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第三章固體中的擴(kuò)散diffusion材料科學(xué)基礎(chǔ)第3章擴(kuò)散固體中的擴(kuò)散相圖凝固固體相變的基本原理課程主要內(nèi)容材料科學(xué)基礎(chǔ)第3章擴(kuò)散
擴(kuò)散(diffusion):由于物質(zhì)中原子(或者其他微觀粒子)的微觀熱運(yùn)動(dòng)所引起的宏觀遷移現(xiàn)象。材料科學(xué)基礎(chǔ)第3章擴(kuò)散氣體液體對(duì)流擴(kuò)散固體原子遷移材料科學(xué)基礎(chǔ)第3章擴(kuò)散在固體中的原子和分子是在不停地運(yùn)動(dòng)運(yùn)動(dòng)方式:在平衡位置附近振動(dòng)稱(chēng)之為晶格振動(dòng)離開(kāi)平衡位置的遷移固體中原子的運(yùn)動(dòng)振動(dòng)擴(kuò)散材料科學(xué)基礎(chǔ)第3章擴(kuò)散晶格中的間隙晶體缺陷空位、位錯(cuò)和界面在固體中原子為什么能遷移?熱激活原子在平衡位置附近振動(dòng)時(shí)的能量起伏材料科學(xué)基礎(chǔ)第3章擴(kuò)散研究擴(kuò)散可以從兩個(gè)角度:唯象(PhenomenologicalApproach)原子結(jié)構(gòu)(Atomisticapproach)研究擴(kuò)散的兩個(gè)角度理論基礎(chǔ):熱力學(xué)(Thermodynamics)
晶體學(xué)(Crystallography)材料科學(xué)基礎(chǔ)第3章擴(kuò)散材料制備、加工和服役的許多過(guò)程與擴(kuò)散有關(guān)。如:相變氧化蠕變燒結(jié)表面處理等研究擴(kuò)散的意義:Casehardenedgear材料科學(xué)基礎(chǔ)第3章擴(kuò)散固體中的擴(kuò)散唯象理論菲克第一定律菲克第二定律原子理論擴(kuò)散機(jī)制間隙擴(kuò)散置換擴(kuò)散擴(kuò)散系數(shù)的微觀本質(zhì)
D,G激活能原子遷移率和熱力學(xué)因子點(diǎn)陣平面遷移和
darken方程影響擴(kuò)散的因素?cái)U(kuò)散方程的解Kirkendall效應(yīng)材料科學(xué)基礎(chǔ)第3章擴(kuò)散穩(wěn)態(tài)擴(kuò)散(steady-statediffusion):系統(tǒng)各處的濃度不隨時(shí)間改變,即:
1.菲克第一定律(Fick’FirstLaw)§1唯象理論3.1擴(kuò)散的唯象理論材料科學(xué)基礎(chǔ)第3章擴(kuò)散
菲克第一定律
1.Fick第一定律§1唯象理論菲克(A.Fick)于1855年通過(guò)實(shí)驗(yàn)建立了擴(kuò)散通量(diffusionflux)與濃度梯度(concentrationgradient)的關(guān)系:
J---擴(kuò)散通量,atoms/(m2.s)或kg/(m2.s)
D---擴(kuò)散系數(shù),m2/s---濃度梯度,atoms/(m3.m)或kg/(m3.m)材料科學(xué)基礎(chǔ)第3章擴(kuò)散單位時(shí)間內(nèi)通過(guò)垂直于擴(kuò)散方向的單位截面積的擴(kuò)散通量與該面積處的濃度梯度成正比“-”表示擴(kuò)散方向與濃度梯度方向相反,即原子從高濃度方向向低濃度方向擴(kuò)散(下坡擴(kuò)散)1.Fick第一定律材料科學(xué)基礎(chǔ)第3章擴(kuò)散濃度梯度一定時(shí),擴(kuò)散僅取決于擴(kuò)散系數(shù)(diffusioncoefficient),擴(kuò)散系數(shù)是描述原子擴(kuò)散能力的基本物理量,并非常數(shù),與許多因素有關(guān)(包括濃度),但與濃度梯度無(wú)關(guān)。1.Fick第一定律材料科學(xué)基礎(chǔ)第3章擴(kuò)散2.穩(wěn)態(tài)擴(kuò)散的實(shí)例§1唯象理論1、
氫分離利用一薄膜從氣流中分離氫氣,在穩(wěn)定狀態(tài)時(shí),薄膜一側(cè)的氫濃度為0.1mol/m3,另一側(cè)的氫濃度為0.01mol/m3,薄膜的厚度為100um。若氫通過(guò)薄膜的擴(kuò)散通量為1.8×10-6mol/(m2.s),求氫的擴(kuò)散系數(shù)。材料科學(xué)基礎(chǔ)第3章擴(kuò)散
2、空心的薄壁圓筒滲碳
2.穩(wěn)態(tài)擴(kuò)散的實(shí)例條件:圓筒內(nèi)外碳濃度保持恒定經(jīng)過(guò)一定的時(shí)間后,系統(tǒng)達(dá)到穩(wěn)定態(tài),此時(shí)圓筒內(nèi)各點(diǎn)的碳濃度恒定,則有:§1唯象理論材料科學(xué)基礎(chǔ)第3章擴(kuò)散對(duì)于穩(wěn)態(tài)擴(kuò)散,q/t是常數(shù),C與r可測(cè),l為已知值,故作C與lnr的關(guān)系曲線(xiàn),求斜率則得D.§1唯象理論2.穩(wěn)態(tài)擴(kuò)散的實(shí)例材料科學(xué)基礎(chǔ)第3章擴(kuò)散上圖中曲線(xiàn)各處斜率不等,即D不是常數(shù)§1唯象理論2.穩(wěn)態(tài)擴(kuò)散的實(shí)例材料科學(xué)基礎(chǔ)第3章擴(kuò)散3.非穩(wěn)態(tài)擴(kuò)散-Fick第二定律濃度(C)隨時(shí)間變化-非穩(wěn)態(tài)擴(kuò)散。描述非穩(wěn)態(tài)擴(kuò)散-Fick第二定律?!?唯象理論一維模型,取體積元dx在dt時(shí)間,通過(guò)1面的原子流為J1,
通過(guò)2面的原子流為J2?!逬1>J2,∴進(jìn)入體積元dx的質(zhì)量為:
(J1-J2)Adt材料科學(xué)基礎(chǔ)第3章擴(kuò)散∵dx很小,∴代入上式得:§1唯象理論3.非穩(wěn)態(tài)擴(kuò)散-Fick第二定律材料科學(xué)基礎(chǔ)第3章擴(kuò)散若D不隨x變化,則:在三維情況下,如果擴(kuò)散系數(shù)是各向同性的(如立方晶體),則Fick第二定律表示為:§1唯象理論菲克第二定律3.非穩(wěn)態(tài)擴(kuò)散-Fick第二定律材料科學(xué)基礎(chǔ)第3章擴(kuò)散4.菲克第二定律的解(1)誤差函數(shù)(errorfunction)解針對(duì)無(wú)限長(zhǎng)棒擴(kuò)散問(wèn)題兩端成分不受擴(kuò)散影響的擴(kuò)散偶,(擴(kuò)散偶很長(zhǎng),故兩端的成分可視為不變。)§1唯象理論求解擴(kuò)散方程-數(shù)學(xué)問(wèn)題。初始條件和邊界條件不同,其解也不同。材料科學(xué)基礎(chǔ)第3章擴(kuò)散初始條件:用中間變量代換,使偏微分方程變?yōu)槌N⒎址匠獭?/p>
§1唯象理論邊界條件4.菲克第二定律的解材料科學(xué)基礎(chǔ)第3章擴(kuò)散設(shè)中間變量:可得方程之通解為:其中:A1,A2
是待定常數(shù),積分號(hào)內(nèi)是誤差函數(shù)。根據(jù)誤差函數(shù)的定義:教材上p141表3.1列出了不同的
值對(duì)應(yīng)的誤差函數(shù)值?!遝rf(∞)=1,erf(-
)=-erf(
).§1唯象理論4.菲克第二定律的解材料科學(xué)基礎(chǔ)第3章擴(kuò)散于是可得:代入通解可求出待定常數(shù),并結(jié)合邊界條件可得:可得誤差函數(shù)解:§1唯象理論4.菲克第二定律的解材料科學(xué)基礎(chǔ)第3章擴(kuò)散在界面上(x=0),由于erf(0)=0,所以如果設(shè)C1為0,則方程的解為:§1唯象理論4.菲克第二定律的解材料科學(xué)基礎(chǔ)第3章擴(kuò)散(2)誤差函數(shù)解針對(duì)半無(wú)限長(zhǎng)棒擴(kuò)散問(wèn)題(鋼件的滲碳)
初始條件:t=0,x=0,C=C0。邊界條件:t>0,x=0,C=Csx=∞,C=C0。
§1唯象理論4.菲克第二定律的解材料科學(xué)基礎(chǔ)第3章擴(kuò)散假定滲碳一開(kāi)始,表面的碳濃度就達(dá)到滲碳?xì)夥盏奶紳舛菴s。可以得到通解
§1唯象理論進(jìn)一步可得誤差函數(shù)解:4.菲克第二定律的解材料科學(xué)基礎(chǔ)第3章擴(kuò)散∵erf(0.5)=0.5,當(dāng)§1唯象理論4.菲克第二定律的解材料科學(xué)基礎(chǔ)第3章擴(kuò)散§1唯象理論(3)表面涂覆層的擴(kuò)散-高斯函數(shù)解針對(duì):擴(kuò)散開(kāi)始前,擴(kuò)散元素集中在無(wú)限薄的一層薄膜上。
4.菲克第二定律的解
初始條件:t=0時(shí),|x|≠0,C=0;x=0,C=+∞
邊界條件:t≥0時(shí),x=±∞,
C=0
距離x
原始狀態(tài)擴(kuò)散后材料科學(xué)基礎(chǔ)第3章擴(kuò)散§1唯象理論4.菲克第二定律的解材料科學(xué)基礎(chǔ)第3章擴(kuò)散§1唯象理論4.菲克第二定律的解在制作半導(dǎo)體元件時(shí),常在硅表面先沉積一層B,然后加熱使之?dāng)U散,形成P型半導(dǎo)體,摻雜P形成n型半導(dǎo)體。0.5
mm沉積B以得富含B的表面層.硅2.產(chǎn)生摻雜B的半導(dǎo)體硅材料科學(xué)基礎(chǔ)第3章擴(kuò)散§1唯象理論4.菲克第二定律的解利用高斯解就可以求得給定溫度下擴(kuò)散一定時(shí)間后硼在硅中的分布。
例如,已知1100℃時(shí)硼在硅中的擴(kuò)散系數(shù)D為4×10-7m2/s,硼薄膜的質(zhì)量M為9.43×1019原子。
則當(dāng)在1100℃擴(kuò)散進(jìn)行7×107s后,硼表面(x=0)的濃度為:
材料科學(xué)基礎(chǔ)第3章擴(kuò)散3.2擴(kuò)散的原子理論1.可能的擴(kuò)散機(jī)制:一、擴(kuò)散機(jī)制間隙擴(kuò)散(d)空位擴(kuò)散(c)換位擴(kuò)散(a,b)推填擴(kuò)散(e)擠列擴(kuò)散(f)材料科學(xué)基礎(chǔ)第3章擴(kuò)散2.
間隙擴(kuò)散(interstitialdiffusion)原子從一個(gè)間隙跳到相鄰的間隙,發(fā)生在間隙固溶體中。如果是大半徑原子在間隙中,遷移很困難。因?yàn)樾枰募せ钅芴摺!?擴(kuò)散的原子理論一、擴(kuò)散機(jī)制處于間隙位置的一般是小半徑原子。原子從一個(gè)間隙躍遷到相鄰間隙是要擠開(kāi)相鄰原子,額外的能量去克服勢(shì)壘-激活能(activationenergy)。材料科學(xué)基礎(chǔ)第3章擴(kuò)散3.
空位擴(kuò)散(vacancydiffusion)大半徑原子,一般不可能位于間隙,它的擴(kuò)散要借助于空位??瘴粩U(kuò)散和原子的擴(kuò)散是一個(gè)互逆的過(guò)程?!?擴(kuò)散的原子理論一、擴(kuò)散機(jī)制材料科學(xué)基礎(chǔ)第3章擴(kuò)散4.自擴(kuò)散(self-diffusion)在純?cè)亟M成的固體材料中,原子的擴(kuò)散稱(chēng)之為自擴(kuò)散,它也是借助于空位進(jìn)行的?!?擴(kuò)散的原子理論一、擴(kuò)散機(jī)制材料科學(xué)基礎(chǔ)第3章擴(kuò)散界面和位錯(cuò)原子排列松散,高擴(kuò)散通道。一、擴(kuò)散機(jī)制§2擴(kuò)散的原子理論5.界面和位錯(cuò)對(duì)擴(kuò)散的加速作用若以DL、Dd、Db、Ds分別表示:晶內(nèi)、位錯(cuò)、晶界、自由表面擴(kuò)散系數(shù),則有:DL<Dd<Db<Ds。材料科學(xué)基礎(chǔ)第3章擴(kuò)散二、熱激活和擴(kuò)散系數(shù)1.熱激活
Gm擠開(kāi)鄰近的原子所需能(克服勢(shì)壘)
原子要躍遷需有比平均能量高的額外能量§2擴(kuò)散的原子理論
Gm的來(lái)源-系統(tǒng)的能量起伏熱激活材料科學(xué)基礎(chǔ)第3章擴(kuò)散二、熱激活和擴(kuò)散系數(shù)
:
原子從一個(gè)位置躍遷到鄰近位置的頻(幾)率§2擴(kuò)散的原子理論
顯然,擴(kuò)散系數(shù)D與有關(guān)2.原子躍遷的幾率材料科學(xué)基礎(chǔ)第3章擴(kuò)散其中:P:跳動(dòng)概率(可躍遷的位置幾率)
n1:①平面上單位面積原子數(shù)每秒從②躍遷到①原子數(shù):每秒從①躍遷到②原子數(shù):二、熱激活和擴(kuò)散系數(shù)§2擴(kuò)散的原子理論3.
與擴(kuò)散系數(shù)n2:②平面上單位面積的原子數(shù)材料科學(xué)基礎(chǔ)第3章擴(kuò)散二、熱激活和擴(kuò)散系數(shù)§2擴(kuò)散的原子理論對(duì)照Fick第一定律可知:
D=Pd2
假如n1>n2,則有一個(gè)定向原子流:建立了擴(kuò)散系數(shù)與跳動(dòng)頻率、跳動(dòng)概率及晶體幾何參數(shù)等微觀量之間的關(guān)系材料科學(xué)基礎(chǔ)第3章擴(kuò)散上式中:二、熱激活和擴(kuò)散系數(shù)§2擴(kuò)散的原子理論材料科學(xué)基礎(chǔ)第3章擴(kuò)散
4.
和擴(kuò)散系數(shù)的表達(dá)式(1)間隙擴(kuò)散
§2擴(kuò)散的原子理論二、熱激活和擴(kuò)散系數(shù)材料科學(xué)基礎(chǔ)第3章擴(kuò)散D0:擴(kuò)散常數(shù);Q:激活能材料科學(xué)基礎(chǔ)第3章擴(kuò)散(2)置換擴(kuò)散置換擴(kuò)散的擴(kuò)散系數(shù)與空位有關(guān)因此,對(duì)于置換擴(kuò)散,
不僅與擴(kuò)散激活能有關(guān),還與空位濃度有關(guān)!二、熱激活和擴(kuò)散系數(shù)§2擴(kuò)散的原子理論材料科學(xué)基礎(chǔ)第3章擴(kuò)散置換固溶體中擴(kuò)散系數(shù)的表達(dá)式。二、熱激活和擴(kuò)散系數(shù)§2擴(kuò)散的原子理論D=Pd2(3-30)如果配位數(shù)為Z0,則:材料科學(xué)基礎(chǔ)第3章擴(kuò)散5、擴(kuò)散激活能如前所述,兩邊取對(duì)數(shù)得:作lnD和1/T之間的關(guān)系曲線(xiàn),如圖所示。測(cè)得斜率即可求得Q。有些材料在不同溫區(qū)擴(kuò)散機(jī)制不同,因而擴(kuò)散系數(shù)不同,在圖中不是單一的線(xiàn)性關(guān)系??赡苁怯蓭锥握劬€(xiàn)組成。二、熱激活和擴(kuò)散系數(shù)§2擴(kuò)散的原子理論材料科學(xué)基礎(chǔ)第3章擴(kuò)散四、置換合金中的擴(kuò)散方程(Darken’sequation)
1.置換合金中的擴(kuò)散§2擴(kuò)散的原子理論由于DA≠DB
導(dǎo)致空位流由于空位流導(dǎo)致點(diǎn)陣平面遷移
A、B兩種原子都擴(kuò)散,DA≠DB材料科學(xué)基礎(chǔ)第3章擴(kuò)散2.Kirkendall效應(yīng)點(diǎn)陣平面的遷移的驗(yàn)證§2擴(kuò)散的原子理論四、置換合金中的擴(kuò)散方程在純銅和黃銅中嵌入鉬絲,退火后鉬絲會(huì)遷移。材料科學(xué)基礎(chǔ)第3章擴(kuò)散3.Darken方程思路:將擴(kuò)散的原子流分成兩部分:原子相對(duì)于點(diǎn)陣的運(yùn)動(dòng)§2擴(kuò)散的原子理論四、置換合金中的擴(kuò)散方程點(diǎn)陣平面遷移掃過(guò)原子vCA材料科學(xué)基礎(chǔ)第3章擴(kuò)散§2擴(kuò)散的原子理論四、置換合金中的擴(kuò)散方程求點(diǎn)陣平面移動(dòng)的速率v:摩爾濃度、摩爾密度與摩爾分?jǐn)?shù)的關(guān)系材料科學(xué)基礎(chǔ)第3章擴(kuò)散四、置換合金中的擴(kuò)散方程§2擴(kuò)散的原子理論材料科學(xué)基礎(chǔ)第3章擴(kuò)散四、置換合金中的擴(kuò)散方程§2擴(kuò)散的原子理論由達(dá)肯方程可以看出,只要將擴(kuò)散第一定律和擴(kuò)散第二定律中的擴(kuò)散系數(shù)D換成合金的互擴(kuò)散系數(shù)?,擴(kuò)散定律對(duì)置換固溶體的擴(kuò)散仍然是適用的。本征擴(kuò)散系數(shù)D與互擴(kuò)散系數(shù)?本征擴(kuò)散系數(shù)D是描述組元的濃度梯度所驅(qū)動(dòng)的擴(kuò)散;互擴(kuò)散系數(shù)?是合金中各組元本征擴(kuò)散系數(shù)的加權(quán)平均,反映了合金系統(tǒng)的擴(kuò)散特性,不代表單一組元的擴(kuò)散性質(zhì);
本征擴(kuò)散系數(shù)D與自擴(kuò)散系數(shù)D*
自擴(kuò)散是指在沒(méi)有濃度梯度下的原子擴(kuò)散,本征擴(kuò)散過(guò)程既包含了原子的自擴(kuò)散,又包含原子在濃度梯度下引起的擴(kuò)散
材料科學(xué)基礎(chǔ)第3章擴(kuò)散一、擴(kuò)散的驅(qū)動(dòng)力唯象理論,擴(kuò)散的驅(qū)動(dòng)力-濃度梯度,原子遷移的速度:v=BF(3-47)其中:B為原子遷移率。原子流密度:
J=Civi=ciBiF
(3-48)§3擴(kuò)散的驅(qū)動(dòng)力和熱力學(xué)因子有些晶體中,原子從低濃度流向高濃度-上坡擴(kuò)散真正的驅(qū)動(dòng)力-化學(xué)勢(shì)梯度,材料科學(xué)基礎(chǔ)第3章擴(kuò)散§3擴(kuò)散的驅(qū)動(dòng)力和熱力學(xué)因子代入(3-48)材料科學(xué)基礎(chǔ)第3章擴(kuò)散§3擴(kuò)散的驅(qū)動(dòng)力和熱力學(xué)因子材料科學(xué)基礎(chǔ)第3章擴(kuò)散§4影響擴(kuò)散的因素一、溫度可知,擴(kuò)散系數(shù)與溫度直接相關(guān)。溫度越高,D越大。溫度是影響擴(kuò)散的主要因素之一。從擴(kuò)散系數(shù)的表達(dá)式材料科學(xué)基礎(chǔ)第3章擴(kuò)散無(wú)論是間隙機(jī)制,還是空位機(jī)制,都遵循熱激活規(guī)律。溫度提高,擴(kuò)散原子獲得能量超過(guò)能壘的幾率越大,同時(shí)晶體的平衡空位濃度也越高,這些都是提高擴(kuò)散系數(shù)的原因eg.1:1027℃比927℃時(shí),C在γ-Fe中的擴(kuò)散系數(shù)D增加3倍eg.2:置換固溶體,D=10-8~10-9cm2/s,固相線(xiàn)附近溫度D=10-20~10-50cm2/s,室溫下一、溫度§4影響擴(kuò)散的因素材料科學(xué)基礎(chǔ)第3章擴(kuò)散二、晶體結(jié)構(gòu)1.固溶體類(lèi)型
間隙固溶體,間隙原子,間隙擴(kuò)散,因此,擴(kuò)散速率高。
置換固溶體,置換擴(kuò)散,擴(kuò)散速率小?!?影響擴(kuò)散的因素材料科學(xué)基礎(chǔ)第3章擴(kuò)散2.結(jié)構(gòu)類(lèi)型§4影響擴(kuò)散的因素
同素異構(gòu)晶體致密度高,擴(kuò)散系數(shù)小,
在
-Fe中的擴(kuò)散系數(shù)(包括自擴(kuò)散系數(shù)和合金元素的擴(kuò)散系數(shù))比在
-Fe中大。
溶解度不同晶體結(jié)構(gòu)中對(duì)合金元素的溶解度不同
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