碲鎘汞材料的光譜表征方法研究的開(kāi)題報(bào)告

碲鎘汞材料的光譜表征方法研究的開(kāi)題報(bào)告一、研究意義：碲鎘汞材料具有廣泛的應(yīng)用前景，尤其在紅外探測(cè)器領(lǐng)域中具有重要的地位，如大氣監(jiān)測(cè)、醫(yī)學(xué)診斷和遙感探測(cè)等。然而，該材料的光譜表征方法研究還比較薄弱，因此有必要進(jìn)行深入的研究，以提高該材料的應(yīng)用價(jià)值。二、研究?jī)?nèi)容：1.碲鎘汞材料的制備及結(jié)構(gòu)表征采用化學(xué)氣相沉積方法合成碲鎘汞材料，并采用X射線衍射、掃描電鏡等方法對(duì)其結(jié)構(gòu)進(jìn)行表征。2.光學(xué)性質(zhì)的研究利用超快激光系統(tǒng)研究碲鎘汞材料的非線性光學(xué)性質(zhì)，如吸收光譜、熒光光譜、拉曼光譜等。3.光電性質(zhì)的研究利用光電子能譜儀研究碲鎘汞材料的電子結(jié)構(gòu)和能帶結(jié)構(gòu)等。4.光譜表征方法的建立根據(jù)碲鎘汞材料的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)，建立適用于該材料的光譜表征方法，從而為其應(yīng)用提供基礎(chǔ)數(shù)據(jù)支持。三、研究方法：本研究主要采用實(shí)驗(yàn)方法，包括：1.化學(xué)氣相沉積法制備碲鎘汞材料。2.利用X射線衍射、掃描電鏡等方法對(duì)材料進(jìn)行結(jié)構(gòu)表征。3.利用超快激光系統(tǒng)、光電子能譜儀等設(shè)備對(duì)碲鎘汞材料進(jìn)行光學(xué)和光電性質(zhì)研究。4.基于研究結(jié)果建立碲鎘汞材料的光譜表征方法。四、研究預(yù)期結(jié)果：1.成功制備高質(zhì)量的碲鎘汞材料，并對(duì)其結(jié)構(gòu)進(jìn)行表征。2.確定碲鎘汞材料的吸收光譜、熒光光譜、拉曼光譜等光學(xué)性質(zhì)。3.獲得碲鎘汞材料的電子結(jié)構(gòu)和能帶結(jié)構(gòu)等光電性質(zhì)信息。4.建立適用于碲鎘汞材料的光譜表征方法，為其應(yīng)用提供基礎(chǔ)數(shù)據(jù)支持。五、研究進(jìn)度安排：1.碲鎘汞材料制備及結(jié)構(gòu)表征（預(yù)計(jì)完成時(shí)間：1個(gè)月）2.碲鎘汞材料光學(xué)性質(zhì)研究（預(yù)計(jì)完成時(shí)間：2個(gè)月）3.碲鎘汞材料光電性質(zhì)研究（預(yù)計(jì)完成時(shí)間：2個(gè)月）4.光譜表征方法研究（預(yù)計(jì)完成時(shí)間：2個(gè)月）六、參考文獻(xiàn)：1.X.Zhang,C.Haond,A.Xin,etal.(2019).AdvancementsinthedevelopmentofII-VInarrow-bandgapmaterialsformid-infrareddetection.JournalofCrystalGrowth,508,240-248.2.D.D.Dutoit,M.J.Vellekoop,A.Polman,etal.(2014).Chalcogenidematerialsforbroadbandmid-infraredphotonics.JournaloftheOpticalSocietyofAmericaB,31(5),1009-1019.3.F.Li,C.T.Xu,Z.Y.Fan,etal.(2018).Tunablemid-infraredluminescenceincertainrareearthdopedII-VIsemiconductors.ProgressinMaterialsScience,97,135-182.4.W.Yao,Y.Wang,Y.Tian,etal.(2016).RecentadvancesinbinaryII-VIbasedphotovoltaicmaterialsforsolarcellapplications.AdvancesinMaterialsScienceandEngineering,2016,1-13.5.S.B.Zhang,S.H.Wei,andA.Zunger.(1998).Inversedesign