LED各種專業(yè)術(shù)語解釋

PAGEPAGE2/K。黑體發(fā)出光的波長分布（色調(diào)）因溫度而異。色溫常用于表示熒光燈和白色LED的光指用黑體（理論上可完全吸收外來光的虛擬物體）的溫度表示光的顏色的數(shù)值。單位為DDD平均演色性指數(shù)a為706000KD3000KD4000K5000K【LED術(shù)語】光效下降現(xiàn)象（LED光效下降現(xiàn)象是指，向芯片輸入較大電力時D有助于削減單位光通量成本的技術(shù)，各D現(xiàn)在，日亞化學工業(yè)和德國歐司朗光電半導體（OSRAMOptoSemiconductorsGmbH）等眾多LED廠商也開始傾力研究。各LED廠商打算把在輸入電流1A，輸入功率3W時明顯出 照明的全光通量與器具整體耗電量的比值。一般情況下，由于LED照明會受到電源損30～50％。DLEDD先，將白色DDD下的發(fā)光效率。但照明器具多在向D20D111整體的發(fā)光效率與只有光源的目錄值相比會降低單位為lm/W。D100lm/，其發(fā)光效率能否達到與直管型熒光燈的綜合效率相同的100lm/W備子效率是發(fā)射到DDD芯片和熒光體的白色D在D芯片發(fā)光層內(nèi)發(fā)生的光子個數(shù)占流經(jīng)D、D由D在發(fā)光層產(chǎn)生的光子的一部分或在LED芯片內(nèi)被吸收，或在LED芯片內(nèi)不停地反射，出不了LED芯片。因此，外部量子效率比內(nèi)部量子效率要低。發(fā)光效率100lm/W的白色LED，其輸入電力只32％作為光能輸出到了外部。剩余68％轉(zhuǎn)變?yōu)闊崮?。今?年將提高2003WD芯片所使用的GaN類半導體結(jié)晶的D從20041～20lm/W450lm/W到2008W450lm/技術(shù)的芯片技術(shù)改進擴展至了整個DVPE長結(jié)晶相的LPLED、白色LED以及藍紫色半導體激光器等GaN類發(fā)光元件一般采用VPE法之金屬氣體等作為原料。藍色LED在藍寶石基片和SiC基片上，藍紫色半導體激光器在GaN基片上使用MOCVD裝置使得利用帶隙較寬的層夾住帶隙窄且極薄的層形成的構(gòu)造。帶隙較窄的層的電勢要比周（帶隙較寬的層）低，因此形成了勢阱（量子阱LED和半導體激光器中，量子阱構(gòu)造用于放射光的活性層。重疊多層量子阱的構(gòu)造被稱為多重量子阱（MQW：multiquantumwell【LED術(shù)語】基片DGaNGaN類D在成為（metalinsulatosemiconducto）n接合型雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)造，采用單一量子阱的雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)造以及采用多重量子阱的雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)造的過程中SD在還沒有實現(xiàn)p型GaN膜時，就被廣泛開發(fā)并實現(xiàn)了產(chǎn)品化。缺點是光強只有數(shù)百p型GaN膜被造出來之后，采用pn接合型雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)造的藍色D得以實現(xiàn)。與S1c10【LED術(shù)語】基片LED和半導體激光器等的發(fā)光部分的半導體層，是在基片上生長結(jié)晶而成。采用的基片根據(jù)LED的發(fā)光波長不同而區(qū)分使用如果是藍色LED和白色LED等GaN類半導體材料的LED芯片，則使用藍寶石、SiCSi等作為基片，如果是紅色LED等采AlInGaP類材料的LED芯片，則使GaAs等作為基片。因LED發(fā)光波長而使用不同基片的原因是為了選擇與LED發(fā)光部分——半導體結(jié)晶LED術(shù)語】GaN（gallium（晶格失配就會縮的可能性就會減少。而且能降低D外，藍紫色半導體激光器等電流密度和光輸出密度較大的元件，則采用昂貴的LED術(shù)語】GaN（gallium由鎵（Ga）和氮（N）構(gòu)成的化合物半導體。帶隙為3.45eV（用光的波長表示相當于365nm，和鋁（Al）調(diào)整帶隙，所獲得LED和藍紫色半導體激光器等發(fā)光元件已經(jīng)實用化。GaN由于帶隙較寬，可產(chǎn)生藍色和綠色等波長較短的光。藍色LED和藍紫色半導體激光器，采用了在GaN中添加In形成的InGaN。除了帶隙較寬以外，GaN還具有絕緣破壞電場高電場飽和速度快導熱率高等半導體材料的優(yōu)異特性另外采用HEMT（HighElectronMobilityTransistor）構(gòu)造GaN類半導體元件，其載流子遷移率較高，適合用作高頻元件。原因是會產(chǎn)生名為“二維電子氣體層”的電子高速流動領域。而且，由于絕緣破壞電場要比Si和GaAs大，耐壓較高，可施加更高的電壓。因此，在手機基站等高頻功率放大器電路中采用GaNHEMT的話，能夠提高電力附加效率，降低耗電。最近，GaN作為逆變器及變壓器等電力轉(zhuǎn)換器使用的功率元件也極受期待。原因是與Si功率元件相比，GaN類功率元件可大幅降低電力損失。由于絕緣破壞電場較高，能夠通【 術(shù)語】光通量／光強／亮度／照度光通量是表示光源整體亮度的指標。單位為lm（流明。在表示照明光源的明亮程度1d（堪德拉）的光源在1s（立體弧度）量為1l。此處的sr為立體角的單位，表示從球面向球心截取的面積為半徑）的2次方光強是表示光通量立體角密度的指標。單位為d。多在表示顯示用D等的眩光時使用。其定義為：發(fā)射5401012555n）為1/683/sr的光源，在該方向的光強就定義為。cd/m2。與光通量一樣，是結(jié)合人眼的靈敏度表示的物理量。大多在表示液晶面板和PDP等【LED術(shù)語】演色性（colorl【LED術(shù)語】演色性（color指利用照明器具的光照射物體時標。一般情況下，多使用平均演色性指數(shù)R）來表示。平均演色性指數(shù)越接近100的光明器具的Ra為80090以上。用于照明的白色，大體分為低Ra和高Ra的關系，優(yōu)先考慮演色性，發(fā)光效率會降低0～3％。為此，出現(xiàn)了發(fā)光效率優(yōu)先和演色（人眼對光的靈敏度550nm附近的峰值，其發(fā)光峰值較大。例如，組合藍色D芯片和黃色熒光體得到的疑似白光的普通白色，其Ra只有70多。在其中添加紅色熒光體等即可將Ra0a90的白色D則是出于使發(fā)光光譜的變化更加平滑的目的，而對藍色D等。此外，對近紫外D組合使用紅色、綠色和藍色等多種熒光體，可獲得Ra0的白色。D的用途包括指示器、液晶面板背照燈、照明器具以及前照燈等，范圍極廣。對白色DD特點。要想滿足廣泛的用途要求，需要根據(jù)D的這些特點，采用透鏡等光學部件，將屬于點光源且指向性強的D為D增添價值。DD廠商的目標是涉足這些領域，提高產(chǎn)品的附加值。【LED術(shù)語】調(diào)光LED廠商還在很多方面下了工夫。例如，德國歐司朗光電半導體實現(xiàn)了多種透鏡的使用。備有不同形式的高輸出功率白色LED和透鏡，將放射角各異的透鏡與白色LED相結(jié)合。在白色LED的封裝上開孔，以插入帶有凸起的透鏡。這樣一來，白色LED的放射面和透鏡的【LED術(shù)語】調(diào)光將光源發(fā)出的光調(diào)節(jié)為希望的亮度的做法。LED與白熾燈一樣，比熒光管更容易進行微細調(diào)光。通過在點亮LED的電源電路中，改變輸LED的電流大小和占空比（導通時間D前已經(jīng)開發(fā)出了具備調(diào)光功能的產(chǎn)品。除了埋入天花板等的DD燈泡中也有利用遙控器進行調(diào)光的產(chǎn)品。組合使用光傳感器，根據(jù)外光的亮度自動調(diào)光的D明器具也已經(jīng)面世。液晶面板的DDD“CELLREGZA5”D512（163的DD以最大亮度發(fā)光，峰值亮度實現(xiàn)了1250d/m，影像顯示時的對比度實現(xiàn)了500?！綥ED術(shù)語】光譜D的光譜一般為單色D，例如藍色D以波長470nm域為光的強度的測定極限。而白熾燈的光譜，其發(fā)光強度廣泛分布于400nm多的藍色領域至700nm合使用的熒光體的發(fā)光波長部分為光譜的峰值。DD的光譜則有很大不D的白色光是組合了多個D另外，基于藍色D的發(fā)光強度的峰值較尖，而基于熒光體的峰值較為平緩。將DDD的光最終將經(jīng)由液晶面板的彩色濾光片（綠色、藍色）輸出到外部。獲得三個發(fā)光強度的峰值時，有使用紅色、綠色和藍色三種D進熒光體材料、使用可獲得三個峰值的白色D的方法?！綥ED術(shù)語】藍色LED（bluelightemitting指藍色發(fā)光二極管。發(fā)光波長的中心為470nm前后。用于照明器具和指示器等藍色顯示部分的光源、LED顯示屏的藍色光源以及液晶面板的背照燈光源等。與熒光體材料組合使用可得到白色光。目前的白色LED一般采用藍色LED與熒光材料相組合的構(gòu)造。LED得以廣泛應用的契機，是日亞化學工業(yè)199312月在業(yè)內(nèi)首次開發(fā)出了光強1cd以上的品種。而在此之前，還沒有藍色純度較高且具有實用光強的LED。因此，采用LED的大尺寸顯示屏無法實現(xiàn)全彩顯示。藍色LED的材料使用氮化鎵（GaN）類半導體。以前曾盛行用硒化鋅（ZnSe）類半導體開發(fā)藍色LED但自從199312月采用GaN類半導體的高亮度藍色LED被開發(fā)出來后，藍色LED的主流就變成了采用GaN類半導體的產(chǎn)品。藍色LED的構(gòu)造為，在藍寶石或者SiC底板等的表面上，重疊層積氮化鋁（AlN）半導體層和GaN類半導體層。在稱為活性層、發(fā)藍色光的部分設置了使p型GaN類半導體層和n型GaN類半導體層重疊的構(gòu)造?！綥ED術(shù)語】可見光通信（visiblelightpn結(jié)是制作高亮度LED所必須采用的構(gòu)造。在使用GaN以外材料的紅色等LED中，pn結(jié)很早以前就是主流構(gòu)造。而1993年高亮度藍色LED面世之前，采用GaN類材料難以實pn結(jié)。原因是制成nGaN類半導體層雖較為簡單pGaN系半導體層的制作則較為困難。之后，通過對pGaN類半導體層nGaN類半導體層之間配置的GaN類半導體層采用多重量子阱構(gòu)造，并進一步改善GaN類半導【LED術(shù)語】可見光通信（visiblelight指利用肉眼看得見的“可視光”傳遞信息的通信技術(shù)主要利用照明器具和信號機等顯PAGEPAGE13/(LEDD燈遠遠高于熒光燈。為了實現(xiàn)可見光通信的實用化，日本于2008年成立了“可視光通信聯(lián)盟”電工，東芝，夏普等設備廠商以及NHK等加盟2005年，日本國土交通省在關西國際機場，對旅客在抵達機場到登機之前的候機時間NTTDoCoMo中川研究所以及日本航空也參與了實驗發(fā)布資料顯示熒光燈可實10kbit/秒，LED可實現(xiàn)數(shù)十Mbit/秒的通信速度。2008D2km時為1022bit1km時為1200bit秒。此次實驗實現(xiàn)的2km通信距離在當時是采用廣泛擴散光源的一環(huán)實施的。指采用白色LED的汽車前照燈豐田在2007517日發(fā)布的最高級混合動力車“雷克薩斯LS600h”上全球首次配備了白色發(fā)光二極管（LED）前照燈。壽命長達1萬小時，點亮所需時間不超過0.1秒。功耗比HID燈的普及產(chǎn)品要低，與HID燈高端產(chǎn)品相當，今提高亮度，降低功產(chǎn)品面世。單個白色LED的光通量達到100lm以上的產(chǎn)品也不斷涌現(xiàn)，在照明領域的應用正在加速推進。雷克薩斯LS600h的汽車前照燈采用了5個光通量400lm的白色LED，實現(xiàn)了輔燈（LowBeam）所必須的亮度。產(chǎn)品由小絲制作所開發(fā)。旨在取代熒光燈的直線形LED照明器具許多新涉LED照明市場的企業(yè)都上市了熒光燈型產(chǎn)品。熒光燈型LED照明器具依其安裝方法可分3種，分別為（1）卸下原有的鎮(zhèn)流器及逆變器置換為專用轉(zhuǎn)換器的款式2取下原有的鎮(zhèn)流器及逆變器直接連線的款式（3）12（23D的綜合效率還不及HFDepatmentofEnegDOECALiPEcommeciallyavailableLEDpoductevaluationandepotin）這一產(chǎn)品評測程序評測了D2009年7表示就節(jié)能性能來說，熒光燈型DDJSD使用LED作為光源的白熾燈型照明器具與白熾燈和燈泡型熒光燈一樣可安裝在及E17等交流供電的燈口上使用2009年上半年，許多廠商發(fā)布了燈泡LED照明產(chǎn)品，LED燈泡的價格競爭開始激化。點燃競爭導火索的是夏普。該公20096月發(fā)布的新產(chǎn)品，將廠商售價設為原來的日元。“白熾燈100日元