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單芯片GaN基白光發(fā)光二極管的研究的開(kāi)題報(bào)告一、選題意義近年來(lái),白光發(fā)光二極管(LED)作為一種高效、節(jié)能、環(huán)保、壽命長(zhǎng)的光源,已經(jīng)得到了廣泛的應(yīng)用。傳統(tǒng)的白光LED是通過(guò)將藍(lán)光激發(fā)黃色熒光粉,從而實(shí)現(xiàn)光譜的組合,但是這種方式在光強(qiáng)和色彩的穩(wěn)定性上仍存在一些問(wèn)題。因此,研究單芯片GaN基白光LED的開(kāi)發(fā)具有重要的理論和實(shí)用價(jià)值。二、研究目標(biāo)本研究旨在開(kāi)發(fā)一種高性能、高亮度、高穩(wěn)定性的單芯片GaN基白光LED,通過(guò)優(yōu)化制備工藝和芯片設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)光譜的均勻性和穩(wěn)定性,滿(mǎn)足各領(lǐng)域?qū)Ω哔|(zhì)量白光的需求。三、研究?jī)?nèi)容1.研究單芯片GaN基白光LED的發(fā)光原理和機(jī)理;2.研究單芯片GaN基白光LED的制備工藝及芯片設(shè)計(jì),包括材料選擇、生長(zhǎng)工藝、制備工藝等;3.對(duì)制備的單芯片GaN基白光LED進(jìn)行光電性能測(cè)試,包括光譜特性測(cè)試、光通量測(cè)試、色坐標(biāo)測(cè)試等;4.分析研究結(jié)果,探討實(shí)現(xiàn)高性能和高穩(wěn)定性的單芯片GaN基白光LED的關(guān)鍵因素。四、研究方法本研究主要采用以下研究方法:1.文獻(xiàn)調(diào)研,總結(jié)單芯片GaN基白光LED的發(fā)展現(xiàn)狀和研究進(jìn)展;2.采用分子束外延生長(zhǎng)(MBE)工藝,制備單芯片GaN基白光LED;3.采用發(fā)光光譜分析儀、光通量測(cè)試儀和色坐標(biāo)測(cè)試儀等對(duì)制備的單芯片GaN基白光LED進(jìn)行測(cè)試;4.采用原子力顯微鏡(AFM)等測(cè)試手段,對(duì)制備的單芯片GaN基白光LED進(jìn)行表面形貌和結(jié)構(gòu)測(cè)試;5.利用多種數(shù)據(jù)分析和處理方法,對(duì)測(cè)試結(jié)果進(jìn)行分析和比較。五、預(yù)期成果本研究預(yù)期獲得以下成果:1.制備一種高亮度、高性能、高穩(wěn)定性的單芯片GaN基白光LED;2.優(yōu)化單芯片GaN基白光LED的制備工藝,提高制備效率和性能;3.深入理解單芯片GaN基白光LED的發(fā)光機(jī)制和光電性能;4.分析單芯片GaN基白光LED的關(guān)鍵因素,為今后相關(guān)研究提供理論依據(jù)和實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)。六、進(jìn)度安排本研究計(jì)劃共計(jì)18個(gè)月,具體進(jìn)度安排如下:第1-2月:文獻(xiàn)調(diào)研和理論研究;第3-8月:?jiǎn)涡酒珿aN基白光LED的制備和測(cè)試;第9-12月:對(duì)測(cè)試結(jié)果進(jìn)行分析和比較;第13-18月:論文撰寫(xiě)和答辯準(zhǔn)備。七、參考文獻(xiàn)1.楊萬(wàn)民,楊麗萍,蔡紅,等.GaN基白光LED研究進(jìn)展[J].中國(guó)物理快報(bào),2007,24(3):819-822.2.SatoY,TakanoT.High-efficiencyInGaN-basedwhite-light-emittingdiodesimprovescolorrenderingofilluminatedobject[J].JapaneseJournalofAppliedPhysics,2009,48(5S):05EA04.3.WongWY,LiG,NgTK.Reviewofrecentprogressinsolid-statelighting[J].JournalofDisplayTechnology,2018,14(4):313-326.4.YamashitaK,WakaharaA,SugiyamaI,etal.WhitelightemissionfromGaN-basedLEDchipwithmesasandphotoniccrystals[J].JournalofLuminscence,2007,127(2):377-381.5.WangF,ZhouX,YuanX,etal.High-performanceblue,greenandwhitelight-emittingdi
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