藍(lán)寶石生產(chǎn)信息

一、藍(lán)寶石生長(zhǎng)設(shè)備廠 晶棒生長(zhǎng)設(shè)備廠 晶圓切割設(shè)備廠 晶片研磨拋光設(shè)備廠 二、藍(lán)寶石生長(zhǎng)技 提拉法 熱交換 三、藍(lán)寶石研磨拋光技 四、藍(lán)寶石質(zhì)量檢測(cè)體 國(guó)內(nèi)外標(biāo) 質(zhì)量要 檢測(cè)方法和設(shè) 一、藍(lán)寶石生長(zhǎng)設(shè)備廠晶棒生長(zhǎng)設(shè)備廠公司名稱(chēng)：美國(guó)thermaltechnology網(wǎng)址產(chǎn)品：Model7215-CIBCzochralskiCrystaltkey公司名稱(chēng)：俄羅斯pryroda產(chǎn)品：OMEGA系列。公司名稱(chēng)：俄羅斯網(wǎng)址網(wǎng)址網(wǎng)址晶圓切割設(shè)備廠德國(guó)Gn晶片研磨拋光設(shè)備廠網(wǎng)站：http://www.engis-韓國(guó)NTS網(wǎng)址二、藍(lán)寶石生長(zhǎng)技提拉法Jsk在76年2上發(fā)表了￠200mm藍(lán)寶石品體生長(zhǎng)工藝研究，在該文章中采用單品提拉爐成功生長(zhǎng)mxm大尺寸l23體開(kāi)裂的原因，設(shè)計(jì)出生長(zhǎng)大尺寸l23晶體提拉法與其它晶體生長(zhǎng)方法相比有以下優(yōu)點(diǎn)①在晶體生長(zhǎng)過(guò)程中可以直接進(jìn)行測(cè)試與觀察，有利于控制生長(zhǎng)條件②使用優(yōu)質(zhì)定向籽晶和“縮頸”技術(shù)，可減少晶體缺陷，獲得所需取向的晶體③晶體生長(zhǎng)速度較快④晶體位錯(cuò)密度低，光學(xué)均一性高晶體提拉法的不足之處在于①坩堝材料對(duì)晶體可能產(chǎn)生污染②熔體的液流作用、傳動(dòng)裝置的振動(dòng)和溫度的波動(dòng)都會(huì)對(duì)晶體的質(zhì)量產(chǎn)生影響熱交換00nl)EFMMRVeki技術(shù)最初稱(chēng)為梯度爐或施密德一Veki￠m2M)。aP.Khattak,FrederickSchmid2001￠34cm的藍(lán)寶石梨晶65Kg，并努力發(fā)展側(cè)重于生產(chǎn)直徑￠50cm優(yōu)點(diǎn)：生長(zhǎng)的藍(lán)寶石晶體尺寸大，質(zhì)量較好，可實(shí)現(xiàn)原位退缺點(diǎn)：晶體無(wú)轉(zhuǎn)動(dòng)，溫場(chǎng)不易均勻；氦氣為冷卻劑，成本高；坩堝強(qiáng)制作用顯著三、藍(lán)寶石研磨拋光技P原 優(yōu) 缺 備藍(lán)寶石傳統(tǒng)的拋光方機(jī)械法，它采用人造金剛微粉研磨膏進(jìn)行拋光

原理簡(jiǎn)單，操作方便

由于金剛石硬度(莫氏10級(jí))比藍(lán)寶石有微粉分選下藝較落后使得微粉顆粒而不可避免在藍(lán)寶石單晶拋光表面產(chǎn)用的拋光液對(duì)工件進(jìn)化學(xué)化學(xué)腐蝕去除材料，除 面上產(chǎn)生的機(jī)械損傷層，并清除各種沾污

化學(xué)拋光產(chǎn)生的破光時(shí)需要的溫度較

化蝕生襯拋化學(xué)機(jī)械拋光

化學(xué)機(jī)械拋光最大的優(yōu)點(diǎn)就是能使藍(lán)寶石

實(shí)際生產(chǎn)中藍(lán)寶石裂痕和崩邊現(xiàn)象較高勢(shì)必影響拋光成

半導(dǎo)體加工行業(yè)的主導(dǎo)技術(shù)光與物質(zhì)相互作用激光光與物質(zhì)的作用方式拋光熱作用和光化學(xué)作用因此可把激光拋光簡(jiǎn)分為熱拋光和冷拋光

①接觸拋光對(duì)樣品表面不會(huì)施加壓力，樣品不易破對(duì)局部小區(qū)域進(jìn)波長(zhǎng)短脈沖激光可達(dá)到納米級(jí)拋光精度；④拋光

光拋光藍(lán)寶石的研理的系統(tǒng)研究還很參數(shù)等都有待進(jìn)一

世紀(jì)90四、藍(lán)寶石質(zhì)量檢測(cè)體國(guó)內(nèi)外標(biāo)目前藍(lán)寶石襯底晶片的標(biāo)準(zhǔn)共有6個(gè)：SEMIM36-883INCH回收藍(lán)寶石襯底標(biāo)準(zhǔn)GB/T13843藍(lán)寶石單晶拋光襯底片。質(zhì)量要(1)內(nèi)在質(zhì)量要求 參考面定位誤差：<±l°；直徑誤差：0.05mm；厚度誤差：0.03mm；彎曲度：<20μm；拋光面粗糙度Ra：05nm.崩邊：不允許有弦長(zhǎng)超過(guò)1mm的崩邊；應(yīng)變層：不允許存在加工后藍(lán)寶石晶片潔凈度要求<1109個(gè)/有機(jī)物碳含量：<5109個(gè)cm2；微粒(尺寸大0.1μm)：<20個(gè)/火花源雙聚焦質(zhì)譜儀)，從而精確計(jì)算出晶片呼組成元素種類(lèi)和含量。檢測(cè)藍(lán)寶石的晶向通常用X射線衍射法和光點(diǎn)定向法目前較可靠且經(jīng)濟(jì)的儀器X15°腐蝕法是：把晶片放在熔融的H在30℃腐蝕10min，取出清洗后，然后在光學(xué)顯微鏡下觀察位錯(cuò)密度。腐蝕后在金相顯微鏡下觀察到的腐蝕形貌。外觀尺直徑和厚度用外徑千分尺；TTV用高度千分尺平面度和翹曲度用激光干涉儀表面粗糙度主要是用原子力顯微鏡(AFM)表層質(zhì)量檢崩邊、麻點(diǎn)、桔皮可以用40倍的放大鏡檢測(cè)晶片加工后