2023年半導(dǎo)體材料標(biāo)準(zhǔn)工作會議預(yù)安排_第1頁
2023年半導(dǎo)體材料標(biāo)準(zhǔn)工作會議預(yù)安排_第2頁
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文檔簡介

2023年半導(dǎo)體材料標(biāo)準(zhǔn)工作會議預(yù)安排序號 打算文號及編號 工程名稱 主要起草單位 備注一、3月會議1 國標(biāo)委發(fā)[2023]22號20232102-T-4692 國標(biāo)委發(fā)[2023]40號20234175-T-4693 工信廳科函[2023]126號2023-0171T-YS4 工信廳科函[2023]126號2023-0172T-YS

光片鎵鎂合金銦鎂合金

有研半導(dǎo)體材料 審定中國電子科技集團(tuán)公司第 十三爭論所南京金美鎵業(yè) 審定南京金美鎵業(yè) 審定5 國標(biāo)委發(fā)[2023]29號20233166-T-469

氮化鎵單晶襯底片晶中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)面曲率半徑測試方法與納米仿生爭論所 預(yù)審國標(biāo)委發(fā)[2023]40號6 20234171-T-469國標(biāo)委發(fā)[2023]40號

高純銻硅片翹曲度和彎曲度

峨眉山市峨半高純材料有限公司 預(yù)審7 20234173-T-46920232398-T-469國標(biāo)委發(fā)[2023]6號20232398-T-469國標(biāo)委發(fā)[2023]6號III、V族雜質(zhì)含量的測定低溫十三爭論所樂山市產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)視檢驗20232300-T-469傅立葉變換紅外光譜所法

的測試 自動非接觸有研半導(dǎo)體材料 預(yù)審掃描法磷化銦單晶 中國電子科技集團(tuán)公司第 預(yù)審預(yù)審工信廳科函[2023]276號多晶硅行業(yè)綠色工廠特能源股份 預(yù)審2023-1558T-YS11 國標(biāo)委發(fā)[2023]53號20234891-T-469

評價要求硅片外表光澤度的測浙江金瑞泓科技股份有限 試方法 公司工信廳科函[2023]181號六氯乙硅烷中雜質(zhì)含12 2023-0720T-YS

量的測定電感耦合洛陽中硅高科技 等離子體質(zhì)譜法二、4月會議國標(biāo)委發(fā)[2023]6號1 20232399-T-469國標(biāo)委發(fā)[2023]37號2 20232826-T-4693 國標(biāo)委發(fā)[2023]40號20234172-T-469

碳化硅單晶拋光片 北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份中國電子科技集團(tuán)公司第氮雜質(zhì)含量的測定四十六爭論所 審定二次離子質(zhì)譜法刻蝕機(jī)用硅電極及硅有研半導(dǎo)體材料 環(huán)序號 打算文號及編號4 國標(biāo)委發(fā)[2023]40號20234174-T-469

工程名稱電子級多晶硅氮化鋁材料中痕量元

主要起草單位 備注江蘇鑫華半導(dǎo)體材料科技 5 國標(biāo)委發(fā)[2023]37號20232918-T-4696 中色協(xié)科字[2023]8號2023-023-T/CNIA

素〔鎂、鎵〕含量及分布的測定二次離半導(dǎo)體爭論所 預(yù)審子質(zhì)譜法多晶硅生產(chǎn)用氫氣中金屬雜質(zhì)含量的測定內(nèi)蒙古通威高純晶硅有限 電感耦合等離子體質(zhì)公司譜法7 中色協(xié)科字[2023]8號2023-024-T/CNIA8 中色協(xié)科字[2023]8號2023-025-T/CNIA9 中色協(xié)科字[2023]8號2023-026-T/CNIA10 國標(biāo)委發(fā)[2023]60號20231808-T-469

氮化硅造粒粉四氟乙烯器皿高純丁腈手套半導(dǎo)體材料術(shù)語

疆晶碩材料 預(yù)審江蘇賽夫特半導(dǎo)體材料檢測技術(shù) 預(yù)審蘇州鴻博斯特超凈科技股 份有研半導(dǎo)體材料 爭論工信廳科函[2023]263號氮化鎵襯底片2023-1202T-YS氮化鎵化學(xué)分析方法

東莞市中鎵半導(dǎo)體科技有 限公司工信廳科函[2023]263號痕量雜質(zhì)元素含量的〔北京檢驗認(rèn)證有限爭論2023-1508T-YS三、5

測定輝光放電質(zhì)譜 法1 國標(biāo)委發(fā)[2023]29號20233166-T-469

氮化鎵單晶襯底片晶中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù) 面曲率半徑測試方法與納米仿生爭論所2 國標(biāo)委發(fā)[2023]40號20234171-T-469國標(biāo)委發(fā)[2023]40號

高純銻硅片翹曲度和彎曲度

峨眉山市峨半高純材料有限公司 審定3 20234173-T-469

的測試自動非接觸有研半導(dǎo)體材料 審定掃描法4 國標(biāo)委發(fā)[2023]6號20232398-T-469

磷化銦單晶III、V族雜

中國電子科技集團(tuán)公司第 十三爭論所5 國標(biāo)委發(fā)[2023]6號20232300-T-469

質(zhì)含量的測定低溫 樂山市產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)視檢驗 傅立葉變換紅外光譜所法6 國標(biāo)委發(fā)[2023]6號20232301-T-4697 國標(biāo)委發(fā)[2023]60號20231808-T-469

硅單晶退火片

有研半導(dǎo)體材料 有研半導(dǎo)體材料 序號 打算文號及編號 工程名稱 主要起草單位 備注金屬鍺化學(xué)分析方法8 國標(biāo)委發(fā)[2023]37號 第3局部:痕量雜質(zhì)元廣東先導(dǎo)稀材股份有限公 預(yù)審20232882-T-469

素的測定輝光放電司質(zhì)譜法硅錠、硅塊和硅片中國標(biāo)委發(fā)[2023]53號 非平衡載流子復(fù)合壽內(nèi)蒙古中環(huán)光伏材料有限 預(yù)審20234895-T-469 命的測試非接觸渦 公司流感應(yīng)法高純鎵化學(xué)分析方法工信廳科函[2023]181號3局部:痕量雜質(zhì)國合通用測試評價認(rèn)證股2023-0719T-YS 元素含量的測定輝 份公司 爭論光放電質(zhì)譜法四、6月會議1 國標(biāo)委發(fā)[2023]40號20234172-T-469

刻蝕機(jī)用硅電極及硅有研半導(dǎo)體材料 環(huán)2 國標(biāo)委發(fā)[2023]40號20234174-T-469

電子級多晶硅硅錠、硅塊和硅片中

江蘇鑫華半導(dǎo)體材料科技 3 國標(biāo)委發(fā)[2023]53號20234895-T-4694 國標(biāo)委發(fā)[2023]37號20232892-T-4695 國標(biāo)委發(fā)[2023]53號20234891-T-4696 國標(biāo)委發(fā)[2023]53號20234892-T-469

非平衡載流子復(fù)合壽內(nèi)蒙古中環(huán)光伏材料有限 命的測試非接觸渦公司流感應(yīng)法硅單晶中氮含量的測中國電子科技集團(tuán)公司第 定 二次離子質(zhì)譜法四十六爭論所硅片外表光澤度的測浙江金瑞泓科技股份有限 試方法 公司半導(dǎo)體單晶晶體質(zhì)量中國電子科技集團(tuán)公司第的測試X射線衍射四十六爭論所 爭論法五、81 國標(biāo)委發(fā)[2023]37號20232882-T-4692 國標(biāo)委發(fā)[2023]37號20232918-T-4693 國標(biāo)委發(fā)[2023]37號20232829-T-4694 國標(biāo)委發(fā)[2023]37號20232830-T-4695 國標(biāo)委發(fā)[2023]53號20234894-T-469

金屬鍺化學(xué)分析方法3局部:痕量雜質(zhì)元廣東先導(dǎo)稀材股份有限公素的測定輝光放電司 審定質(zhì)譜法氮化鋁材料中痕量元素〔鎂、鎵〕含量及北京科技大學(xué)、中國科學(xué)院審定分布的測定二次離半導(dǎo)體爭論所子質(zhì)譜法半絕緣碳化硅單晶的北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份電阻率非接觸測試方 預(yù)審法碳化硅單晶位錯密度北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份的測試方法 預(yù)審藍(lán)寶石單晶晶棒 天通銀廈材料 預(yù)審序號 打算文號及編號 工程名稱 主要起草單位 備注工信廳科函[2023]181號碳化硅單晶中痕量雜國合通用測試評價認(rèn)證股6 2023-0718T-YS國標(biāo)委發(fā)[2023]48號

質(zhì)元素含量的測定輝光放電質(zhì)譜法碳化硅外延片外表缺

份公司 預(yù)審7 20233728-T-469

陷的測試顯微可見蕪湖啟迪半導(dǎo)體 爭論光法8 國標(biāo)委發(fā)[2023]53號 碳化硅外延層厚度的蕪湖啟迪半導(dǎo)體 爭論20234893-T-469 測試紅外反射法六、9月會議工信廳科函[2023]276號多晶硅行業(yè)綠色工廠特能源股份 審定2023-1558T-YS

評價要求多晶硅生產(chǎn)用氫氣中中色協(xié)科字[2023]8號 金屬雜質(zhì)含量的測定內(nèi)蒙古通威高純晶硅有限 審定2023-023-T/CNIA 電感耦合等離子體質(zhì)公司譜法3 中色協(xié)科字[2023]8號2023-025-T/CNIA4 中色協(xié)科字[2023]8號2023-026-T/CNIA中色協(xié)科字[2023]852023-024-T/CNIA

四氟乙烯器皿高純丁腈手套氮化硅造粒粉

江蘇賽夫特半導(dǎo)體材料檢 測技術(shù)蘇州鴻博斯特超凈科技股份 審定疆晶碩材料 審定6 國標(biāo)委發(fā)[2023]37號20232827-T-469

氮化硅粉體中氟離子和氯離子含量的測定特能源股份 離子色譜法工信廳科函[2023]181號六氯乙硅烷中雜質(zhì)含7 2023-0720T-YS

量的測定電感耦合洛陽中硅高科技 等離子體質(zhì)譜法七、11月會議1 國標(biāo)委發(fā)[2023]60號20231808-T-4692 國標(biāo)委發(fā)[2023]37號20232829-T-4693 國標(biāo)委發(fā)[2023]37號20232830-T-469

半導(dǎo)體材料術(shù)語法的測試方法

有研半導(dǎo)體材料、有色金屬技術(shù)經(jīng)濟(jì)爭論院 有限責(zé)任公司北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份 北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份 序號

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