采購需求填寫說明

采購需求填寫說明1.需求參數(shù)，僅需寫出工作中實(shí)際需求的功能性的指標(biāo).2.一般參數(shù)需要給出范圍，或者是優(yōu)于該范圍。3.資質(zhì)要求請遵照我國法定機(jī)構(gòu)出具的強(qiáng)制性要求，自愿性要求不能作為資質(zhì)要求，不能要求有ISO9001類對企業(yè)規(guī)模要求的資質(zhì)。4.一般不能有行業(yè)頂級，國際知名品牌類要求。5.正確編寫所有公示、化學(xué)符號，英文縮寫需要給出中文解釋。

采購需求一、該項(xiàng)目最高限價(jià)是（80）萬元二、采購需求應(yīng)當(dāng)完整、明確，包括以下內(nèi)容：（一）采購標(biāo)的需實(shí)現(xiàn)的功能或者目標(biāo)，以及為落實(shí)政府采購政策需滿足的要求；采購標(biāo)為完成某裝備預(yù)研項(xiàng)目的核心部件，根據(jù)項(xiàng)目研究內(nèi)容及實(shí)施計(jì)劃，采購以下5種電子陣列開關(guān)產(chǎn)品：1）名稱：15MW-SCR電子陣列開關(guān)指標(biāo)要求：最高電壓：Vmax≥15kV；最大電流：Imax≥1kA；上升時(shí)間：tr≤800ns；最高開關(guān)頻率：fmax≥20kHz2）名稱：250MW-SCR電子陣列開關(guān)指標(biāo)要求：最高電壓：Vmax≥25kV；最大電流：Imax≥10kA；上升時(shí)間：tr≤900ns；最高開關(guān)頻率：fmax≥15kHz3）名稱：600kW-MOSFET電子陣列開關(guān)參數(shù)要求：最高電壓：Vmax≥5kV；最大電流：Imax≥120A；上升時(shí)間：tr≤8ns；最高開關(guān)頻率：fmax≥1.5MHz4）名稱：1600kW-MOSFET電子陣列開關(guān)指標(biāo)要求：最高電壓：Vmax≥8kV；最大電流：Imax≥200A；上升時(shí)間：tr≤10ns；最高開關(guān)頻率：fmax≥1MHz5）名稱：1MW-GaNMOSFET電子陣列開關(guān)指標(biāo)要求：最高電壓：Vmax≥20kV；最大電流：Imax≥500A；上升時(shí)間：tr≤3ns；最高開關(guān)頻率：fmax≥3MHz以上所述電子陣列開關(guān)均包含對應(yīng)的驅(qū)動(dòng)單元，通過用戶外部給定的觸發(fā)控制信號實(shí)現(xiàn)相應(yīng)指標(biāo)的開關(guān)功能。（二）采購標(biāo)的需執(zhí)行的國家相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)、行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)、地方標(biāo)準(zhǔn)或者其他標(biāo)準(zhǔn)、規(guī)范；無（三）采購標(biāo)的需滿足的質(zhì)量、安全、技術(shù)規(guī)格、物理特性等要求；質(zhì)量：供貨方需同時(shí)滿足（一）中所列5種產(chǎn)品全部技術(shù)指標(biāo)要求，產(chǎn)品性能檢測方法見“現(xiàn)場的檢驗(yàn)指標(biāo)及方法”。安全：產(chǎn)品需有詳細(xì)的說明書，并對可能有的安全注意事項(xiàng)有顯著的標(biāo)識和說明。技術(shù)規(guī)格書：產(chǎn)品需提供詳細(xì)的技術(shù)規(guī)格書，并給出滿足技術(shù)規(guī)格書所應(yīng)具備的技術(shù)條件。物理特性：定制產(chǎn)品尺寸及引腳排列需征求采購方意見，滿足采購方使用要求。（四）采購標(biāo)的的數(shù)量、采購項(xiàng)目交付或者實(shí)施的時(shí)間和地點(diǎn)；1）15MW-SCR電子陣列開關(guān)，4個(gè)2）250MW-SCR電子陣列開關(guān)，4個(gè)3）600kW-MOSFET電子陣列開關(guān)，4個(gè)4）1600kW-MOSFET電子陣列開關(guān)，4個(gè)5）1MW-GaNMOSFET電子陣列開關(guān)，2個(gè)產(chǎn)品1、2、3、4交付時(shí)間為采購合同生效1月內(nèi)；產(chǎn)品5交付時(shí)間為采購合同生效3月內(nèi)；全部產(chǎn)品交付地點(diǎn)為生產(chǎn)方所在地，采用現(xiàn)場測試驗(yàn)收的方法。（五）采購標(biāo)的需滿足的服務(wù)標(biāo)準(zhǔn)、期限、效率等要求；全部產(chǎn)品的質(zhì)量問題1年內(nèi)免費(fèi)更換，3年內(nèi)免費(fèi)維修；發(fā)生問題的響應(yīng)時(shí)間不超過24小時(shí)。（六）采購標(biāo)的的驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn)；（可續(xù)行）廠家提供產(chǎn)品測試平臺，用戶到測試現(xiàn)場，依據(jù)要求的技術(shù)指標(biāo)要求進(jìn)行驗(yàn)收，分別對5種電子陣列開關(guān)的最高運(yùn)行電壓、最大承載電流、開關(guān)導(dǎo)通上升時(shí)間、最大開關(guān)頻率進(jìn)行測試，并出具測試報(bào)告。技術(shù)要求詳見“現(xiàn)場的檢驗(yàn)指標(biāo)及方法”。采購項(xiàng)目最終實(shí)施條件如下：現(xiàn)場的檢驗(yàn)指標(biāo)及方法序號功能或指標(biāo)驗(yàn)收或測試方法1名稱：15MW-SCR電子陣列開關(guān)最高電壓：Vmax≥15kV依據(jù)對應(yīng)的技術(shù)指標(biāo)，在電子陣列開關(guān)動(dòng)態(tài)特性測試平臺上，通過用戶給定的觸發(fā)控制信號，采用電容器-電阻放電回路進(jìn)行測試。最大電流：Imax≥1kA上升時(shí)間：tr≤800ns最高開關(guān)頻率：fmax≥20kHz2名稱：250MW-SCR電子陣列開關(guān)最高電壓：Vmax≥25kV依據(jù)對應(yīng)的技術(shù)指標(biāo)，在電子陣列開關(guān)動(dòng)態(tài)特性測試平臺上，通過用戶給定的觸發(fā)控制信號，采用電容器-電阻放電回路進(jìn)行測試。最大電流：Imax≥10kA上升時(shí)間：tr≤900ns最高開關(guān)頻率：fmax≥15kHz3名稱：600kW-MOSFET電子陣列開關(guān)最高電壓：Vmax≥5kV依據(jù)對應(yīng)的技術(shù)指標(biāo)，在電子陣列開關(guān)動(dòng)態(tài)特性測試平臺上，通過用戶給定的觸發(fā)控制信號，采用電容器-電阻放電回路進(jìn)行測試。最大電流：Imax≥120A上升時(shí)間：tr≤8ns最高開關(guān)頻率：fmax≥1.5MHz4名稱：1600kW-MOSFET電子陣列開關(guān)最高電壓：Vmax≥8kV依據(jù)對應(yīng)的技術(shù)指標(biāo)，在電子陣列開關(guān)動(dòng)態(tài)特性測試平臺上，通過用戶給定的觸發(fā)控制信號，采用電容器-電阻放電回路進(jìn)行測試。最大電流：Imax≥200A上升時(shí)間：tr≤10ns最高開關(guān)頻率：fmax≥1MHz5名稱：1MW-GaNMOSFET電子陣列開關(guān)最高電壓：Vmax≥20kV依據(jù)對應(yīng)的技術(shù)指標(biāo)，在電子陣列開關(guān)動(dòng)態(tài)特性測試平臺上，通過用戶給定的觸發(fā)控制信號，采用電容器-電阻放電回路進(jìn)行測試。最大電流：Imax≥500A上升時(shí)間：tr≤3ns最高開關(guān)頻率：fmax≥3MHz驗(yàn)收時(shí)是否需要供應(yīng)商提供樣品是█否□驗(yàn)收時(shí)是否需供應(yīng)商提供必要的其他設(shè)備是█否□除現(xiàn)場驗(yàn)收外，需提供的其他驗(yàn)收要求除現(xiàn)場驗(yàn)