TOFD操作指導(dǎo)書50mm以下

TOFD檢測(cè)操作指導(dǎo)書工程名稱：操作指導(dǎo)書編號(hào)：工藝規(guī)程版本號(hào)工藝規(guī)程編號(hào)被檢設(shè)備設(shè)備名稱設(shè)備類別設(shè)備規(guī)格主體材質(zhì)設(shè)備狀態(tài)焊接辦法接頭型式坡口型式焊縫寬度熱解決狀態(tài)檢測(cè)部位焊縫及熱影響區(qū)檢測(cè)區(qū)域檢測(cè)設(shè)備器材儀器名稱TOFD探傷儀儀器型號(hào)儀器編號(hào)試塊名稱TOFD-C試塊編號(hào)掃查裝置檢測(cè)技術(shù)規(guī)定耦合劑化學(xué)漿糊檢測(cè)時(shí)機(jī)外觀檢查合格后檢測(cè)溫度執(zhí)行原則NB/T47013.10-合格級(jí)別Ⅱ技術(shù)等級(jí)B檢測(cè)比例100%表面狀態(tài)光滑耦合賠償/探頭及設(shè)立通道1通道2厚度分區(qū)0-22/覆蓋范疇0-22/探頭頻率5MHz/晶片直徑φ6/楔塊角度A70°/PCS80.6mm/初始表面盲區(qū)6mm底面盲區(qū)2.4mm/偏置量8mm/偏置后底面盲區(qū)0.9mm/楔塊前沿測(cè)定辦法1、測(cè)前沿。兩探頭正向?qū)臃旁谀覆纳?增益增加到50db左右，同上移動(dòng)BW線套住第一正向波峰，讀出BW時(shí)間值t2、用公式(t-to)5.90/2算出單個(gè)探頭前沿，并統(tǒng)計(jì)楔塊延時(shí)測(cè)定辦法1、進(jìn)入“通道設(shè)立”，將‘平移’清零、探頭設(shè)立里的‘延遲’

清零、增益降到16db左右。2、兩銅圈反向?qū)?-探頭設(shè)立--移動(dòng)BW線套住第一種正向波峰，

讀出時(shí)間值并輸入到‘延遲’里，并將單個(gè)探頭零偏to/2統(tǒng)計(jì)在統(tǒng)計(jì)中—12dB擴(kuò)散角測(cè)定辦法使用聲速擴(kuò)散角試塊測(cè)定，測(cè)定辦法詳見(jiàn)NB/T47013.10-附錄C時(shí)間窗口設(shè)立辦法最上分區(qū)的時(shí)間窗口的起始位置應(yīng)設(shè)立為直通波達(dá)成接受探頭前05us以上。時(shí)間窗口的終正位置應(yīng)設(shè)立為所檢測(cè)深度范疇的最大值。最下分區(qū)的時(shí)間窗口的起始位置應(yīng)向上覆蓋相鄰檢測(cè)分區(qū)深度范疇的1/4。最下分區(qū)的時(shí)間窗口的終止位置應(yīng)設(shè)立為底面反射波達(dá)成接受探頭后0.5us以上。掃查方式普通采用非平行掃查作為基本掃查方式，用于缺點(diǎn)的快速探測(cè)以及缺點(diǎn)長(zhǎng)度、缺點(diǎn)本身高度的測(cè)定，可大致測(cè)定缺路深度。當(dāng)非平行掃查的初始底面育區(qū)高度較大或探頭聲束不能有效覆蓋檢測(cè)區(qū)域時(shí)，可對(duì)對(duì)應(yīng)檢測(cè)區(qū)域增加偏置非平行掃查。敏捷度設(shè)立辦法最上分區(qū)也可將直通波的波幅設(shè)定到滿屏高的40%~80%將最下通道時(shí)間窗口內(nèi)各反射體產(chǎn)生的最弱的衍射信號(hào)波幅設(shè)立為滿屏高度的40%-80%作為敏捷度深度校準(zhǔn)找到8,12，25側(cè)孔將原則反射體校準(zhǔn)為已知深度找到40,60，80側(cè)孔將原則反射體校準(zhǔn)為已知深度初始表面盲區(qū)測(cè)定初始掃查面育區(qū)高度的擬定應(yīng)采用實(shí)測(cè)法。應(yīng)采用掃查面盲區(qū)高度試塊進(jìn)行測(cè)量。將設(shè)立好的掃查裝置分別對(duì)不同深度側(cè)孔進(jìn)行掃查，能發(fā)現(xiàn)的最小深度橫孔上沿所對(duì)應(yīng)的深度即為初始掃查面盲區(qū)高度。底面盲區(qū)計(jì)算△ht----工件厚度;x----偏離焊縫中心線的距離(此處為底面檢測(cè)區(qū)域?qū)挾鹊亩种?s-----探頭中心間距的二分之一表面盲區(qū)補(bǔ)充檢查當(dāng)時(shí)始掃查面盲區(qū)高度不不大于1mm時(shí)宜采用脈沖反射法超聲波檢測(cè)（詳見(jiàn)超聲波檢查操作指導(dǎo)書）底面盲區(qū)補(bǔ)充檢查當(dāng)時(shí)始底面盲區(qū)高度不不大于1mm時(shí)宜采用偏置非平行掃查偏置量為檢測(cè)區(qū)域?qū)挾鹊?/4。橫向缺點(diǎn)測(cè)定檢測(cè)評(píng)定橫向缺點(diǎn)時(shí)應(yīng)將各線敏捷度提高6dB?？稍诤附咏宇^兩側(cè)邊沿使斜探頭與焊縫中心線成不不不大于10°角度，做兩個(gè)方向的斜平行掃查。工藝驗(yàn)證操作指導(dǎo)書在初次應(yīng)用時(shí)應(yīng)進(jìn)行工藝驗(yàn)證驗(yàn)證在對(duì)比試塊上進(jìn)行，TOFD圖像應(yīng)能清晰顯示試塊上的人工缺點(diǎn)測(cè)量尺寸應(yīng)盡量靠近實(shí)際尺寸。掃查步進(jìn)工件厚度12-150mm時(shí)掃查步進(jìn)不不不大于1.0mm掃查速度位置傳感器校準(zhǔn)最少應(yīng)移動(dòng)500mm將所顯示的位移與實(shí)際位移進(jìn)行比較其誤差應(yīng)不不不大于1﹪掃查規(guī)定1..掃查時(shí)實(shí)際掃查途徑偏差不超出探頭中心距10﹪2.每次掃查長(zhǎng)度不超出mm3.若直通波、地面反射波減少12dB或耦合不好時(shí)應(yīng)重新掃查整個(gè)區(qū)域。4.若直通波滿屏或噪聲超出滿屏的20﹪應(yīng)減少增益重新掃查。檢測(cè)操作程序和掃查次序檢測(cè)操作程序1、TOFD檢測(cè)前，應(yīng)先采用磁粉檢測(cè)辦法對(duì)內(nèi)表面和外表面進(jìn)行表面檢測(cè)。2、磁粉檢測(cè)合格后，進(jìn)行TOFD有關(guān)掃查。3、對(duì)掃查的TOFD圖譜進(jìn)行初步評(píng)判。4、對(duì)表面盲區(qū)及TOFD圖譜可疑部位進(jìn)行脈沖反射法超聲檢測(cè)，并做有關(guān)統(tǒng)計(jì)。TOFD掃查次序:檢測(cè)標(biāo)記闡明及檢測(cè)示意圖檢測(cè)標(biāo)記闡明:.檢測(cè)前應(yīng)在被檢焊縫附近進(jìn)行檢測(cè)位置標(biāo)記，標(biāo)證內(nèi)容最少涉及掃查起好點(diǎn)、分段掃查長(zhǎng)度普通為不不不大于2m。掃查方向、分段掃查標(biāo)記，起始點(diǎn)用“0”表達(dá)，掃查方向用箭頭“→”表達(dá)。檢測(cè)示意圖：其他要求工作性能檢查規(guī)定1、每次檢測(cè)前應(yīng)對(duì)位置傳感器進(jìn)行檢查，檢查方式是使帶位置傳感器的掃查裝置移動(dòng)500mm.將檢測(cè)設(shè)備所顯示的移與實(shí)際位移進(jìn)行比較，其誤差應(yīng)不大于5mm.2、在實(shí)際掃查前，應(yīng)檢查檢測(cè)靈教度及深度顯示具體規(guī)定，詳見(jiàn)NB/T47013.10-原則的規(guī)定。檢測(cè)統(tǒng)計(jì)規(guī)定:應(yīng)按照現(xiàn)場(chǎng)操作的實(shí)際狀況具體統(tǒng)計(jì)檢測(cè)過(guò)程的有關(guān)信息和數(shù)據(jù)應(yīng)統(tǒng)計(jì)內(nèi)容詳見(jiàn)公司TOFD工藝規(guī)程附件。繪制出檢測(cè)示意圖，以實(shí)現(xiàn)可追溯性。數(shù)據(jù)評(píng)定規(guī)定1、應(yīng)對(duì)每個(gè)TOFD掃查圖像進(jìn)行評(píng)定，并填寫評(píng)定統(tǒng)計(jì)。2、TOFD圖像分析成果中，可統(tǒng)計(jì)缺點(diǎn)應(yīng)統(tǒng)計(jì)和測(cè)定缺點(diǎn)位置與尺寸，并按照原則委求進(jìn)行質(zhì)量分級(jí)。3、應(yīng)重點(diǎn)關(guān)注TOFD直通波變化狀況，避免近表面缺點(diǎn)漏評(píng)，誤評(píng)。工藝驗(yàn)證規(guī)定：1、采用TOFD-C試塊進(jìn)行工藝驗(yàn)證。2、在適宜敏捷度條件下，TOFD圖像應(yīng)能清晰顯示對(duì)比試塊中對(duì)應(yīng)分區(qū)內(nèi)的原則反射體。輔助檢測(cè)規(guī)定：對(duì)于發(fā)現(xiàn)的內(nèi)部可疑部位按照NB/T47013.