PIP工藝制備SiCSiC復(fù)合材料的結(jié)構(gòu)、性能與輻照行為研究_第1頁
PIP工藝制備SiCSiC復(fù)合材料的結(jié)構(gòu)、性能與輻照行為研究_第2頁
PIP工藝制備SiCSiC復(fù)合材料的結(jié)構(gòu)、性能與輻照行為研究_第3頁
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文檔簡介

PIP工藝制備SiCSiC視和應(yīng)用。SiC/SiCCf/SiC復(fù)合材料，其具有很高的耐熱、抗氧化和耐輻射性能，因此在航空航天、核工程等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景。目前，PIP（PrepregImpregnationandPyrolysis）工藝是制備SiC/SiCPIPSiC/SiC復(fù)一、SiC/SiC常用的SiC/SiC復(fù)合材料制備方法有CVI（ChemicalVaporInfiltration）、PIP（PrepregImpregnationandPyrolysis）、LPI（LiquidPhaseInfiltration）等。其中，PIP工藝可以制備出高密度、高強度的SiC/SiC復(fù)合材料。其具體步驟如下：Cf/SiC基底。通過化學(xué)氣相沉積（CVD）C/SiC制備預(yù)浸料。將含SiC前驅(qū)體的液態(tài)制品涂敷在Cf/SiC基底上，使得Cf/SiC基底充分浸潤預(yù)浸料，形成預(yù)浸料薄片。SiCCfSiC纖維逐漸燒蝕形成微孔結(jié)二、SiC/SiCSiC/SiCCf/SiC纖維增強復(fù)合材料構(gòu)成，其結(jié)構(gòu)具有多級的層次特征。主要包括：Cf/SiC纖維束、SiC基Cf/SiCSiC/SiC復(fù)合材料的增強骨架，具有高SiC、碳以及SiC基質(zhì)。SiC基質(zhì)是由含硅前驅(qū)體經(jīng)過多次燒結(jié)形成的，具有高強度、高硬度以及高耐磨性能。SiC基質(zhì)可以為SiC/SiC復(fù)合材料提供摩界面。SiC/SiC復(fù)合材料的界面區(qū)包括Cf/SiC纖維束表面、SiCSiC/SiC復(fù)合微孔結(jié)構(gòu)。SiC/SiCCf/SiC纖維束經(jīng)過燒蝕形成了微SiC/SiC復(fù)合材料的密度和三、SiC/SiC耐熱性能。SiC/SiC1500°C及以上高溫環(huán)境下長時間使用。四、SiC/SiC有很好的應(yīng)用前景。研究表明，SiC/SiC復(fù)合材料的輻照行為與其微觀結(jié)構(gòu)和化學(xué)成分密切相關(guān)。在輻射環(huán)境下，SiC/SiC復(fù)合材料主要表現(xiàn)出如損傷效應(yīng)。高能輻射對SiC/SiC復(fù)合材料中的晶體結(jié)構(gòu)產(chǎn)生損傷，SiC/SiC復(fù)合材料的性能和結(jié)構(gòu)影響是非常復(fù)雜和多PC/S

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