配位化合物的化學鍵理論及應用

§3-1雜化軌道理論

一.簡介為了解釋碳原子生成CH4時四個化學鍵是等同的實驗事實，Pauling等提出了“雜化軌道理論”。這個理論從電子具有波動性可以迭加的觀點出發(fā)，認為碳原子和周圍原子成鍵時，所用的軌道不是原來純粹的s或p軌道，而是s和p軌道經(jīng)過線性組合得到的雜化軌道。第一頁第二頁，共91頁。二.說明

根據(jù)量子力學的態(tài)迭加原理，將描述體系微觀狀態(tài)的,一些波函數(shù)進行適當?shù)木€性組合，可以得到仍然是描述同樣體系微觀狀態(tài)的新波函數(shù)。

*.原子在化合過程中為了使形成的化學鍵強度更大，更有利于體系能量的降低；

*.趨向于將原有的原子軌道進一步組合成新的原子軌道。這種線性組合稱為雜化；

*.雜化后的原子軌道稱為雜化軌道。原有的原子軌道要組合成新的雜化軌道，必須具備能量近似的條件.

第二頁第三頁，共91頁。三.要點

1.過渡金屬原子的(n-1)或nd軌道與ns,np軌道的能量很接近，可以構成d-s-p或s-p-d的雜化軌道。

2.由于雜化軌道比原先的s,p,d軌道的空間取向更加明確和集中，故與配體的孤對電子組成鍵的能力就大大加強。

第三頁第四頁，共91頁。

軌道名稱配位數(shù)幾何構型成鍵能力s1

1.00p1

1.732sp2直線型1.932sp23三角形1.991sp34正四面體2.00d3s4四面體

dsp24平面正方形2.694dsp35三角雙錐

d2sp25四方錐

d2sp36正八面體2.932d3sp27變形三角棱柱體

d4sp38十二面體

第四頁第五頁，共91頁。一、VSEPR法的基本要點

價電子對互斥理論是由Sidewick和Powell于1940年提出，后Gillespie和Nyholm發(fā)展了這一理論。它是說明和判斷非過渡元素以及d0,d5和d10過渡金屬配合物的幾何構型的一種方法，其要點如下：§3-2價電子對互斥理論(VSEPR)第五頁第六頁，共91頁。1.ABn分子或配離子中，如中心原子或離子A的價電子層不含d電子(d0)或僅含對稱分布的d5和d10電子,則其幾何構型完全由價電子對的數(shù)目決定。所謂價電子對包括成鍵

電子對和孤對電子。2.價電子對在中心原子的球?qū)ΨQ的球面上的分布彼此相距最遠時，體系的能量最低，也就是說為了使這些電子對的靜電互斥最小，最適宜的構型是使這些電子對分離得最遠。這相當于在一個球面上找?guī)讉€相距最遠的點。

第六頁第七頁，共91頁。根據(jù)立體幾何定理，當價電子對數(shù)(亦稱空間位數(shù))SN為以下數(shù)值時，容易得到：

(1)SN＝2，直線型；(2)SN＝3，等邊三角形；(3)SN＝4,四面體；(4)SN＝5，三角雙錐；(5)SN＝6，正八面體；(6)SN＝7,單帽八面體；(7)SN＝8，四方反棱柱體；(8)SN＝9，三幅三角棱柱體。第七頁第八頁，共91頁。3.

不同類型的電子對之間的斥力大小不同。由于孤對電子(Lp)沒有鍵聯(lián)原子而只受中心原子的吸引，因而顯得比鍵對電子(Bp)“肥大”些，或者說對相鄰電子對的排斥作用要大一些。不同類型電子對排斥力大小有如下次序：Lp—Lp＞Lp—Bp＞Bp—Bp利用這一規(guī)則，可以解釋AB3L(L代表孤對電子)的鍵角小于AB4

正四面體角，AB2L2的鍵角更小。如CH4的<HCH,NH3的<HNH,H2O的<HOH分別為109.5o、107.3o和104.5o。第八頁第九頁，共91頁。4.成鍵電子對之間的斥力隨配位原子的電負性增加而減小。因為配位原子的電負性越大，吸引鍵電子能力越強，鍵電子將向配體方向移動，鍵電子對之間的斥力將減少，從而解釋下列鍵角的變化規(guī)律：PF3(98O)<PCl3(100O)<PBr3(~

120O)

PI3(~122O)第九頁第十頁，共91頁。5.重鍵電子對對單鍵電子對的斥力大于單鍵斥力。如乙烯和甲醛分子中的C原子的SN均為3，因此其理想的鍵角為120。，而實驗測得結構為：第十頁第十一頁，共91頁。二、VSEPR原理應用舉例下面以SN＝5的分子為例進行討論(中間體-軸向)。1.*如前所述，五個價電子對的空間排列是三角雙錐。PF5分子屬于這一構型，因為中心原子P周圍沒有孤對電子。*但是，這并不是說軸向的鍵長等于赤道上的鍵長。因為每個軸向鍵受到三個90o的鍵對電子的排斥作用，而每個赤道上的鍵只受到兩個90o的排斥，因此，可預測軸向鍵應比赤道鏈長一些。*實際上，軸向P—F鍵長為1．557A，而赤道上P—F鍵長為1．534A。第十一頁第十二頁，共91頁。2.其次考慮SF4分子，它的SN也等于5，但有一對孤對電子和四對成鍵電子。孤對電子應排在什么位置，是在軸向還是在赤道上?根據(jù)電子對排斥力大小的順序即Lp—Bp＞Bp—Bp，SF4分子中排斥最大的是孤對電子—鍵對電子。若把孤對電子放在赤道上，它在90o方向上只排斥兩個鍵對；若放在軸向位置，則在90o方向上有三個鍵對受它的排斥。第十二頁第十三頁，共91頁。

三個90o的相互作用兩個90o的相互作用(孤對電子排在軸向位置)(孤對電子排在赤道上)根據(jù)上述分析，SF4的孤對電子應排在赤道位置上，因為此時90o的相互排斥作用較少。結果所得的分子構型為上述形狀。第十三頁第十四頁，共91頁。3.在SF4和ClF3分子中赤道上的孤對電子會使理想的90o和120o鍵角發(fā)生畸變。事實上，實驗測出的構型與VSEPR的預測是一致的，其結果如下：第十四頁第十五頁，共91頁。4.在SN為5的CH3PF4和SOF4分子中，由于與中心原子鍵合的原子不盡相同，因而可以發(fā)現(xiàn)電負性比F小的基團(即CH3和O)總是占據(jù)在赤道位置上，且與孤對電子起相似的作用，使理想的90o和120o發(fā)生偏離。實驗測得的結構為:價電子對互斥理論和雜化軌道理論都是化學鍵理論中的近似模型，應用它們只能得到定性的結果，只能用來處理分子的構型問題，不能說明分子的其它性質(zhì)，如鍵強度和能級等。第十五頁第十六頁，共91頁。晶體場理論(CFT)是貝特(H.Bethe)于1929年首先提出的，而配體場理論是由純靜電的晶體場理論發(fā)展起來的。

配體場是說明過渡金屬配合物電子結構的主要理論之一。

配體場指的是由直接與中心金屬連接的配位原子所建立的靜電場，這個場對金屬離子的d軌道提供三個附加的微擾。配體場理論主要研究過渡金屬配合物的物理和化學性能（特別是電子光譜和磁學性質(zhì))，與配體場對中心離子電子結構影響的相互關系?！?-3晶體場一配體場理論第十六頁第十七頁，共91頁。1.晶體場理論應用的主要困難是不考慮金屬一配體鍵的部分共價性。因此，簡單晶體場理論不能說明由共價性引起的任何效應和觀象。但是，晶體場理論對配合物電子結構的許多方面卻提供了一種極簡便的計算方法。

2.相反，分子軌道理論無法這樣簡便地提供數(shù)字結果。因此，提出一種改進的晶體場理論，其中用一些經(jīng)驗參數(shù)來考慮共價性效應，但沒有在晶體場理論公式中明確地引進共價性。這種改進的晶體場理論常稱為配體場理論。第十七頁第十八頁，共91頁。

下面先簡要介紹晶體場理論，然后再介紹修正的晶體場理論。一.d軌道在靜電場(晶體場)中的分裂如前所述，晶體場理論模型的基本要點為：

(1)配合物中心離子與視為點電荷或點偶極的配體之間的作用是純靜電作用，即不交換電子，不形成共價鍵；

(2)當受到帶負電荷的配體(陰離子或偶極子的負端)的靜電作用時，中心金屬離子上本來是五重簡并的d軌道或多電子中心離子的各譜項就要發(fā)生分化、改組，也即發(fā)生能級分裂。這種分裂的情況和后果因配合物對稱性的不同而不同。第十八頁第十九頁，共91頁。[Ti(H2O)6]3+的吸收光譜圖(能自己解釋嗎??)第十九頁第二十頁，共91頁。

1.正八面體場(Oh)(1)首先考慮只有一個d電子的過渡金屬離子(如Ti3+離子)。在自由離子中，這個d電子處在5個簡并的d軌道的任一軌道上的機率等同，所以用一個軌道可描述?，F(xiàn)在把這個離子放入由六個配體排列在正八面體頂角上的配位環(huán)境中。第二十頁第二十一頁，共91頁。(2)Ti3+離子的d電子將受到負電荷的排斥而升高能量。電子越接近負電荷，受到的排斥就越大，能量就越高。受配體原于存在的影響,d軌道發(fā)生能級分裂。第二十一頁第二十二頁，共91頁。(2)配體對中心離子的影響d軌道在八面體場中的能級分裂第二十二頁第二十三頁，共91頁。兩組d軌道之間的能量差別用

0標記，下標O表示正八面體。能量的間隔取決于配體場的強度。

CO或CN-等配體產(chǎn)生強的配體場，它們引起很大的分裂，

0約為30000cm-1左右,而Cl-或Br-是弱的配體,它們的值約為10000cm-1左右(注意:10000cm-1=1.24eV=120KJ/mol)。第二十三頁第二十四頁，共91頁。量于力學證明,如果一組簡并的軌道由于純靜電性質(zhì)的微擾而引起分裂，則微擾了的能級，其平均能量不變。

因此，三重簡并能級(t2g)在能量上的減少等于二重簡并軌道(eg)在能量上的增加(見圖)。

第二十四頁第二十五頁，共91頁。

以八面體配合物為例說明d軌道在不同對稱性的配體場中的分裂(學生細總)。第二十五頁第二十六頁，共91頁。2.對于四面體，其d軌道在晶體場中的分裂第二十六頁第二十七頁，共91頁。第二十七頁第二十八頁，共91頁。d軌道在平面正方形場中的能級分裂3.對于平面正方形，其d軌道在晶體場中分裂能量=4.45DqE=-2.67DqE=1.78DqE=0DqE=-4DqE=6Dq=10DqE=12.28DqE=2.28DqE=-4..28DqE=-5.14Dq

s=17.42Dq四面體場八面體場正方形場不同晶體場中

的相對大小示意圖d

d

d

d

第二十八頁第二十九頁，共91頁。對于三角雙錐型配合物，其d軌道在晶體場中的分裂如下：

第二十九頁第三十頁，共91頁。二.影響

的因素(中心離子,配位體,晶體場)1.中心M離子：電荷Z增大，

o增大；主量子數(shù)n增大，

o增大[Cr(H2O)6]3+[Cr(H2O)6]2＋[CrCl6]3-[MoCl6]3-

o

/cm-1176001400013600192002.配位體的影響:光譜化學序列(ectrochemicalseries)

[Co(H2O)6]3+[CoF6]3-[Co(NH3)6]3+[Co(CN)6]3-

o

/cm-113000186002290034000

各種配體對同一M產(chǎn)生的晶體場分裂能的值由小到大的順序:

I-<Br-<Cl-,SCN-<F-<OH-<C2O42<H2O<NCS-<edta<NH3<en<bipy<phen<SO32-<NO2<CO,CN-初步看作是配位原子電負性的排列：鹵素<氧<氮<碳電負性4.03.53.02.5第三十頁第三十一頁，共91頁。3.晶體場類型的影響四面體場4.45DqCoCl4

的D=3100cm-1八面體場10DqFe(CN)6

的D=33800cm-1正方形場17.42DqNi(CN)4

的

D=35500cm-12-2-4-4.同族的Mn+，D值增大順序為3d

<4d

<5d第三十一頁第三十二頁，共91頁。三.八面體場中心離子的d電子分布1排布原則

:

●能量最低原理●Hund規(guī)則●Pauli不相容原理2電子成對能

(P)：兩個電子進入同一軌道時需要消耗的能量強場：

o>P

弱場：

o<P第三十二頁第三十三頁，共91頁。八面體場中電子在t2g和eg軌道中的分布12321d1d2d3

d8

d9d4d5d6d745432101高自旋低自旋只有一種排列第三十三頁第三十四頁，共91頁。表.dn離子配合物在八面體場中的電子組態(tài)和能量

自旋狀態(tài)電子組態(tài)未成對電子數(shù)能量d1

t12g1-2/5

0d2

t22g2-4/5

0d3

t32g3-6/5

0d4高自旋低自旋t32geg1t42g42-3/5

0-8/50+Pd5高自旋低自旋t32geg2t52g510-10/5

0+2Pd6高自旋低自旋t42geg2t62g40-2/5

0-12/50+3Pd7高自旋低自旋t52geg2t62geg131-4/5

0-9/50+3Pd8

t62geg22-6/5

0d9

t62geg31-3/5

0d10

t62geg400P為電子成對能。第三十四頁第三十五頁，共91頁。對于四面體配合物，發(fā)現(xiàn)d1,d2,d7,d8和d9場合只有高自旋態(tài)一種可能分布，而d3,d4,d5和d6原則上可能存兩種組態(tài)。低自旋的要求是在

t>P,但是t只有0的4/9，因此不太可能大于P，所以d3,d4,d5和d6離子的低自旋態(tài)配合物是很難存在的。事實上至今未發(fā)現(xiàn)這種低自旋態(tài)配合物。第三十五頁第三十六頁，共91頁。四.晶體場穩(wěn)定化能(crystalfieldstabilizationenergy,CFSE)

1定義:d

電子從未分裂的d

軌道進入分裂后的d

軌道，所產(chǎn)生的總能量下降值.▲d

電子數(shù)目▲配位體的強弱 ▲

晶體場的類型第三十六頁第三十七頁，共91頁。由于d軌道的空間取向不同，引起它們在配體場中發(fā)生分裂。優(yōu)先把所有電子填入能級較低的軌道與把它們填入同一(平均)能級的軌道相比，會使金屬離子在能量上處于較有利的狀態(tài)，也就是處于較穩(wěn)定的狀態(tài)。這個能量差別叫做配體場穩(wěn)定化能(LFSE)。在較高能級軌道上的電子當然會抵消穩(wěn)定效應?？偟呐潴w場穩(wěn)定化能可用能量間隔

表示。

八面體場t2g能級上的每個電子帶來2/5

o的穩(wěn)定化作用，eg上每個電子帶來3/5

o的不穩(wěn)定化作用。對于四面體場，e軌道的每個電子的穩(wěn)定化作用為3/5

t,而t2能級上的每個電子去穩(wěn)定化為2/5

t。

2.CFSE說明第三十七頁第三十八頁，共91頁。弱

場

強

場

電子對數(shù)

電子對數(shù)

dn

構型

m1

m2

CFSE

構型

m1

m2

CFSE

d1

d2

d3

d4

d5

d6

d7

d8

d9

d10

0

0

0

0

0

1

2

3

4

5

0

0

0

0

0

1

2

3

4

5

-4Dq

-8Dq

-12Dq

-6Dq

0Dq

-4Dq

-8Dq

-12Dq

-6Dq

0Dq

0

0

0

1

2

3

3

3

4

5

0

0

0

0

0

1

2

3

4

5

-4Dq

-8Dq

-12Dq

-6Dq+P

-20Dq+2P

-24Dq+2P

-18

Dq+P

-12Dq

-6Dq

0Dq

八面體場的CFSE第三十八頁第三十九頁，共91頁。八面體和四面體場的所有dn組態(tài)的LFSE都列于下表

第三十九頁第四十頁，共91頁?！?-4過渡金屬配合物的電子結構與光譜(d—d躍遷)

一、過渡金屬離子的電子結構1、過渡金屬離子d軌道：第四十頁第四十一頁，共91頁。

第四十一頁第四十二頁，共91頁。第四十二頁第四十三頁，共91頁。第四十三頁第四十四頁，共91頁。2．自由離子的能級狀態(tài)第四十四頁第四十五頁，共91頁。第四十五頁第四十六頁，共91頁。第四十六頁第四十七頁，共91頁。第四十七頁第四十八頁，共91頁。第四十八頁第四十九頁，共91頁。d2

組態(tài)的自由離子能級分裂較為復雜，有45種可能排布。因為電子間存在著靜電排斥作用和自旋-軌道藕合作用

第四十九頁第五十頁，共91頁。第五十頁第五十一頁，共91頁。第五十一頁第五十二頁，共91頁。第五十二頁第五十三頁，共91頁。第五十三頁第五十四頁，共91頁。第五十四頁第五十五頁，共91頁。第五十五頁第五十六頁，共91頁。第五十六頁第五十七頁，共91頁。第五十七頁第五十八頁，共91頁。第五十八頁第五十九頁，共91頁。第五十九頁第六十頁，共91頁。第六十頁第六十一頁，共91頁。第六十一頁第六十二頁，共91頁。4．d軌道能級的分裂對配合物性質(zhì)的影響

顏色的變化

大多數(shù)過渡金屬配合物是有顏色的，表示它們能吸收可見光區(qū)的能量。本節(jié)將討論所觀察到的顏色是由電子在配體場對稱性所確立的各種譜項之間的躍遷而引起的；根據(jù)配體場理論可以很好地理解和解釋實驗觀察到的光譜。

互補色光示意圖可見光(1.25-2.5

104cm-1),紫外光區(qū)域(2.5

104－1

105cm-1)第六十二頁第六十三頁，共91頁。第六十三頁第六十四頁，共91頁。二.譜帶強度

過渡金屬配合物的吸收光譜一般在波數(shù)為10,000~30,000cm-1處(即在可見和近紅外區(qū))，可觀察到一個或幾個強度較低的譜帶，其摩爾消光系數(shù)

在1與1000之間，這些譜帶是由于d-d躍遷引起的。在紫外區(qū)，往往含有若干很強的譜帶，其

在10,000~100,000之間，這些譜帶相當于配體內(nèi)的電子轉(zhuǎn)移(配體內(nèi)的躍遷)；由中心金屬離子到配體或相反過程的電荷轉(zhuǎn)移(荷移譜帶)。它仍合在一起被指定為配體譜帶。大多數(shù)情況下，對適于測定d-d譜帶的濃度范圍，可在30，000cm－1附近觀察到強度的強烈增加。根據(jù)配體場理論的觀點，我們只對d-d譜帶感興趣。d-d譜帶強度低，是因為根據(jù)量子力學選律，宇稱相同的軌道之間的躍遷是禁阻的。d-d譜帶的強度較低，表示這類躍遷基本上是禁阻的——即：

第六十四頁第六十五頁，共91頁。d-d譜帶強度低，是因為根據(jù)量子力學選律，宇稱相同的軌道之間的躍遷是禁阻第六十五頁第六十六頁，共91頁。第六十六頁第六十七頁，共91頁。第六十七頁第六十八頁，共91頁。第六十八頁第六十九頁，共91頁。三.d1體系的光譜

首先考慮八面體場中的d1體系，如[Ti(H2O)6]3+的光譜，它只由一個約在20400cm-1處的寬譜帶組成。由于成功地解釋了這個簡單的吸收，首次顯示了配體場理論對研究吸收光譜的重要性。它的吸收譜帶包括可見光譜的藍綠區(qū)。化合物的顏色不是由吸收的波長而是透過的波長決定的，故配離子是淡紅紫色

.在配體場模型中，這個唯一的吸收相當于一個d電子由t2g至eg能級的激發(fā)。當hv＝

0發(fā)生吸收。顯然，也可預期四面體的d1配合物只有一個吸收帶，但此時的躍遷是et2。第六十九頁第七十頁，共91頁。

四.自由離子譜項在配體場中的分裂第七十頁第七十一頁，共91頁。五.能級圖確定配體場分裂的大小和各能級的定量順序要作量子力學的計算。配體場引起的微擾電位是中心離子與配體的距離、有效電荷和配體偶極矩的函數(shù)。這些數(shù)據(jù)都沒有足夠的準確性。為了克服這個困難，采取如下步驟：量子力學計算是在保持配體與中心金屬作用作為方程參數(shù)的條件下進行的。實際上，表征特定配體場的這些參數(shù)無疑是包括在配體場的分裂值

中的。因此，計算出的能級通常以圖表表示，圖的縱坐標為能量，橫坐標為量度配體場強度的參數(shù)

這種形式的能級圖就是著名的歐格耳(Orgel)圖，應當指出，圖中示出的不僅有自由離子的基譜項，而且有它的較高能態(tài)的譜項。其中有些譜項(不是全部)對于解釋光譜是很重要的。第七十一頁第七十二頁，共91頁。六.光譜的解釋過渡金屬配合物的可見光譜和近紫外光譜是由于電子從基譜項到某些激發(fā)態(tài)譜項的躍遷引起的。量子力學選律指出：只有自旋多重性相同的譜項之間的躍遷是允許的，多重性不同的所有譜項之間的躍遷是“自旋禁阻的”。第七十二頁第七十三頁，共91頁?！?-5d軌道分裂的結構效應

前面已經(jīng)探討了配體靜電場如何影響d電子的空間分布，這里簡要討論由于環(huán)境不同而引起的d電子的非球?qū)ΨQ分布對金屬離子同配體作用的影響。第七十三頁第七十四頁，共91頁。一.離子半徑的變化規(guī)律

以第一過渡系二價離子在八面體配合物中的半徑為例，考察相同電荷的一系列離子的半徑隨原子序數(shù)的變化。圖示出實驗值的曲線。Cr2+和Cu2+的點用空心圓圈表示。因為姜—泰勒效應使這些離子不可能處于真正的正八面體環(huán)境中，故它們的“八面體”半徑有點不可靠。第七十四頁第七十五頁，共91頁。圖中通過Ca2+、Mn2+和Zn2+離子的點可繪出平滑的曲線，這些離子的電子組態(tài)分別為d0、d5和d10。在這三種情況下金屬離子周圍的d電子密度分布是球形的。因為所有d軌道不是空的就是被均勻占據(jù)著，由于d電子對核電荷的屏蔽不完全，故離子華徑出現(xiàn)平穩(wěn)的收縮。由圖可見．其它離子半徑都在預期的數(shù)值下的曲線所預期的數(shù)值之下。這是因為這些離子的d電子在核周圍分布不均勻的緣故。第七十五頁第七十六頁，共91頁。二.姜—泰勒效應

1937年姜(Jahn)和泰勒(Teller)提出一個定理：簡并電子態(tài)的任何一個非直線性分子體系都是不穩(wěn)定的，會發(fā)生某種形式的變形，以降低體系的對稱性，并使簡并態(tài)發(fā)生分裂。這個定理在理解某些過渡金屬離子的結構化學上有巨大的實際意義。為了說明這一點，以Cu2+離子為例，假定它處于配位八面體的中心。這個離子可看為在eg軌道有個空穴，而其電子態(tài)是簡并的Eg態(tài)。根據(jù)姜—泰勒定理，在平衡時該配離子不再保持完整的正八面體，一定會有些變形。第七十六頁第七十七頁，共91頁?！?-6配合物的磁學性質(zhì)

物質(zhì)的磁性是物質(zhì)的根本性質(zhì)之一，它是物質(zhì)內(nèi)部結構的一種宏觀表現(xiàn)。對配合物磁性的研究，可為配合物的結構、鍵型、立體化學提供非常有用的信息。第七十七頁第七十八頁，共91頁。一.物質(zhì)的磁性

物質(zhì)放入磁場中時，會產(chǎn)生一種附加的磁場，使其磁場強度發(fā)生改變，這種現(xiàn)象稱為介質(zhì)的磁化，能被磁場磁化的物質(zhì)為磁介質(zhì)。若磁介質(zhì)被磁化后所產(chǎn)生的附加磁場強度為H’,原有的磁場強度為H,則物質(zhì)內(nèi)部的總磁場強度B為二者矢量和。

B＝H＋H’

附加磁場可有三種情況，因而物質(zhì)的磁性分為三種：第七十八頁第七十九頁，共91頁。1.

H’與H同向

該類磁介質(zhì)具有順磁性，稱為順磁性物質(zhì)。順磁性物質(zhì)的分子在沒有受到外場的作用以前，已具有元電流產(chǎn)生的磁矩。在外場的作用下，這些元電流有規(guī)則的排列，產(chǎn)生了與H同向的附加磁場，因而H’>0,B>H。當外場撤出后，由于分子的熱運動，這些元電流無規(guī)則的排列，附加磁場消失。第七十九頁第八十頁，共91頁。2.

H’與H異向

該類磁介質(zhì)稱為反磁性物質(zhì)。反磁性物質(zhì)的分子本身不具有元電流，但在外場的作用下，有感應電流產(chǎn)生。感應電流產(chǎn)生的磁場與外磁場H方向相反，從而表現(xiàn)反磁性。無論何種介質(zhì)，在外磁場的作用下，都會產(chǎn)生感應的分子電流，因而反磁性為一切物質(zhì)所共有。在順磁性物質(zhì)中，固有的分子電流作有序排列時所產(chǎn)生的磁場比感應的分子電流所產(chǎn)生的磁場大得多，所以就只顯示出順磁性。3

H’