繼電器的觸點(diǎn)。另外繼電器選型時(shí)還應(yīng)遵循以下原則：降額使用：根據(jù)不同類型負(fù)載，降額使用，具體參考《GJB/Z35元器件降額準(zhǔn)則》。設(shè)計(jì)無法避免的情況下，優(yōu)選固態(tài)繼電器。品牌:優(yōu)選PANASONIC、OMRON、松川。電源選型AC/DC電源選型規(guī)則對(duì)于可靠性要求高的產(chǎn)品，電源優(yōu)選LAMBDA和COSEL；對(duì)于無特殊要求的通用產(chǎn)品，可選用利得華福，星原豐泰和銘緯的電源，優(yōu)先選擇銘偉電源。選Lambda電源時(shí)，便于歸一化要求大家統(tǒng)一選帶JST接插件的型號(hào)。新產(chǎn)品盡量選用標(biāo)準(zhǔn)電源，不推薦定制電源。隔離DC/DC電源選型規(guī)則隔離DC/DC電源優(yōu)選TI公司的產(chǎn)品，TI產(chǎn)品不能滿足要求時(shí)優(yōu)選C&D。運(yùn)放選型運(yùn)放選型時(shí)參數(shù)要求：開環(huán)電壓放大倍數(shù)：Avd≥80dB（Avd·β足夠大）；差模輸入電阻：Rid比反饋網(wǎng)絡(luò)的輸出阻抗大1～2個(gè)量級(jí)，由輸入電阻引起的誤差就可以忽略；輸出電阻：Ro比后級(jí)輸出端外總負(fù)載電阻小1～2個(gè)量級(jí)，由輸出電阻引起的誤差就可以忽略；單位增益帶寬：BWG比實(shí)際閉環(huán)增益帶寬大1個(gè)量級(jí)以上；共模抑制比：CMRR足夠大，抗干擾設(shè)計(jì)中重要；輸入失調(diào)電壓：Vio不超過系統(tǒng)精度要求的1/3。品牌：盡量選擇公司已經(jīng)在使用或者市面上常用的型號(hào)，推薦使用TI,ADI或者LT的相關(guān)型號(hào)。A/D和D/A芯片選型精度：與系統(tǒng)中所測(cè)量控制的信號(hào)范圍有關(guān)，但估算時(shí)要考慮到其他因素，轉(zhuǎn)換器位數(shù)應(yīng)該比總精度要求的最低分辯率高一位。常見的A/D、D/A器件有8位，10位，12位，14位，16位等。速度：應(yīng)根據(jù)輸入信號(hào)的最高頻率來確定，保證轉(zhuǎn)換器的轉(zhuǎn)換速率要高于系統(tǒng)要求的采樣頻率，滿足Nyquist采樣定理。通道：確認(rèn)A/D轉(zhuǎn)換需要的通道數(shù)量，多路采樣的模式，并行還是串行。數(shù)字接口方式：接口有并行/串行之分，串行又有SPI、I2C、SM等多種不同標(biāo)準(zhǔn)。數(shù)值編碼通常是二進(jìn)制，也有BCD（二~十進(jìn)制）、雙極性的補(bǔ)碼、偏移碼等，優(yōu)選SPI和I2C接口。模擬信號(hào)類型：通常AD器件的模擬輸入信號(hào)都是電壓信號(hào)，而D/A器件輸出的模擬信號(hào)有電壓和電流兩種。極性：根據(jù)信號(hào)是否過零，還分成單極性（Unipolar）和雙極性（Bipolar），優(yōu)先選擇單極性芯片。電源電壓：有單電源，雙電源和不同電壓范圍之分，早期的A/D、D/A器件要有+15V/-15V，如果選用單+5V電源的芯片則可以使用單片機(jī)系統(tǒng)電源，優(yōu)選5V供電電壓。量程確認(rèn)輸入信號(hào)在A/D芯片的量程范圍內(nèi)，并能充分利用的量程?；鶞?zhǔn)電壓：有內(nèi)、外基準(zhǔn)和單、雙基準(zhǔn)之分，優(yōu)先有內(nèi)部基準(zhǔn)的芯片。功耗：一般CMOS工藝的芯片功耗較低，對(duì)于電池供電的手持系統(tǒng)對(duì)功耗要求比較高的場(chǎng)合一定要注意功耗指標(biāo)。封裝：禁止選用DIP封裝，只使用貼片封裝。跟蹤/保持（Track/Hold縮寫T/H）：原則上直流和變化非常緩慢的信號(hào)可不用采樣保持，其他情況都應(yīng)加采樣保持。滿幅度輸出(Rail-toRail)新近業(yè)界出現(xiàn)的新概念，最先應(yīng)用于運(yùn)算放大器領(lǐng)域，指輸出電壓的幅度可達(dá)輸入電壓范圍。在D/A中一般是指輸出信號(hào)范圍可達(dá)到電源電壓范圍。品牌：優(yōu)先選擇ADI，TI,LT和MAXICM幾個(gè)大公司的產(chǎn)品。處理器選型各類元器件選型過程中，除應(yīng)考慮上述的原則外，還應(yīng)根據(jù)不同類別元器件的參數(shù)和特點(diǎn)，進(jìn)行細(xì)致考慮。處理器選型要求：歸一化原則，盡量采用本公司正在使用或者使用過的型號(hào)或者系列。應(yīng)用領(lǐng)域盡量選用工業(yè)領(lǐng)域和商業(yè)領(lǐng)域常使用的型號(hào)，注意該領(lǐng)域的芯片使用溫度范圍，溫度等級(jí)。自帶資源確認(rèn)芯片自帶資源是否滿足要求,包括：主頻內(nèi)存：RAM,ROM外設(shè)資源是否支持在線仿真支持的OS類型可擴(kuò)展資源是否支持?jǐn)U展RAM，ROM等。功耗確認(rèn)芯片各種工作狀態(tài)下消耗的電流，為芯片的電源設(shè)計(jì)提供依據(jù)。封裝PCB面積許可的情況下，優(yōu)先選擇QFP、SOP封裝，盡量少用QFN和BGA封裝。芯片的可延續(xù)性及技術(shù)的可繼承性目前，產(chǎn)品更新?lián)Q代的速度很快，所以在選型時(shí)要考慮芯片的可升級(jí)性，優(yōu)選大公司的同一系列產(chǎn)品。價(jià)格及供貨保證選型時(shí)盡量選擇量產(chǎn)的芯片，慎選樣片階段的芯片。仿真器和開發(fā)平臺(tái)確認(rèn)開發(fā)時(shí)所使用的仿真器以及軟件開發(fā)平臺(tái)，優(yōu)選公司已有的開發(fā)工具和開發(fā)平臺(tái)支持的處理器。OS及開發(fā)工具確認(rèn)處理器支持的OS以及BSP，以及提供開發(fā)用例的豐富程度。勘誤資料查閱最新版本的芯片勘誤資料，確認(rèn)芯片的限制使用條件。技術(shù)支持優(yōu)選知名度高的半導(dǎo)體公司的產(chǎn)品，選擇市面上使用較廣、可利用的軟硬件資源較多的芯片，盡量選擇有廠家或者代理商技術(shù)支持的芯片。FLASH選型并行FLASH品牌優(yōu)選SPANSION、SST，SAMSUNG。串行FLASH品牌優(yōu)選ATMEL。SRAM選型品牌優(yōu)選ISSI，CYPRESS，MICRON，IDT，SAMSUNG。EEPROM選型禁止選用并行的EEPROM。串行EEPROM品牌優(yōu)選ATMEL和MICROCHIP。新的產(chǎn)品禁止選用24LC65-I/SM。開關(guān)選型禁選撥碼開關(guān)。電源開關(guān)優(yōu)選船形開關(guān)。觸點(diǎn)電壓和電流需降額使用。接插件選型選型時(shí)考慮的電氣參數(shù)：額定電壓：加載的電壓≤額定電壓*50％；額定電流：加載電流≤額定電流*50％。多芯連接器，額定電流降額使用（esp.大電流）。絕緣阻抗?？闺姀?qiáng)度：?jiǎn)挝粫r(shí)間所能耐的電壓。接觸電阻：指插針和插孔接觸部分產(chǎn)生的電阻，高頻、mV/mA級(jí)別時(shí)影響信號(hào)質(zhì)量。鍍層材料。選型時(shí)考慮的機(jī)械參數(shù)：插拔壽命：插拔力：總拔出力=2*單腳分離力之和。優(yōu)選50N≥總拔出力≥13N，低于4PIN連接器（3/2/1PIN）拔出力≥8N；常插拔連接器或者可靠性要求高的連接器優(yōu)選鎖扣式連接器；選型基本規(guī)則：禁選IC插座，如果不能避免使用IC插座，必須使用圓孔的IC插座。成套的接插件要求使用同一品牌的，既插頭、插座配套使用的要求它們?yōu)橥黄放频摹Ｆ放疲簝?yōu)選JST、AMP、MOLEX等