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晶體結(jié)構(gòu)解讀與晶體計(jì)算一、晶體常識(shí)1、晶體與非晶體的比較晶體非晶體結(jié)構(gòu)特征結(jié)構(gòu)微粒周期性有序排列結(jié)構(gòu)微粒周期性無(wú)序排列自范性有無(wú)熔點(diǎn)固定不固定異同表現(xiàn)各向異性各向異性區(qū)別方法看有無(wú)固定熔點(diǎn)或通過(guò)固體進(jìn)行X-射線的衍射實(shí)驗(yàn)2、晶體獲得的途徑熔融態(tài)物質(zhì)凝固氣態(tài)物質(zhì)冷卻不經(jīng)過(guò)液態(tài)直接凝固(凝華)溶質(zhì)從溶液中析出3、晶胞:晶胞是描述晶體結(jié)構(gòu)的基本單元,數(shù)量巨大的晶胞無(wú)隙并置就構(gòu)成晶體。4、晶胞中粒子數(shù)目的計(jì)算方法:均攤法原則:晶胞任意位置上的一個(gè)原子如果被n個(gè)晶胞所共有,那么,每個(gè)晶胞對(duì)這個(gè)原子分得的份額就是n。對(duì)于長(zhǎng)方體或立方體,位于頂點(diǎn)的粒子為8個(gè)晶胞所共有,位于棱上的粒子位為4個(gè)晶胞所共有,位于面上的粒子為2個(gè)晶胞所共有,位于內(nèi)部的粒子不為其他晶胞所共有。對(duì)于六棱柱晶胞,位于頂點(diǎn)的粒子為6個(gè)晶胞所共有,位于底面棱上的粒子位為4個(gè)晶胞所共有,位于側(cè)面棱面上的粒子為3個(gè)晶胞所共有,位于面心的粒子為2個(gè)晶胞所共有,位于內(nèi)部的粒子不為其他晶胞所共有。對(duì)于其他晶胞中的粒子視具體情況而定。比如,石墨,每一個(gè)C原子為三個(gè)六邊形所共有。根據(jù)晶胞粒子數(shù)的計(jì)算,結(jié)合晶胞體積的計(jì)算,可以計(jì)算晶體的密度。5、注意:具有規(guī)則幾何外形的固體不一定是晶體,比如玻璃;晶胞不是從晶體中截取出來(lái)具有代表性的最小部分,而不一定是最小的平行四邊形。二、各類(lèi)典型晶體的晶體模型解讀1、金剛石:(1)每一個(gè)C原子與相鄰4個(gè)C原子以共價(jià)鍵結(jié)合,形成正四面體構(gòu)型。(2)鍵角為109°28'(3)最小環(huán)由6個(gè)C原子組成,并且不在同一個(gè)平面上。(4)C原子和C—C鍵的比值為1:2(5)金剛石屬于面心立方晶胞,即C原子處在立方體的8個(gè)頂點(diǎn)、6個(gè)面心,4個(gè)體心,每個(gè)晶胞含8個(gè)C原子。2、二氧化硅(1) 每一個(gè)Si原子與4個(gè)O原子以共價(jià)鍵相連,形成正四面體,每一個(gè)O原子與2個(gè)Si原子以共價(jià)鍵相連;(2) O—Si—O鍵角為109°28'。(3) 最小環(huán)含12個(gè)原子,其中6個(gè)Si,6個(gè)O;(4) Si與Si—O鍵的比值為1:4;(5)晶胞屬于面心立方,含8個(gè)Si,16個(gè)O;3、干冰:晶胞屬于面心立方,含4個(gè)CO2;每個(gè)CO2分子與等距離緊鄰的CO2有12個(gè)。4、 氯化鈉每一個(gè)Na+緊鄰等距的C卜有6個(gè),每一個(gè)C卜緊鄰等距的Na+有6個(gè),每一個(gè)Na+緊鄰等距的C卜有12個(gè),每一個(gè)C卜緊鄰等距的Na+有12個(gè)。晶胞屬于面心立方,含4個(gè)Na+,4個(gè)Cl-;5、 氯化銫:每一個(gè)Cs+緊鄰等距的C卜有8個(gè),每一個(gè)C卜緊鄰等距的Cs+有8個(gè),每一個(gè)Cs+緊鄰等距的C卜有6個(gè),每一個(gè)C卜緊鄰等距的Cs+有6個(gè)。晶胞屬于立方體,含有含1個(gè)Cs+,1個(gè)Cl-;6、 簡(jiǎn)單立方緊密堆積:如Po,空間利用率52%,配位數(shù)6,90代表一牛CO:井于含1個(gè)金屬原子。7、體心立方緊密堆積:如Na、Fe、K,空間利用率68%,配位數(shù)8,含2個(gè)金屬原子。8、 六方最緊密堆積:如Mg、Zn、Ti,空間利用率74%,配位數(shù)12,含2個(gè)金屬原子。9、 面心立方最緊密堆積:如Cu、Ag、Au,空間利用率74%,配位數(shù)12,含2個(gè)金屬原子。10、石墨每一個(gè)C與3個(gè)C形成共價(jià)鍵,形成正六邊形,形成層狀結(jié)構(gòu)。層與層之間依靠范德華力結(jié)合,電子相對(duì)自由鍵角120°;最小環(huán)6個(gè)C原子,同處在一個(gè)平面上。C與C—C鍵的比例是2:3;晶胞屬于六方體,頂點(diǎn)8個(gè),棱上4個(gè),面上2,體內(nèi)1個(gè),含4個(gè)C原子。三、強(qiáng)化練習(xí)1、下列關(guān)于二氧化硅晶體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的敘述正確的是()A、 存在四面體結(jié)構(gòu)單元,O處在四面體中心,Si處在四面體頂點(diǎn)B、 最小環(huán)上,有3個(gè)Si原子和3個(gè)O原子C、 最小環(huán)上,Si和O原子的個(gè)數(shù)比為1:2D、 最小環(huán)上,有6個(gè)Si原子和6個(gè)O原子2、下列有關(guān)金屬晶體和離子晶體的敘述中不正確的是()A、 Na形成的晶體中,每個(gè)Na原子周?chē)c其等距離最近的原子有8個(gè)B、 Mg形成的晶體中,每個(gè)Mg原子周?chē)c其等距離最近的原子有6個(gè)C、 在NaCl晶體中,每個(gè)Na+周?chē)c其等距離最近的Na+有12個(gè)D、 在CsCl晶體中,每個(gè)Cs+周?chē)c其等距離最近的C卜有8個(gè)3、下列有關(guān)晶體的說(shuō)法正確的是()A、晶體中分子間作用力越大,分子就越穩(wěn)定B、原子晶體共價(jià)鍵越強(qiáng),熔點(diǎn)越高C、冰融化時(shí)水分子中共價(jià)鍵發(fā)生了斷裂4、下列說(shuō)

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