芯片基礎(chǔ)-模擬集成電路設(shè)計智慧樹知到課后章節(jié)答案2023年下山東工商學(xué)院

芯片基礎(chǔ)--模擬集成電路設(shè)計智慧樹知到課后章節(jié)答案2023年下山東工商學(xué)院山東工商學(xué)院

第一章測試

跟數(shù)字集成電路設(shè)計一樣，目前高性能模擬集成電路的設(shè)計已經(jīng)能自動完成。

A:錯B:對

答案:錯

模擬電路許多效應(yīng)的建模和仿真仍然存在問題，模擬設(shè)計需要設(shè)計者利用經(jīng)驗和直覺來分析仿真結(jié)果

A:對B:錯

答案:對

模擬設(shè)計涉及到在速度、功耗、增益、精度、電源電壓等多種因素間進行折衷

A:錯B:對

答案:對

CMOS電路已成為當今SOC設(shè)計的主流制造技術(shù)。

A:錯B:對

答案:對

MOSFET的特征尺寸越來越小，本征速度越來越快（已可與雙極器件相比較），現(xiàn)在幾GHz～幾十GHz的CMOS模擬集成電路已經(jīng)可批量生產(chǎn)。

A:錯B:對

答案:對

相對于數(shù)字電路來說，模擬集成電路的設(shè)計更加基礎(chǔ)，更加靈活。

A:錯B:對

答案:對

片上系統(tǒng)，又稱SOC，其英文全稱是：

A:SystemOperationsCenterB:System

onChipC:Separationofconcerns

D:System

of

computer

答案:System

onChip

互補金屬氧化物半導(dǎo)體，英文簡稱CMOS，其英文全稱為：

A:ComplementaryMachineOfSemiconductorB:ComplementaryMetalOxideSemiconductorC:ComplementaryMetalOxide

System

D:Cargo

Machine

Of

Semiconductor

答案:ComplementaryMetalOxideSemiconductor

模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器,英文簡稱ADC,英文全稱為：

A:AmbulancetoDigitalConverter

B:AmbulancetoDestinationConverter

C:Analog-to-DigitalConverter

D:Analog-to-DestinationConverter

答案:Analog-to-DigitalConverter

第二章測試

MOS器件的源端和漏端不可以共用，不可以互換。

A:錯B:對

答案:錯

如果一個電路的最高電壓是，最低電壓是，那么NMOS器件的襯底應(yīng)該接。

A:對B:錯

答案:錯

一般MOS器件的源漏是對稱的，這告訴我們要根據(jù)實際集成電路的情況來判斷電路的源極和漏極。

A:錯B:對

答案:對

下列關(guān)于MOS版圖說法不正確的是（）

A:柵極的接觸孔應(yīng)該開在溝道區(qū)外B:版圖中溝道長度L的最小值由工藝決定C:版圖中柵極的接觸孔可以開在溝道區(qū)里D:源結(jié)和漏結(jié)的一個尺寸等于W，另外一個尺寸要滿足接觸孔的需要，并且要滿足設(shè)計規(guī)則

答案:版圖中柵極的接觸孔可以開在溝道區(qū)里

下列關(guān)于閾值電壓的說法，不正確的是（）

A:在器件制造過程中，可通過向溝道區(qū)注入雜質(zhì)來調(diào)整閾值電壓B:若，則

NMOS器件關(guān)斷C:當時，NMOS器件導(dǎo)通D:NFET的閾值電壓定義為當界面的電子濃度等于p型襯底的多子濃度時的柵源電壓

答案:若，則

NMOS器件關(guān)斷

下列關(guān)于NMOS器件的伏安特性說法正確的是（）

A:當時，NMOS器件工作在截止區(qū)B:當，時，NMOS器件工作在飽和區(qū)C:當，并且NMOS器件工作在線性區(qū)D:當時，且時，NMOS器件工作在深線性區(qū)

答案:當時，NMOS器件工作在截止區(qū);當，時，NMOS器件工作在飽和區(qū);當，并且NMOS器件工作在線性區(qū)

下列對器件尺寸參數(shù)描述正確的有（）

A:一般所說的90nm工藝，其中的90nm是指器件的柵氧化層的厚度toxB:一般所說的90nm工藝，其中的90nm是指器件的最小溝道長度LC:tox是器件柵氧化層的厚度，由工藝決定D:L是器件的溝道長度，W是器件的寬度

答案:一般所說的90nm工藝，其中的90nm是指器件的最小溝道長度L;tox是器件柵氧化層的厚度，由工藝決定;L是器件的溝道長度，W是器件的寬度

下列關(guān)于體效應(yīng)的說法，正確的是（）

A:體效應(yīng)導(dǎo)致設(shè)計參數(shù)復(fù)雜，模擬集成電路設(shè)計往往不希望其存在，但也有利用體效應(yīng)的電路。B:不改變襯底電勢也可能會產(chǎn)生體效應(yīng)。C:改變襯底電勢可能會產(chǎn)生體效應(yīng)。D:源電壓相對于襯底電勢發(fā)生改變，使得源襯電勢差不為0，就會產(chǎn)生體效應(yīng)。

答案:體效應(yīng)導(dǎo)致設(shè)計參數(shù)復(fù)雜，模擬集成電路設(shè)計往往不希望其存在，但也有利用體效應(yīng)的電路。;不改變襯底電勢也可能會產(chǎn)生體效應(yīng)。;改變襯底電勢可能會產(chǎn)生體效應(yīng)。;源電壓相對于襯底電勢發(fā)生改變，使得源襯電勢差不為0，就會產(chǎn)生體效應(yīng)。

下列關(guān)于亞閾值導(dǎo)電特性的說法正確的是（）

A:當時，漏極電流以有限速度下降，導(dǎo)致功率損耗或模擬信息的丟失B:亞閾值區(qū)的跨導(dǎo)比飽和區(qū)（強反型區(qū)）跨導(dǎo)大，有利于實現(xiàn)大的放大倍數(shù)C:MOS管亞閾值電流一般為幾十~幾百nA，常用于低功耗放大器、帶隙基準設(shè)計D:MOS管由0增大到大于閾值電壓，經(jīng)歷截止---弱反型---強反型，這是一個漸進的過程，故當時，仍有存在

答案:當時，漏極電流以有限速度下降，導(dǎo)致功率損耗或模擬信息的丟失;亞閾值區(qū)的跨導(dǎo)比飽和區(qū)（強反型區(qū)）跨導(dǎo)大，有利于實現(xiàn)大的放大倍數(shù);MOS管亞閾值電流一般為幾十~幾百nA，常用于低功耗放大器、帶隙基準設(shè)計;MOS管由0增大到大于閾值電壓，經(jīng)歷截止---弱反型---強反型，這是一個漸進的過程，故當時，仍有存在

下列關(guān)于MOS模型的說法正確的有（）

A:MOS器件的大信號模型一般由I/V特性關(guān)系式，各寄生電容計算式等推導(dǎo)建立B:MOS器件的低頻小信號模型，主要考慮了跨導(dǎo)，體效應(yīng)以及溝道調(diào)制效應(yīng)等參數(shù)C:MOS器件的高頻小信號模型，除考慮跨導(dǎo)、體效應(yīng)以及溝道調(diào)制效應(yīng)等參數(shù)，還需要考慮各個寄生電容和寄生電阻的影響D:當信號相對直流偏置工作點而言較小且不會顯著影響直流工作點時，可用小信號模型簡化計算

答案:MOS器件的大信號模型一般由I/V特性關(guān)系式，各寄生電容計算式等推導(dǎo)建立;MOS器件的低頻小信號模型，主要考慮了跨導(dǎo)，體效應(yīng)以及溝道調(diào)制效應(yīng)等參數(shù);MOS器件的高頻小信號模型，除考慮跨導(dǎo)、體效應(yīng)以及溝道調(diào)制效應(yīng)等參數(shù)，還需要考慮各個寄生電容和寄生電阻的影響;當信號相對直流偏置工作點而言較小且不會顯著影響直流工作點時，可用小信號模型簡化計算

第三章測試

下列關(guān)于放大的說法，正確的是（）

A:放大不能為數(shù)字電路提供邏輯電平。B:在大多數(shù)模擬電路和許多數(shù)字電路中，放大是一個基本功能。C:我們放大一個模擬或數(shù)字信號是因為這個信號太小而不能驅(qū)動負載，或者不能克服后繼的噪聲D:放大在反饋系統(tǒng)中起著重要作用。

答案:在大多數(shù)模擬電路和許多數(shù)字電路中，放大是一個基本功能。;我們放大一個模擬或數(shù)字信號是因為這個信號太小而不能驅(qū)動負載，或者不能克服后繼的噪聲;放大在反饋系統(tǒng)中起著重要作用。

下列關(guān)于小信號的說法，正確的是（）

A:小信號使電路偏置點受到的擾動可忽略不記B:假定某MOS器件的柵源過驅(qū)動電壓VGS–VTH=0.5V，則|vgs(t)|可視為小信號的變化范圍為0.5VC:一般小信號是交流信號D:若小信號變化幅度過大，則會影響直流偏置點，需用大信號分析

答案:小信號使電路偏置點受到的擾動可忽略不記;一般小信號是交流信號;若小信號變化幅度過大，則會影響直流偏置點，需用大信號分析

以電阻為負載的共源極電路的小信號增益的表達式有（）

A:B:C:D:

答案:;;;

對于以電阻為負載、以一個NMOS器件為主放大管的共源極電路，增大其小信號增益的措施有（）

A:減小NMOS器件的漏極電流B:增大NMOS器件的寬長比W/LC:減?。危蚈S器件的寬長比W/LD:增大電阻上的電壓

答案:減小NMOS器件的漏極電流;增大NMOS器件的寬長比W/L;增大電阻上的電壓

圖中的被偏置在飽和區(qū)，則電路的小信號電壓增益，說明使用電流源作負載可提高增益。

A:對B:錯

答案:對

關(guān)于二極管連接的MOS器件的說法正確的有（）

A:二極管連接的PMOS管作負載的共源極電路的小信號增益是兩管的過驅(qū)動電壓之比，增益AV越大，最大輸出電壓Voutmax越小B:所謂二極管連接的MOS管實際上是將MOS器件的柵極和源極短接，起到小信號電阻的作用C:將MOS管作二極管連接并導(dǎo)通時，不論是NMOS還是PMOS管,均工作在飽和區(qū)D:二極管連接的PMOS管作負載的共源極電路的小信號增益只與W/L有關(guān)，與偏置電流無關(guān)，即輸入與輸出呈線性

答案:二極管連接的PMOS管作負載的共源極電路的小信號增益是兩管的過驅(qū)動電壓之比，增益AV越大，最大輸出電壓Voutmax越小;將MOS管作二極管連接并導(dǎo)通時，不論是NMOS還是PMOS管,均工作在飽和區(qū);二極管連接的PMOS管作負載的共源極電路的小信號增益只與W/L有關(guān)，與偏置電流無關(guān)，即輸入與輸出呈線性

下列關(guān)于源極跟隨器的說法正確的有（）

A:源極跟隨器一般只用來驅(qū)動小電容(或高阻)負載，不宜用來驅(qū)動低阻、大電容負載B:源極跟隨器可用來構(gòu)成電平位移電路C:相對于共源級電路來說，源極跟隨器增益很大，輸出阻抗很高D:源極跟隨器的

答案:源極跟隨器一般只用來驅(qū)動小電容(或高阻)負載，不宜用來驅(qū)動低阻、大電容負載;源極跟隨器可用來構(gòu)成電平位移電路;源極跟隨器的

下列關(guān)于共柵放大器的說法正確的有（）

A:常同共源級聯(lián)合構(gòu)成共源共柵放大器，用于高速運放的差分輸入放大級B:其增益與共源級放大電路增益相同C:輸入阻抗與有關(guān)，有阻抗變換特性D:輸出阻抗高，可用于提高增益和構(gòu)成高性能恒流源

答案:常同共源級聯(lián)合構(gòu)成共源共柵放大器，用于高速運放的差分輸入放大級;輸入阻抗與有關(guān)，有阻抗變換特性;輸出阻抗高，可用于提高增益和構(gòu)成高性能恒流源

如圖(a)(b)(c)三個電路，若電路中ID相等，輸出阻抗最大的是（）

A:圖(a)B:圖(c)C:圖(b)D:三個電路的輸出阻抗相同

答案:圖(c)

關(guān)于共源共柵電路下列說法正確的有（）

A:共源共柵電流源可近似代替理想恒流源B:共源共柵結(jié)構(gòu)具有高輸出擺幅C:共源共柵結(jié)構(gòu)具有高輸出阻抗特性D:共源共柵結(jié)構(gòu)具有屏蔽特性

答案:共源共柵電流源可近似代替理想恒流源;共源共柵結(jié)構(gòu)具有高輸出阻抗特性;共源共柵結(jié)構(gòu)具有屏蔽特性

第四章測試

下列關(guān)于差動放大電路的描述正確的是

A:差動電路增大了輸出電壓擺幅B:差動模式使電路的偏置電路更簡單，輸出線性度更高C:差動電路相對于單端電路，其芯片面積和功耗有所增加D:差動電路能有效抑制共模噪聲

答案:差動電路增大了輸出電壓擺幅;差動模式使電路的偏置電路更簡單，輸出線性度更高;差動電路相對于單端電路，其芯片面積和功耗有所增加;差動電路能有效抑制共模噪聲

對于差分放大電路，下列說法正確的是

A:輸入共模電平越小，輸出擺幅越大，利于實現(xiàn)高增益B:輸入共模電平越大,

允許輸出的輸出擺幅就越小。C:輸入共模電平越大，利于實現(xiàn)高增益D:輸入共模電平越大,

允許輸出的輸出擺幅就越大。

答案:輸入共模電平越小，輸出擺幅越大，利于實現(xiàn)高增益;輸入共模電平越大,

允許輸出的輸出擺幅就越小。

理想差分只放大輸入信號的差模部分，不放大共模部分

A:錯B:對

答案:對

差分放大電路如圖，輸出端的電壓范圍為（）

A:B:C:D:

答案:

如圖電路，下列說法正確的是（）

A:當足夠負時,導(dǎo)通B:當時，小信號增益(即斜率)最大，線性度最好C:當足夠負時,截止D:當時，，電路處于平衡狀態(tài)

答案:當時，小信號增益(即斜率)最大，線性度最好;當足夠負時,截止;當時，，電路處于平衡狀態(tài)

如圖電路完全對稱，考慮溝道長度調(diào)制效應(yīng)后，其差模小信號增益為（）

A:B:C:D:

答案:

關(guān)于差分信號和差分放大電路的說法正確的是（）

A:任意輸入信號Vin1和Vin2的差模分量是正負B:差分放大電路對任意輸入信號的響應(yīng)包含差模響應(yīng)和共模響應(yīng)兩部分C:任意輸入信號Vin1和Vin2的共模分量是二者的平均值D:如果輸入信號和Vin1和Vin2不是大小相等，方向相反，那么Vin1和Vin2就是非全差分信號。

答案:任意輸入信號Vin1和Vin2的差模分量是正負;差分放大電路對任意輸入信號的響應(yīng)包含差模響應(yīng)和共模響應(yīng)兩部分;任意輸入信號Vin1和Vin2的共模分量是二者的平均值;如果輸入信號和Vin1和Vin2不是大小相等，方向相反，那么Vin1和Vin2就是非全差分信號。

實際差分放大電路由于工藝誤差存在而非理想，因此必然會出現(xiàn)共模響應(yīng)

A:錯B:對

答案:對

差分放大電路的電阻失配或者差分對管失配，都會引起共模分量到差模響應(yīng)的轉(zhuǎn)化，因而抑制共模噪聲能力減弱。

A:錯B:對

答案:對

關(guān)于差分放大器的說法錯誤的是（）

A:差分放大電路只放大輸入信號的差模部分，不放大共模部分B:Gilbert單元是增益可變的放大器C:VGA是一種可變增益放大器D:共源共柵差分放大器的增益更大，但輸出共模電平難以確定

答案:差分放大電路只放大輸入信號的差模部分，不放大共模部分

第五章測試

下列關(guān)于共源共柵電流鏡的說法正確的是（）

A:提高了電路的輸出阻抗B:提高了電流復(fù)制精度C:犧牲了電壓余度D:共源共柵級屏蔽了輸出電壓變化的影響

答案:提高了電路的輸出阻抗;提高了電流復(fù)制精度;犧牲了電壓余度;共源共柵級屏蔽了輸出電壓變化的影響

有源負載差動對的輸出端是不對稱的。

A:錯B:對

答案:對

有源負載差動電路的小信號增益也可以使用半邊電路法來分析。

A:對B:錯

答案:錯

如圖電流鏡電路，說法正確的有（）

A:有管時，B:有管時，C:有管時的電流復(fù)制精度比沒有管時的電流復(fù)制精度高。D:沒有管時，

答案:有管時，;有管時，;有管時的電流復(fù)制精度比沒有管時的電流復(fù)制精度高。;沒有管時，

如圖電路，的最大值為（）

A:B:C:D:

答案:

假設(shè)電路完全對稱，且時，所有器件都飽和，那么

=（）

A:2.3VB:1.5VC:D:

答案:

如圖使用有源電流鏡負載的差分放大電路，實現(xiàn)了將差動輸入信號變成了(

)輸出信號，完成了“雙端—單端”變換。

A:差分B:雙端C:差動D:單端

答案:單端

采用共源共柵結(jié)構(gòu)，不能提高輸出阻抗。

A:錯B:對

答案:錯

實際模擬集成電路通過基本電流鏡產(chǎn)生眾多的偏置電流/電壓。

A:錯B:對

答案:對

共源共柵電流鏡屏蔽了輸出電壓變化的影響，不能提高電流復(fù)制精度。

A:錯B:對

答案:錯

第六章測試

如果系統(tǒng)傳輸函數(shù)H（s）的所有零點都位于左半平面時，系統(tǒng)是穩(wěn)定的

A:對B:錯

答案:錯

利用米勒效應(yīng)以及極點和結(jié)點的關(guān)聯(lián)關(guān)系分析電路的頻率特性時，可能漏掉電路中的零點。

A:錯B:對

答案:對

因為下面的電路中結(jié)點X與Y之間只有一條信號通路，所以適用密勒定理。

A:錯B:對

答案:錯

的彌勒效應(yīng)（）CS放大器的帶寬

A:增大B:減小

答案:減小

由于零點在運放的穩(wěn)定性中不起作用，因此在放大器頻率特性中可以忽略。

A:對B:錯

答案:錯

零點意味著存在某一頻率fZ使輸出Vout等于（）

A:1B:2C:0

答案:0

若兩條通路到達輸出結(jié)點時信號極性相同且傳輸函數(shù)存在零點，則為（）平面零點

A:左半B:右半

答案:左半

該圖中，

不會產(chǎn)生密勒效應(yīng)。

A:對B:錯

答案:錯

輸入信號頻率從低頻到高頻變化過程中，線性電路的增益、輸入阻抗、噪聲等指標不會隨頻率發(fā)生變化。

A:對B:錯

答案:錯

求該電路的極點

A:1/(RC)B:1/(sRC)

答案:1/(RC)

第七章測試

反饋可以提高電路增益的穩(wěn)定性。

A:對B:錯

答案:對

由于增益帶寬之積為常數(shù)，故反饋電路帶寬增加的同時，其增益必減小。

A:錯B:對

答案:對

放大器一般有四種，分別為電壓放大器，跨阻放大器，跨導(dǎo)放大器和電流放大器。

A:錯B:對

答案:對

共源電路屬于（）類型放大器。

A:跨阻放大器B:電壓放大器

答案:電壓放大器

為了檢測輸出電壓，可以通過（）的方法實現(xiàn)。

A:串聯(lián)電流表B:在相應(yīng)接口并聯(lián)電壓表

答案:在相應(yīng)接口并聯(lián)電壓表

（）方法能夠使兩個電流信號相加。

A:串聯(lián)B:并聯(lián)

答案:并聯(lián)

引入電壓-電壓反饋后，電路的輸出阻抗變?yōu)闆]有反饋時的（）倍。

A:B:

答案:

在具有電流-電壓反饋機制的電路