集成電路用四甲基硅烷-編制說明（討論稿）

1《集成電路用四甲基硅烷》編制說明（討論稿）半導(dǎo)體行業(yè)的蓬勃發(fā)展推動了相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈的快速發(fā)展，同時也加快了國產(chǎn)化的進程?！秶抑虚L期科學(xué)技術(shù)發(fā)展規(guī)劃綱要（2006-2020“極大規(guī)模集成電路制造技術(shù)及成套工藝”為重大專項之一（02專項），集成電路用基礎(chǔ)原材料作為電子信息產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)原材料，是支撐電子信息集成電路產(chǎn)業(yè)邁入國際先布的《新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展指南》中，“四、重點任務(wù)”（一）突破重點應(yīng)用領(lǐng)域急需的新材料，明確提及加快高純特種電子材料研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，解決極大規(guī)模集成電路材料制在超大規(guī)模集成電路發(fā)展過程中，導(dǎo)線寬度和間距不斷減小，互聯(lián)寄生電阻電容積（PECVD）工藝沉積制得SiN層，有效的在銅制程的集成電阻止銅金屬原子或銅離子在熱退火或電場條件下的擴散，降低銅互聯(lián)電介質(zhì)層的有效介電常數(shù)，同時形成了下一金屬層通孔刻蝕過程中的刻蝕停止層。4MS為制備低介電常數(shù)薄膜的前驅(qū)體材料，主要應(yīng)用于高端集成電路制程（45nm及以下節(jié)點）。該材料2021年美國對我國半導(dǎo)體行業(yè)的制裁愈演愈烈，這種強勢的“封殺”行為，極大地刺激了國人的神經(jīng)，激發(fā)了中國集成電路行業(yè)自主創(chuàng)新的決心，國內(nèi)企業(yè)陸續(xù)加大對4MS的研發(fā)投入，包括洛陽中硅在內(nèi)的多家單位陸續(xù)有對標(biāo)國外產(chǎn)品質(zhì)量一致的產(chǎn)品產(chǎn)出，然而目前國內(nèi)缺乏該產(chǎn)品的產(chǎn)品標(biāo)準，無法形成與國內(nèi)檢測技術(shù)、灌裝技術(shù)、安全法律法規(guī)要求相匹配的統(tǒng)一要求。2018年九部委聯(lián)合下發(fā)的《新材料標(biāo)準領(lǐng)航行料系列標(biāo)準，加速集成電路材料國產(chǎn)化進程，因此特申請《集成電路用四甲基硅烷》2成電路用四甲基硅烷》制定項目由全國有色金屬標(biāo)準化技術(shù)委員會、全國半導(dǎo)體設(shè)備期為24個月，計劃于2025年完成，由洛陽中硅高科技有限公司牽頭制定。技術(shù)歸口產(chǎn)基地和一個產(chǎn)業(yè)孵化基地，擁有一個硅基材料國家工程研究中心、兩個省級研發(fā)平臺和一個博士后科研工作站，是河南省創(chuàng)新型示范企業(yè)、我國電子信息行業(yè)優(yōu)秀創(chuàng)新企業(yè)和高新技術(shù)企業(yè)，獲得國家科技進步二等獎、中國發(fā)明專利金獎、國家工業(yè)大獎率先利用自主知識產(chǎn)權(quán)技術(shù)打破多晶硅國際壟斷，帶動了洛陽市乃至河南省光伏新能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展，促進了我國多晶硅產(chǎn)業(yè)從無到有并統(tǒng)領(lǐng)全球市場。目前電子級多晶硅、光纖級四氯化硅、電子級三氯氫硅、電子級二氯二氫硅、電子級六氯乙硅烷和四甲基烷》的編制工作由洛陽中硅高科技有限公司牽頭負責(zé)，組亞洲硅業(yè)（青海）股份有限公司，陜西有色天宏瑞科硅材硅業(yè)科技發(fā)展有限公司，四川永祥股份有限公司等公司專家成3詳細討論并廣泛調(diào)研收集整理了國內(nèi)外與本標(biāo)準項目資料，為標(biāo)準修訂提供技術(shù)參考和支撐。同時標(biāo)準編制組也充產(chǎn)企業(yè)公司和下游客戶單位的對四甲基硅烷產(chǎn)品的技術(shù)要求，對擬制定標(biāo)準所涉及的內(nèi)容、范圍、適用性、和科學(xué)性等內(nèi)容和改進，在調(diào)研的基礎(chǔ)上，初步確立了標(biāo)準的主要內(nèi)容。最終（一）查閱相關(guān)標(biāo)準和國內(nèi)外客戶的相關(guān)技術(shù)要求，制定集成電路用四甲基硅烷產(chǎn)品的等級分類和技術(shù)指標(biāo)，更好地引導(dǎo)四甲基硅烷的生產(chǎn)，滿足用戶的使用需求，使之（二）按照GB/T1.1-2020《標(biāo)準化工作導(dǎo)則第1部分：標(biāo)準化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)（三）結(jié)合國內(nèi)四甲基硅烷實際生產(chǎn)水平，同時根據(jù)產(chǎn)品用戶的意見反饋，正確兼顧好彼此之間的關(guān)系，追求技術(shù)的先進性、指標(biāo)的三、標(biāo)準主要內(nèi)容的確定依據(jù)及主要試驗驗證情況分析標(biāo)準編制小組首先開始搜集相關(guān)的資料，起草小組對國際、國內(nèi)集成電路用四甲項目單位原料級客戶A客戶B客戶C客戶D客戶E客戶F客戶G客戶H純度%≥99.9≥99.9≥99.9≥99.9≥99.99≥99.99≥99.99≥99.99Ling/g/≤2≤2≤0.2≤0.2≤0.2＜0.20Bng/g/≤2TMI<100≤2≤0.2≤0.2≤0.2＜0.20Nang/g/≤5≤5≤0.5≤0.5≤0.5＜0.50Mgng/g/≤2≤2≤0.2≤0.2≤0.2＜0.20Alng/g/≤2≤2≤0.2≤0.2≤0.2＜0.204Kng/g/≤5≤5≤0.5≤0.5≤0.5＜0.50Cang/g/≤5≤5≤0.5≤0.5≤0.5＜0.50Ting/g/≤2≤2≤0.2≤0.2≤0.2＜0.20Crng/g/≤2≤2≤0.2≤0.2≤0.2＜0.20Mnng/g/≤2≤2≤0.2≤0.2≤0.2＜0.20Feng/g/≤5≤5≤0.5≤0.5≤0.5＜0.50Cong/g/≤2≤2≤0.2≤0.2≤0.2＜0.20Ning/g/≤2≤2≤0.2≤0.2≤0.2＜0.20Cung/g/≤2≤2≤0.2≤0.2≤0.2＜0.20Znng/g/≤2≤2≤0.2≤0.2≤0.2＜0.20Vng/g/≤2≤2≤0.2≤0.2≤0.2＜0.20氯含量μg/g/≤2////＜1.00微量水μg/g//////<1.0＜10.00表3討論稿技術(shù)要求項目指標(biāo)四甲基硅烷((CH3)4Si)純度（質(zhì)量分數(shù)）/l0-2≥99.9≥99.99金屬元素及其他元素含量鋰（Li）/（ng/g）≤2≤0.2硼（B）/（ng/g）≤2≤0.2鈉（Na）含量/（ng/g）≤5≤0.5鎂（Mg）含量/（ng/g）≤2≤0.2鋁（Al）含量/（ng/g）≤2≤0.2鉀（K）含量/（ng/g）≤5≤0.5鈣（Ca）含量/（ng/g）≤5≤0.5鈦（Ti）含量/（ng/g）≤2≤0.2鉻（Cr）含量/（ng/g）≤2≤0.2錳（Mn）含量/（ng/g）≤2≤0.2鐵（Fe）含量/（ng/g）≤5≤0.5鈷（Co）含量/（ng/g）≤2≤0.2鎳（Ni）含量/（ng/g）≤2≤0.2銅（Cu）含量/（ng/g）≤2≤0.2鋅（Zn）含量/（ng/g）≤2≤0.2釩（V）含量/（ng/g）≤2≤0.2微量水（質(zhì)量分數(shù)）/l0-6/≤20氯離子（質(zhì)量分數(shù)）/l0-6≤10≤25五、采用國際標(biāo)準和國外先進標(biāo)準的情況六、與現(xiàn)行相關(guān)法律、法規(guī)、規(guī)章及相關(guān)標(biāo)準的關(guān)系本標(biāo)準修訂時，考慮到與國際標(biāo)準和規(guī)范接軌，在規(guī)范性引用文件上按我國標(biāo)準體系做了調(diào)整和編輯，在標(biāo)準的技術(shù)要求、試驗方法、檢驗規(guī)則、標(biāo)志、包裝、運輸和貯存等方面與國內(nèi)相關(guān)標(biāo)準協(xié)調(diào)一致；新制定的《集成電路用四甲基硅烷》從技術(shù)合理；標(biāo)準的格式和