存儲器實驗報告

存儲器擴展實驗報告班級姓名學(xué)號日期一、有關(guān)知識：教學(xué)機配備了6個存儲器芯片插座，其中4個28芯插座可插只讀存儲器，2個24芯插座可插靜態(tài)隨機存儲器6116。在教學(xué)機中，已經(jīng)放置了2片8K×8位的ROM和2片2K×8位的RAM，基本存儲器（指的是允許監(jiān)控程序所必需的存儲器）同時使用這兩組。另設(shè)立了兩個28芯插座用于進行存儲器容量的擴展。芯片ROMH、ROML用來寄存監(jiān)控程序，芯RAMH、RAML用來寄存顧客程序和數(shù)據(jù)以及監(jiān)控程序臨時數(shù)據(jù)和堆棧。內(nèi)存地址譯碼器在教學(xué)機中由1片DC574LS138實現(xiàn)，對A15～A13產(chǎn)生8個譯碼信號，分別對應(yīng)內(nèi)存地址從0000H～1FFFH到E000H～FFFFH。其中0000H～1FFFH的譯碼信號作為ROMH的片選信號，地址為H～3FFFH的譯碼信號作為RAM的片選信號，其它6個譯碼信號通過圓孔針引出。6116只有2K空間，但是在設(shè)計時為其分派的內(nèi)存空間為8K，即范疇在H～27FFH、2800H～2FFFH、3000H~3FFFH的內(nèi)存地址都是對6116同一存儲單元的訪問。28C64芯片組地址空間為:0000H～1FFFH；6116芯片組地址空間為：H～3FFFH

58C65芯片組地址空間為：4000H-5FFFH；或者能夠連接為5000H~6FFFH； 7000H~8FFFH；9000H~AFFFH；B000H~CFFFH；D000H~EFFFH二、實驗?zāi)康模和ㄟ^看懂教學(xué)計算機中已經(jīng)使用的幾個存儲器芯片的邏輯連接關(guān)系和用于完畢存儲器容量擴展的幾個存儲器芯片的布線安排，在教學(xué)計算機上設(shè)計、實現(xiàn)并調(diào)試出存儲器容量擴展的實驗內(nèi)容。實驗內(nèi)容1、要完畢存儲器容量擴展的教學(xué)實驗，需要為擴展存儲器選擇一種地址；2、用監(jiān)控程序的D、E命令對存儲器進行讀寫;3、用監(jiān)控程序的A命令編寫一段程序，對RAM(6116)進行讀寫，用D命令查當(dāng)作果與否對的；4、用監(jiān)控程序的A命令編寫一段程序，對擴展存儲器EEPROM進行讀寫，用D命令查當(dāng)作果與否對的；如不對的，分析因素，改寫程序，重新運行。四、實驗環(huán)節(jié)1、將教學(xué)機左下開關(guān)設(shè)為001100狀態(tài)2、插接兩片58C65EEPROM芯片；3、用導(dǎo)線將其右側(cè)的/CS片選同下方的一種地址范疇相聯(lián)；4、將教學(xué)機和計算機通過串口1連接，運行監(jiān)控程序并啟動教學(xué)機；5、用E命令變化內(nèi)存單元的值，并用D命令觀察成果，如輸入：E↓持續(xù)輸入1111空格2222空格3333空格4444空格5555空格然后用D命令查看對應(yīng)單元與否發(fā)生變化如果輸入E1000↓并持續(xù)修改幾個單元的內(nèi)容，并用D命令查當(dāng)作果，同上面的對比，分析因素。6、用A命令輸入一段程序，執(zhí)行并觀察成果：A↓：MVRDR0,AAAA:MVRDR1,5555:ANDR0,R1:RET執(zhí)行G↓觀察寄存器的狀態(tài)這時關(guān)閉教學(xué)機并重新啟動，再觀察單元的內(nèi)容與否發(fā)生變化（通過反匯編指令U）；或者修改從起始的幾個單元的內(nèi)容后，再重新啟動教學(xué)機，觀察這幾個單元的內(nèi)容與否仍然存在；分析其因素。7、將擴展的ROM芯片下方的讀寫跳線對的設(shè)立，允許進行讀寫。8、通過E命令修改其若干個單元的內(nèi)容，如E4000↓觀察成果斷電后重新啟動，用D命令查看內(nèi)存單元4000起始的幾個單元的值，看其內(nèi)容與否發(fā)生變化，分析因素。9、輸入下面的程序A40004000:MVRDR0,00004002:MVRDR2,000A4004:MVRDR3,50014006:STRR[R3],R04007:MVRDR6,0FFF4009:DECR6400A:JRNZ4400C400D:INCR3400E:DECR2400