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2023/9/211第五章基本功率集成電路模塊2023/8/61第五章基本功率集成電路模塊2023/9/212/51主要內(nèi)容功率集成電路組成電平位移模塊柵驅(qū)動(dòng)模塊保護(hù)電路――過流、過熱和過欠壓2023/8/62/51主要內(nèi)容功率集成電路組成2023/9/213/51功率集成電路分類20世紀(jì)80~90年代,功率集成電路根據(jù)集成功能、制造工藝及應(yīng)用范圍的不同,自然而然形成了兩種不同類型的功率集成電路:一為高壓集成電路HV-IC二為智能功率集成電路SPIC。發(fā)展到21世紀(jì),PIC技術(shù)更加先進(jìn),可集成功能和電路模塊越來越多,SPIC和HVIC的界限也變得越來越模糊,還出現(xiàn)了系統(tǒng)級(jí)功率集成電路,被稱為片上功率系統(tǒng)(PowerSystemonaChip,PSoC)。2023/8/63/51功率集成電路分類202023/9/214/51早期功率電子系統(tǒng)信號(hào)的采集/輸入和放大電路信號(hào)處理電路(產(chǎn)生功率處理所需的控制信號(hào))功率處理電路(驅(qū)動(dòng)負(fù)載工作)2023/8/64/51早期功率電子系統(tǒng)信號(hào)的采集/輸入和放2023/9/215/51PSoC組成信號(hào)采集數(shù)據(jù)處理控制電路驅(qū)動(dòng)電路功率處理電路電源電路SoC模塊PIC模塊2023/8/65/51PSoC組成信號(hào)采集SoC模塊PIC2023/9/216/51PSoC典型電路結(jié)構(gòu)框圖2023/8/66/51PSoC典型電路結(jié)構(gòu)框圖2023/9/217/51模塊功能輸入接口電路它是系統(tǒng)與外界聯(lián)系的橋梁,它將外界的信號(hào)以電信號(hào)方式傳送給PSoC系統(tǒng)內(nèi)部的其他模塊,傳感器、按鍵開關(guān)、以及無線/有線通信接口都屬于這個(gè)模塊。2023/8/67/51模塊功能輸入接口電路2023/9/218/51模塊功能信號(hào)處理電路它是PSoC系統(tǒng)的核心控制部分,包括有微處理器、DSP和MCU等。它將輸入接口電路得到的各種信號(hào)(傳感信號(hào)、通信指令或圖像等)進(jìn)行數(shù)據(jù)處理,并依據(jù)處理結(jié)果對(duì)功率電路進(jìn)行合理控制;同時(shí)它還要對(duì)電源進(jìn)行監(jiān)視、控制和管理。這部分電路通常采用標(biāo)準(zhǔn)CMOS電路實(shí)現(xiàn),降低系統(tǒng)功耗和提高集成密度。2023/8/68/51模塊功能信號(hào)處理電路2023/9/219/51模塊功能電源模塊主要提供系統(tǒng)中其他模塊所需的電源形式,包括直流/交流、高壓/低壓等不同類型的電源電壓。電源模塊必須具有良好的抗電源干擾、浪涌和EMC等性能,以便保護(hù)其他模塊不會(huì)出現(xiàn)由于電源干擾而導(dǎo)致異常工作。2023/8/69/51模塊功能電源模塊2023/9/2110/51模塊功能存儲(chǔ)器有ROM、RAM、EEPROM和FLASH等幾種類型,依據(jù)不同的應(yīng)用和工藝兼容等條件采用合適的存儲(chǔ)器類型,對(duì)信號(hào)處理電路中的數(shù)據(jù)進(jìn)行儲(chǔ)存。在許多運(yùn)用場(chǎng)合,出于功率控制參數(shù)微調(diào)、非線性校正等就需要將相應(yīng)的參數(shù)數(shù)據(jù)寫入存儲(chǔ)器中。2023/8/610/51模塊功能存儲(chǔ)器2023/9/2111/51模塊功能功率處理電路主要為馬達(dá)、顯示器、照明燈等負(fù)載提供與之相匹配的電源能量。同樣要處理大電流和高電壓,功率處理電路要有良好的保護(hù)裝置,如過壓、過流和過溫等。為了配合功率處理電路的功率器件工作,需增加一些驅(qū)動(dòng)放大或柵驅(qū)動(dòng)電路。2023/8/611/51模塊功能功率處理電路2023/9/2112/51PSoC產(chǎn)品PSoC相關(guān)的產(chǎn)品還比較少,小功率PSoC雛形已有:ST工藝BCD6工藝的最新開關(guān)穩(wěn)壓器ST1S06NXP公司采用A-BCD工藝(0.13um)的CAN收發(fā)器系列ClassD音頻功放系列IC2023/8/612/51PSoC產(chǎn)品PS2023/9/2113/51L6924DL6924D是采用ST公司的BCD6工藝制造技術(shù)的單片充電器芯片,專門為單電池鋰和鋰聚合體電池組的充電設(shè)計(jì)。它集成了功率MOSFET、反向隔離二極管、敏感電阻和熱保護(hù)電路。該IC還兼容USB總線標(biāo)準(zhǔn),可用于深受市場(chǎng)歡迎的USB供電的PC外設(shè)。它包括MOS驅(qū)動(dòng)電路和功率MOSFET、振蕩器、熱保護(hù)、數(shù)字邏輯電路和模擬檢測(cè)等各種模塊。2023/8/613/51L6924DL6924D是采用ST2023/9/2114/51L6924D框圖功率MOSFET,最大充電電流1A輸入電壓范圍2.5V到12V輸出電壓為4.1V和4.2V兩種電壓(精度可達(dá)±1%)連接熱敏電阻,檢測(cè)電池溫度充電電流大小編程管腳充電速度編程管腳預(yù)充電電壓閾值設(shè)置2023/8/614/51L6924D框圖功率MOSFET,2023/9/2115/51L6924D外圍電路2023/8/615/51L6924D外圍電路2023/9/2116/51L6924D線性充電模式
輸入電壓電池電壓電池充電電流芯片功耗預(yù)充電閾值電壓2023/8/616/51L6924D線性充電模式輸入電壓2023/9/2117/51L6924D脈沖充電模式2023/8/617/51L6924D脈沖充電模式2023/9/2118/51L9805L9805是一款可軟件控制的用于驅(qū)動(dòng)電阻和電感負(fù)載的單片系統(tǒng)智能功率集成電路。包含:一個(gè)ST7微處理器內(nèi)核一個(gè)4AH橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)器高速CAN接口一個(gè)10位ADC穩(wěn)壓器16KBEPROM、256bitRAM、128bitEEPROM兩個(gè)定時(shí)器兩個(gè)脈沖寬度調(diào)制(PWM)單元2023/8/618/51L9805L92023/9/2119/51L9805框圖2023/8/619/51L9805框圖2023/9/2120/51L9805特點(diǎn)一個(gè)系統(tǒng)級(jí)的智能功率集成電路,集成微處理器、
CAN接口、存儲(chǔ)器和功率處理電路在一塊芯片上;集成8M內(nèi)部Clock振蕩器;與USBbus兼容;70mΩ的DMOSH橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)器;可編程軟件控制;自啟動(dòng)功能。2023/8/620/51L9805特點(diǎn)一個(gè)系統(tǒng)級(jí)的智能功率2023/9/2121/51SPIC電路SPIC將輸出功率器件與低壓控制的信號(hào)處理以及傳感、保護(hù)、檢測(cè)、診斷等功能電路集成到同一芯片。它一般包含功率控制、檢測(cè)/保護(hù)和接口電路三部分。2023/8/621/51SPIC電路SPIC將輸出功率器件2023/9/2122/51SPIC基本組成2023/8/622/51SPIC基本組成2023/9/2123/51TNY26X系列芯片TinySwitch-II在PI公司在TOPSwtch-II系列的基礎(chǔ)上,推出的小功率離線開關(guān)電源管理IC。該系列芯片由控制、保護(hù)電路和功率MOSFET三部分組成,其中功率MOSFET器件版圖占整個(gè)芯片的主要部分。2023/8/623/51TNY26X系列芯片TinySwi2023/9/2124/51TNY26X系列芯片外圍2023/8/624/51TNY26X系列芯片外圍2023/9/2125/51TNY26X系列芯片框圖2023/8/625/51TNY26X系列芯片框圖2023/9/2126/51HV-IC電路高壓集成電路是將數(shù)個(gè)高壓功率器件與低壓數(shù)字/模擬電路集成在同一芯片上的單片IC,常用于各種顯示驅(qū)動(dòng)、照明、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和中小功率電源等高壓電路當(dāng)中。其中單個(gè)功率器件一般處理的電流較小。高壓集成電路一般由低壓數(shù)字/模擬電路、電平位移電路和高壓輸出級(jí)電路三部分組成。2023/8/626/51HV-IC電路高壓集成電路是將數(shù)個(gè)2023/9/2127/51IR2155
高頻電子鎮(zhèn)流器芯片IR2155是IR公司比較早推出的一款熒光燈照明驅(qū)動(dòng)芯片。2023/8/627/51IR2155高頻電2023/9/2128/51IR2155外圍2023/8/628/51IR2155外圍2023/9/2129/51IR2155框圖2023/8/629/51IR2155框圖2023/9/2130/51IR2155版圖2023/8/630/51IR2155版圖2023/9/2131/51STP24DP05STP24DP05芯片是一款驅(qū)動(dòng)電流高達(dá)80mA的24路恒流輸出RGBLED驅(qū)動(dòng)器,是目前比較新的一款LED驅(qū)動(dòng)器。2023/8/631/51STP24DP05S2023/9/2132/51STP24DP05框圖2023/8/632/51STP24DP05框圖2023/9/2133/51
ATA6837ATA6837是愛特梅爾公司Atmel推出的高溫六路半橋驅(qū)動(dòng)器芯片,可用于汽車的功率電子系統(tǒng)。采用0.8μmSOI-BCD工藝。傳統(tǒng)驅(qū)動(dòng)器IC芯片工作溫度一般只能達(dá)到150°C,而SOI工藝的ATA6837工作溫度為200°C。ATA6837可被用于高溫的環(huán)境中,如汽車渦輪充電器、廢氣再循環(huán)系統(tǒng)和引擎上電子裝置。2023/8/633/51
ATA6837ATA6837是2023/9/2134/51ATA6837框圖2023/8/634/51ATA6837框圖2023/9/2135/51PIC電路與普通IC電路的區(qū)別PIC電路與普通IC電路相比增加的電路模塊:電平位移模塊柵驅(qū)動(dòng)模塊各種檢測(cè)和保護(hù)模塊2023/8/635/51PIC電路與普通IC電路的區(qū)別2023/9/2136/51電平位移模塊
電平位移電路將低壓邏輯信號(hào)轉(zhuǎn)化為高壓驅(qū)動(dòng)信號(hào)并提供一定驅(qū)動(dòng)電流。2023/8/636/51電平位移模塊2023/9/2137/51典型電平位移電路典型的高低電平位移電路典型的高低電平位移電路的波形2023/8/637/51典型電平位移電路典型的高低電平位2023/9/2138/51薄柵氧電平位移電路2023/8/638/51薄柵氧電平位移電路2023/9/2139/51簡(jiǎn)化的高低電平位移電路結(jié)構(gòu)2023/8/639/51簡(jiǎn)化的高低電平位移電路結(jié)構(gòu)2023/9/2140/51柵驅(qū)動(dòng)模塊柵驅(qū)動(dòng)模塊給功率器件的柵結(jié)構(gòu)提供充分的充電/放電電流,保證功率器件的快速開啟和關(guān)斷。由于功率器件面積很大,驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O電壓相當(dāng)于驅(qū)動(dòng)一個(gè)很大的電容負(fù)載,因而需要很大的驅(qū)動(dòng)電流。2023/8/640/51柵驅(qū)動(dòng)模塊柵驅(qū)動(dòng)模塊給功率器件的柵2023/9/2141/51CMOS反相器級(jí)聯(lián)的柵驅(qū)動(dòng)模塊M一般取4~10之間2023/8/641/51CMOS反相器級(jí)聯(lián)的柵驅(qū)動(dòng)模塊M2023/9/2142/51保護(hù)電路過流保護(hù)過熱保護(hù)過/欠壓保護(hù)2023/8/642/51保護(hù)電路過流保護(hù)2023/9/2143/51過流保護(hù)電路
目前功率器件電流檢測(cè)主要有以下幾種方法:在輸出回路中串接電阻導(dǎo)通電阻RDS檢測(cè)在輸出回路中加入互感線圈SenseFET的方法2023/8/643/51過流保護(hù)電路目前功率器件電2023/9/2144/51SenseFET的方法SenseFET感知電流方法來源于電流鏡。2023/8/644/51SenseFET的方法Sens2023/9/2145/51SenseFET方法誤差分析
在實(shí)際過程中,由于SenseFET和主功率器件電流路徑不同,從而會(huì)對(duì)電流感知的準(zhǔn)確度造成很大的影響。其中影響比較大的有:源極連線電阻的影響PAD連線的影響雖然R1電阻很小,但是R1檢測(cè)電阻存在會(huì)造成SenseFET源極電壓上升,特別是電流很大時(shí),影響更大由于SenseFET的襯底實(shí)際上是接地的,因而增加R1會(huì)導(dǎo)致SenseFET存在襯偏效應(yīng)2023/8/645/51SenseFET方法誤差分析2023/9/2146/51改進(jìn)導(dǎo)通電阻RDS檢測(cè)高壓阻塞電路利用功率器件導(dǎo)通電阻作為感應(yīng)電阻的方法2023/8/646/51改進(jìn)導(dǎo)通電阻RDS檢測(cè)高壓阻塞電路2023/9/2147/51具體的過流保護(hù)電路2023/8/647/51具體的過流保護(hù)電路
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