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文檔簡介

第11章

核磁共振波譜分析法質(zhì)子的化學(xué)位移δ和偶合常數(shù)J反映了質(zhì)子所處的化學(xué)環(huán)境，故共振波譜可用于：（1）δ可判斷分子中基團(tuán)類型；（2）可判斷積分曲線判斷各基團(tuán)中質(zhì)子相對數(shù)目；（3）偶合分裂判斷各基團(tuán)間的連接。第4節(jié)

化學(xué)位移及影響因素化學(xué)位移的表示方法

理想化的、裸露的氫核；滿足共振條件：

0=

B0/(2

)產(chǎn)生單一的吸收峰；實(shí)際上，氫核受周圍不斷運(yùn)動著的電子影響。在外磁場作用下，運(yùn)動著的電子產(chǎn)生相對于外磁場方向的感應(yīng)磁場，起到屏蔽作用，使氫核實(shí)際受到的外磁場作用減小：

B=B0-B‘＝（1-

）B0

：屏蔽常數(shù)。

越大，屏蔽效應(yīng)越大。

0=[

/(2)]（1-

）B0由于屏蔽作用的存在，氫核產(chǎn)生共振需要更大的外磁場強(qiáng)度（相對于裸露的氫核），來抵消屏蔽影響?；瘜W(xué)位移：

0=[

/(2)]（1-

）B0由于屏蔽作用的存在，氫核產(chǎn)生共振需要更大的外磁場強(qiáng)度（相對于裸露的氫核），來抵消屏蔽影響。

在有機(jī)化合物中，各種氫核周圍的電子云密度不同（結(jié)構(gòu)中不同位置）共振頻率有差異，即引起共振吸收峰的位移，這種現(xiàn)象稱為化學(xué)位移?；瘜W(xué)位移的表示方法1．位移的標(biāo)準(zhǔn)沒有完全裸露的氫核，沒有絕對的標(biāo)準(zhǔn)。相對標(biāo)準(zhǔn)：四甲基硅烷Si(CH3)4（TMS）（內(nèi)標(biāo)）

位移常數(shù)

TMS=02．為什么用TMS作為基準(zhǔn)?(1)12個氫處于完全相同的化學(xué)環(huán)境，只產(chǎn)生一個尖峰；（2）屏蔽強(qiáng)烈，位移

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